안드레예프 반사
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1. 개요
안드레예프 반사는 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질과 초전도체 사이의 인터페이스에서 발생하는 현상이다. 전자가 초전도체에 입사하면, 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지면서 운동량은 동일한 홀(hole)의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다. 이 과정은 스핀에 의존적이며, 스핀 편광이 있는 물질이나 자기장이 있는 물질에서 안드레예프 반사의 강도가 달라진다. 안드레예프 반사는 점 접촉 안드레예프 반사 기술, 초전도 띠틈 연구, 교차 안드레예프 반사 등 다양한 응용 분야에서 활용되며, 양자 얽힘 및 스핀트로닉스와 양자 컴퓨팅 연구에도 기여한다.
안드레예프 반사는 초전도체와 정상 금속(또는 다른 물질) 사이의 경계면에서 일어나는 독특한 현상이다. 이 현상은 초전도체의 에너지 갭보다 낮은 에너지를 가진 전자가 경계면에 입사할 때 발생한다.
전도체에 흐르는 전자는 스핀 양자수가 1/2이므로 스핀 방향이 반대인 두 가지 값을 갖는다. 초전도체에서 쿠퍼 쌍은 스핀 모멘트 방향이 반대인 전자 두 개로 이루어진다. 따라서 경계면에서 스핀 모멘트 보존을 위해, 반사되어 나오는 정공은 입사한 전자의 스핀과 반대 방향의 스핀을 가져야 한다.[2] 이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다. 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만, 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다. 이때 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다. 시간 반전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.
2. 안드레예프 반사의 원리
안드레예프 반사의 핵심은 쿠퍼 쌍 형성과 스핀의 역할에 있다. 경계면에 입사한 전자는 초전도체 내에서 반대 스핀과 속도를 가지지만 동일한 운동량을 가진 정공(hole)으로 역반사되며, 이와 동시에 쿠퍼 쌍이 형성된다. 이때, 산화물이나 터널 층이 없어 장벽 투과율이 높으면, 전자-전자 또는 정공-정공 산란이 줄어들어 안드레예프 반사가 잘 일어난다.[1]
안드레예프 반사는 스핀에 매우 의존적이다. 정상 상태 물질의 전도 전자가 하나의 스핀 밴드만 차지하는 경우(즉, 완전 스핀 편광)에는 초전도체에서 쿠퍼 쌍을 형성할 수 없어 안드레예프 반사가 억제된다.[2]
이러한 안드레예프 반사의 스핀 의존성을 활용하여 점 접촉 안드레예프 반사 기술이 개발되었다. 이 기술은 좁은 초전도 팁(주로 나이오븀, 안티모니, 납 사용)을 팁의 임계 온도 이하에서 정상 물질에 접촉시켜, 팁에 전압을 가하고 전도도를 측정하여 스핀 편광을 측정한다.
2. 1. 기본 메커니즘
이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다. 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다.[1] 장벽 투과율은 높다고 가정하며, 인터페이스에서 정상 전자-전자 또는 홀-홀 산란의 발생을 줄이는 산화물이나 터널 층이 없다.[1] 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다.[1] 시간 역전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.[1]
이 과정은 스핀에 매우 의존적이다.[2] 정상 상태 물질에서 전도 전자가 하나의 스핀 밴드만 차지하는 경우(''즉'', 완전히 스핀 편광되어 있는 경우) 초전도체에서 쌍을 형성할 수 없고 단일 입자 전달이 불가능하기 때문에 안드레예프 반사가 억제된다.[2] 강자성체 또는 스핀 편광이 존재하거나 자기장에 의해 유도될 수 있는 물질에서, 안드레예프 반사의 강도(및 접합부의 전도도)는 정상 상태의 스핀 편광의 함수이다.[2]
안드레예프 반사의 스핀 의존성은 좁은 초전도 팁(종종 나이오븀, 안티모니 또는 납)을 팁의 임계 온도 미만의 온도에서 정상 물질과 접촉시키는 점 접촉 안드레예프 반사 기술을 발생시킨다. 팁에 전압을 가하고 팁과 샘플 사이의 차동 전도도를 측정함으로써 해당 지점(및 자기장)에서 정상 금속의 스핀 편광을 결정할 수 있다. 이는 스핀 편광 전류의 측정 또는 물질층 또는 벌크 샘플의 스핀 편광 특성화, 그리고 그러한 특성에 대한 자기장의 영향과 같은 작업에 유용하다.
안드레예프 과정에서 전자와 홀 사이의 위상 차이는 −π/2와 초전도 상수 순서의 위상 합이다.
2. 2. 발생 조건
이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다. 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다.[1] 장벽 투과율은 높다고 가정하며, 인터페이스에서 정상 전자-전자 또는 홀-홀 산란의 발생을 줄이는 산화물이나 터널 층이 없다.[1] 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다.[1] 시간 반전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.[1]
이 과정은 스핀에 매우 의존적이다. 정상 상태 물질에서 전도 전자가 하나의 스핀 밴드만 차지하는 경우(''즉'', 완전히 스핀 편광되어 있는 경우) 초전도체에서 쌍을 형성할 수 없고 단일 입자 전달이 불가능하기 때문에 안드레예프 반사가 억제된다.[2] 강자성체 또는 스핀 편광이 존재하거나 자기장에 의해 유도될 수 있는 물질에서, 안드레예프 반사의 강도(및 접합부의 전도도)는 정상 상태의 스핀 편광의 함수이다.[2]
3. 안드레예프 반사의 특징
안드레예프 반사 과정에서 전자와 홀 사이의 위상 차이는 −π/2와 초전도 상수 순서의 위상 합이다.[1]
3. 1. 스핀 의존성
전도체에 흐르는 전자는 스핀 양자수 (s)가 1/2이기 때문에 서로 방향이 반대인 스핀 모멘트 두 가지 값 중 하나를 갖는다. 한편, 초전도체에서의 쿠퍼 쌍은 스핀 모멘트의 방향이 반대인 전자 두 개로 이루어진다. 따라서 경계면 양쪽에서의 스핀 모멘트 보존을 위해, 경계면에서 반사되어 나오는 정공은 입사한 전자의 스핀 모멘트와 반대 방향의 스핀 모멘트를 가져야만 한다. 이는 전도체에 흐르는 전자의 스핀 모멘트 극성 방향에 의해 안드레예프 반사가 영향을 받을 수 있음을 의미한다.[2] 이 원리를 이용하여, 끝이 좁은 초전도체 팁 (Tip)을 전도체 물질에 점 접합을 한 뒤 팁과 전도체 물질의 양단에 전압을 걸어주고 전류 변화 양상을 측정하면 팁과 점 접합을 이루고 있는 전도체의 부위의 스핀 모멘트 극성을 알 수 있다.
이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다. 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다. 장벽 투과율은 높다고 가정하며, 인터페이스에서 정상 전자-전자 또는 홀-홀 산란의 발생을 줄이는 산화물이나 터널 층이 없다. 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다. 시간 반전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.
이 과정은 스핀에 매우 의존적이다. 정상 상태 물질에서 전도 전자가 하나의 스핀 밴드만 차지하는 경우(''즉'', 완전히 스핀 편광되어 있는 경우) 초전도체에서 쌍을 형성할 수 없고 단일 입자 전달이 불가능하기 때문에 안드레예프 반사가 억제된다. 강자성체 또는 스핀 편광이 존재하거나 자기장에 의해 유도될 수 있는 물질에서, 안드레예프 반사의 강도(및 접합부의 전도도)는 정상 상태의 스핀 편광의 함수이다.
안드레예프 반사의 스핀 의존성은 좁은 초전도 팁(종종 니오븀, 안티몬 또는 납)을 팁의 임계 온도 미만의 온도에서 정상 물질과 접촉시키는 점 접촉 안드레예프 반사 기술을 발생시킨다. 팁에 전압을 가하고 팁과 샘플 사이의 차동 전도도를 측정함으로써 해당 지점(및 자기장)에서 정상 금속의 스핀 편광을 결정할 수 있다. 이는 스핀 편광 전류의 측정 또는 물질층 또는 벌크 샘플의 스핀 편광 특성화, 그리고 그러한 특성에 대한 자기장의 영향과 같은 작업에 유용하다.
안드레예프 과정에서 전자와 홀 사이의 위상 차이는 −π/2와 초전도 상수 순서의 위상 합이다.
3. 2. 위상차
안드레예프 반사 과정에서 전자와 홀 사이의 위상 차이는 −π/2와 초전도 상수 순서의 위상 합이다.[1] 이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다.[1] 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만, 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다.[1] 이때 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다.[1] 시간 반전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.[1]
4. 안드레예프 반사의 응용
안드레예프 반사는 초전도체의 특성을 연구하고 양자 컴퓨팅과 같은 양자 기술 분야에 응용될 수 있는 중요한 현상이다. 특히, 초전도체와 전도체 사이의 접합에서 발생하는 현상을 이용하여 초전도체의 띠틈 구조를 파악하거나, 양자 얽힘 상태를 생성하는 데 활용될 수 있다.
4. 1. 점 접촉 안드레예프 반사 (Point Contact Andreev Reflection)
전도체에 흐르는 전자는 스핀 모멘트 양자수 (s)가 1/2이므로 서로 방향이 반대인 스핀 모멘트 두 가지 값 중 하나를 갖는다. 한편, 초전도체에서의 쿠퍼 쌍은 스핀 모멘트의 방향이 반대인 전자 두 개로 이루어진다. 따라서 경계면 양쪽에서의 스핀 모멘트 보존을 위해, 경계면에서 반사되어 나오는 정공은 입사한 전자의 스핀 모멘트와 반대 방향의 스핀 모멘트를 가져야만 한다. 이는 전도체에 흐르는 전자의 스핀 모멘트 극성 방향에 의해 안드레예프 반사가 영향을 받을 수 있음을 의미한다. 이 원리를 이용하여, 끝이 좁은 초전도체 팁(Tip)을 전도체 물질에 점 접합을 한 뒤 팁과 전도체 물질의 양단에 전압을 걸어주고 전류 변화 양상을 측정하면 팁과 점 접합을 이루고 있는 전도체의 부위의 스핀 모멘트 극성을 알 수 있다.이 과정은 초전도 에너지 갭보다 낮은 에너지에서 정상 상태 물질에서 인터페이스에 입사하는 전자를 포함한다. 입사 전자는 초전도체에서 입사 전자의 반대 스핀과 속도를 가지지만 운동량은 동일한 홀의 역반사와 함께 쿠퍼 쌍을 형성한다. 장벽 투과율은 높다고 가정하며, 인터페이스에서 정상 전자-전자 또는 홀-홀 산란의 발생을 줄이는 산화물이나 터널 층이 없다. 쌍은 업 스핀과 다운 스핀 스핀 전자로 구성되므로, 정상 상태의 입사 전자의 반대 스핀을 가진 두 번째 전자가 초전도체에서 쌍을 형성하며, 따라서 역반사된 홀을 형성한다. 시간 반전 대칭을 통해 입사 전자를 사용한 프로세스는 입사 홀(및 역반사된 전자)에도 적용된다.
이 과정은 스핀에 매우 의존적이다. 정상 상태 물질에서 전도 전자가 하나의 스핀 밴드만 차지하는 경우(''즉'', 완전히 스핀 편광되어 있는 경우) 초전도체에서 쌍을 형성할 수 없고 단일 입자 전달이 불가능하기 때문에 안드레예프 반사가 억제된다. 강자성체 또는 스핀 편광이 존재하거나 자기장에 의해 유도될 수 있는 물질에서, 안드레예프 반사의 강도(및 접합부의 전도도)는 정상 상태의 스핀 편광의 함수이다.
안드레예프 반사의 스핀 의존성은 좁은 초전도 팁(종종 니오븀, 안티몬 또는 납)을 팁의 임계 온도 미만의 온도에서 정상 물질과 접촉시키는 점 접촉 안드레예프 반사 기술을 발생시킨다. 팁에 전압을 가하고 팁과 샘플 사이의 차동 전도도를 측정함으로써 해당 지점(및 자기장)에서 정상 금속의 스핀 편광을 결정할 수 있다. 이는 스핀 편광 전류의 측정 또는 물질층 또는 벌크 샘플의 스핀 편광 특성화, 그리고 그러한 특성에 대한 자기장의 영향과 같은 작업에 유용하다.
안드레예프 과정에서 전자와 홀 사이의 위상 차이는 −π/2와 초전도 상수 순서의 위상 합이다.
4. 2. 초전도체 띠틈 연구
초전도체에는 초전도 띠틈이 존재한다. 전도체와 초전도체 물질을 접합시켜 전류가 흐르기 위해선 전도체 쪽과 초전도체 쪽의 에너지 레벨이 맞아야 하는데, 접합 물질 양단에 외부 전압을 걸어주어 전도체 및 초전도체 에너지 준위를 맞춰줄 때 전류가 흐를 수 있다. 외부 전압을 바꿔주며 흐르는 전류의 변화를 측정하면 접합된 초전도체 물질의 띠틈의 형태와 크기를 알 수 있다. 이 실험을 위해선 전도체와 초전도체를 접합하는 조지프슨 접합을 만들 때 점 접합(Point contact) 형태로 해주는 것이 중요하다. 점 접합의 경우, 전하의 흐름에 있어 다른 외부 효과들의 영향보다 안드레예프 반사에 의해 주로 일어나게 되기 때문에 초전도 에너지 갭에 의한 효과를 볼 수 있다.4. 3. 교차 안드레예프 반사 (Crossed Andreev Reflection)
교차 안드레예프 반사(Crossed Andreev reflection)는 비국소 안드레예프 반사라고도 불리며, 공간적으로 분리된 두 개의 일반 상태 물질 전극이 초전도체와 두 개의 별도 접합을 형성할 때 발생한다. 이때 접합 분리는 해당 물질의 BCS 초전도 결맞음 길이 정도이다. 이러한 장치에서, 한쪽 전극(리드)에서 초전도 갭보다 작은 에너지의 입사 전자로 인해 안드레예프 반사 과정이 일어나는데, 이때 반사되는 정공(hole)은 일반적인 안드레예프 반사 과정과 동일한 전하 이동을 통해 두 번째로 공간적으로 분리된 일반 전극(리드)에서 발생하여 초전도체 내부에 쿠퍼 쌍을 형성한다.[2]교차 안드레예프 반사가 발생하려면, 각 일반 전극에 반대 스핀의 전자가 존재해야 한다. 이는 초전도체 내에서 쌍을 형성하기 위함이다. 일반 물질이 강자성체인 경우, 서로 다른 보자력을 가진 일반 전극에 자기장을 가하여 반대 스핀 편광을 생성함으로써 이를 보장할 수 있다.
교차 안드레예프 반사는 탄성 공동 터널링과 경쟁적으로 발생한다. 탄성 공동 터널링은 초전도체 내 중간 상태를 통해 일반 리드 사이에서 전자가 양자역학적으로 터널링하는 현상이다. 이 과정은 전자 스핀을 보존한다. 따라서 다른 전극에 전류를 가할 때 한 전극에서 감지 가능한 전위가 경쟁적인 탄성 공동 터널링 과정에 의해 가려져 명확한 감지를 어렵게 만들 수 있다. 또한 일반 안드레예프 반사는 일반/초전도체 계면으로부터의 다른 일반 전자 산란 과정과 함께 각 계면에서 발생할 수 있다.
이 과정은 공간적으로 분리된 얽힌 전자-정공(안드레예프) 쌍을 형성하여 고체 상태에서 양자 얽힘을 생성하는 데 유용하며, 스핀트로닉스 및 양자 컴퓨팅에 응용될 수 있다.
5. 한계 및 과제
교차 안드레예프 반사(비국소 안드레예프 반사)는 공간적으로 분리된 두 일반 상태 물질 전극이 초전도체와 별도의 접합을 형성하고, 그 접합 분리가 해당 물질의 BCS 초전도 결맞음 길이 정도일 때 발생한다. 이러한 장치에서는 한쪽 리드에서 초전도 갭보다 작은 에너지의 전자가 입사하여 안드레예프 반사 과정을 통해 홀 반사(일반 안드레예프 반사와 동일한 전하 이동)가 일어난다. 이때, 공간적으로 분리된 다른 쪽 일반 리드에서 이 홀 반사가 발생하여 초전도체 내에 쿠퍼 쌍이 형성된다.[2]
교차 안드레예프 반사는 탄성 공동 터널링과 경쟁적으로 발생한다. 탄성 공동 터널링은 초전도체 내 중간 상태를 통해 일반 리드 사이에서 전자가 양자역학적으로 터널링하는 현상으로, 전자 스핀을 보존한다. 따라서 다른 전극에 전류를 가할 때 한 전극에서 감지되는 전위는 경쟁적인 탄성 공동 터널링 과정에 의해 가려져 명확한 감지가 어려워진다. 또한, 일반 안드레예프 반사는 일반/초전도체 계면에서 발생하는 다른 일반 전자 산란 과정과 함께 각 계면에서 일어날 수 있다.
5. 1. 경쟁 과정
교차 안드레예프 반사(비국소 안드레예프 반사)는 두 개의 공간적으로 분리된 일반 상태 물질 전극이 초전도체와 두 개의 별도 접합을 형성할 때 발생하며, 접합 분리는 해당 물질의 BCS 초전도 결맞음 길이 정도이다. 이러한 장치에서, 한 리드에서 초전도 갭보다 작은 에너지의 입사 전자로 인한 안드레예프 반사 과정으로부터의 홀 반사(일반 안드레예프 반사 과정과 동일한 전하 이동)는 두 번째 공간적으로 분리된 일반 리드에서 발생하여 초전도체 내 쿠퍼 쌍을 형성한다.[2]교차 안드레예프 반사는 탄성 공동 터널링과 경쟁적으로 발생하는데, 이는 초전도체 내 중간 상태를 통해 일반 리드 사이에서 전자가 양자역학적으로 터널링하는 현상이다. 이 과정은 전자 스핀을 보존한다. 따라서 다른 전극에 전류를 가할 때 한 전극에서 감지 가능한 전위가 경쟁적인 탄성 공동 터널링 과정에 의해 가려질 수 있으며, 명확한 감지를 어렵게 만든다. 또한 일반 안드레예프 반사는 일반/초전도체 계면으로부터의 다른 일반 전자 산란 과정과 함께 각 계면에서 발생할 수 있다.
참조
[1]
논문
Andreev–Saint-James reflections: A probe of cuprate superconductors
2005-03
[2]
논문
Correlated tunneling into a superconductor in a multiprobe hybrid structure
2001-04
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