나노프로빙
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1. 개요
나노프로빙은 나노미터 크기의 장치에서 전기적 특성을 측정하고 결함을 분석하는 기술이다. 원자력 현미경(AFM)과 주사 전자 현미경(SEM)을 기반으로 하며, AFM 기반 나노 프로빙은 고해상도 이미징과 전기적 결함 식별에 사용된다. SEM 기반 나노 프로빙은 프로브 팁의 정밀한 위치 제어를 통해 반도체 소자의 개별 노드에 접근할 수 있게 한다. 나노프로빙은 트랜지스터 특성화, SRAM 비트셀 특성화, BEOL 금속 저항 측정 등 다양한 반도체 소자 응용 분야에 활용되며, 전자빔 유도 전류 이미징 등의 기술도 포함한다. 나노프로빙 기술은 조작기 안정성, 접촉 저항 유지, 오염과 같은 문제에 직면해 있다.
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2. 원리 및 작동 방식
나노프로빙은 크게 원자힘 현미경(AFM) 기반 방식과 주사전자현미경(SEM) 기반 방식으로 나뉜다. AFM 기반 나노 프로버는 여러 개의 프로브 팁을 사용하여 고해상도 지형 이미지를 생성하고, 전기적 특성을 측정한다.[1] SEM 기반 나노 프로버는 현미경의 높은 해상도를 이용하여 프로브 팁을 정밀하게 조작하고, 실시간으로 관찰할 수 있다.[2]
두 방식 모두 프로브 팁의 탐색을 정밀하게 제어하기 위해 압전 조작기를 사용한다. 일반적인 시스템은 2~8개의 프로브 조작기를 가지며, 고급 도구는 X, Y, Z 축에서 5nm 이상의 위치 해상도와 테스트 대상 샘플 탐색을 위한 고정밀 샘플 스테이지를 갖추고 있다.
2. 1. AFM 기반 나노프로빙
AFM 기반 나노 프로버는 최대 8개의 프로브 팁을 스캔하여 고해상도 AFM 지형 이미지를 생성할 수 있으며, 전도성 AFM, 주사 커패시턴스 및 정전기력 현미경 이미지도 생성할 수 있다. 전도성 AFM은 피코 암페어 해상도를 제공하여 단락, 개방, 저항 접촉 및 누설 경로와 같은 전기적 결함을 식별하고 찾아내어 전류-전압 측정을 위한 정확한 프로브 위치 지정을 가능하게 한다.[1] AFM 기반 나노 프로버는 나노미터 규모의 장치 결함 위치 파악과 고에너지 전자빔 노출로 인한 물리적 손상 및 전기적 바이어스 없이 정확한 트랜지스터 장치 특성화를 가능하게 한다.2. 2. SEM 기반 나노프로빙
SEM 기반 나노 프로버의 경우, 나노 프로빙 시스템을 수용하는 현미경의 초고해상도를 통해 작업자는 프로브 팁을 정밀하게 움직여 탐색할 수 있으며, 사용자는 팁이 실제로 어디에 착륙하는지 실시간으로 확인할 수 있다. 기존 나노프로브 바늘 또는 "프로브 팁"은 일반적으로 5~35nm 범위의 끝점 반경을 가지고 있다.[2] 미세한 팁은 현대 IC 트랜지스터의 개별 접점 노드에 접근할 수 있게 한다. SEM 기반 나노 프로버에서 프로브 팁의 탐색은 일반적으로 정밀 압전 조작기로 제어된다. 일반적인 시스템은 2~8개의 프로브 조작기를 가지고 있으며, 고급 도구는 X, Y 및 Z 축에서 5nm 이상의 위치 해상도와 테스트 대상 샘플 탐색을 위한 고정밀 샘플 스테이지를 갖추고 있다.3. 반도체 소자 응용 및 기능
나노 프로빙은 반도체 소자 응용 및 기능에 다양하게 활용된다. 주요 기술은 다음과 같다.
- '''일반'''
- DC 트랜지스터 특성화[3][4]
- SRAM 비트셀 특성화[5][6]
- BEOL 금속 저항 측정
- '''AFM 기반 도구'''
- 전도성 원자력 현미경(CAFM)
- 주사 커패시턴스 현미경(SCM)
- 전기력 현미경(EFM)
- '''SEM 기반 도구'''
- 전자 빔 흡수 전류 이미징(EBAC)[7][8]
- 전자 빔 유도 전류(EBIC)
- 전자 빔 유도 저항 변화(EBIRCH)[9]
3. 1. 일반적인 응용
일반적인 나노 프로빙 기술은 다음과 같다.
4. 도전 과제
나노프로브 조작기의 안정성[10], 실시간 이미지 해상도, 프로브의 접촉 저항 유지, 챔버/표면의 전자빔 유도 증착 오염 등이 일반적인 문제점으로 꼽힌다.
참조
[1]
웹사이트
Nanoprobe Capacitance-Voltage Spectroscopy (NCVS) Localization of 32nm SOI SRAM Array Failure
https://dl.asmintern[...]
2023-04-23
[2]
논문
In-Depth Electrical Analysis to Reveal the Failure Mechanisms with Nanoprobing
[3]
서적
2012 IEEE 21st Asian Test Symposium
[4]
서적
2007 14th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
[5]
서적
2008 15th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
[6]
서적
13th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
[7]
서적
18th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
[8]
서적
2010 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
[9]
웹사이트
Strategies to Identify Physical Origin of Contrast in EBIRCH
https://dl.asmintern[...]
2023-04-23
[10]
서적
2013 IEEE International Conference on Robotics and Automation
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