노광
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1. 본문
노광(露光, Photo Lithography)은 반도체 제조 공정의 핵심 기술 중 하나로, 빛을 이용하여 웨이퍼(Wafer)에 회로 패턴을 형성하는 과정을 의미합니다. 다음은 노광 공정에 대한 자세한 설명입니다.
노광 공정 단계:1. 감광액(PR, Photoresist) 도포: 웨이퍼 표면에 빛에 민감하게 반응하는 물질인 감광액을 얇고 균일하게 도포합니다.
2. 노광: 마스크(Mask)라고 불리는 회로 패턴이 담긴 판을 웨이퍼 위에 놓고, 특정 파장의 빛을 쪼여 마스크의 패턴을 웨이퍼에 전사합니다. 이때 사용되는 빛의 종류에 따라 자외선(UV), 심자외선(DUV), 극자외선(EUV) 노광 등으로 구분됩니다.
3. 현상(Develop): 빛을 받은 부분 또는 받지 않은 부분의 감광액을 선택적으로 제거하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성합니다.
노광 기술의 종류:
- 자외선(UV) 노광: 과거에 주로 사용되던 방식으로, 비교적 큰 회로 패턴 형성에 사용됩니다.
- 심자외선(DUV) 노광: 현재 가장 널리 사용되는 노광 기술로, 불화아르곤(ArF) 레이저를 광원으로 사용하여 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있습니다.
- 극자외선(EUV) 노광: 최첨단 노광 기술로, 극자외선 파장의 빛을 사용하여 매우 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있습니다. 7nm 이하의 초미세 공정에 필수적인 기술입니다.
노광 기술의 중요성:노광 공정은 반도체 집적도와 성능을 결정하는 핵심 요소입니다. 더 미세한 회로 패턴을 형성할수록 더 작고, 빠르고, 전력 효율이 높은 반도체를 만들 수 있습니다. 따라서 노광 기술은 반도체 산업 발전의 핵심 동력이라고 할 수 있습니다.
더 궁금한 점이 있으시면 언제든지 질문해주세요.
| 노광 | |
|---|---|
| 노광 | |
| 사진술 | 사진술에서 카메라의 셔터가 열려 있는 동안 필름이나 이미지 센서가 빛에 노출되는 과정 |
| 노출 시간 | 빛에 노출되는 시간 |
| 제어 | 조리개, 셔터 속도, 필름/센서 감도(ISO)를 제어하여 노출 정도를 결정 |
| 역할 | 사진의 밝기를 결정하고, 심도 및 모션 블러에도 영향을 미침 |
| 노출 과다 | 필름이나 센서가 너무 많은 빛에 노출되어 사진이 너무 밝게 보이는 현상 |
| 노출 부족 | 필름이나 센서가 너무 적은 빛에 노출되어 사진이 너무 어둡게 보이는 현상 |
| 적정 노출 | 사진의 밝기가 적절하고 디테일이 잘 살아있는 노출 |
| 측정 방법 | |
| 노출계 | 사진의 밝기를 측정하는 도구 |
| 노출 브라케팅 | 의도적으로 노출을 달리하여 여러 장의 사진을 찍는 기술 |
| 히스토그램 | 사진의 밝기 분포를 나타내는 그래프 |
| 창작 기법 | |
| 장시간 노출 | 셔터 속도를 느리게 하여 움직이는 대상을 흐릿하게 표현하거나 빛의 궤적을 표현하는 기법 |
| 다중 노출 | 하나의 필름이나 이미지 센서에 여러 번 노출을 주는 기법 |
| 벌브 모드 | 셔터 버튼을 누르고 있는 동안 계속해서 노출을 주는 기능 |
| 기타 | |
| 연관 용어 | 조리개 셔터 속도 ISO 필름 이미지 센서 |
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