글로벌파운드리스

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1. 개요
2. 역사
3. 주요 기술 및 제품
- 3.1. 공정 기술
- 3.2. 제품
4. 생산 시설 (Fab)
5. 법적 분쟁
6. 사회 공헌
7. 더불어민주당 관점 및 한국의 관점
참조

1. 개요

글로벌파운드리스는 2009년 AMD의 반도체 제조 사업 분사로 설립된 미국의 파운드리(반도체 위탁 생산) 기업이다. AMD가 지분 일부를, 무바달라 투자회사의 자회사인 첨단기술투자회사가 주요 지분을 소유하며 출범했다. IBM의 마이크로일렉트로닉스 사업부 인수, 삼성전자로부터 14nm 핀펫 공정 라이선스 확보 등을 통해 기술력을 강화했으며, 2018년에는 7nm 공정 개발을 중단하고 특수 공정에 집중하는 전략으로 전환했다. 주요 생산 시설(Fab)은 독일 드레스덴, 싱가포르, 미국 뉴욕 등에 위치해 있으며, 2019년 TSMC와 특허 침해 소송을 벌였으나, 크로스 라이선스에 합의했다. 2023년 제너럴 모터스에 미국산 반도체 칩을 독점 공급하는 계약을 체결했으며, 미국 국방부와 10년 계약을 통해 항공 우주 및 방위 분야 반도체 공급을 보장받았다.

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글로벌파운드리스 - [회사]에 관한 문서
회사 정보
회사명	글로벌파운드리스
영문 회사명	GlobalFoundries Inc.
로고
회사 종류	상장
거래소	나스닥-100 구성 종목
설립일	(AMD의 분사)
본사 위치	말타, 뉴욕주, 미국
주요 인물
산업	반도체
서비스	반도체 제조업
매출	(2023년)
영업 이익	(2023년)
순이익	(2023년)
자산	(2023년)
자본	(2023년)
직원 수	12,000명 (2023년)
웹사이트	https://gf.com/
본사 위치 (구)	캘리포니아주서니베일
추가 정보
각주	"" "" "{{cite web \| url = https://investors.gf.com/news-releases/news-release-details/globalfoundries-reports-fourth-quarter-and-fiscal-year-2022 \| title = GlobalFoundries Reports Fourth Quarter and Fiscal Year 2022 \| publisher = GlobalFoundries \| accessdate = 2023-08-24 \| archive-date = 2023-08-24 \| archive-url = https://web.archive.org/web/20230824195744/https://investors.gf.com/news-releases/news-release-details/globalfoundries-reports-fourth-quarter-and-fiscal-year-2022 \| url-status = live }}" "" "" "" "" "" "" "" ""

2. 역사

2008년 10월 7일, AMD는 반도체 제조 사업을 분사하여 "The Foundry Company"라는 이름의 새로운 회사를 설립하고, 패브리스 방식으로 전환할 계획이라고 발표했다.^[13] 무바달라 투자회사(Mubadala Investment Company)는 자회사인 첨단기술투자회사(Advanced Technology Investment Company, ATIC)가 AMD의 반도체 제조 사업 지분을 늘리기 위해 투자하기로 합의했다.^[13]

2009년 3월 4일, ATIC의 투자를 받아 글로벌파운드리(GlobalFoundries)가 공식적으로 설립되었다.^[15] AMD는 The Foundry Company의 약 34.2%를, ATIC는 약 65.8%를 소유하게 되었다.^[14] 6월 15일, VLSI technology 심포지엄 2009에서 IBM과의 제휴를 통해 고유전율(high-k) 게이트 절연막 및 메탈 게이트(HKMG) 구조를 갖춘 트랜지스터를 22nm 공정 이후에 미세화할 수 있는 기술을 개발했다고 발표했다.^[99] 7월 29일에는 스위스 기반의 ST마이크로일렉트로닉스와 40nm 공정 저전력 칩 제조 위탁 계약을 체결했는데, 이는 AMD 이외 기업과의 최초 계약이었다.^[100] 9월 7일, ATIC는 싱가포르에 본사를 둔 차터드 세미컨덕터(Chartered Semiconductor)를 인수하고 차터드 세미컨덕터를 글로벌파운드리에 통합할 것이라고 발표했다.^[16] 10월 14일에는 영국의 ARM와 제휴, 라이선스 계약을 발표하여 ARM 아키텍처 기반 프로세서 설계 및 SoC(시스템온칩) 제조 기술을 확보하고, 28nm 공정 기반 ARM Cortex-A9 프로세서 제조를 위탁받아 2011년부터 생산을 시작할 예정이었다.^[101]

2010년 1월 7일, 퀄컴과 기술 개발 및 반도체 제조 제휴를 발표하고, CDMA2000, W-CDMA, 4G/LTE 셀룰러용 반도체 제품을 45nm 및 28nm 공정으로 제조할 예정이었다.^[102] 1월 13일, 글로벌파운드리는 차터드 세미컨덕터의 통합을 완료했다고 발표했다.^[17] 이 인수로 글로벌파운드리는 세계 2위 파운드리 기업이 되었다. 6월 8일, ATIC의 투자를 받아 독일 드레스덴의 Fab 1, 싱가포르의 Fab 7, 미국 뉴욕에 건설 중인 Fab 8을 확장한다고 발표했다.^[103] 9월 21일에는 엔비디아와 계약을 체결했다.^[104]

2011년 1월 25일, 도쿄 기자회견에서 28nm 공정을 이용한 CPU 제품을 2011년 2분기에 테스트용 테이프 아웃을 실시할 것이라고 발표했다. 또한 32nm 공정을 이용한 CPU 제품은 2011년에 양산 체제에 들어갈 것이라고 발표했다.^[105]

2012년 3월 4일, AMD는 회사 지분 14%를 모두 매각하며 제조 부문 매각을 위한 수년간의 계획을 마무리했다.^[18] 9월에는 14nm FinFET 공정인 14XM 공정 개발을 발표했다.^[106] 28nm 공정 시작 시점에서 경쟁사에 뒤처져 있던 GF는 2013년 시작 예정이었던 20nm 공정을 건너뛰고 2014년 시작 예정이었던 14nm 공정 개발을 진행했으나, 최종적으로 14nm 공정 자체 개발에 실패했다.

2014년 10월 20일, IBM은 자사의 마이크로일렉트로닉스 사업부를 글로벌파운드리에 매각한다고 발표했다.^[19] 이 인수를 통해 글로벌파운드리는 IBM의 기술력과 제조 시설을 확보하며 경쟁력을 강화했다.

2016년, 글로벌파운드리는 삼성전자로부터 14 nm 14LPP 핀펫 공정을 라이선스 받았다.^[22] 2018년, 글로벌파운드리는 삼성의 14nm 14LPP 공정을 기반으로 12 nm 12LP 노드를 개발했다.^[22] 그러나 10nm 이후는 IBM의 기술을 바탕으로 자체 개발을 표명하고 경쟁사를 따라잡기 위해 10nm를 건너뛰고 7nm 개발을 진행했다.

2018년 8월 27일, 글로벌파운드리는 최첨단 성능 대신 특수 공정에 집중하기 위한 전략적 변화로 인해 7LP 공정을 취소했다.^[23] 이는 글로벌파운드리가 최첨단 미세 공정 경쟁에서 한 발 물러나, 성숙 공정 기반의 특화된 팹리스 기업으로 변화를 모색하는 계기가 되었다. 동시에 ASIC 사업부를 독립 회사로 본체에서 분리한다고 발표했다.

2019년 1월 29일, AMD와 계약을 변경하여 GF는 2021년까지 AMD에 12nm 공정 웨이퍼를 공급했다.^[24] 5월 20일, IBM의 반도체 부문에 유래하는 ASIC 부문인 Avera Semiconductor를 마벨 테크놀로지 그룹(Marvell Technology Group)에 매각했다.^[25] 2월 1일, 싱가포르 탐피네스에 있는 Fab 3E를 반도체 제조 국제공사 (VIS)에 매각했다.^[26] 4월 22일, 뉴욕주 이스트 피시킬에 있는 Fab 10을 온세미컨덕터(ON Semiconductor)에 매각했다.^[27]

2020년 2월, 글로벌파운드리는 임베디드 자기저항 비휘발성 메모리(eMRAM)가 업계 최초로 양산에 들어갔다고 발표했다.^[29] 5월, 중국 청두에 Fab 11을 건설할 계획을 완전히 포기했다.^[30]

2021년, AMD와 계약을 변경했다.^[112] GF는 2024년까지 AMD에 웨이퍼를 공급한다. 4월 26일, 글로벌파운드리는 본사를 캘리포니아주 산타클라라에서 뉴욕주 말타에 있는 Fab 8로 즉시 이전한다고 발표했다.^[32]

2022년 8월, 구글은 글로벌파운드리와 파트너십을 맺고 180nm 노드 기반의 오픈소스 공정 설계 키트(PDK)를 개발하여 오픈소스 칩 설계 및 제조 노력을 확장했다.^[33]^[34] 10월 31일, 구글은 향후 몇 달 동안 무료 OpenMPW(다중 프로젝트 웨이퍼) 셔틀을 후원할 것이라고 발표했다.^[35]

2023년 2월, 글로벌파운드리는 제너럴 모터스(General Motors)에 미국산 반도체 칩을 독점 공급하는 계약을 체결했다.^[37]^[38]^[39]^[40]^[41] 9월 21일, 미국 국방부(U.S. Department of Defense, DoD)는 글로벌파운드리에 10년 계약을 수여하여, 항공 우주 및 방위 응용 분야를 위한 안전하게 제조된 반도체 공급을 보장했다.^[42]

2024년 2월, 미국 상무부는 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act)의 일환으로 글로벌파운드리에 15억 달러의 투자 계획을 발표했다.^[45] 11월에는 제재 대상인 중국 반도체 제조 국제공사(Semiconductor Manufacturing International Corporation) 관련 기업에 1,700만 달러 상당의 제품을 무허가로 수출한 데 대해 미국 상무부에 50만 달러의 벌금을 지불했다.^[43]^[44]

2. 1. 설립 초기 (2008년 ~ 2010년)

2008년 10월 7일, AMD는 반도체 제조 사업을 분사하여 "The Foundry Company"라는 이름의 새로운 회사를 설립하고, 패브리스 방식으로 전환할 계획이라고 발표했다.^[13] 무바달라 투자회사(Mubadala Investment Company)는 자회사인 첨단기술투자회사(Advanced Technology Investment Company, ATIC)가 AMD의 반도체 제조 사업 지분을 늘리기 위해 투자하기로 합의했다.^[13]

2009년 3월 4일, ATIC의 투자를 받아 글로벌파운드리(GlobalFoundries)가 공식적으로 설립되었다.^[15] AMD는 The Foundry Company의 약 34.2%를, ATIC는 약 65.8%를 소유하게 되었다.^[14] 6월 15일, VLSI technology 심포지엄 2009에서 IBM과의 제휴를 통해 고유전율(high-k) 게이트 절연막 및 메탈 게이트(HKMG) 구조를 갖춘 트랜지스터를 22nm 공정 이후에 미세화할 수 있는 기술을 개발했다고 발표했다.^[99] 7월 29일에는 스위스 기반의 ST마이크로일렉트로닉스와 40nm 공정 저전력 칩 제조 위탁 계약을 체결했는데, 이는 AMD 이외 기업과의 최초 계약이었다.^[100] 9월 7일, ATIC는 싱가포르에 본사를 둔 차터드 세미컨덕터(Chartered Semiconductor)를 인수하고 차터드 세미컨덕터를 글로벌파운드리에 통합할 것이라고 발표했다.^[16] 10월 14일에는 영국의 ARM와 제휴, 라이선스 계약을 발표하여 ARM 아키텍처 기반 프로세서 설계 및 SoC(시스템온칩) 제조 기술을 확보하고, 28nm 공정 기반 ARM Cortex-A9 프로세서 제조를 위탁받아 2011년부터 생산을 시작할 예정이었다.^[101]

2010년 1월 7일, 퀄컴과 기술 개발 및 반도체 제조 제휴를 발표하고, CDMA2000, W-CDMA, 4G/LTE 셀룰러용 반도체 제품을 45nm 및 28nm 공정으로 제조할 예정이었다.^[102] 1월 13일, 글로벌파운드리는 차터드 세미컨덕터의 통합을 완료했다고 발표했다.^[17] 이 인수로 글로벌파운드리는 세계 2위 파운드리 기업이 되었다. 6월 8일, ATIC의 투자를 받아 독일 드레스덴의 Fab 1, 싱가포르의 Fab 7, 미국 뉴욕에 건설 중인 Fab 8을 확장한다고 발표했다.^[103] 9월 21일에는 엔비디아와 계약을 체결했다.^[104]

2. 2. 성장과 변화 (2011년 ~ 2019년)

2008년 10월 7일, AMD는 반도체 제조 사업을 분사하여 "The Foundry Company"라는 이름의 새로운 회사를 설립하고, 패브리스 방식으로 전환할 계획이라고 발표했다.^[13] 무바달라 투자회사(Mubadala Investment Company)는 자회사인 첨단기술투자회사(ATIC)를 통해 AMD의 반도체 제조 사업 지분을 늘리고, AMD에 대한 추가 투자를 진행했다.^[13]^[14]

2009년 3월 4일, 글로벌파운드리(GlobalFoundries)가 공식적으로 발표되었다.^[15] ATIC는 싱가포르에 본사를 둔 차터드 세미컨덕터(Chartered Semiconductor)를 인수하고 차터드 세미컨덕터를 글로벌파운드리에 통합할 것이라고 발표했다.^[16] 2010년 1월 13일, 글로벌파운드리는 차터드 세미컨덕터의 통합을 완료했다.^[17]

2012년 3월 4일, AMD는 회사 지분 14%를 모두 매각하며 제조 부문 매각을 위한 수년간의 계획을 마무리했다.^[18]

2014년 10월 20일, IBM은 자사의 마이크로일렉트로닉스 사업부를 글로벌파운드리에 매각한다고 발표했다.^[19] 이 인수를 통해 글로벌파운드리는 IBM의 기술력과 제조 시설을 확보하며 경쟁력을 강화했다.

2016년, 글로벌파운드리는 삼성전자로부터 14 nm 14LPP 핀펫 공정을 라이선스 받았다.^[22] 2018년, 글로벌파운드리는 삼성의 14nm 14LPP 공정을 기반으로 12 nm 12LP 노드를 개발했다.^[22]

2018년 8월 27일, 글로벌파운드리는 최첨단 성능 대신 특수 공정에 집중하기 위한 전략적 변화로 인해 7LP 공정을 취소했다.^[23] 이는 글로벌파운드리가 최첨단 미세 공정 경쟁에서 한 발 물러나, 성숙 공정 기반의 특화된 팹리스 기업으로 변화를 모색하는 계기가 되었다.

2019년, 글로벌파운드리는 AMD와 수정된 웨이퍼 공급 계약을 체결하고,^[24] 마벨 테크놀로지 그룹(Marvell Technology Group)에 Avera Semi를 매각했다.^[25] 또한, 반도체 제조 국제공사 (VIS)에 Fab 3E를,^[26] 온세미컨덕터(ON Semiconductor)에 Fab 10을 매각하는^[27] 등 사업 구조 조정을 단행했다.

2020년 2월, 글로벌파운드리는 임베디드 자기저항 비휘발성 메모리(eMRAM)가 업계 최초로 양산에 들어갔다고 발표했다.^[29]

2. 3. 최근 동향 (2020년 ~ 현재)

2019년 1월 29일, AMD는 글로벌파운드리와의 웨이퍼 공급 계약을 수정하여, 7nm 이상 웨이퍼를 다른 파운드리에서도 구매할 수 있게 되었다.^[24] AMD와 글로벌파운드리는 2019년부터 2021년까지 12nm 공정 웨이퍼에 대한 약정과 가격에 합의했다.^[24] 2021년에는 계약을 변경하여, 글로벌파운드리가 2024년까지 AMD에 웨이퍼를 공급하기로 했다.^[112] 2020년부터 AMD가 CPU에 TSMC 7nm 공정을 채택하면서 관계 단절 가능성이 제기되었으나, 칩셋은 당분간 글로벌파운드리의 14nm 공정을 계속 사용할 것으로 예상된다.^[112]

2019년 5월 20일, 마벨 테크놀로지 그룹(Marvell Technology Group)은 글로벌파운드리로부터 Avera Semi를 인수한다고 발표했다.^[25] Avera Semi는 IBM의 반도체 제조 사업 일부였던 글로벌파운드리의 ASIC 솔루션 부서였다.^[25]

2020년 2월, 글로벌파운드리는 임베디드 자기저항 비휘발성 메모리(eMRAM)가 업계 최초로 양산에 들어갔다고 발표했다.^[29] 2020년 5월에는 중국 청두에 Fab 11을 건설할 계획을 완전히 포기했다.^[30]

2021년 4월 26일, 글로벌파운드리는 본사를 캘리포니아주 산타클라라에서 뉴욕주 말타에 있는 Fab 8로 즉시 이전한다고 발표했다.^[32]

2022년 8월, 구글은 글로벌파운드리와 파트너십을 맺고 180nm 노드 기반의 오픈소스 공정 설계 키트(PDK)를 개발하여 오픈소스 칩 설계 및 제조 노력을 확장했다.^[33]^[34] 2022년 10월 31일, 구글은 향후 몇 달 동안 무료 OpenMPW(다중 프로젝트 웨이퍼) 셔틀을 후원할 것이라고 발표했다.^[35]

2023년 2월, 글로벌파운드리는 제너럴 모터스(General Motors)에 미국산 반도체 칩을 독점 공급하는 계약을 체결했다.^[37]^[38]^[39]^[40]^[41] 이는 업계 최초의 계약으로, 제너럴 모터스가 차량에 필요한 칩 수를 줄이는 데 도움이 될 것이며, 뉴욕주 말타에서 생산할 계획이다.^[37]^[38]^[39]^[40]^[41]

2023년 9월 21일, 미국 국방부(U.S. Department of Defense, DoD)는 글로벌파운드리에 10년 계약을 수여하여, 항공 우주 및 방위 응용 분야를 위한 안전하게 제조된 반도체 공급을 보장했다.^[42]

2024년 2월, 미국 상무부는 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act)의 일환으로 글로벌파운드리에 15억 달러의 투자 계획을 발표했다.^[45]

3. 주요 기술 및 제품

3. 1. 공정 기술

글로벌파운드리스는 다양한 공정 기술을 제공한다.

2016년에는 14LPP 공정을 도입했다. 300mm 웨이퍼를 사용하며, 침지 UV 리소그래피를 활용한다. 게이트 피치는 78nm, 메탈 1 피치는 64nm, SRAM 비트 밀도는 0.09µm²이다.^[121] 14LPP FinFET 공정은 삼성전자로부터 세컨드소싱되었다.^[22]

2018년에는 12LP 공정을 도입하였다. 이 공정은 삼성전자의 14nm 14LPP 공정을 기반으로 한다.^[22]

글로벌파운드리의 22nm FD-SOI 공정은 ST마이크로일렉트로닉스로부터 세컨드소싱되었다.^[80] ST마이크로일렉트로닉스는 이후 삼성전자와도 동일 기술에 대한 소싱 및 라이선싱 계약을 체결했다.^[92]

노드 명칭	ITRS 노드 (nm)	도입 시기	웨이퍼 크기 (mm)	리소그래피 (파장)	트랜지스터 종류	게이트 피치 (nm)	메탈 1 피치 (nm)	SRAM 비트 밀도 (μm²)
4S	600	1993	200 벌크	–	플래너	–	–	–
CS-24	500	1993	벌크	–	플래너	–	–	–
5L	500	–	200 벌크	–	플래너	–	–	–
5S	500	1994	200 벌크	–	플래너	–	–	–
SiGe 5HP	500	2001	200	–	플래너	–	–	–
SiGe 5AM	500	2001	200	–	플래너	–	–	–
SiGe 5DM	500	2002	200	–	플래너	–	–	–
SiGe 5PA	500	2002	200	–	플래너	–	–	–
5X	450	1994	200 벌크	–	플래너	–	–	–
CS-34	350	1995	벌크	–	플래너	–	–	–
SiGe 5HPE	350	2001	200	–	플래너	–	–	–
SiGe 5PAe^[81]	350	2007	200	–	플래너	–	–	–
SiGe 5PAx^[81]	350	2016	200	–	플래너	–	–	–
1KW5PAe^[81]	350	–	200	–	플래너	–	–	–
1K5PAx^[81]	350	2016	200	–	플래너	–	–	–
6S	290	1996	200 벌크	–	플래너	–	–	–
CS-44	250	1998	벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
6S2	250	1997	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
6SF	250	–	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
6X	250	1997	200 벌크	–	플래너	–	–	–
6RF	250	2001	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
250SOI	250	1999	200 SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 6HP	250	–	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 6DM	250	–	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 6WL	250	2007	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7S	220	1998	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
220SOI	220	1999	200 SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7HV	180	2010	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
180 BCDLite^[82]	180	2011	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
180 UHV^[82]	180	2017	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7SF	180	1999	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7TG	180	–	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7RF	180	2003	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
8S	180	2000	200 SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7RF SOI^[83]	180	2007	200 RF-SOI, 300 RF-SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
7SW RF SOI^[83]	180	2014	200 RF-SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 7WL^[84]	180	2003	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 7HP	180	2003	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130 BCDLite^[82]	130	2014	300	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130 BCD^[82]	130	–	300	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
8SF	130	2000	200 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
8SFG	130	2003	200 벌크, 300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
8RF	130	2003	200 벌크, 300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130G^[85]	130	–	300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130LP^[85]	130	–	300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130LP/EE^[85]	130	–	300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
110TS^[85]	130	–	300 벌크	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
9S	130	2000	200 SOI, 300 SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
130RFSOI^[83]	130	2015	300 RF-SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
8SW RF SOI^[83]	130	2017	300 RF-SOI	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 8WL^[84]	130	2005	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 8HP^[84]	130	2005	200, 300	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 8XP^[84]	130	2016	200	건식 248nm DUV	플래너	–	–	–
9SF	90	2004	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
9LP	90	2005	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
9RF	90	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
10S	90	2002	300 SOI	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
90RFSOI	90	2004	300 RF-SOI	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
90WG^[86]	90	2018	300	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
90WG+^[86]	90	?	300	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
SiGe 9HP^[84]	90	2014, 2018	200, 300	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
10SF	65	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
10LP	65	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
65LPe^[87]	65	2009	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
65LPe-RF^[87]	65	2009	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
10RFe	65	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
11S	65	2006	300 SOI	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
65RFSOI	65	2008	300 RF-SOI	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55 BCDLite^[87]	55	2018	300	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55HV^[88]	55	?	300	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55 ULP^[87]	55	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55LPe	55	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55LPe-RF	55	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55LPx^[87]	55	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
55RF^[87]	55	–	300 벌크	건식 193nm DUV	플래너	–	–	–
45LP	45	–	300 벌크	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
12S	45	2007	300 SOI	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
45RFSOI^[83]	45	2017	300 RF-SOI	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
45CLO^[89]	45	2021	300	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
40HV^[88]	40	?	300	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
40LP^[90]	40	–	300 벌크	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
40LP-RF^[90]	40	–	300 벌크	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
32LP	32	–	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
32SHP	32	?	300 SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
13S	32	2009	300 SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28HV^[88]	28	2019	300	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28LP	28	2009	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28SLP^[91]	28	2010	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28HP	28	2010	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28HPP^[91]	28	2011	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28SHP	28	2013	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28SLP RF	28	2015	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
28FDSOI^[80]^[92]	28	2012	300 FD-SOI	습식 193nm DUV	플래너	–	–	–
22FDX-ULP^[93]	22	2015	300 FD-SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
22FDX-UHP^[93]	22	2015	300 FD-SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
22FDX-ULL^[93]	22	2015	300 FD-SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
22FDX-RFA^[93]	22	2017	300 FD-SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
22FDX RF+^[94]	22	2021	300 FD-SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	플래너	–	–	–
14LPP^[95]	14	2015	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	3D (FinFET)	78	64	0.09
14HP^[96]	14	2017	300 SOI	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	3D (FinFET)	–	–	–
12LP^[97]	12	2018	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	3D (FinFET)	–	–	–
12LP+^[98]	12	2019	300 벌크	습식 193nm DUV, 이중 패터닝	3D (FinFET)	–	–	–

3. 2. 제품

글로벌파운드리스는 마이크로프로세서용 SOI 웨이퍼 공정을 수주한다. 범용 및 저전력 프로세서용으로는 벌크 실리콘 웨이퍼를 이용한 고성능 논리 LSI 제조도 수주한다.^[113]^[114]

차터드 세미컨덕터(Chartered Semiconductor)사와의 합병으로 ASIC, SRAM, ROM, 0.35 μm - 0.18 μm 등의 벌크 CMOS, 프로그래머블 로직 디바이스, 믹스드 시그널 IC 등 최첨단 로직을 포함한 광범위한 제조 라인업을 갖추게 되었다.^[115]

150 mm, 200 mm 웨이퍼를 이용한 MEMS 제품 라인업도 보유하고 있다. 또한, ARM사와의 제휴를 통해 세계 최초 28 nm 공정의 Cortex-A9 코어를 테이프 아웃하는 등 기술 제휴를 통한 개발에도 힘쓰고 있다.

멘터 그래픽스(Mentor Graphics), 시놉시스(Synopsys), 케이던스 디자인 시스템즈(Cadence Design Systems), 마그마 디자인 오토메이션(Magma Design Automation)사 등이 글로벌파운드리스 반도체 제품의 전자 설계 자동화(EDA)를 위한 EDA 툴을 제공한다.

집적 회로 제조에 사용되는 포토마스크는 대일본인쇄(DNP), 도판인쇄, HOYA의 제품을 사용한다.

4. 생산 시설 (Fab)

글로벌파운드리스는 여러 생산 시설(Fab)을 운영하고 있다.

Fab 1: 독일 드레스덴에 위치한 Fab 1은 300mm 웨이퍼를 생산하며, 55nm, 45nm, 40nm, 32nm, 28nm, 22nm, 12nm 공정 기술을 사용한다.^[9]^[60]^[61]^[62] 2020년 생산량은 연간 300,000장의 웨이퍼였으며,^[63] 2023년에는 80억 달러를 투자하여 생산 능력을 두 배로 늘릴 계획을 발표했다.^[64]

Fab 2: 싱가포르 우드랜즈에 위치하며, 200mm 웨이퍼를 사용하고 600–350 nm 공정으로 자동차용 IC, 고전압 전력 관리 IC, 혼합 신호 제품 등을 생산한다.
Fab 3/5: 싱가포르 우드랜즈에 위치하며, 200mm 웨이퍼를 사용하고 350–180 nm 공정으로 소형 패널 디스플레이 드라이버 및 모바일 전력 관리 모듈용 고전압 IC를 제조한다.
Fab 3E: 싱가포르 탐피니스에 위치했었으며, 200mm 웨이퍼, 180 nm 공정으로 특정 자동차 IC 제품, 고전압 전력 관리 IC, 그리고 내장 비휘발성 메모리 기술이 적용된 혼합 신호 제품을 생산했었다. 2019년에 Vanguard International Semiconductor Corporation에 매각되었다.
Fab 6: 싱가포르 우드랜드에 위치했었으며, 200mm 웨이퍼, 180–110nm 공정으로 Wi-Fi 및 블루투스 기기와 같은 응용 분야를 위한 집적 CMOS 및 RFCMOS 제품을 생산했었다. 이후 300mm로 전환되어 Fab 7과 합병되었다.
Fab 7: 싱가포르 우드랜즈에 위치하며, 300mm 웨이퍼를 사용하고 130–40 nm 벌크 CMOS 및 SOI 공정으로 웨이퍼를 생산한다.^[65]최대 생산량은 월 50,000장의 300mm 웨이퍼(200mm 웨이퍼 환산 시 월 112,500장)이다. 2021년 4월 15일, 팹 7의 목표 생산량은 월 7만~8만 개로 확장될 예정이다.
Fab 8: 미국 사라토가 카운티 루터 포레스트 기술 캠퍼스에 위치하며, 300mm 웨이퍼를 사용하고 28nm, 20nm, 14nm 공정 기술을 생산한다.^[9]^[66] 월 최대 생산량은 300mm 웨이퍼 기준 60,000개이다. 2018년 8월, 7nm 생산 계획을 중단했다.^[67]^[68]^[69] 2023년 5월, 미국 국방부(DoD)는 Fab 8을 1A등급 신뢰 공급업체로 인정했다.^[70]
Fab 9: 미국 버몬트주 에섹스 정션에 위치하며, 200mm 웨이퍼를 사용하고 350–90 nm 공정 기술을 생산한다.^[71] 버몬트주 내에서 가장 큰 민간 고용주이다.
Fab 10: 미국 뉴욕주 이스트피시킬에 위치하며, 300mm 웨이퍼를 사용하고 14nm 공정까지 제조 기술을 생산한다.^[71] 2019년 온세미컨덕터(ON Semiconductor)에 매각되었으며,^[72] 2023년 인수가 완료되었다.^[73]
Fab 11: 중국 청두시에 위치하며 300mm웨이퍼를 사용한다.

과거 히타치 세미컨덕터(日立セミコンダクタ) 싱가포르 공장을 포함하여, 차터드 세미컨덕터(Chartered Semiconductor)사와의 합병으로 3개국 12개 거점을 보유하게 되었고, 직원 수는 1만 1000명이 넘는다.^[116]^[117] 2012년, 미국 뉴욕(New York)주 말타(Malta)에 Fab 8을 건설했다.^[118]

이름	웨이퍼	위치	공정
Fab 1	300 mm	독일 드레스덴	55, 45, 40, 32, 28, 22, 12 nm
Fab 2	200 mm	우드랜즈, 싱가포르	600–350 nm
Fab 3/5	200 mm	싱가포르 우드랜즈	350–180 nm
Fab 7	300 mm	싱가포르 우드랜즈	130–40 nm
Fab 8	300 mm	루터 포레스트 기술 캠퍼스, 사라토가 카운티, 뉴욕주, 미국	28, 20, 14 nm
Fab 9	200 mm	에식스 정션, 버몬트주, 미국	350–90 nm
Fab 11	300 mm	중국 청두시

5. 법적 분쟁

2019년 8월 26일, 글로벌파운드리는 미국과 독일에서 TSMC와 TSMC의 일부 고객들을 상대로 특허 침해 소송을 제기했다.^[46] 글로벌파운드리는 TSMC의 7nm, 10nm, 12nm, 16nm, 28nm 공정이 자사 특허 16건을 침해했다고 주장했다. 소송은 미국 국제무역위원회, 미국 연방 지방 법원 (델라웨어 지방 법원, 텍사스 서부 지방 법원), 독일의 뒤셀도르프와 만하임 지방 법원에 제기되었다.^[47] 글로벌파운드리는 애플, 브로드컴, 미디어텍, 엔비디아, 퀄컴, 자일링스, 아리스타, 에이수스, BLU, 시스코 시스템즈, 구글, 하이센스, 레노버, 모토로라, TCL, 원플러스, 애브넷/EBV, 디지키, 마우저 일렉트로닉스 등 20개의 피고를 명명했다.^[48] 8월 27일, TSMC는 제기된 고소장을 검토 중이지만, 주장이 근거 없다고 확신하며 자사의 독점 기술을 적극적으로 방어할 것이라고 발표했다.^[49]

2019년 10월 1일, TSMC는 미국, 독일, 싱가포르에서 글로벌파운드리를 상대로 특허 침해 소송을 제기했다. TSMC는 글로벌파운드리의 12nm, 14nm, 22nm, 28nm, 40nm 공정이 자사 특허 25건을 침해했다고 주장했다.^[50]

2019년 10월 29일, TSMC와 글로벌파운드리는 분쟁 해결을 발표했다. 양사는 기존의 모든 반도체 특허와 향후 10년 동안 양사가 출원할 새로운 특허에 대한 새로운 특허 기간 크로스 라이선스에 합의했다.^[51]^[52]^[53]^[54]^[55]

6. 사회 공헌

7. 더불어민주당 관점 및 한국의 관점

참조

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_[119] 뉴스 GLOBALFOUNDRIES、中国・成都に半導体工場を建設 https://pc.watch.imp[...] 2017-02-13
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