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마스오카 후지오

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1. 본문

마스오카 후지오(舛岡富士雄, 1943년 5월 8일 ~)는 일본의 엔지니어이자 발명가입니다. 도시바와 도호쿠 대학에서 근무했으며, 현재 유니산티스 일렉트로닉스의 최고 기술 책임자(CTO)를 맡고 있습니다.
주요 업적:


  • 플래시 메모리 발명 (1980년대): NOR 플래시와 NAND 플래시 메모리를 발명했습니다. 이 기술은 디지털 카메라, 휴대폰, USB 드라이브 등 다양한 전자기기에 사용되는 핵심 저장 장치입니다.
  • 최초의 GAA(Gate-All-Around) MOSFET(GAAFET) 트랜지스터 발명 (1988년): 초기 비평면 3D 트랜지스터를 발명했습니다.
  • 1Mb DRAM 개발 (1977): 도시바 반도체 사업부에서 근무하며 개발.

생애 및 경력:

  • 1943년 5월 8일 일본에서 출생했습니다.
  • 1966년 도호쿠 대학에서 학사 학위를, 1971년 박사 학위를 취득했습니다.
  • 1971년 도시바에 입사했습니다.
  • 1994년 도시바를 퇴사하고 도호쿠 대학 교수로 재직했습니다.
  • Unisantis Electronics CTO.

플래시 메모리 발명과 도시바와의 갈등:마스오카 후지오는 1980년대 초, 기존의 EEPROM보다 훨씬 빠르고 효율적인 플래시 메모리를 발명했습니다. 그는 플래시 메모리가 미래 저장 장치의 핵심 기술이 될 것이라고 확신했지만, 당시 도시바 경영진은 D램에 집중하고 있었기 때문에 플래시 메모리의 가치를 제대로 인정하지 않았습니다.

마스오카는 회사에서 제대로 된 지원을 받지 못하고, 심지어 한직으로 밀려나는 등 어려움을 겪었습니다. 결국 그는 1994년 도시바를 떠나 도호쿠 대학 교수로 자리를 옮겼습니다.

이후 마스오카는 자신의 발명에 대한 정당한 보상을 받기 위해 도시바를 상대로 소송을 제기했습니다. 2004년 그는 도시바에 10억엔(약 100억원)의 발명 대가를 요구하는 소송을 제기했고, 2006년 법정 소송 끝에 8700만엔(약 8억원)의 보상금을 받았습니다.
기타:

  • 플래시 메모리의 "플래시"라는 이름은 마스오카 후지오 박사의 동료였던 아리이즈미 쇼지 박사가 제안했는데, 이는 데이터 삭제 과정이 카메라 플래시처럼 빠르다는 점에 착안한 것입니다.
  • 마스오카 교수는 "기술자를 소중히 여기는 것이 일본의 산업 발전으로 이어진다"고 강조했습니다.


마스오카 후지오
기본 정보
마스오카 후지오
마스오카 후지오
출생1943년 5월 8일
출생지일본령 나가노현
사망2023년 2월 29일 (향년 79세)
국적일본
직업전기 공학자
분야플래시 메모리
모교도호쿠 대학
경력
재직NEC (1971년 ~ 1994년)
도호쿠 대학 (1994년 ~ 1997년)
Binaria Corporation (2003년 ~)
주목할 만한 업적플래시 메모리 발명
수상
수상 내역나카야마 상 (1997년)
IEEE 모리스 N. 리브먼 기념상 (1997년)
자수포장 (2016년)
발명 공로상 (2019년)
유럽 발명가상 (2022년)


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