일산화 규소
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1. 개요
일산화 규소(SiO)는 갈색 또는 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재하는 규소와 산소의 화합물이다. 1710°C의 녹는점과 1880°C의 끓는점을 가지며, 열과 전기에 우수한 절연체이다. 공기 중에 노출되면 표면이 산화되어 이산화 규소로 변화하며, 물과는 반응하여 수소를 생성하지만, 반응은 곧 중지된다. 일산화 규소는 이산화 규소와 탄소 또는 탄화 규소를 고온에서 반응시켜 얻을 수 있으며, 1887년 찰스 F. 메이베리에 의해 처음 보고되었다. 고체 형태의 일산화 규소는 SiO 박막 증착에 사용되며, 성간 물질에서도 검출된다.
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일산화 규소 - [화학 물질]에 관한 문서 | |
---|---|
식별자 | |
InChI | 1/OSi/c1-2 |
InChIKey | LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYAO |
InChI (표준) | 1S/OSi/c1-2 |
InChIKey (표준) | LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N |
CAS 등록번호 | 10097-28-6 |
UNII | 1OQN9CBG7L |
PubChem | 66241 |
ChemSpider ID | 59626 |
EINECS | 233-232-8 |
MeSH 이름 | 산화 규소 |
ChEBI | 30588 |
SMILES | [O+]#[Si-] |
표준 InChI | 1S/H3OSi/c1-2/h2H3 |
표준 InChIKey | UXMAWJKSGBRJKV-UHFFFAOYSA-N |
Gmelin | 382 |
성질 | |
화학식 | SiO |
몰 질량 | 44.08 g/mol |
외형 | 갈색-검은색 유리질 고체 |
밀도 | 2.13 g/cm3 |
녹는점 | 1702 °C |
끓는점 | 1880 °C |
용해도 | 불용성 |
열화학 | |
표준 생성 엔탈피 (기체) | -99.6 kJ mol-1 |
엔트로피 (기체) | 211.61 J mol-1K-1 |
열용량 (기체) | 29.92 J mol-1K-1 |
위험성 | |
인화점 | 불연성 |
NFPA 704 | "보건: 1" "인화성: 0" "반응성: 0" |
관련 화합물 | |
다른 음이온 | 황화 규소 셀렌화 규소 텔루르화 규소 |
다른 양이온 | 일산화 탄소 산화 게르마늄(II) 산화 주석(II) 산화 납(II) |
다른 기능 | 이산화 규소 |
다른 기능 (설명) | 규소 산화물 |
이미지 | |
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2. 성질
일산화 규소는 갈색, 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재하며, 녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이며, 열과 전기에 대해 우수한 절연체이다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 물과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮여 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소와 물, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]
SiO의 휘발성 때문에, 실리카는 실리콘과 함께 가열하여 기체 SiO를 생성하는 방식으로 광석이나 광물에서 제거될 수 있다.[1] 증기압 측정의 어려움과 실험 설계의 특성으로 인해 SiO(g)의 증기압에 대해 다양한 값이 보고되었다. 실리콘의 녹는점에서 석영(SiO2) 도가니 속 용융 실리콘 위의 pSiO는 0.002 기압,[10] 순수한 비정질 SiO 고체의 직접 기화는 0.001 기압,[11] SiO2와 실리사이드 사이의 상 경계에서 코팅 시스템의 경우 0.01 기압이 보고되었다.[12]
실리카 자체 또는 SiO2를 포함하는 내화물은 고온에서 H2 또는 CO로 환원될 수 있다.[13]
: SiO2(s) + H2(g) ⇌ SiO(g) + H2O(g)
SiO 생성물이 휘발(제거)됨에 따라 평형은 오른쪽으로 이동하여 SiO2의 지속적인 소모를 초래한다. 이 환원의 속도는 반응 표면으로부터 대류 확산 또는 물질 전달에 의해 제어되는 것으로 보인다.[14][15]
포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다. 포터는 SiO의 연소열이 Si와 SiO₂의 평형 혼합물보다 200~800칼로리 더 높다고 보고했지만,[18] 일부 연구에서는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 특징지었으며, Si와 SiO₂ 상의 계면에서 일부 화학 결합이 존재한다고 밝혔다.[19][20] 그러나 최근의 분광학적 연구는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 간주할 수 없다는 것을 시사한다.[21]
2. 1. 물리적 성질
갈색, 흑색의 분말 또는 덩어리 형태로 존재한다. 녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이다. 열과 전기에 대해서 우수한 절연체로 작용한다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 물과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮이게 되어 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소와 물, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]2. 2. 화학적 성질
녹는점은 1710°C, 끓는점은 1880°C이다.[31] 밀도는 2.13g/ml이다. 열과 전기에 대해 우수한 절연체로 작용한다. 공기 중에 노출될 경우 표면이 산화되어 이산화 규소가 형성되므로 화학적으로 불활성 상태가 된다. 물과 반응하여 수소를 생성할 수 있지만, 표면이 이산화 규소로 덮이게 되어 반응이 곧 중지된다. 플루오르화 수소와 반응시키면 규소와 물, 그리고 규소의 비중이 높고 조성이 결정되지 않는 물질을 생성한다.[32]실리콘 표면은 상온에서 공기 중에 쉽게 산화되어 SiO₂ 표면층을 형성하며, 이는 소재를 추가적인 산화로부터 보호한다. 그러나 (SiO)''n''은 400°C~800°C에서 수 시간 이내에, 1000°C~1440°C에서는 매우 빠르게 SiO₂와 Si로 비가역적으로 불균화되지만, 반응이 완전히 진행되지는 않는다.[4]
SiO의 휘발성 때문에, 실리카는 실리콘과 함께 가열하여 기체 SiO를 생성하는 방식으로 광석이나 광물에서 제거될 수 있다.[1]
실리카 자체 또는 SiO2를 포함하는 내화물은 고온에서 H2 또는 CO로 환원될 수 있다.[13]
SiO 생성물이 휘발(제거)됨에 따라 평형은 오른쪽으로 이동하여 SiO2의 지속적인 소모를 초래한다.
포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다.
3. 제법
이산화 규소와 탄소나 탄화 규소를 고온에서 반응시켜 일산화 규소를 얻을 수 있다.[32]
일산화 규소(SiO) 형성에 대한 최초의 정확한 보고는 1887년 케이스 응용과학대학교(Case School of Applied Science)의 클리블랜드(Cleveland)에서 화학자 찰스 F. 메이베리(Charles F. Maybery, 1850~1927)에 의해 이루어졌다.[5] 메이베리는 전기로에서 금속이 없는 상태로 숯을 이용하여 이산화 규소를 환원시키면 무정형의 연한 황록색 물질이 유리 광택을 띠면서 생성된다고 주장했다.[6] 이 물질은 항상 숯과 이산화 규소 입자의 계면에서 발견되었다.
메이베리는 이 물질의 일부 화학적 성질, 비중 및 연소 분석을 조사하여 이 물질이 SiO임을 추론했다. 이산화 규소의 탄소를 이용한 부분적 화학적 환원을 나타내는 방정식은 다음과 같다.
:SiO₂ + C ⇌ SiO + CO
이산화 규소를 탄소의 두 배 양으로 완전히 환원시키면 원소 상태의 규소와 두 배 양의 일산화탄소가 생성된다. 1890년, 독일 화학자 클레멘스 빙클러(Clemens Winkler, 게르마늄 발견자)는 연소로에서 이산화 규소를 규소와 가열하여 SiO를 합성하려는 최초의 시도를 했다.[7]
:SiO₂ + Si ⇌ 2SiO
그러나 빙클러는 혼합물의 온도가 약 1000 °C에 불과했기 때문에 일산화 규소를 생성할 수 없었다. 이 실험은 1905년 웨스팅하우스 전기(1886)(Westinghouse Electric (1886))의 엔지니어인 헨리 노엘 포터(Henry Noel Potter, 1869~1942)에 의해 반복되었다. 포터는 전기로를 사용하여 1700 °C의 온도를 얻고 SiO의 생성을 관찰했다.[5] 포터는 또한 SiO의 고체 형태의 특성과 응용 분야를 조사했다.[8][9]
이산화 규소를 규소와 함께 가열하면 기체인 일산화 규소가 생성된다.[25]
:SiO₂ + Si → 2SiO
원료인 이산화 규소는 광석이나 광물에서 분리된다.
또한, 이산화 규소를 수소 분자나 일산화 탄소로 고온에서 환원시켜도 일산화 규소가 생성된다.[28]
:SiO₂ + H₂ → SiO + H₂O
일산화 규소는 다음과 같이 곧바로 불균화한다.[25]
:2SiO → SiO₂ + Si
4. 분자 구조 및 결합
일산화 규소 분자는 헬륨으로 냉각된 아르곤 매트릭스에 포획되었다. 이러한 조건에서 SiO 결합 길이는 148.9 pm[3]와 151 pm[16] 사이이다. 이 결합 길이는 매트릭스에 분리된 선형 분자 SiO|2영어 (O=Si=O)에서 Si=O 이중 결합(148 pm)의 길이와 유사하며, 일산화 탄소와 같은 삼중 결합은 관측되지 않는다.[3] 그러나 계산된 SiO 삼중 결합의 결합 길이는 150 pm이고 결합 에너지는 794 kJ/mol로, 실제 SiO에 대해 보고된 값과 매우 가깝다.[16] 이산화 탄소의 공식적인 이중 결합(116 pm) 또한 일산화 탄소의 삼중 결합 길이(112.8 pm)와 가깝다는 점을 고려할 때, 관찰된 SiO의 결합 길이는 이원자 분자에서 적어도 어느 정도의 삼중 결합 특성과 일치한다고 볼 수 있다. 주목할 만하게 SiO 이중 결합 구조는 가벼운 주족 원소로 구성된 분자에 대한 루이스의 옥텟 규칙의 예외이다. 반면 SiO 삼중 결합은 이 규칙을 만족한다. 그러한 이상 현상에도 불구하고, 단량체 SiO는 수명이 짧고 n = 2, 3, 4, 5인 (SiO)'n' 올리고머가 알려져 있으며,[17] 이들은 모두 규소 원자가 산소 원자를 통해 연결된 닫힌 고리 구조(즉, 각 산소 원자는 두 개의 규소 원자에 단일 결합됨; Si-Si 결합 없음)를 가진다는 관찰은 저원자가 규소 원자를 가진 Si=O 이중 결합 구조가 단량체에 대해 가능성이 높음을 시사한다.[3]
아르곤 매트릭스에서 불소, 염소 또는 이황화 탄소(COS)와 함께 분자 SiO를 응축한 다음 빛을 조사하면 평면 분자 OSiF|2영어 (Si-O 거리 148 pm)와 OSiCl|2영어 (Si-O 149 pm) 및 선형 분자 OSiS영어 (Si-O 149 pm, Si-S 190 pm)가 생성된다.[3]
매트릭스에 분리된 분자 SiO는 마이크로파 방전에 의해 생성된 산소 원자와 반응하여 선형 구조를 갖는 분자 SiO|2영어를 생성한다.
Na, Al, Pd, Ag 및 Au과 같은 금속 원자가 SiO와 함께 공동 증착되면 선형(AlSiO 및 PdSiO), 비선형(AgSiO 및 AuSiO) 및 고리(NaSiO) 구조를 갖는 삼원자 분자가 생성된다.[3]
5. 역사
케이스 응용과학대학교(Case School of Applied Science)의 클리블랜드(Cleveland)에서 화학자 찰스 F. 메이베리(Charles F. Maybery, 1850~1927)는 1887년에 일산화 규소(SiO) 형성에 대한 최초의 정확한 보고를 했다.[5] 메이베리는 전기로에서 금속이 없는 상태로 숯을 이용하여 이산화 규소를 환원시키면 무정형의 연한 황록색 물질이 유리 광택을 띠면서 생성된다고 주장했다.[6] 이 물질은 항상 숯과 이산화 규소 입자의 계면에서 발견되었다.
메이베리는 이 물질의 일부 화학적 성질, 비중 및 연소 분석을 조사하여 이 물질이 SiO임을 추론했다. 이산화 규소(SiO₂)를 탄소(C)를 이용해 부분적으로 화학적 환원시키면 일산화 규소(SiO)와 일산화탄소(CO)가 생성되는 반응식은 다음과 같다.
:SiO₂ + C ⇌ SiO + CO
이산화 규소를 탄소의 두 배 양으로 완전히 환원시키면 원소 상태의 규소와 두 배 양의 일산화탄소가 생성된다. 1890년, 독일 화학자 클레멘스 빙클러(Clemens Winkler, 게르마늄 발견자)는 연소로에서 이산화 규소를 규소와 가열하여 SiO를 합성하려는 최초의 시도를 했다.[7]
:SiO₂ + Si ⇌ 2 SiO
그러나 빙클러는 혼합물의 온도가 약 1000 °C에 불과했기 때문에 일산화 규소를 생성할 수 없었다. 이 실험은 1905년 웨스팅하우스 전기(1886)(Westinghouse Electric (1886))의 엔지니어인 헨리 노엘 포터(Henry Noel Potter, 1869~1942)에 의해 반복되었다. 포터는 전기로를 사용하여 1700 °C의 온도를 얻고 SiO의 생성을 관찰했다.[5] 포터는 또한 SiO의 고체 형태의 특성과 응용 분야를 조사했다.[8][9]
6. 존재
성간 일산화 규소(SiO)는 1971년 거대 분자운 Sgr B2에서 처음으로 검출된 이후 보고되었다.[22] 원시별 유출에서 충격파가 지나간 기체의 분자 추적자로 사용된다.[23]
6. 1. 고체 (중합체) 형태
SiO 기체를 빠르게 냉각하면 갈색 또는 검은색의 중합체 유리 물질 (SiO)''n''이 생성되는데, 이는 시판되며 SiO 박막 증착에 사용된다. 유리상 (SiO)''n''은 공기와 습기에 민감하다.포터는 SiO 고체가 황갈색이며 전기 및 열 절연체라고 보고했다. 이 고체는 산소에서 연소되고 수소를 방출하며 물을 분해한다. 따뜻한 알칼리 수산화물과 불화수소산에 용해된다. 포터는 SiO의 연소열이 Si와 SiO₂의 평형 혼합물보다 200~800칼로리 더 높다고 보고했지만,[18] 일부 연구에서는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 특징지었으며, Si와 SiO₂ 상의 계면에서 일부 화학 결합이 존재한다고 밝혔다.[19][20] 포터의 보고서와 상관관계가 있는 최근의 분광학적 연구는 시판되는 고체 일산화규소 물질을 비정질 SiO₂와 비정질 Si의 불균일 혼합물로 간주할 수 없다는 것을 시사한다.[21]
최근 연구에 따르면, 시중에서 구할 수 있는 고체 상태의 일산화규소는 이산화규소와 규소의 혼합물임이 밝혀졌다.[29][30]
6. 2. 성간 물질
성간 일산화 규소(SiO)는 1971년 거대 분자운 Sgr B2에서 처음으로 검출된 이후 계속해서 발견되고 있다.[22] 일산화 규소는 원시별 유출에서 충격파가 지나간 기체의 분자를 추적하는 데 사용된다.[23]참조
[1]
서적
Inorganic Chemistry
Academic Press/De Gruyter
[2]
논문
A survey of SiO 5 → 4 emission towards outflows from massive young stellar objects
[3]
서적
Silicon chemistry: from the atom to extended systems
Wiley-VCH
[4]
논문
Disproportionation and Vaporization of Solid Silicon Monoxide
Wiley
[5]
서적
A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry
Longmans, Green and Co.
[6]
간행물
[7]
간행물
[8]
특허
U.S. Patent 182,082
1905-07-26
[9]
서적
Electrochemical and Metallurgical Industry, Vol. 5
https://books.google[...]
[10]
서적
Handbook of Semiconductor Silicon Technology
Noyes Publications
[11]
논문
Silicates Do Nucleate in Oxygen-rich Circumstellar Outflows: New Vapor Pressure Data for SiO
[12]
보고서
High-Temperature Oxidation-Resistant Coatings
National Academy of Sciences/National Academy of Engineering
[13]
서적
Refractories handbook
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논문
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[15]
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Elsevier BV
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Academic Press
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논문
Some comments on so-called silicon monoxide
[20]
논문
TEM investigation on the structure of amorphous silicon monoxide
[21]
논문
Crystallization and phase separation mechanism of silicon oxide thin films fabricated via e-beam evaporation of silicon monoxide
[22]
논문
Discovery of Interstellar Silicon Monoxide
1971
[23]
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http://adsabs.harvar[...]
1992-02-01
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The NBS tables of chemical thermodynamics properties
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논문
A survey of SiO 5 -> 4 emission towards outflows from massive young stellar objects
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Some comments on so-called silicon monoxide
[30]
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TEM investigation on the structure of amorphous silicon monoxide
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웹인용
일산화 규소 MSDS
http://msds.chem.ox.[...]
2008-06-07
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서적
일산화규소
세화
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