삼성종합기술원

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1. 개요
2. 주요 연구 분야
3. 주요 연구 성과
4. 시설
- 4.1. 글로벌 R&D 센터
- 4.2. 글로벌 AI 센터
참조

1. 개요

삼성종합기술원은 인공지능, 컴퓨팅 플랫폼, 인간 능력 확장 기술, 메타포토닉스, 나노 전자 공학, 디스플레이 기술, 배터리 기술, 반도체 기술, 환경 분야 등을 연구하는 삼성의 연구 기관이다. 1996년 DVD 플레이어 기술 개발, 1998년 MPEG4 코딩 기술 국제 표준화 기여, 1999년 탄소 나노 튜브 전계 방출 디스플레이 완성 등의 연구 성과를 냈다. 전 세계에 글로벌 R&D 센터와 AI 센터를 운영하고 있다.

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삼성종합기술원
기본 정보
삼성 로고
기업 종류	주식회사
산업	연구 개발
설립	1987년 12월 22일
본사	대한민국 서울특별시 서초구
핵심 인물	황성우 (사장)
모기업	삼성전자
웹사이트	공식 웹사이트
상세 정보
전체 직원	2,000명 이상 (2023년)
위치	대한민국 서울특별시 서초구, 대한민국 수원시 영통구
주요 활동	선행 기술 연구 개발
주요 연구 분야	AI 머신러닝 로봇공학 첨단 소재 신소재 헬스케어 차세대 통신 컴퓨팅 플랫폼
수상	2020 대한민국 최고 과학기술인상 (황성우 사장) IEEE Corporate Innovation Award (2023)
주요 연혁	1987년 12월: 삼성종합기술원 설립 1991년: 연료 전지 개발 시작 1995년: 차세대 반도체 메모리 연구 시작 2000년: 디지털 TV 기술 개발 2005년: 차세대 이동통신 기술 개발 2010년: 헬스케어 기술 개발 2015년: 인공지능 연구 시작 2020년: 로봇 연구 시작 2023년: IEEE Corporate Innovation Award 수상

2. 주요 연구 분야

삼성종합기술원은 다양한 최첨단 기술 분야를 연구하고 있다. 주요 연구 분야는 다음과 같다.

인공지능(AI): 기초 인공지능 시스템, 시각 인식 및 처리, 자연어 처리, 자동 음성 인식(ASR), 기계 번역(MT), 딥 러닝, 반도체 재료 설계 자동화 기술을 연구한다.
컴퓨팅 플랫폼: 뉴럴 프로세서, 뉴로모픽 프로세서, 메모리 처리, 고성능 컴퓨팅, 암호화 기술, 소프트웨어 공학(SE)을 연구한다.
인간 능력 확장 기술: 증강 현실 기술, 혈압·ECG 신호·항산화 레벨 측정 감시 기술 등을 연구한다.
메타포토닉스: 인공 나노 구조 기술, 홀로그래픽 디스플레이, 자유 공간 광 통신 등을 연구한다.
나노 전자 공학: 양자 컴퓨터, NanoLED 디스플레이를 연구한다.
디스플레이 기술: OLED(유기 EL), QLED(양자 배열 액정), 페로브스카이트, 유기 이미지 센서, MicroLED 등을 연구한다.
배터리 기술: 스마트 기기용 리튬 이온 배터리, 의료 기기·전기 자동차용 배터리 등을 연구한다.
반도체 기술: 그래핀·2차원 재료를 사용한 반도체 기술, DRAM, VNAND, 5G 모뎀, AP, 집적 회로 장치, 카메라 이미지 센서, 태양 전지 등을 연구한다.
환경: 나노 입자·가스용 센서, 입자·가스 제거용 촉매, 유지 보수가 필요 없는 공기 정화 장치 등을 연구한다.

2. 1. 인공지능 (AI)

기초 인공지능(AI) 시스템, 시각 인식, 시각 처리, 자연어 처리, 자동 음성 인식(ASR), 기계 번역(MT), 딥 러닝, 반도체 재료 설계 자동화 기술을 연구한다.^[1]

2. 2. 컴퓨팅 플랫폼

뉴럴 프로세서, 뉴로모픽 프로세서, 메모리 처리, 고성능 컴퓨팅, 암호화 기술, 소프트웨어 공학(SE)을 연구한다.

2. 3. 인간 능력 확장 기술

증강 현실 기술, 혈압·ECG 신호·항산화 레벨 측정 감시 기술 등을 연구한다.^[1]

2. 4. 메타포토닉스

인공 나노 구조 기술, 홀로그래픽 디스플레이, 자유 공간 광 통신 등을 연구한다.^[1]

2. 5. 나노 전자 공학

양자 컴퓨터, NanoLED 디스플레이를 연구한다.

2. 6. 디스플레이 기술

OLED(유기 EL), QLED(양자 배열 액정), 페로브스카이트, 유기 이미지 센서, MicroLED 등을 연구한다.

2. 7. 배터리 기술

스마트 기기용 리튬 이온 배터리, 의료 기기·전기 자동차용 배터리 등을 연구한다.^[1]

2. 8. 반도체 기술

그래핀·2차원 재료를 사용한 반도체 기술, DRAM, VNAND, 5G 모뎀, AP, 집적 회로 장치, 카메라 이미지 센서, 태양 전지 등을 연구한다.

2. 9. 환경

나노 입자·가스용 센서, 입자·가스 제거용 촉매, 유지 보수가 필요 없는 공기 정화 장치 등을 연구한다.

3. 주요 연구 성과

1996년 블루레이 광 기록의 기초가 된 DVD 플레이어 기술을 개발하였다.
1998년 MPEG4 코딩 기술의 국제 표준화에 기여했다.
1999년 세계 최초로 탄소 나노 튜브 전계 방출 디스플레이를 완성하였다.
2007년 텔레비전용 백색 LED를 개발하였다.
2009년 고성능 하이브리드 양자점 발광 다이오드(Nature Photonics)를 완성하였다.
2011년 유리 기판 위에 GaN LED 구현에 성공했다.
2014년 고성능 녹색 인광 OLED 재료를 개발하였다.
2015년 SUHD (Samsung Ultra High Definition) TV에 적용된 양자점 디스플레이를 개발하였다.
2017년 고정밀 얼굴 인식 기술을 개발하였다.

4. 시설

삼성종합기술원은 대한민국 내 연구 시설 외에도 여러 국가에 글로벌 R&D 센터와 글로벌 AI 센터를 운영하고 있다.

4. 1. 글로벌 R&D 센터

국가	연구소명
미국	삼성 리서치 아메리카
영국	삼성전자 연구소 영국
폴란드	삼성전자 연구소 폴란드
러시아	삼성전자 연구소 러시아
우크라이나	삼성전자 연구소 우크라이나
이스라엘	삼성전자 연구소 이스라엘
요르단	삼성전자 연구소 요르단
인도 방갈로르	삼성 연구소 인도-방갈로르
필리핀	삼성 연구소 필리핀
인도네시아	삼성 연구소 인도네시아
중국 베이징	삼성 종합 기술원 중국 베이징
중국 난징	삼성 종합 기술원 중국 난징
일본 요코하마	삼성 종합기술원 재팬-요코하마
일본 오사카	삼성 종합기술원 재팬-오사카

4. 2. 글로벌 AI 센터

센터명	위치
삼성 리서치 AI 센터	대한민국
삼성 리서치 아메리카 AI 센터	미국
삼성 AI 센터 - 뉴욕	뉴욕
삼성 AI 센터 - 토론토	토론토
삼성 AI 센터 - 몬트리올	몬트리올
삼성 AI 센터 - 케임브리지	케임브리지
삼성 AI 센터 - 모스크바	모스크바

참조

_[1] 웹사이트 Samsung Advanced Institute of Technology Official Global Site https://www.sait.sam[...] Samsung Advanced Institute of Technology 2020-03-14
_[2] 웹사이트 Global Labs https://www.sait.sam[...] Samsung Advanced Institute of Technology 2020-03-14
_[3] 웹사이트 Global R&D Networks https://research.sam[...] Samsung Research 2020-03-14