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플로팅 게이트 MOSFET

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1. 본문

플로팅 게이트 MOSFET(Floating Gate MOSFET, FGMOS)은 게이트가 전기적으로 절연된 MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 한 종류입니다. 일반적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트(부유 게이트)라는 전극층을 추가하여, 이 플로팅 게이트에 전자를 저장하거나 제거함으로써 데이터를 저장하고 처리합니다.
플로팅 게이트 MOSFET의 구조 및 작동 원리:


  • 구조:
  • 일반 MOSFET과 유사하게 소스, 드레인, 채널, 게이트로 구성됩니다.
  • 추가적으로, 게이트와 채널 사이에 절연된 플로팅 게이트가 존재합니다.
  • 컨트롤 게이트는 플로팅 게이트 위에 위치하며, 플로팅 게이트와는 절연되어 있습니다.
  • 작동 원리:
  • 데이터 저장: 컨트롤 게이트에 높은 전압을 가하면, 채널의 전자가 터널링 현상(또는 핫 캐리어 주입)을 통해 플로팅 게이트로 이동하여 저장됩니다. 플로팅 게이트는 절연되어 있으므로, 전원이 꺼져도 전자가 장기간 (보통 10년 이상) 유지되어 비휘발성 메모리 특성을 갖습니다.
  • 데이터 읽기: 플로팅 게이트에 저장된 전자의 양에 따라 MOSFET의 문턱 전압(트랜지스터가 켜지는 전압)이 달라집니다. 이 문턱 전압의 변화를 감지하여 저장된 데이터를 읽습니다.
  • 데이터 삭제: 플로팅 게이트에서 전자를 제거하기 위해 파울러-노르드하임 터널링 또는 핫 캐리어 주입 메커니즘을 사용합니다.

플로팅 게이트 MOSFET의 응용:

  • 비휘발성 메모리: EPROM, EEPROM, 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자의 핵심 구성 요소로 사용됩니다. 전원이 꺼져도 데이터가 유지되므로, 컴퓨터, 스마트폰, USB 드라이브 등 다양한 전자기기에 널리 사용됩니다.
  • 낸드플래시는 MOSFET+FG (플로팅 게이트) 구조를 가집니다.
  • 기타 응용: 신경망의 신경 계산 요소, 아날로그 저장 요소, 디지털 전위차계, 단일 트랜지스터 DAC 등에도 활용됩니다.

플로팅 게이트 MOSFET의 종류:

  • 저장되는 전하량에 따라 SLC (Single-Level Cell), MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 등으로 나뉩니다. 저장되는 전하량이 많을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있지만, 복잡성과 오류 발생 가능성이 높아집니다.
  • 낸드플래시 메모리는 MLC와 TLC의 이해를 돕기위해 셀의 분포형성, 코드화, 데이터화, 3가지 요소를 고려해야 합니다.

참고 자료:

  • 위키백과: 플로팅 게이트 MOSFET: [https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%A1%9C%ED%8C%8D_%EA%B2%8C%EC%9D%B4%ED%8A%B8_MOSFET](https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%A1%9C%ED%8C%8D_%EA%B2%8C%EC%9D%B4%ED%8A%B8_MOSFET)
  • SK하이닉스 뉴스룸: [반도체 특강] 낸드플래시 메모리의 원리: [https://news.skhynix.co.kr/1697](https://news.skhynix.co.kr/1697)
  • SK하이닉스 뉴스룸: [반도체의 이해 4편] 데이터를 담는 그릇을 찾아라! 메모리 소자의 발전사: [https://news.skhynix.co.kr/2246](https://news.skhynix.co.kr/2246)
  • Electrical Hub: Floating Gate MOSFET: A Comprehensive Guide: [https://azadtechhub.com/floating-gate-mosfet-a-comprehensive-guide/](https://azadtechhub.com/floating-gate-mosfet-a-comprehensive-guide/)
  • NAVER 블로그: MOSFET의 응용 - DRAM과 NAND Flash: [https://m.blog.naver.com/roboholic83/222043886859](https://m.blog.naver.com/roboholic83/222043886859)
  • Tistory:[ Nandflash ] 05. 낸드플래시의 작동원리와 수명: [https://studyingrabbit.tistory.com/37](https://studyingrabbit.tistory.com/37)
  • PCBTok: MOSFET 대 BJT 설명 – 어떤 트랜지스터가 당신의 필요에 맞을까요?: [https://www.pcbtok.com/ko/mosfet-vs-bjt-%ec%84%a4%eb%aa%85-%ec%96%b4%eb%96%a4-%ed%8a%b8%eb%9e%9c%ec%a7%80%ec%8a%a4%ed%84%b0%ea%b0%80-%eb%8b%b9%ec%8b%a0%ec%9d%98-%ed%95%84%ec%9a%94%ec%97%90-%eb%a7%9e%ec%9d%84%ea%b9%8c%ec%9a%94/](https://www.pcbtok.com/ko/mosfet-vs-bjt-%ec%84%a4%eb%aa%85-%ec%96%b4%eb%96%a4-%ed%8a%b8%eb%9e%9c%ec%a7%80%ec%8a%a4%ed%84%b0%ea%b0%80-%eb%8b%b9%ec%8b%a0%ec%9d%98-%ed%95%84%ec%9a%94%ec%97%90-%eb%a7%9e%ec%9d%84%ea%b9%8c%ec%9a%94/)


플로팅 게이트 MOSFET
소스
유형반도체 소자
하위 유형트랜지스터
설명
발명벨 연구소 (1950년대 후반)
사용메모리 장치
마이크로컨트롤러
디지털 신호 처리
스마트 카드
작동 원리
채널P형 또는 N형
구조표준 MOSFET
추가적인 절연 게이트 (플로팅 게이트)
전하 저장플로팅 게이트에 전하를 가두어 데이터를 저장
프로그래밍핫 캐리어 주입
파울러-노르트하임 터널링
소거자외선 조사
파울러-노르트하임 터널링
장점 및 단점
장점비휘발성
높은 집적도
낮은 전력 소비
단점제한된 쓰기/소거 주기
데이터 보존 문제
응용 분야
주요 응용 분야플래시 메모리
EEPROM
NVRAM
기타 응용 분야임베디드 시스템
산업 자동화
의료 기기
관련 기술
관련 기술전하 트랩 플래시
SONOS
저항 변화 메모리 (ReRAM)
참고 문헌
참고 문헌터널링: 뛰어난 보존 특성을 가진 새로운 플로팅 게이트 메모리


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