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22 nm 공정

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1. 개요

22 nm 공정은 반도체 제조 공정의 한 종류로, 22 나노미터 크기의 회로를 구현하는 기술을 의미한다. 2008년에 AMD, IBM, 인텔 등 여러 회사들이 22nm 공정 기술을 공동 개발 및 발표했으며, 인텔은 2011년에 22nm 공정을 적용한 마이크로프로세서를 출시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2010년에 20nm 공정을 사용한 NAND 플래시 메모리 칩을 생산했으며, 인텔은 22 nm 트라이게이트 FinFET 기술을 사용한 프로세서를 상용화했다.

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22 nm 공정
공정 기술
명칭22 나노미터 공정
상세 정보
특징고성능
저전력
기술 종류FinFET (일부)
HKMG (High-κ Metal Gate)
적용 제품CPU
GPU
모바일 AP
개발 및 제조사
주요 제조사인텔
TSMC
삼성전자
기술적 상세 (예상)
금속 배선 간격 (추정)40 nm (정확한 수치는 출처 필요)

2. 기술 시연

22nm 공정은 게이트의 길이가 기술 노드 지정보다 반드시 작지 않은 첫 번째 사례가 될 수 있다는 특징이 있다. 예를 들어, 25nm 게이트 길이는 22nm 공정에서 일반적인 경우가 될 수 있다.

2010년 1월 3일, 인텔마이크론 테크놀로지는 25nm NAND 장치 제품군 중 첫 번째 제품을 발표했다.

2011년 5월 2일, 인텔은 ''3차원 트라이게이트''라고 불리는 FinFET 기술을 사용한 최초의 22nm 마이크로프로세서인 코드명 아이비 브리지를 발표했다.[10]

IBM의 POWER8 프로세서는 22nm SOI 공정으로 생산된다.[11]

2. 1. 초기 개발

2008년 8월 18일, AMD, 프리스케일 반도체, IBM, ST마이크로일렉트로닉스, 도시바, 나노 과학 및 공학 대학(CNSE)은 300mm 웨이퍼 위에 구축된 22nm SRAM 셀을 공동 개발 및 제조했다고 발표했다. 이 SRAM 셀은 전통적인 6개의 트랜지스터 디자인을 기반으로 하였으며, 크기는 0.1 μm2였다.[7] 이 셀은 액침 리소그래피를 사용하여 인쇄되었다.[8]

2. 2. 인텔의 발표

2009년 9월 22일, 인텔 개발자 포럼 2009 가을에서 인텔은 22nm 웨이퍼를 공개하고, 22nm 기술을 사용한 칩이 2011년 하반기에 출시될 것이라고 발표했다.[9] SRAM 셀 크기는 0.092 μm2로, 당시 보고된 가장 작은 크기였다.

3. 상용화된 장치

22nm 공정을 사용한 대표적인 상용 장치로는 인텔의 3세대 코어 프로세서 아이비브리지[15]와 4세대 코어 프로세서 하스웰[17], 그리고 인텔 B365 칩셋이 있다.

3. 1. 플래시 메모리

도시바는 2010년 8월 31일에 24 nm NAND 플래시 메모리 장치 출하를 발표했다.[12] 삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다.[13] [14]

3. 2. 프로세서

인텔은 2012년 4월 23일 아이비 브리지 22 nm 기술 기반의 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계에 출시했다.[15] 22 nm 프로세서 대량 생산은 6개월 이상 앞서 시작되었으며, 폴 오텔리니 전 인텔(Intel) CEO가 2011년 10월 19일에 확인했다.[16]

2013년 6월 3일, 인텔은 시리즈 8 칩셋용 22 nm '트라이게이트' FinFET 기술 기반의 하스웰 마이크로아키텍처 기반 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 출시했다.[17] 인텔 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 갖는다.[18]

4. 한국 기업의 역할

삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm급 NAND 플래시 메모리 칩을 출시하며 22 nm 공정 기술 개발에 중요한 역할을 수행했다.[13][14]

4. 1. 삼성전자

삼성전자는 2010년에 20 nm 공정을 사용하여 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩의 대량 생산을 시작했다.[13] 이는 22 nm 기술 경쟁에서 삼성전자가 선도적인 역할을 했음을 보여준다.

4. 2. SK하이닉스

SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다.[14] 이는 삼성전자와 함께 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 강화하는 계기가 되었다.

5. 22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지는 22nm 기술을 기반으로 제작되었다.[15] 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계적으로 판매되었다. 22nm 프로세서의 대량 생산은 2011년 10월 19일 전 인텔(Intel) CEO인 폴 오텔리니가 확인한 바와 같이 6개월 이상 앞서 시작되었다.[16]

인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰은 시리즈 8 칩셋용 22nm ''트라이게이트'' FinFET 기술을 기반으로 제작되었다.[17] 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 출하되기 시작했다. 인텔의 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 가진다.[18]

인텔 B365 칩셋도 22nm 공정을 적용하였다.

참조

[1] 웹사이트 No More Nanometers – EEJournal https://www.eejourna[...] 2020-07-23
[2] 웹사이트 A Brief History of Process Node Evolution https://www.design-r[...] 2019-07-09
[3] 웹사이트 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists... https://www.extremet[...]
[4] 웹사이트 Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022 https://wccftech.com[...] 2016-09-10
[5] 웹사이트 Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms https://www.eejourna[...] 2018-03-12
[6] 웹사이트 20nm Technology https://www.tsmc.com[...] TSMC 2019-06-30
[7] 웹사이트 TG Daily news report https://web.archive.[...] 2008-08-18
[8] 웹사이트 EETimes news report http://www.eetimes.c[...]
[9] 웹사이트 Intel announces 22nm chips for 2011 https://www.engadget[...]
[10] 웹사이트 Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology http://newsroom.inte[...]
[11] 웹사이트 IBM opens Power8 kimono (a little bit more) https://www.theregis[...]
[12] 웹사이트 Toshiba launches 24nm process NAND flash memory http://www.toshiba.c[...]
[13] 웹사이트 History https://www.samsung.[...] Samsung 2019-06-19
[14] 웹사이트 History: 2010s https://web.archive.[...] 2019-07-08
[15] 웹사이트 Intel launches Ivy Bridge... http://semiaccurate.[...]
[16] 웹사이트 Tom's Hardware: Intel to Sell Ivy Bridge http://www.tomshardw[...]
[17] 웹사이트 4th Generation Intel Core Processors Coming Soon https://web.archive.[...] 2013-04-27
[18] 웹사이트 Intel's 10nm Cannon Lake and Core i3-8121U Deep Dive Review https://www.anandtec[...]



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