22 nm 공정
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1. 개요
22 nm 공정은 반도체 제조 공정의 한 종류로, 22 나노미터 크기의 회로를 구현하는 기술을 의미한다. 2008년에 AMD, IBM, 인텔 등 여러 회사들이 22nm 공정 기술을 공동 개발 및 발표했으며, 인텔은 2011년에 22nm 공정을 적용한 마이크로프로세서를 출시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2010년에 20nm 공정을 사용한 NAND 플래시 메모리 칩을 생산했으며, 인텔은 22 nm 트라이게이트 FinFET 기술을 사용한 프로세서를 상용화했다.
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22 nm 공정 | |
---|---|
공정 기술 | |
명칭 | 22 나노미터 공정 |
상세 정보 | |
특징 | 고성능 저전력 |
기술 종류 | FinFET (일부) HKMG (High-κ Metal Gate) |
적용 제품 | CPU GPU 모바일 AP |
개발 및 제조사 | |
주요 제조사 | 인텔 TSMC 삼성전자 |
기술적 상세 (예상) | |
금속 배선 간격 (추정) | 40 nm (정확한 수치는 출처 필요) |
2. 기술 시연
22nm 공정은 게이트의 길이가 기술 노드 지정보다 반드시 작지 않은 첫 번째 사례가 될 수 있다는 특징이 있다. 예를 들어, 25nm 게이트 길이는 22nm 공정에서 일반적인 경우가 될 수 있다.
2010년 1월 3일, 인텔과 마이크론 테크놀로지는 25nm NAND 장치 제품군 중 첫 번째 제품을 발표했다.
2011년 5월 2일, 인텔은 ''3차원 트라이게이트''라고 불리는 FinFET 기술을 사용한 최초의 22nm 마이크로프로세서인 코드명 아이비 브리지를 발표했다.[10]
IBM의 POWER8 프로세서는 22nm SOI 공정으로 생산된다.[11]
2. 1. 초기 개발
2008년 8월 18일, AMD, 프리스케일 반도체, IBM, ST마이크로일렉트로닉스, 도시바, 나노 과학 및 공학 대학(CNSE)은 300mm 웨이퍼 위에 구축된 22nm SRAM 셀을 공동 개발 및 제조했다고 발표했다. 이 SRAM 셀은 전통적인 6개의 트랜지스터 디자인을 기반으로 하였으며, 크기는 0.1 μm2였다.[7] 이 셀은 액침 리소그래피를 사용하여 인쇄되었다.[8]2. 2. 인텔의 발표
2009년 9월 22일, 인텔 개발자 포럼 2009 가을에서 인텔은 22nm 웨이퍼를 공개하고, 22nm 기술을 사용한 칩이 2011년 하반기에 출시될 것이라고 발표했다.[9] SRAM 셀 크기는 0.092 μm2로, 당시 보고된 가장 작은 크기였다.3. 상용화된 장치
22nm 공정을 사용한 대표적인 상용 장치로는 인텔의 3세대 코어 프로세서 아이비브리지[15]와 4세대 코어 프로세서 하스웰[17], 그리고 인텔 B365 칩셋이 있다.
3. 1. 플래시 메모리
도시바는 2010년 8월 31일에 24 nm NAND 플래시 메모리 장치 출하를 발표했다.[12] 삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다.[13] [14]3. 2. 프로세서
인텔은 2012년 4월 23일 아이비 브리지 22 nm 기술 기반의 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계에 출시했다.[15] 22 nm 프로세서 대량 생산은 6개월 이상 앞서 시작되었으며, 폴 오텔리니 전 인텔(Intel) CEO가 2011년 10월 19일에 확인했다.[16]2013년 6월 3일, 인텔은 시리즈 8 칩셋용 22 nm '트라이게이트' FinFET 기술 기반의 하스웰 마이크로아키텍처 기반 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 출시했다.[17] 인텔 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 갖는다.[18]
4. 한국 기업의 역할
삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm급 NAND 플래시 메모리 칩을 출시하며 22 nm 공정 기술 개발에 중요한 역할을 수행했다.[13][14]
4. 1. 삼성전자
삼성전자는 2010년에 20 nm 공정을 사용하여 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩의 대량 생산을 시작했다.[13] 이는 22 nm 기술 경쟁에서 삼성전자가 선도적인 역할을 했음을 보여준다.4. 2. SK하이닉스
SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다.[14] 이는 삼성전자와 함께 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 강화하는 계기가 되었다.5. 22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서
인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지는 22nm 기술을 기반으로 제작되었다.[15] 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계적으로 판매되었다. 22nm 프로세서의 대량 생산은 2011년 10월 19일 전 인텔(Intel) CEO인 폴 오텔리니가 확인한 바와 같이 6개월 이상 앞서 시작되었다.[16]
인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰은 시리즈 8 칩셋용 22nm ''트라이게이트'' FinFET 기술을 기반으로 제작되었다.[17] 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 출하되기 시작했다. 인텔의 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 가진다.[18]
인텔 B365 칩셋도 22nm 공정을 적용하였다.
참조
[1]
웹사이트
No More Nanometers – EEJournal
https://www.eejourna[...]
2020-07-23
[2]
웹사이트
A Brief History of Process Node Evolution
https://www.design-r[...]
2019-07-09
[3]
웹사이트
14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists...
https://www.extremet[...]
[4]
웹사이트
Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022
https://wccftech.com[...]
2016-09-10
[5]
웹사이트
Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms
https://www.eejourna[...]
2018-03-12
[6]
웹사이트
20nm Technology
https://www.tsmc.com[...]
TSMC
2019-06-30
[7]
웹사이트
TG Daily news report
https://web.archive.[...]
2008-08-18
[8]
웹사이트
EETimes news report
http://www.eetimes.c[...]
[9]
웹사이트
Intel announces 22nm chips for 2011
https://www.engadget[...]
[10]
웹사이트
Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology
http://newsroom.inte[...]
[11]
웹사이트
IBM opens Power8 kimono (a little bit more)
https://www.theregis[...]
[12]
웹사이트
Toshiba launches 24nm process NAND flash memory
http://www.toshiba.c[...]
[13]
웹사이트
History
https://www.samsung.[...]
Samsung
2019-06-19
[14]
웹사이트
History: 2010s
https://web.archive.[...]
2019-07-08
[15]
웹사이트
Intel launches Ivy Bridge...
http://semiaccurate.[...]
[16]
웹사이트
Tom's Hardware: Intel to Sell Ivy Bridge
http://www.tomshardw[...]
[17]
웹사이트
4th Generation Intel Core Processors Coming Soon
https://web.archive.[...]
2013-04-27
[18]
웹사이트
Intel's 10nm Cannon Lake and Core i3-8121U Deep Dive Review
https://www.anandtec[...]
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