트랜지스터

3. 동작 원리

트랜지스터는 P형 및 N형 반도체의 성질을 이용하여 전류나 전압의 흐름을 제어하고 증폭하는 역할을 한다.

NPN 접합(단자는 순서대로 에미터, 베이스, 컬렉터)의 '''바이폴라 트랜지스터'''를 예로 들어 설명하면 다음과 같다.

1. 에미터와 컬렉터는 N형 반도체이므로 전자가 과잉되어 있고, 베이스는 P형 반도체이므로 전자가 부족(정공을 가진다)하다.

2. 에미터 - 컬렉터 사이에 에미터 쪽을 (-)로 하여 전압을 걸었을 경우, PN 접합에서는 접합면에서 캐리어가 상호 침입하여 전하를 상쇄하고 있다(공핍층). 전자는 공핍층에 의해 저지되어 전류는 흐르지 않는다.

3. 여기서 더 에미터 - 베이스 사이에, 에미터 쪽을 (-)로 하여 전압을 걸면 에미터 - 컬렉터 사이에 전류가 흐른다.

• 베이스 단자에서 전자가 흘러나와 베이스에 정공이 발생한다(공핍층이 얇아진다).
• 에미터에 존재하는 전자가 베이스를 향해 이동한다. 베이스에 공급된 정공을 이용하여 전자가 베이스를 통과한다.
• 에미터 - 컬렉터 사이의 전류는 에미터 - 베이스 사이의 전류에 따라 변화한다('''증폭''').

3. 1. 증폭 작용

• '''BJT :''' 베이스 전류 입력 - 콜렉터/이미터 전류 출력 ($\{i\_\{\backslash text\{c\}\}\}\; =\; \backslash beta\; \{i\_\{\backslash text\{b\}\}\}$)
• '''FET :''' 게이트 전압 입력 - 드레인/소스 전류 출력 ($\{i\_\{\backslash text\{d\}\}\}\; =\; g\_m\; \{v\_\{\backslash text\{g\}\}\}$)
• '''연산 증폭기(op-amp) :''' 차등전압 입력 - 전압 출력 ($\{v\_\{\backslash text\{o\}\}\}\; =\; -\; G\; (v\_\{\backslash text\{b\}-\}\; -\; v\_\{\backslash text\{b\}+\})$)

3. 1. 1. BJT 증폭 작용

3. 1. 2. 신호 왜곡

3. 2. 스위칭 작용

3. 2. 1. 논리 회로에서의 응용

• 스위치 켜짐 (ON): 포화 모드에서 출력 전류는 외부 회로에 의해 제한된다.
• 스위치 꺼짐 (OFF): 차단 모드에서 출력 전류는 거의 0이다.

• 참 (true): 전압 $V\_\{CC\}\; [V]$
• 거짓 (false): 전압 $0\; [V]$

• 참 표현: $V\_\{CC\}$ 쪽 스위치(그림 V3)를 켜고, $0[V]$ 쪽 스위치(그림 V4)는 끈다.
• 거짓 표현: $V\_\{CC\}$ 쪽 스위치(그림 V3)를 끄고, $0[V]$ 쪽 스위치(그림 V4)를 켠다.

4. 트랜지스터 회로

트랜지스터는 증폭, 스위칭, 발진 등 다양한 기능을 수행하며, 여러 회로 구성에 사용될 수 있다.

4. 1. 접합형 트랜지스터 바이어스 회로

5. 트랜지스터의 종류

트랜지스터는 구조, 재료, 극성, 용도 등에 따라 다양하게 분류할 수 있다.

• 바이폴라 트랜지스터^[143]: P형과 N형 반도체를 접합한 것으로, 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 가진다. 일반적으로 "트랜지스터"라고 하면 이 타입을 가리킨다. NPN형(P형의 양단을 N형으로 감싼 형태)과 PNP형(N형의 양단을 P형으로 감싼 형태)이 있으며, 베이스-에미터 간 전류로 컬렉터-에미터 간 전류를 제어한다. 특성이 같은 NPN형과 PNP형 한 쌍(예: 2SC1815·2SA1015)을 컴플리멘터리라고 부른다. 1960년대 초에는 게르마늄을 재료로 사용했기 때문에 PNP형이 대부분이었지만(진공관 회로와 반대로 플러스 전위를 접지), 1970년대 실리콘을 사용하면서 진공관 회로처럼 마이너스 전위를 접지하는 NPN형이 주류가 되었다.

• 전계 효과 트랜지스터(FET)^[144] 또는 유니폴라 트랜지스터^[145]: 게이트 전압(채널의 전계)으로 제어하는 방식이다. 게이트 전극이 반도체 산화물 절연막을 거치는 것을 특히 MOSFET^영어이라고 한다.

• 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)^[146]: 게이트 부에 전계 효과 트랜지스터를 조합한 바이폴라 트랜지스터이다. 전압 제어로 큰 전력을 다룰 수 있어 대전력 스위칭(전차나 전기 기관차의 모터 제어 장치 등)에 사용된다.

• 트렌치 MOS 구조 어시스트 바이폴라 동작 FET (GTBT)^[147]: 빌트인 전위에 의한 채널 공핍화와 캐리어 주입에 의한 공핍층 해소 및 전도도 변조로 인해 차단 상태는 FET처럼 동작하지만, 도통 상태에서는 FET와 바이폴라 트랜지스터가 혼합된 듯한 동작을 하는 트랜지스터이다.

• 단접합 트랜지스터(UJT)^[148]: 2개의 베이스 단자를 가진 N형 반도체와 에미터 단자를 가진 P형 반도체를 접합한 것으로, 사이리스터 트리거 소자로 개발되었다. 안정적인 고출력 펄스를 얻을 수 있다. 3개의 전극을 가지므로 트랜지스터라는 이름이 붙었지만, 본질적으로는 트랜지스터와 무관한, 1개의 접합만 가진 구조(단접합)의 독특한 반도체 소자이다. 후술하는 PUT의 등장으로 사라졌다.

• 프로그래밍가능 UJT (PUT)^[149]: 동작 특성을 가변으로 한 UJT. UJT처럼 사이리스터 트리거 소자로 개발되었다. 본질은 트랜지스터가 아니고, 4개의 접합을 가진 N게이트 사이리스터이다. 이미 일본 메이커 제품은 모두 생산 중지되었다.

• 포토트랜지스터: 광신호로 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 빛을 투과하는 수지나 유리 패키지를 사용하며, 일반적으로 (광선 입력이 베이스 전류를 대신하므로) 베이스 단자가 없는 2단자 소자 형태이다. 주로 광센서로 사용된다. 발광 소자와 조합하여 봉입한 포토 커플러는 전원 계통이 다른 회로 간 절연을 유지한 채 신호를 전달하는 데 사용된다.

• 정전 유도 트랜지스터(SIT)^[150]: 정전 유도 효과를 이용, 채널 저항을 극한까지 줄이기 위해 채널을 짧게 하고 채널 전류가 포화하지 않도록 한 것이다. 고속 동작, 저손실, 신호 파형의 충실한 증폭이 가능하다.

• 달링턴 트랜지스터: 바이폴라 트랜지스터의 일종. 전류 증폭률을 높이기 위해 트랜지스터 출력을 다른 트랜지스터 입력으로 하는 접속법을 다링턴 접속이라고 하는데, 1개의 패키지 안에서 이 접속을 하고 외관상 일반적인 트랜지스터와 같은 것을 다링턴 트랜지스터라고 부른다.

• 파워 바이폴라 트랜지스터^[151]: 전동기 제어 등, 특히 큰 전력(킬로와트 오더)을 다루기 위해 개발된 바이폴라 트랜지스터이다. 간단히 파워 트랜지스터(PTr)^[152]라고도 한다. 전기 철도의 인버터 장치나 초퍼 장치 스위칭 소자로 이용된 적도 있지만, 철도용 인버터 장치로 사용하기에는 내전압 성능이 부족하여 강압 조치가 필요하고, 비용 면에서 불리하여 보급되지 않았다. 바이폴라 트랜지스터는 전류 제어형(베이스 단자에 흘리는 작은 전류로 컬렉터-에미터 간 큰 전류를 제어)이므로, 다루는 전류가 커지면 구동 회로도 대규모가 된다. 특히 스위칭 용도로는 2000년대 들어 특성이 더 좋은 전압 구동형 파워 MOSFET이나 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)로 대체되고 있다.

6. 트랜지스터 명명법

트랜지스터는 구조, 재료, 극성, 전력, 주파수, 용도, 패키징, 증폭 계수, 작동 온도 등에 따라 다양하게 분류된다.

• 구조: MOSFET(IGFET), BJT, JFET, IGBT 등
• 반도체 재료: 게르마늄, 실리콘, 갈륨 비소, 탄화규소, 실리콘-게르마늄, 그래핀 등
• 전기적 극성: NPN, PNP(BJT), N 채널, P 채널(FET)
• 최대 전력 정격: 저전력, 중전력, 고전력
• 최대 작동 주파수: 저주파, 중주파, 고주파, RF, 마이크로웨이브
• 용도: 스위치, 범용, 오디오, 고전압, 초베타, 매치드 페어
• 물리적 패키징: 스루홀 금속/플라스틱, 표면 실장, 볼 그리드 어레이, 전력 모듈
• 증폭 계수: ''h''_FE, β_F(트랜지스터 베타) 또는 ''g''_m(트랜스컨덕턴스)
• 작동 온도: 일반 온도 트랜지스터, 극한 온도 트랜지스터 (고온, 저온)

6. 1. JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)

6. 2. JIS (Japanese Industrial Standard)

이 명명법은 일본공업규격(JIS) C 7012:1982(1993년 폐지)에 규정되어 있었으며, 현재는 전자정보기술산업협회(JEITA)의 규격 ED-4001A에 따라 관리되고 있다. 오늘날에도 JIS 형명 또는 EIAJ(JEITA의 전신 조직인 일본전자기계공업회의 약칭) 형명으로 불린다.

6. 3. Pro Electron (European Electronic Component Manufacturers Association)

• 첫 번째 글자는 반도체 재료를 나타낸다.
• A: 게르마늄
• B: 실리콘
• C: 갈륨 비소 등
• 두 번째 글자는 용도를 나타낸다.
• A: 다이오드
• C: 범용 트랜지스터 등

7. 트랜지스터 재료

초기 BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)는 게르마늄(Ge)으로 만들어졌다.^[124] 현재는 실리콘(Si)이 주류를 이루지만, 특정 고급 마이크로웨이브 및 고성능 버전에서는 갈륨 비소(GaAs) 화합물 반도체 재료와 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체 합금을 사용한다.^[124] 단일 원소 반도체 재료(Ge와 Si)는 원소 반도체로 불린다.

트랜지스터 제작에 사용되는 가장 일반적인 반도체 재료에 대한 대략적인 매개변수는 아래 표에 나와 있다. 이러한 매개변수는 온도, 전기장, 불순물 수준, 변형 등 여러 요인에 따라 달라진다.

접합 순방향 전압은 BJT의 에미터-베이스 접합에 인가되는 전압으로, 베이스가 지정된 전류를 전도하게 한다. 전류는 접합 순방향 전압이 증가함에 따라 기하급수적으로 증가한다. 표에 나와 있는 값은 1 mA의 전류에 대한 일반적인 값이다(동일한 값이 반도체 다이오드에도 적용됨). 접합 순방향 전압이 낮을수록 트랜지스터를 구동하는 데 필요한 전력이 적다. 주어진 전류에 대한 접합 순방향 전압은 온도가 증가함에 따라 감소하며, 일반적인 실리콘 접합의 경우 변화율은 -2.1 mV/°C이다.^[124]

전자 이동도 및 정공 이동도는 재료에 1V/m의 전기장이 인가될 때 전자와 정공이 반도체 재료를 통해 확산되는 평균 속도를 나타낸다. 일반적으로 전자 이동도가 높을수록 트랜지스터가 더 빠르게 작동할 수 있다. 표에서 Ge가 Si보다 전자 이동도가 높지만, Ge는 실리콘과 갈륨 비소에 비해 다음과 같은 네 가지 주요 단점이 있다.

• 최대 온도가 제한된다.
• 상대적으로 높은 누설 전류를 갖는다.
• 높은 전압을 견딜 수 없다.
• 집적 회로 제작에 적합하지 않다.

8. 트랜지스터 패키징

트랜지스터는 다양한 반도체 패키지로 제공된다. 크게 두 가지 주요 범주로 나뉘는데, ''쓰루홀''(또는 ''리드형'')과 ''표면 실장'' (''표면 실장 장치''(SMD)라고도 함)이다. ''볼 그리드 어레이''(BGA)는 최신 표면 실장 패키지에 해당하며, 리드 대신 밑면에 솔더 "볼"이 있다. SMD는 크기가 더 작고 상호 연결이 더 짧기 때문에 고주파 특성이 더 우수하지만, 전력 정격은 더 낮다.

트랜지스터 패키지는 유리, 금속, 세라믹 또는 플라스틱으로 만들어진다. 패키지는 종종 전력 정격과 주파수 특성을 결정한다. 전력 트랜지스터는 더 큰 패키지를 가지며, 향상된 냉각을 위해 히트싱크에 고정될 수 있다. 또한 대부분의 전력 트랜지스터는 컬렉터 또는 드레인이 금속 외함에 물리적으로 연결되어 있다. 반면에, 일부 표면 실장 ''마이크로웨이브'' 트랜지스터는 모래알만큼 작다.

9. 유연 트랜지스터

연구자들은 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)를 포함한 여러 종류의 유연 트랜지스터를 개발했다.^{[126][127][128]} 유연 트랜지스터는 플렉서블 디스플레이 및 기타 플렉서블 전자기기에 유용하다.

참조

_[1] 웹사이트 Transistor https://www.britanni[...] 2021-01-12
_[2] 웹사이트 A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us https://massless.inf[...] 1997-12
_[3] 웹사이트 1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented http://www.computerh[...] 2016-03-25
_[4] 웹사이트 The Nobel Prize in Physics 1956 https://www.nobelpri[...] Nobel Media AB 2014-12-07
_[5] 논문 Frosch and Derick: Fifty Years Later (Foreword) https://iopscience.i[...] 2007-09-01
_[6] 논문 Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon https://iopscience.i[...] 1957
_[7] 논문 Silicon-Silicon Dioxide Surface Device https://doi.org/10.1[...] 1961
_[8] 서적 History of Semiconductor Engineering Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007
_[9] 논문 The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen https://linkinghub.e[...] 1960
_[10] 서적 History of Semiconductor Engineering Springer Science & Business Media 2007
_[11] 서적 Concise Encyclopedia of Building and Construction Materials https://books.google[...] MIT Press
_[12] 특허 Specification of electric current control mechanism patent application https://worldwide.es[...]
_[13] 웹사이트 Twists and Turns in the Development of the Transistor http://www.todayseng[...] IEEE-USA Today's Engineer 2003-05-01
_[14] 특허 Method and apparatus for controlling electric current 1930-01-28
_[15] 웹사이트 Method And Apparatus For Controlling Electric Currents https://patents.goog[...] United States Patent and Trademark Office
_[16] 웹사이트 Amplifier For Electric Currents https://patents.goog[...] United States Patent and Trademark Office
_[17] 웹사이트 Device For Controlling Electric Current https://patents.goog[...] United States Patent and Trademark Office
_[18] 웹사이트 Twists and Turns in the Development of the Transistor http://www.todayseng[...] Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.
_[19] 특허 Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices http://v3.espacenet.[...] European Patent Office 1935-12-06
_[20] 웹사이트 November 17 – December 23, 1947: Invention of the First Transistor http://www.aps.org/p[...] American Physical Society
_[21] 서적 A History of Engineering and Science in the Bell System, Physical Science (1925–1980) AT&T Bell Laboratories
_[22] 서적 Electric Universe Crown Publishers, New York
_[23] 백과사전 transistor Houghton Mifflin
_[24] 웹사이트 The Nobel Prize in Physics 1956 http://nobelprize.or[...] nobelprize.org 2007-03-12
_[25] 학술지 Seventy Years of Getting Transistorized
_[26] 서적 The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits https://www.semantic[...] Cambridge University Press 2003
_[27] 서적 Nanoelectronics: Materials, Devices, Applications, 2 Volumes https://books.google[...] John Wiley & Sons 2017
_[28] 특허 Nouveau sytème crystallin à plusieur électrodes réalisant des relais de effects électroniques 1948-08-13
_[29] 특허 Crystal device for controlling electric currents by means of a solid semiconductor
_[30] 웹사이트 1948, The European Transistor Invention http://www.computerh[...] Computer History Museum 2012-09-29
_[31] 웹사이트 1951: First Grown-Junction Transistors Fabricated | The Silicon Engine | Computer History Museum https://www.computer[...]
_[32] 웹사이트 A Working Junction Transistor https://www.pbs.org/[...] "2017-09-17"
_[33] 논문 The Surface-Barrier Transistor: Part I-Principles of the Surface-Barrier Transistor "1953-12-00"
_[34] 뉴스 Philco Claims Its Transistor Outperforms Others Now In Use The Wall Street Journal "1953-12-04"
_[35] 간행물 Electroplated Transistors Announced Electronics magazine "1954-01-00"
_[36] 논문 Transistors and Their Circuits in the 4A Toll Crossbar Switching System AIEE Transactions "1953-09-00"
_[37] 간행물 1953 Foreign Commerce Weekly
_[38] 뉴스 Der deutsche Erfinder des Transistors – Nachrichten Welt Print – DIE WELT https://www.welt.de/[...] Welt.de "2011-11-23"
_[39] 웹사이트 Regency TR-1 Transistor Radio History http://www.regencytr[...] "2006-04-10"
_[40] 웹사이트 The Regency TR-1 Family http://www.ericwrobb[...] "2017-04-10"
_[41] 웹사이트 Regency manufacturer in USA, radio technology from United St http://www.radiomuse[...] 2017-04-10
_[42] 뉴스 Chrysler Promises Car Radio With Transistors Instead of Tubes in '56 Wall Street Journal 1955-04-28
_[43] 웹사이트 FCA North America - Historical Timeline 1950-1959 https://web.archive.[...] 2017-12-05
_[44] 서적 The 100 Most Significant Events in American Business: An Encyclopedia https://books.google[...] ABC-CLIO 2012
_[45] 뉴스 The 7 Step Formula Sony Used to Get Back On Top After a Lost Decade https://www.inc.com/[...] 2017-11-29
_[46] 간행물 Education and the Innovator's Dilemma https://www.wired.co[...] 2014-01-08
_[47] 학술지 The Lost History of the Transistor https://web.archive.[...] 2004-05
_[48] 서적 Silicon: evolution and future of a technology Springer 2004
_[49] 서적 Microprocessor design: a practical guide from design planning to manufacturing McGraw-Hill Professional 2006
_[50] 특허 Device for controlling electric current 1933-03-07
_[51] 서적 The Physics of Semiconductors Springer-Verlag
_[52] 서적 Semiconductor Devices for Power Conditioning 1982-01-01
_[53] 서적 AIP Conference Proceedings 2001-01-01
_[54] 서적 Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century https://books.google[...] John Wiley & Sons 2016-01-01
_[55] 학술지 Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon https://iopscience.i[...] 1957-01-01
_[56] 학술지 Frosch and Derick: Fifty Years Later (Foreword) https://iopscience.i[...] 2007-09-01
_[57] 특허 Oxidation of semiconductive surfaces for controlled diffusion https://patents.goog[...]
_[58] 학술지 Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon https://iopscience.i[...] 1957-01-01
_[59] 학술지 Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon https://iopscience.i[...] 1957-01-01
_[60] 학술지 The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen https://linkinghub.e[...] 1960-07-01
_[61] 서적 Silicon materials science and technology The Electrochemical Society 1998
_[62] 서적 History of Semiconductor Engineering Springer Science & Business Media 2007
_[63] 서적 To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology https://books.google[...] Johns Hopkins University Press 2007
_[64] 학술지 Silicon-silicon dioxide field induced surface devices 1960
_[65] 웹사이트 1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated https://www.computer[...] Computer History Museum 2023-01-16
_[66] 학술지 Silicon-Silicon Dioxide Surface Device https://doi.org/10.1[...] 1961
_[67] 서적 History of Semiconductor Engineering Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007
_[68] 학술지 Through-Silicon Via (TSV) https://pdfs.semanti[...] 2009
_[69] 뉴스 Transistors Keep Moore's Law Alive https://www.eetimes.[...] 2018-12-12
_[70] 웹사이트 Who Invented the Transistor? https://www.computer[...] 2013-12-04
_[71] 논문 Metal-Oxide-Semiconductor Technology 1973
_[72] 서적 AIP Conference Proceedings 2001
_[73] 웹사이트 1963: Complementary MOS Circuit Configuration is Invented https://www.computer[...] 2019-07-06
_[74] 논문 A floating gate and its application to memory devices 1967
_[75] 웹사이트 1968: Silicon Gate Technology Developed for ICs https://www.computer[...] 2019-07-22
_[76] 서적 FinFETs and Other Multi-Gate Transistors https://books.google[...] Springer Science & Business Media 2008
_[77] 논문 Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate 1984-08-01
_[78] 웹사이트 IEEE Andrew S. Grove Award Recipients https://www.ieee.org[...] Institute of Electrical and Electronics Engineers 2019-07-04
_[79] 웹사이트 The Breakthrough Advantage for FPGAs with Tri-Gate Technology https://www.intel.co[...] Intel 2019-07-04
_[80] 웹사이트 Milestones:Invention of the First Transistor at Bell Telephone Laboratories, Inc., 1947 http://www.ieeeghn.o[...] IEEE 2011-08-03
_[81] 웹사이트 List of IEEE Milestones http://ethw.org/Mile[...] 2020-12-09
_[82] 웹사이트 Dawon Kahng https://www.invent.o[...] 2019-06-27
_[83] 웹사이트 Remarks by Director Iancu at the 2019 International Intellectual Property Conference https://www.uspto.go[...] 2019-07-20
_[84] 서적 Analog Electronics with LabVIEW https://books.google[...] Prentice Hall Professional 2002
_[85] 논문 In search of "Forever," continued transistor scaling one new material at a time 2005
_[86] 서적 Nanodevices for Photonics and Electronics: Advances and Applications CRC Press 2015
_[87] 웹사이트 Triumph of the MOS Transistor https://www.youtube.[...] Computer History Museum 2019-07-21
_[88] 웹사이트 The most manufactured human artifact in history https://computerhist[...] 2021-01-21
_[89] 웹사이트 FETs/MOSFETs: Smaller apps push up surface-mount supply https://web.archive.[...] globalsources.com 2007-04-18
_[90] 웹사이트 Introducing M1 Pro and M1 Max: the most powerful chips Apple has ever built - Apple https://www.apple.co[...] 2022-10-20
_[91] 서적 Digital Systems: From Logic Gates to Processors https://books.google[...] Springer 2016-10-12
_[92] 서적 How Transistors Work https://books.google[...] Lerner Publications 2016-08-01
_[93] 서적 Understanding Modern Transistors and Diodes https://books.google[...] Cambridge University Press 2010-01-28
_[94] 서적 Hands-On Electronics
_[95] 웹사이트 Transistor Base Resistor Calculator https://kaizerpowere[...] 2012-01-27
_[96] 학회발표논문 Universal system and output transformer for valve amplifiers http://www.mennovand[...]
_[97] 웹사이트 Transistor Example http://www.bcae1.com[...]
_[98] 학술지논문 Semiconducting polymer blends that exhibit stable charge transport at high temperatures 2018-12-07
_[99] 서적 The Art of Electronics Cambridge University Press
_[100] 서적 Analog design essentials Springer
_[101] 웹사이트 13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History https://www.computer[...] 2019-07-28
_[102] 서적 Solid State Electronic Devices Prentice-Hall
_[103] 웹사이트 MOSFET DIFFERENTIAL AMPLIFIER http://sites.bu.edu/[...] 2019-08-10
_[104] 웹사이트 IGBT Module 5SNA 2400E170100 http://library.abb.c[...] 2012-06-30
_[105] 학회논문 A new monolithic emitter-switching bipolar transistor (ESBT) in high-voltage converter applications 2003-10-16
_[106] 웹사이트 ESBTs https://www.st.com/e[...] 2019-02-17
_[107] 서적 Low-Noise Wide-Band Amplifiers in Bipolar and CMOS Technologies Springer
_[108] 웹사이트 Single Electron Transistors http://snow.stanford[...] Snow.stanford.edu 2012-06-30
_[109] 웹사이트 Nanofluidic transistor, the basis of future chemical processors http://www.berkeley.[...] Berkeley.edu 2012-06-30
_[110] 웹사이트 The return of the vacuum tube? http://www.gizmag.co[...] Gizmag.com 2016-05-01
_[111] 웹사이트 New Type of Transistor from a Germanium–Tin Alloy Developed https://www.azom.com[...] 2023-04-28
_[112] 웹사이트 Timber! The World's First Wooden Transistor - IEEE Spectrum https://spectrum.iee[...]
_[113] 웹사이트 Boffins claim to create the world's first wooden transistor https://www.theregis[...]
_[114] 웹사이트 Paper Transistor - IEEE Spectrum https://spectrum.iee[...]
_[115] 웹사이트 This Diamond Transistor Is Still Raw, But Its Future Looks Bright - IEEE Spectrum https://spectrum.iee[...]
_[116] 웹사이트 The New, New Transistor - IEEE Spectrum https://spectrum.iee[...]
_[117] 웹사이트 Chip Industry Week In Review https://semiengineer[...] 2024-02-23
_[118] 웹사이트 Transistor Data http://www.clivetec.[...] Clivetec.0catch.com 2016-05-01
_[119] 웹사이트 Datasheet for BC549, with A, B and C gain groupings http://www.fairchild[...] 2012-06-30
_[120] 웹사이트 Datasheet for BUK854-800A (800volt IGBT) http://www.datasheet[...] 2012-06-30
_[121] 웹사이트 Richard Freeman's HP Part numbers Crossreference http://www.hpmuseum.[...] Hpmuseum.org 2012-06-30
_[122] 웹사이트 Transistor–Diode Cross Reference – H.P. Part Numbers to JEDEC (pdf) http://www.sphere.bc[...] 2016-05-01
_[123] 웹사이트 CV Device Cross-reference by Andy Lake http://www.qsl.net/g[...] Qsl.net 2012-06-30
_[124] 서적 Microelectronic circuits https://archive.org/[...] Oxford University Press
_[125] 서적 Integrated Circuit Packaging, Assembly and Interconnections https://books.google[...] Springer 2007-04-24
_[126] 논문 Can We Build a Truly High Performance Computer Which is Flexible and Transparent?
_[127] 논문 Fast flexible electronics using silicon nanomembranes
_[128] 논문 Flexible high-performance carbon nanotube integrated circuits
_[129] 웹사이트 NVIDIA GeForce 뉴스 https://www.nvidia.c[...] 2022-10-19
_[130] 웹사이트 http://www.etymonlin[...]
_[131] 특허 Method and apparatus for controlling electric current 1930-01-28
_[132] 특허 Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices
_[133] 웹사이트 How Europe Missed the Transistor https://spectrum.iee[...]
_[134] 서적 Electric Universe Crown Publishers, New York
_[135] 학술지 The other transistor: early history of the metal-oxide-semiconducor field-effect transistor http://ieeexplore.ie[...]
_[136] 서적 Introduction: Silicon in all its Forms Springer
_[137] 서적 Microprocessor design: a practical guide from design planning to manufacturing McGraw-Hill Professional
_[138] 웹사이트 TR-55 http://www.sony.co.j[...]
_[139] 블로그 50年前のソニーが生んだもの http://techon.nikkei[...] 2005-08-05
_[140] 언어
_[141] 언어 Atalla
_[142] 서적 Silicon: The Semiconductor Material Springer
_[143] 언어 bipolar transistor
_[144] 언어 field effect transistor
_[145] 언어 unipolar transistor
_[146] 언어 insulated gate bipolar transistor
_[147] 언어 grounded-trench-MOS assisted bipolar-mode field effect transistor
_[148] 언어 uni-junction transistor
_[149] 언어 programmable uni-junction transistor
_[150] 언어 static induction transistor
_[151] 용어 power bipolar transistor
_[152] 용어 power transistor
_[153] Youtube 트랜지스터, 어떻게 작동 합니까? https://www.youtube.[...] 공학 코너 2018-09-21
_[154] 웹인용 1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented http://www.computerh[...] 2016-03-25