램 리서치
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1. 개요
램 리서치는 1980년 설립된 반도체 장비 제조 회사이다. 박막 증착, 플라즈마 식각, 포토레지스트 제거, 웨이퍼 세정 공정을 포함한 반도체 제조용 제품을 설계 및 제작하며, 반도체 제조 전반에 걸쳐 트랜지스터, 상호 연결, 첨단 메모리 및 패키징 구조를 만드는 데 기여한다. 1980년대부터 글로벌 확장을 지속하며, 2010년대에는 노벨러스 시스템즈를 인수하고 KLA-텐코 인수를 시도하는 등 인수 합병을 통해 사업을 확장했다. 현재 미국, 오스트리아, 대한민국 등에 생산 시설을 운영하고 있으며, 장비 유지보수, 생산 효율 개선, 수율 개선 등을 위한 서비스를 제공한다.
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램 리서치 - [회사]에 관한 문서 | |
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기본 정보 | |
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회사 종류 | 공개 회사 |
나스닥 표기 | 나스닥-100 구성 요소 S&P 500 구성 요소}} |
설립일 | 1980년 |
설립자 | 데이비드 K. 램 |
본사 위치 | 미국, 캘리포니아주, 프리몬트 |
주요 인물 | 팀 아처 (CEO 겸 사장) |
산업 분야 | 반도체 |
제품 | 반도체 제조 제품 |
수익 | (2024년) |
영업 이익 | US$4.26 billion (2024년) |
순이익 | US$3.83 billion (2024년) |
자산 | US$18.7 billion (2024년) |
자본 | US$8.54 billion (2024년) |
직원 수 | 17,450명 (2024년) |
웹사이트 | lamresearch.com |
관련 인물 | |
관계 인물 | 데이비드 K. 램 (창립자) |
주요 자회사 | |
주요 자회사 | Silfex |
2. 역사
램 리서치는 1980년대와 1990년대에 걸쳐 글로벌 확장을 이루었으며, 2000년대 이후 인수 합병과 기술 혁신을 통해 현재의 위치에 이르렀다.
1997년 3월, 램 리서치는 화학적 기계적 연마(CMP) 세정을 전문으로 하는 칩 장비 제조업체인 OnTrak Systems Inc.를 2.25억달러에 인수했다.[13] CMP 세정은 식각과 기계적 연마를 모두 사용하여 표면을 매끄럽게 만드는 혼합 공정이다. 1997년 8월, OnTrak의 CEO였던 짐 배글리를 CEO로 임명했고,[12][14] 1998년에는 이사회 의장으로 임명되었다.[14]
램 리서치 연혁 | |
---|---|
1980년 | 캘리포니아주 산타클라라에서 데이비드 K. 램(David K. Lam)이 설립 |
1981년 | 최초의 제품(장치)인 Auto Etch 출시, 로저 에메릭(Roger Emerick)을 CEO로 임명 |
1984년 | 나스닥(NASDAQ)에 LACX로 상장 |
1985년 | 유럽에 처음으로 사무실 개설, 재정 수입 약 3400만달러 |
1987년 | 캘리포니아주 프리몬트로 본사 이전, Rainbow® 식각 시스템 출시, 최초의 MSSD 시스템인 ConceptOne® PECVD 출시 |
1989년 | 한국에 처음으로 사무소 개설 |
1990년 | 재정 수입 약 140만달러 |
1991년 | SP 시리즈 스핀 클린 시스템 출시 |
1992년 | 타이완과 싱가포르에 사무실 개설, 최초의 Transformer Coupled Plasma™ 도체 식각 제품 출시 |
1993년 | ConceptTwo® ALTUS® CVD 텅스텐 시스템 출시, 일본에 공정 개발 센터 개설 |
1995년 | 초대 Dual Frequency Confined™ 유전체 식각 제품 발표, 재정 수입 약 10억달러 |
1996년 | SPEED® HDP-화학 기상 증착(CVD) 시스템 출시 |
1997년 | 짐 배글리(Jim Bagley)를 CEO로 임명 |
1998년 | [http://www.lamresearch.com/japan/company/company-overview/mission-vision-core-values Core Values] 출시, SABRE® ECD 시스템 발표 |
2000년 | 2300® 식각 플랫폼 발표, VECTOR® PECVD 시스템 출시, 인도에 사무실 개설, 램 연구 재단 법인 설립, 재정 수입 약 12억달러 |
2002년 | Tualatin, Oregon 캠퍼스 개설 |
2003년 | DaVinci® 스핀 클린 제품 출시 |
2004년 | 제1세대 Kiyo®와 Flex™ 식각 제품 발표, ALTUS® 텅스텐 배리어 화학 기상 증착(CVD) 시스템 출시 |
2005년 | SOLA® UVTP 필름 처리 시스템 출시, 스티브 뉴베리(Steve Newberry)를 최고 경영자(CEO)로 임명, 재정 수입 약 15억달러 |
2006년 | Bullen Semiconductor, Silfex, Inc. 인수 |
2007년 | through-silicon via etch용 최초의 Syndion® 시스템 출하, DV-Prime® 스핀 클린 시스템 출시, Coronus® 플라즈마 베벨 클린 시스템 출시 |
2008년 | SEZ AG, Lam Research AG 인수, GAMMA® GxT® 및 GAMMA® G400® 스트립 시스템 출시 |
2010년 | 웨이퍼 레벨 패키징용 SABRE® 3D ECD 시스템 발표, 재정 수입 약 21억달러 |
2011년 | Corus Manufacturing(한국) 설립 |
2012년 | 마틴 앤스티스(Martin Anstice)를 최고 경영자(CEO)로 임명, Novellus Systems와 합병 |
2013년 | 미국에서 640억달러 개의 반도체 판매 |
2014년 | ALTUS® Max ICEFill™ W-CVD, VECTOR® Strata™ PECVD, Flex™ F 시리즈 유전체 etch 출시, VECTOR®ALD Oxide, Kiyo® F 시리즈 도체 식각 제품 출시, 제조에 적합한 원자층 식각 장치 "Kiyo® F 시리즈" 발표 |
2015년 | 재정 수입 약 53억달러 |
2. 1. 설립 초기 (1980-1985)
램 리서치는 1980년 중국계 엔지니어인 데이비드 K. 램에 의해 설립되었다. 그는 이전에 제록스(Xerox), 휴렛 팩커드(Hewlett-Packard), 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)에서 근무했다.[6] 그는 휴렛 팩커드에서 근무하는 동안 반도체 웨이퍼의 급속한 소형화에 맞춰 더 나은 플라스마 식각 장비의 필요성을 느꼈다.[6] 그는 사업 계획에 도움을 준 인텔(Intel)의 창업자 밥 노이스(Bob Noyce)에게 자금 지원을 받았다.[6]1981년, 회사는 최초의 제품인 자동 폴리실리콘 플라즈마 식각 장치인 AutoEtch 480을 출시했다. AutoEtch라는 이름은 이 식각 장치가 자동화되었음을 나타내기 위해 선택되었으며, 480의 80은 회사가 설립된 해인 1980년을 의미한다.[7] 첫 번째 시스템은 1982년 1월에 판매되었다.[8] 1982년, 로저 에머릭이 CEO로 임명되었다.[9]
1984년 5월, 회사는 기업 공개(initial public offering)를 실시하고, 나스닥(Nasdaq)에 LRCX라는 심볼로 상장되었다.[10] 1985년, 데이비드 램은 램 리서치를 떠나 Link Technologies에 합류했으며, 이 회사는 결국 Wyse에 인수되어 현재는 델 와이즈(Dell Wyse)가 되었다.[11][12]
2. 2. 글로벌 확장 (1985-2000)
램 리서치는 1985년 대만 시장에 집중하고 유럽, 미국, 일본 전역에 고객 지원 센터를 개설하면서 글로벌 확장을 지속했다.[12] 1990년대 초, 회사는 중국, 한국, 싱가포르, 타이완에 진출했다.[12]다음은 램 리서치의 글로벌 확장 관련 주요 연혁이다.
연도 | 내용 |
---|---|
1985년 | 대만 시장 집중 및 유럽, 미국, 일본에 고객 지원 센터 개설[12] |
1989년 | 한국에 사무소 개설[12] |
1992년 | 타이완과 싱가포르에 사무실 개설[12] |
1993년 | 일본에 공정 개발 센터 개설 |
1990년대 초 | 중국, 한국, 싱가포르, 타이완에 진출[12] |
2000년 | 인도에 사무실 개설 |
2. 3. 인수 합병 및 기술 혁신 (2000-현재)
2005년, 스티브 뉴베리가 CEO로 임명되었다.[15] 2006년, 램 리서치는 Bullen Semiconductor를 인수했으며, 현재는 Silfex, Inc.가 되었다.[16] 2008년, 램 리서치는 SEZ AG를 인수했으며, 현재는 Lam Research AG가 되었다.[17][18] 2011년, 램 리서치는 캘리포니아주 산호세(San Jose, California)의 칩 장비 제조업체인 노벨러스 시스템즈(Novellus Systems)를 33억달러에 인수하기로 합의했고, 이 거래는 2012년 6월에 완료되었다.[19][20] 2012년, 마틴 앤스티스가 CEO로 임명되었다.[2]2015년 10월, 램 리서치는 캘리포니아주 밀피타스(Milpitas, California)에 위치한 웨이퍼(wafer (electronics)) 검사 장비 공급업체인 KLA-텐코(KLA-Tencor)를 106억달러에 인수할 계획을 발표했는데, 이는 반도체 산업의 통합 움직임으로 여겨졌다.[21] 2016년 6월, 램 리서치는 처음으로 포춘 500(Fortune 500)에 진입했다고 발표되었다.[22] 그러나 2016년 10월, 회사는 반독점 문제에 대한 미국 법무부(U.S. Department of Justice)의 규제 승인을 받지 못할 것이라는 우려로 KLA-텐코 인수를 중단한다고 발표했다.[23][24]
2017년 9월, 램 리서치는 노스캐롤라이나주 캐리(Cary, North Carolina)에 위치한 칩 시뮬레이션 회사인 Coventor를 인수한다고 발표했다. 회사의 소프트웨어는 램 리서치가 새로운 칩의 시장 출시 시간을 단축하는 데 도움이 될 것으로 알려졌다.[25] 11월, 회사는 회사에 투자하기 위해 설립된 벤처 캐피탈 그룹인 램 리서치 캐피탈(Lam Capital)을 출범시켰다.[26]
2018년 1월, 회사는 최고 운영 책임자(COO)인 팀 아처가 사장으로 승진하고, 마틴 앤스티스 CEO는 CEO 직을 유지한다고 발표했다.[27] 같은 해 12월, 마틴 앤스티스는 개인적인 비위 혐의로 CEO에서 사임했으며, 램 리서치 이사회는 팀 아처를 사장 겸 최고 경영자(CEO)로 임명했다.[28] 아처는 또한 램 리서치 이사회에 임명되었다.
2021년 8월, 램은 웨이퍼 제조 장비에 대한 수요 증가에 대응하고 주요 고객 및 공급망 파트너와 더욱 긴밀하게 협력하기 위해 말레이시아(Malaysia) 바투 카완(Batu Kawan)에 제조 시설을 열었다.[29]
2022년 9월 15일, 램 리서치는 벵갈루루(Bengaluru)에 새로운 '''인도 엔지니어링 센터'''를 설립했다. 이 센터는 DRAM, NAND 플래시(NAND) 및 로직 기술을 포함한 메모리 구성 요소를 만드는 데 사용되는 웨이퍼 제조 하드웨어 및 소프트웨어의 엔지니어링, 테스트 및 연구 개발에 활용될 것이다. 이는 램의 두 번째 R&D 연구소이자 세 번째 인도 시설이다. 이 센터는 하드웨어 및 소프트웨어를 통해 회사의 전 세계 생산 운영을 지원할 것이다. 새로운 시설은 인도 엔지니어들이 국내에서 설계를 완료하고 램의 국제 활동의 대부분을 인도 내로 전환할 수 있게 함으로써 미국 파트너에 대한 의존도를 줄일 것이다.[30][31]
2022년 11월, 램은 잘츠부르크(Salzburg)에 본사를 둔 습식 공정 반도체 장비 공급업체인 Semsysco GmbH를 인수했다고 발표되었다.[32] 같은 달, 램은 또한 텍사스(Texas)에 본사를 둔 플라즈마 시뮬레이션 회사인 Esgee Technologies, Inc.를 인수했다.[33]
3. 사업 내용
램 리서치는 박막 증착, 플라즈마 식각, 포토레지스트 제거, 웨이퍼 세정 공정을 포함한 반도체 제조용 제품을 설계하고 제작한다.[34] 이러한 기술들은 트랜지스터, 상호 연결, 첨단 메모리 및 패키징 구조를 만드는 데 사용되며, 미세 전자기계 시스템(MEMS) 및 발광 다이오드(LED)와 같은 관련 시장의 응용 분야에도 사용된다.[34]
반도체 제조는 전공정과 후공정으로 나뉘며, 전공정에서는 기판의 세정·성막·포토 마스크 전사·에칭·연마를 반복한다. 전자 부품의 소형화·고성능화로 인해, 이러한 공정에서 원자 수준의 매우 미세한 정밀도가 요구된다.
램 리서치는 주로 성막·에칭·세정을 수행하는 장치를 취급하며, 장치 설치·생산 가동뿐만 아니라 신기술 업그레이드, 생산성·수율 향상을 위한 솔루션 제공, 수명 도래 자산 관리, 장치 기술 교육 등도 수행하고 있다.
3. 1. 박막 증착 (Thin Film Deposition)
램 리서치는 집적 회로를 구성하는 전도성(금속) 또는 절연성(유전체) 물질의 미세한 층을 형성하는 박막 증착 시스템을 제공한다. 이 공정은 나노 규모 수준의 균일성을 요구한다.[35]회사는 전기 도금 (ECD) 및 화학 기상 증착 (CVD) 기술을 사용하여 전도 구조를 위한 구리 및 기타 금속 박막을 형성한다.[36][37] 원자층 증착 (ALD)은 접촉 및 플러그와 같은 기능의 텅스텐 금속 박막에도 사용되며, 이는 다층 상호 연결 칩 설계에서 금속 라인 간의 수직 연결이다.
플라즈마 강화 (PE) CVD 및 ALD 기술은 광범위한 절연 부품에 대한 유전체 박막을 생성한다. 좁은 공간에 유전체 물질을 증착해야 하는 갭 필 공정의 경우, 램은 고밀도 플라즈마 (HDP) CVD 기술을 사용한다.[39][40] PECVD 및 ALD는 회로 패턴 형성 공정을 개선하기 위해 제거할 수 있는 층인 하드마스크를 형성하는 데에도 사용된다.[41]
최첨단 칩 설계에서는 요구되는 막의 형상이 매우 복잡하며, 형상에 적합한 막을 안정적으로 얻을 필요가 있다. 또한, 막 내부의 불순물, 결함 구조, 내부 응력 등이 막의 기계적·전기적 특성에 영향을 미친다. 따라서, 치밀하고 균일한 막을 높은 충전율로 성막하는 것이 요구된다. 주로 금속막 성막으로, Cu, W의 박막을 형성하는 장치를 취급하고 있다. 전기 도금 성막(ECD)에 의해 저결함 밀도의 다층 배선용 Cu의 성막을 수행하는 SARBE®, 화학 기상 증착 성막(CVD)과 원자층 증착 (ALD)을 조합하여, 저불소 농도 W 박막을 고생산성으로 형성하는 ALTUS® 등이 있다. 플라즈마 화학 기상 증착 성막 (PECVD) 및 플라즈마 원자층 증착 (PEALD)에 의해 여러 종류의 산화막, 질화막, 카바이드막 등의 절연막을 고품질·균일한 상태로 형성하는 VECTOR® 등이 있다.
3. 2. 플라즈마 식각 (Plasma Etch)
램 리서치는 웨이퍼 표면에서 재료를 선택적으로 제거하여 반도체 소자의 특징과 패턴을 만드는 플라즈마 식각 공정에 사용되는 장비를 제조한다.[42] 이 장비는 칩 제조업체가 최신 다중 패턴 공정, 트랜지스터, 진보된 메모리 구조에 필요한 작은 부품을 조각하는 데 도움을 준다. 여기에는 점점 더 복잡해지는 박막 스택과 더 높은 종횡비 구조가 포함된다.램 리서치는 다양한 전도성 및 유전체 특징을 형성하기 위해 반응성 이온 식각(RIE) 및 원자층 식각(ALE) 기술을 사용한다.[42] 또한, 실리콘 관통 비아(TSV)와 같은 응용 분야의 구조를 만드는 데 사용되는 심 RIE 기술도 제공한다.
에칭 공정은 미세 가공, 신소재 가공, 새로운 트랜지스터 구조 형성 등의 과제를 안고 있다. 특히 메탈 에칭에서는 저비용 생산 기술, 트렌치 치수 및 바닥면 거칠기 제어 등이 필요하다. 램 리서치는 이러한 요구에 대응하기 위해 다음과 같은 에칭 장비를 제공한다.
장비명 | 특징 |
---|---|
Kiyo® | 도전성 재료를 정밀하고 재현성 있게 가공, 높은 생산성, 원자층 에칭 기술 및 다층막 일괄 에칭 기술 |
Versys® Metal | 유연한 플랫폼, 높은 생산성, 반응성 이온 에칭 기술, 에칭 형상의 균일성 제어 |
Flex™ | 절연 재료 에칭, 높은 균일성 및 재현성 |
Syndion® | 층별 공정 유연성 및 제어 기능, TSV 애플리케이션의 비용 효율적인 비아 에칭, TSV 스택 구조(실리콘막, 절연막, 도전막)의 일괄 에칭 |
3. 3. 포토레지스트 제거 (Photoresist Strip)
램 리서치는 플라즈마 식각 공정 뿐 아니라, 포토레지스트 제거 공정도 포함한 반도체 제조용 제품을 설계하고 제작한다.[34] 램 리서치의 건식 스트립 시스템은 다양한 전면 웨이퍼 공정 및 첨단 패키징 응용 분야 이후에 포토레지스트 마스크를 선택적으로 제거하기 위해 플라즈마 기술을 사용한다.[43]3. 4. 웨이퍼 세정 (Wafer Cleaning)
램 리서치의 습식 스핀 세정 및 플라즈마 기반 베벨 세정 제품은 인접 공정 전후에 웨이퍼 표면에서 입자, 잔류물 및 필름을 제거한다.[44] 램의 베벨 세정 기술은 플라즈마를 웨이퍼 가장자리에 직접 분사하여 원치 않는 입자, 잔류물 및 필름을 세정하는데, 이러한 물질이 제거되지 않으면 이후 제조 단계에서 떨어져 나가 장치 영역에 다시 부착되어 수율에 영향을 줄 수 있다. 램 리서치의 스핀 습식 세정 기술은 수율을 제한하는 잔류물과 결함을 제거하기 위해 칩 처리 단계 사이에 사용된다.반도체 제조는 전공정과 후공정으로 나뉘며, 특히 전공정에서는 기판의 세정·성막·포토 마스크 전사·에칭·연마를 반복한다. 특히 전자 부품의 소형화·고성능화가 요구되는 현재에는, 이러한 공정에서 원자 수준의 매우 미세한 정밀도가 요구된다. 다양한 공정을 거쳐 반도체가 제조되며, 각 공정에서 금속을 포함한 무기물이나 폴리머 화합물 등 유기물 오염 물질이 발생한다. 세정을 통해 μm~nm(마이크로미터~나노미터) 오더의 매우 미세한 오염 물질을 제거해야 한다. 이 오염 물질로 인해 반도체에 결함이 발생하고, 수율에 영향을 미친다. 이 세정 공정은 반도체 제조 공정에서 25~30%를 차지한다고도 하며, 수율 향상을 위한 중요한 공정이다.
세정에는 주로 습식 세정과 건식 세정이 있으며, 현재는 습식 세정이 주류이다. 습식 세정은 물, 염산, 과산화수소 등을 사용하는 세정 방법이다. 습식 세정은 오래전부터 연구되어 왔으며, 물을 매체로 사용하기 때문에 취급이 용이하다. 한편, 건식 세정은 플라즈마, 레이저, 자외선, 오존 등을 사용하는 세정 방법이다.
램 리서치는 습식 세정 장치와 웨이퍼 베벨링 후의 세정 장치를 취급하고 있다. 최대 16개의 챔버를 설치할 수 있으며, 3D 구조 등 까다로운 세정을 가능하게 하는 EOS®와 세정에 의한 패턴 손상(용액의 표면 장력에 의한 패턴 수축, 파손) 및 용액 잔류물이 생기지 않는 DV-PRIME® 및 DAVINCI®가 있다. 이 외에도 웨이퍼의 에지 부분(베벨)을 세정하는 CORONUS®도 있다. 웨이퍼의 에지 부분을 세정하지 않으면, 후속 공정에서 입자나 잔류물이 부착되어 결함이 발생한다.
4. 한국과의 관계
램 리서치는 미국 외에도 오스트리아, 대한민국에 생산 시설을 두고 있다.[47] 2019년 대한민국에 R&D 시설을 구축하였다.[48]
5. 해외 거점
램 리서치는 미국 외에도 오스트리아, 대한민국에 생산시설을 두고 있다.[47] 2019년 대한민국에 R&D 시설을 구축하였다.[48]
1990년대 초에는 중국, 한국, 싱가포르, 대만에 진출했다.[12] 2021년 8월, 램 리서치는 웨이퍼 제조 장비에 대한 수요 증가에 대응하고 주요 고객 및 공급망 파트너와의 협력을 강화하기 위해 말레이시아 바투 카완에 제조 시설을 열었다.[29]
2022년 9월 15일, 벵갈루루에 새로운 '''인도 엔지니어링 센터'''를 설립했다. 이 센터는 DRAM, NAND 플래시 및 로직 기술을 포함한 메모리 구성 요소를 만드는 데 사용되는 웨이퍼 제조 하드웨어 및 소프트웨어의 엔지니어링, 테스트 및 연구 개발에 활용될 예정이다. 이곳은 램 리서치의 두 번째 R&D 연구소이자 세 번째 인도 시설이다. 이 센터는 하드웨어 및 소프트웨어를 통해 회사의 전 세계 생산 운영을 지원하며, 인도 엔지니어들이 국내에서 설계를 완료하고 램 리서치의 국제 활동 대부분을 인도 내로 전환할 수 있게 함으로써 미국 파트너에 대한 의존도를 줄일 수 있을 것으로 기대된다.[30][31]
6. 서비스
장비의 고성능 유지를 위한 정기적인 유지보수, 생산 효율 개선 제안, 양산 장비의 성능 최적화를 통한 수율 개선 지원, 운영 효율 개선, 최첨단 기술 데모를 수행하고 있다.[45][46]
참조
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