1. 개요
플라스마 가림 효과는 플라스마 내 전하 입자들이 외부 전하에 반응하여 전기장을 가리는 현상이다. Random Phase Approximation (RPA)은 이 효과를 이해하는 데 중요한 개념으로, 전하의 동적 가림을 설명하는 데 사용된다. 린드하드 식은 플라스마 가림 효과를 정량적으로 분석하는 데 사용되며, 3차원 및 2차원 전자 시스템에서 다른 양상을 보인다. 3차원 플라스마에서 가림 길이는 플라스마의 밀도와 온도에 따라 결정되며, 2차원 시스템에서는 린드하드 식의 파수 의존성이 다르다. 이러한 가림 효과는 플라스마 내 전자기파의 전파 특성 및 전하 입자 간 상호 작용을 이해하는 데 중요하다.
2. Random Phase Approximation
Random Phase Approximation (RPA, 무작위 위상 근사)은 어떤 시스템의 동적 전자 반응(Dynamic Electronic Response)을 보기 위한 방법으로 주로 사용된다. RPA에서 전자는 외부 퍼텐셜 과 가림효과를 받은 가림 퍼텐셜 을 합친 에 의해서만 반응을 한다고 가정한다. 그리고 외부 퍼텐셜 이 특정한 단일 주파수 로 진동한다고 가정한다. 따라서, 전체 퍼텐셜 이 동적 유전상수에 대한 기여는 평균화되어 특정한 Wave Vector(파수 벡터) 만이 기여를 하게 된다.
3. 린드하드 식의 유도
전자 플라스마에서 린드하드 식을 유도하는 과정은 다음과 같다. 우선, 단일 입자에 대한 해밀토니안은 다음과 같이 표현된다.
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여기서 이며, 은 쿨롱 퍼텐셜, 는 가림을 받는 입자들에 의해 유도된 퍼텐셜이다.
이 해밀토니안을 푸리에 변환하면 다음과 같다.
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이제 하이젠버그 운동방정식을 이용하여 의 운동을 기술하면 다음과 같다.
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여기에 Random Phase Approximation을 적용하여 의 기대값을 구하면 다음과 같다.
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전자가 에 비례해서 움직인다고 가정하면, 즉 라고 가정하면, 다음 식을 유도할 수 있다.
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이를 에 대해 정리하면 다음과 같다.
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다음으로, Polarization Function 와 Electron Charge Density Operator 를 다음과 같이 정의한다.
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{L^3} \sum_k { a^\dagger_{k-q}a_k }
이 두 식과 앞서 유도한 식을 이용하면 Electron Charge Density Operator는 다음과 같이 표현된다.
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