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일산화 규소

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1. 개요

일산화 규소(SiO)는 갈색 또는 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재하는 규소와 산소의 화합물이다. 1710°C의 녹는점과 1880°C의 끓는점을 가지며, 열과 전기에 우수한 절연체이다. 공기 중에 노출되면 표면이 산화되어 이산화 규소로 변화하며, 물과는 반응하여 수소를 생성하지만, 반응은 곧 중지된다. 일산화 규소는 이산화 규소와 탄소 또는 탄화 규소를 고온에서 반응시켜 얻을 수 있으며, 1887년 찰스 F. 메이베리에 의해 처음 보고되었다. 고체 형태의 일산화 규소는 SiO 박막 증착에 사용되며, 성간 물질에서도 검출된다.

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일산화 규소 - [화학 물질]에 관한 문서
식별자
InChI1/OSi/c1-2
InChIKeyLIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYAO
InChI (표준)1S/OSi/c1-2
InChIKey (표준)LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N
CAS 등록번호10097-28-6
UNII1OQN9CBG7L
PubChem66241
ChemSpider ID59626
EINECS233-232-8
MeSH 이름산화 규소
ChEBI30588
SMILES[O+]#[Si-]
표준 InChI1S/H3OSi/c1-2/h2H3
표준 InChIKeyUXMAWJKSGBRJKV-UHFFFAOYSA-N
Gmelin382
성질
화학식SiO
몰 질량44.08 g/mol
외형갈색-검은색 유리질 고체
밀도2.13 g/cm3
녹는점1702 °C
끓는점1880 °C
용해도불용성
열화학
표준 생성 엔탈피 (기체)-99.6 kJ mol-1
엔트로피 (기체)211.61 J mol-1K-1
열용량 (기체)29.92 J mol-1K-1
위험성
인화점불연성
NFPA 704"보건: 1"
"인화성: 0"
"반응성: 0"
관련 화합물
다른 음이온황화 규소
셀렌화 규소
텔루르화 규소
다른 양이온일산화 탄소
산화 게르마늄(II)
산화 주석(II)
산화 납(II)
다른 기능이산화 규소
다른 기능 (설명)규소 산화물
이미지

2. 성질

일산화 규소는 갈색, 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재하며, 녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이며, 전기에 대해 우수한 절연체이다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮여 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]

SiO의 휘발성 때문에, 실리카는 실리콘과 함께 가열하여 기체 SiO를 생성하는 방식으로 광석이나 광물에서 제거될 수 있다.[1] 증기압 측정의 어려움과 실험 설계의 특성으로 인해 SiO(g)의 증기압에 대해 다양한 값이 보고되었다. 실리콘의 녹는점에서 석영(SiO2) 도가니 속 용융 실리콘 위의 pSiO는 0.002 기압,[10] 순수한 비정질 SiO 고체의 직접 기화는 0.001 기압,[11] SiO2와 실리사이드 사이의 상 경계에서 코팅 시스템의 경우 0.01 기압이 보고되었다.[12]

실리카 자체 또는 SiO2를 포함하는 내화물은 고온에서 H2 또는 CO로 환원될 수 있다.[13]

: SiO2(s) + H2(g) ⇌ SiO(g) + H2O(g)

SiO 생성물이 휘발(제거)됨에 따라 평형은 오른쪽으로 이동하여 SiO2의 지속적인 소모를 초래한다. 이 환원의 속도는 반응 표면으로부터 대류 확산 또는 물질 전달에 의해 제어되는 것으로 보인다.[14][15]

포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다. 포터는 SiO의 연소열이 Si와 SiO₂의 평형 혼합물보다 200~800칼로리 더 높다고 보고했지만,[18] 일부 연구에서는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 특징지었으며, Si와 SiO₂ 상의 계면에서 일부 화학 결합이 존재한다고 밝혔다.[19][20] 그러나 최근의 분광학적 연구는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 간주할 수 없다는 것을 시사한다.[21]

2. 1. 물리적 성질

갈색, 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재한다. 녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이다. 전기에 대해서 우수한 절연체로 작용한다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮이게 되어 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]

2. 2. 화학적 성질

녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이다. 열과 전기에 대해 우수한 절연체로 작용한다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮이게 되어 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]

실리콘 표면은 상온에서 공기 중에 쉽게 산화되어 SiO₂ 표면층을 형성하며, 이는 소재를 추가적인 산화로부터 보호한다. 그러나 (SiO)''n''은 400°C~800°C에서 수 시간 이내에, 1000°C~1440°C에서는 매우 빠르게 SiO₂와 Si로 비가역적으로 불균화되지만, 반응이 완전히 진행되지는 않는다.[4]

SiO의 휘발성 때문에, 실리카는 실리콘과 함께 가열하여 기체 SiO를 생성하는 방식으로 광석이나 광물에서 제거될 수 있다.[1]

실리카 자체 또는 SiO2를 포함하는 내화물은 고온에서 H2 또는 CO로 환원될 수 있다.[13]

SiO 생성물이 휘발(제거)됨에 따라 평형은 오른쪽으로 이동하여 SiO2의 지속적인 소모를 초래한다.

포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다.

3. 제법

이산화 규소탄소탄화 규소를 고온에서 반응시켜 일산화 규소를 얻을 수 있다.[32]

일산화 규소(SiO) 형성에 대한 최초의 정확한 보고는 1887년 케이스 응용과학대학교(Case School of Applied Science)의 클리블랜드(Cleveland)에서 화학자 찰스 F. 메이베리(Charles F. Maybery, 1850~1927)에 의해 이루어졌다.[5] 메이베리는 전기로에서 금속이 없는 상태로 숯을 이용하여 이산화 규소를 환원시키면 무정형의 연한 황록색 물질이 유리 광택을 띠면서 생성된다고 주장했다.[6] 이 물질은 항상 숯과 이산화 규소 입자의 계면에서 발견되었다.

메이베리는 이 물질의 일부 화학적 성질, 비중 및 연소 분석을 조사하여 이 물질이 SiO임을 추론했다. 이산화 규소의 탄소를 이용한 부분적 화학적 환원을 나타내는 방정식은 다음과 같다.

:SiO₂ + C ⇌ SiO + CO

이산화 규소를 탄소의 두 배 양으로 완전히 환원시키면 원소 상태의 규소와 두 배 양의 일산화탄소가 생성된다. 1890년, 독일 화학자 클레멘스 빙클러(Clemens Winkler, 게르마늄 발견자)는 연소로에서 이산화 규소를 규소와 가열하여 SiO를 합성하려는 최초의 시도를 했다.[7]

:SiO₂ + Si ⇌ 2SiO

그러나 빙클러는 혼합물의 온도가 약 1000 °C에 불과했기 때문에 일산화 규소를 생성할 수 없었다. 이 실험은 1905년 웨스팅하우스 전기(1886)(Westinghouse Electric (1886))의 엔지니어인 헨리 노엘 포터(Henry Noel Potter, 1869~1942)에 의해 반복되었다. 포터는 전기로를 사용하여 1700 °C의 온도를 얻고 SiO의 생성을 관찰했다.[5] 포터는 또한 SiO의 고체 형태의 특성과 응용 분야를 조사했다.[8][9]

이산화 규소규소와 함께 가열하면 기체인 일산화 규소가 생성된다.[25]

:SiO₂ + Si → 2SiO

원료인 이산화 규소는 광석이나 광물에서 분리된다.

또한, 이산화 규소를 수소 분자나 일산화 탄소로 고온에서 환원시켜도 일산화 규소가 생성된다.[28]

:SiO₂ + H₂ → SiO + H₂O

일산화 규소는 다음과 같이 곧바로 불균화한다.[25]

:2SiO → SiO₂ + Si

4. 분자 구조 및 결합

일산화 규소 분자는 헬륨으로 냉각된 아르곤 매트릭스에 포획되었다. 이러한 조건에서 SiO 결합 길이는 148.9 pm[3]와 151 pm[16] 사이이다. 이 결합 길이는 매트릭스에 분리된 선형 분자 SiO|2영어 (O=Si=O)에서 Si=O 이중 결합(148 pm)의 길이와 유사하며, 일산화 탄소와 같은 삼중 결합은 관측되지 않는다.[3] 그러나 계산된 SiO 삼중 결합의 결합 길이는 150 pm이고 결합 에너지는 794 kJ/mol로, 실제 SiO에 대해 보고된 값과 매우 가깝다.[16] 이산화 탄소의 공식적인 이중 결합(116 pm) 또한 일산화 탄소의 삼중 결합 길이(112.8 pm)와 가깝다는 점을 고려할 때, 관찰된 SiO의 결합 길이는 이원자 분자에서 적어도 어느 정도의 삼중 결합 특성과 일치한다고 볼 수 있다. 주목할 만하게 SiO 이중 결합 구조는 가벼운 주족 원소로 구성된 분자에 대한 루이스의 옥텟 규칙의 예외이다. 반면 SiO 삼중 결합은 이 규칙을 만족한다. 그러한 이상 현상에도 불구하고, 단량체 SiO는 수명이 짧고 n = 2, 3, 4, 5인 (SiO)'n' 올리고머가 알려져 있으며,[17] 이들은 모두 규소 원자가 산소 원자를 통해 연결된 닫힌 고리 구조(즉, 각 산소 원자는 두 개의 규소 원자에 단일 결합됨; Si-Si 결합 없음)를 가진다는 관찰은 저원자가 규소 원자를 가진 Si=O 이중 결합 구조가 단량체에 대해 가능성이 높음을 시사한다.[3]

아르곤 매트릭스에서 불소, 염소 또는 이황화 탄소(COS)와 함께 분자 SiO를 응축한 다음 빛을 조사하면 평면 분자 OSiF|2영어 (Si-O 거리 148 pm)와 OSiCl|2영어 (Si-O 149 pm) 및 선형 분자 OSiS영어 (Si-O 149 pm, Si-S 190 pm)가 생성된다.[3]

매트릭스에 분리된 분자 SiO는 마이크로파 방전에 의해 생성된 산소 원자와 반응하여 선형 구조를 갖는 분자 SiO|2영어를 생성한다.

Na, Al, Pd, AgAu과 같은 금속 원자가 SiO와 함께 공동 증착되면 선형(AlSiO 및 PdSiO), 비선형(AgSiO 및 AuSiO) 및 고리(NaSiO) 구조를 갖는 삼원자 분자가 생성된다.[3]

5. 역사

케이스 응용과학대학교(Case School of Applied Science)의 클리블랜드(Cleveland)에서 화학자 찰스 F. 메이베리(Charles F. Maybery, 1850~1927)는 1887년에 일산화 규소(SiO) 형성에 대한 최초의 정확한 보고를 했다.[5] 메이베리는 전기로에서 금속이 없는 상태로 숯을 이용하여 이산화 규소를 환원시키면 무정형의 연한 황록색 물질이 유리 광택을 띠면서 생성된다고 주장했다.[6] 이 물질은 항상 숯과 이산화 규소 입자의 계면에서 발견되었다.

메이베리는 이 물질의 일부 화학적 성질, 비중 및 연소 분석을 조사하여 이 물질이 SiO임을 추론했다. 이산화 규소(SiO₂)를 탄소(C)를 이용해 부분적으로 화학적 환원시키면 일산화 규소(SiO)와 일산화탄소(CO)가 생성되는 반응식은 다음과 같다.

:SiO₂ + C ⇌ SiO + CO

이산화 규소를 탄소의 두 배 양으로 완전히 환원시키면 원소 상태의 규소와 두 배 양의 일산화탄소가 생성된다. 1890년, 독일 화학자 클레멘스 빙클러(Clemens Winkler, 게르마늄 발견자)는 연소로에서 이산화 규소를 규소와 가열하여 SiO를 합성하려는 최초의 시도를 했다.[7]

:SiO₂ + Si ⇌ 2 SiO

그러나 빙클러는 혼합물의 온도가 약 1000 °C에 불과했기 때문에 일산화 규소를 생성할 수 없었다. 이 실험은 1905년 웨스팅하우스 전기(1886)(Westinghouse Electric (1886))의 엔지니어인 헨리 노엘 포터(Henry Noel Potter, 1869~1942)에 의해 반복되었다. 포터는 전기로를 사용하여 1700 °C의 온도를 얻고 SiO의 생성을 관찰했다.[5] 포터는 또한 SiO의 고체 형태의 특성과 응용 분야를 조사했다.[8][9]

6. 존재

성간 일산화 규소(SiO)는 1971년 거대 분자운 Sgr B2에서 처음으로 검출된 이후 보고되었다.[22] 원시별 유출에서 충격파가 지나간 기체의 분자 추적자로 사용된다.[23]

6. 1. 고체 (중합체) 형태

SiO 기체를 빠르게 냉각하면 갈색 또는 검은색의 중합체 유리 물질 (SiO)''n''이 생성되는데, 이는 시판되며 SiO 박막 증착에 사용된다. 유리상 (SiO)''n''은 공기와 습기에 민감하다.

포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다. 포터는 SiO의 연소열이 Si와 SiO₂의 평형 혼합물보다 200~800칼로리 더 높다고 보고했지만,[18] 일부 연구에서는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 특징지었으며, Si와 SiO₂ 상의 계면에서 일부 화학 결합이 존재한다고 밝혔다.[19][20] 포터의 보고서와 상관관계가 있는 최근의 분광학적 연구는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 간주할 수 없다는 것을 시사한다.[21]

최근 연구에 따르면, 시중에서 구할 수 있는 고체 상태의 일산화규소는 이산화규소와 규소의 혼합물임이 밝혀졌다.[29][30]

6. 2. 성간 물질

성간 일산화 규소(SiO)는 1971년 거대 분자운 Sgr B2에서 처음으로 검출된 이후 계속해서 발견되고 있다.[22] 일산화 규소는 원시별 유출에서 충격파가 지나간 기체의 분자를 추적하는 데 사용된다.[23]

참조

[1] 서적 Inorganic Chemistry Academic Press/De Gruyter
[2] 논문 A survey of SiO 5 → 4 emission towards outflows from massive young stellar objects
[3] 서적 Silicon chemistry: from the atom to extended systems Wiley-VCH
[4] 논문 Disproportionation and Vaporization of Solid Silicon Monoxide Wiley
[5] 서적 A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry Longmans, Green and Co.
[6] 간행물
[7] 간행물
[8] 특허 U.S. Patent 182,082 1905-07-26
[9] 서적 Electrochemical and Metallurgical Industry, Vol. 5 https://books.google[...]
[10] 서적 Handbook of Semiconductor Silicon Technology Noyes Publications
[11] 논문 Silicates Do Nucleate in Oxygen-rich Circumstellar Outflows: New Vapor Pressure Data for SiO
[12] 보고서 High-Temperature Oxidation-Resistant Coatings National Academy of Sciences/National Academy of Engineering
[13] 서적 Refractories handbook CRC Press
[14] 논문 Kinetics of the Hydrogen Reduction of Silica Incorporating the Effect of Gas-Volume Change upon Reaction Wiley
[15] 논문 The kinetics of silica reduction in hydrogen Elsevier BV
[16] 서적 Inorganic Chemistry Academic Press
[17] 논문 Comparative study of flame-based SiO2 nanoparticle synthesis from TMS and HMDSO: SiO-LIF concentration measurement and detailed simulation 2019-01-01
[18] 서적 A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry Longmans, Green and Co.
[19] 논문 Some comments on so-called silicon monoxide
[20] 논문 TEM investigation on the structure of amorphous silicon monoxide
[21] 논문 Crystallization and phase separation mechanism of silicon oxide thin films fabricated via e-beam evaporation of silicon monoxide
[22] 논문 Discovery of Interstellar Silicon Monoxide 1971
[23] 논문 SIO Emission as a Tracer of Shocked Gas in Molecular Outflows http://adsabs.harvar[...] 1992-02-01
[24] 논문 The NBS tables of chemical thermodynamics properties
[25] 서적 Inorganic Chemistry Academic Press
[26] 논문 A survey of SiO 5 -> 4 emission towards outflows from massive young stellar objects
[27] 서적 Silicon chemistry: from the atom to extended systems Wiley-VCH
[28] 서적 Refractories handbook CRC Press
[29] 논문 Some comments on so-called silicon monoxide
[30] 논문 TEM investigation on the structure of amorphous silicon monoxide
[31] 웹인용 일산화 규소 MSDS http://msds.chem.ox.[...] 2008-06-07
[32] 서적 일산화규소 세화



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