극자외선
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1. 개요
극자외선(EUV)은 원자 전자 전이 에너지가 작아 중성 원자나 응축 물질에서는 직접 방출되지 않으며, 다중 양전하 이온의 전자가 전이할 때 방출된다. EUV는 고온 고밀도 플라스마나 고조파 발생을 통해 생성될 수 있으며, 고체에서도 생성 가능성이 연구되고 있다. EUV 광자가 물질에 흡수되면 광전효과와 2차 전자가 발생하며, 엑시톤 생성 및 열 발생으로 이어진다. EUV는 다른 전리 방사선처럼 소자 손상을 일으킬 수 있으며, 태양 활동에 따라 EUV 방출량이 크게 변동하여 대기 순환과 기후에 영향을 미칠 수 있다.
더 읽어볼만한 페이지
| 극자외선 | |
|---|---|
| 개요 | |
| 파장 범위 | 10–121 nm |
| 에너지 범위 | 10–120 eV |
| 특징 | |
| 흡수 | 대기에서 강하게 흡수됨 |
| 이온화 | 원자 및 분자를 이온화할 수 있음 |
| 상호 작용 | 물질과 강하게 상호 작용 |
| 발생 원리 | |
| 플라스마 | 고온 플라스마에서 발생 |
| 방사 | 특정 원소의 이온이 특정 파장의 빛을 방출 |
| 발생 방법 | |
| 레이저 플라스마 | 고출력 레이저를 물질에 조사하여 플라스마 생성 |
| 방전 플라스마 | 가스 방전을 통해 플라스마 생성 |
| 싱크로트론 방사 | 고에너지 전자를 자기장으로 가속하여 발생 |
| 응용 분야 | |
| EUV 리소그래피 | 차세대 반도체 생산 기술 |
| 태양물리학 | 태양 이미징을 이용한 태양 연구 |
| 플라스마 물리학 | 플라스마 연구 및 진단 |
| 재료 과학 | 재료 표면 분석 및 연구 |
| 분광학 | 물질의 성분 분석 및 특성 연구 |
| 의학 | 의료 영상 및 치료 (연구 단계) |
| 안전 | |
| 위험성 | 인체에 유해하므로 취급 시 주의 필요 |
| 보호 | 적절한 보호 장비 착용 필요 |
| 추가 정보 | |
| 참고 자료 | 위키백과 및 관련 과학 논문 |
2. EUV 생성
극자외선(EUV)은 중성 원자나 응축 물질에서는 방출되기 어렵다. EUV를 방출하려면 먼저 이온화가 일어나야 하며, 다중 양전하를 띤 이온에 속박된 전자에 의해서만 방출될 수 있다. 이러한 이온은 고온 고밀도 플라스마나 매우 높은 고조파 레이저 빔의 강한 전기장에 의해 생성될 수 있다. 전자가 모 이온으로 돌아갈 때 가속되면서 극자외선 범위의 광자를 방출한다.
2011년 Shambhu Ghimire 등은 산화아연의 벌크 결정에서 고조파 발생을 처음으로 관찰하여 고체 상태에서의 극자외선 발생 가능성을 제시했다. 극자외선은 이산화규소나 사파이어에서도 방출될 수 있다. 극자외선은 싱크로트론을 주회하는 자유전자에서도 방출된다.
연속적으로 조정 가능한 협대역 극자외선은 크립톤과 수소 가스 셀 내의 사광파 혼합을 통해 110nm까지의 파장에서 생성될 수 있으며, 창 없는 가스 챔버에서는 고정 사광파 혼합이 75nm까지 관찰되었다.[15]
2. 1. 플라즈마를 이용한 EUV 생성
중성 원자 또는 응축 물질은 극자외선을 방출할 만큼 충분히 큰 에너지 전이를 가지고 있지 않다. 먼저 이온화가 일어나야 한다. 극자외선은 다중으로 양전하를 띤 이온에 속박된 전자에 의해서만 방출될 수 있다. 예를 들어, +3으로 대전된 탄소 이온(이미 세 개의 전자가 제거됨)에서 전자를 제거하려면 약 65 eV가 필요하다.[1] 이러한 전자는 일반적인 원자가전자보다 더 단단하게 결합되어 있다. 다중으로 양전하를 띤 이온의 존재는 고온 고밀도 플라스마에서만 가능하다. 또는, 자유 전자와 이온은 매우 높은 고조파 레이저 빔의 강한 전기장에 의해 일시적이고 순간적으로 생성될 수 있다. 전자가 모 이온으로 돌아갈 때 가속되면서, 감소된 강도로 더 높은 에너지의 광자를 방출하는데, 이는 극자외선 범위에 있을 수 있다. 방출된 광자가 전리 방사선을 구성하는 경우, 고조파 발생 매질의 원자를 이온화하여 고조파 발생의 원천을 고갈시킨다. 극자외선의 전기장은 전자를 더 높은 고조파로 구동하기에 충분하지 않기 때문에 방출된 전자는 탈출하고, 모 이온은 원래 중성 원자만큼 쉽게 이온화되지 않는다. 따라서 극자외선 생성과 흡수(이온화) 과정은 서로 강하게 경쟁한다.그러나 2011년 Shambhu Ghimire 등은 산화아연의 벌크 결정에서 고조파 발생을 처음으로 관찰했다. 이는 고체 상태에서의 HHG의 가능성과 메커니즘을 연구하는 데 관심을 끌고 있다. 극자외선은 이산화규소 또는 사파이어에서 방출될 수 있다.
2. 2. 고조파 발생을 이용한 EUV 생성
중성 원자 또는 응축 물질은 극자외선(EUV)을 방출할 만큼 충분히 큰 에너지 전이를 가지고 있지 않다. 먼저 이온화가 일어나야 한다. 극자외선은 다중으로 양전하를 띤 이온에 속박된 전자에 의해서만 방출될 수 있다. 예를 들어, +3으로 대전된 탄소 이온(이미 세 개의 전자가 제거됨)에서 전자를 제거하려면 약 65 eV가 필요하다.[1] 이러한 전자는 일반적인 원자가전자보다 더 단단하게 결합되어 있다. 다중으로 양전하를 띤 이온의 존재는 고온 고밀도 플라스마에서만 가능하다. 또는, 자유 전자와 이온은 매우 높은 고조파 레이저 빔의 강한 전기장에 의해 일시적이고 순간적으로 생성될 수 있다. 전자가 모 이온으로 돌아갈 때 가속되면서, 감소된 강도로 더 높은 에너지의 광자를 방출하는데, 이는 극자외선 범위에 있을 수 있다. 방출된 광자가 전리 방사선을 구성하는 경우, 고조파 발생 매질의 원자를 이온화하여 고조파 발생의 원천을 고갈시킨다. 극자외선의 전기장은 전자를 더 높은 고조파로 구동하기에 충분하지 않기 때문에 방출된 전자는 탈출하고, 모 이온은 원래 중성 원자만큼 쉽게 이온화되지 않는다. 따라서 극자외선 생성과 흡수(이온화) 과정은 서로 강하게 경쟁한다.그러나 2011년 Shambhu Ghimire 등은 산화아연의 벌크 결정에서 고조파 발생을 처음으로 관찰했다. 이는 고체 상태에서의 고조파 발생(HHG)의 가능성과 메커니즘을 연구하는 데 관심을 끌고 있다. 극자외선은 이산화규소 또는 사파이어에서 방출될 수 있다.
2. 3. 고체에서의 EUV 생성
중성 원자 또는 응축 물질은 극자외선을 방출할 만큼 충분히 큰 에너지 전이를 가지고 있지 않다. 먼저 이온화가 일어나야 한다. 극자외선은 다중으로 양전하를 띤 이온에 속박된 전자에 의해서만 방출될 수 있다. 예를 들어, +3으로 대전된 탄소 이온(이미 세 개의 전자가 제거됨)에서 전자를 제거하려면 약 65 eV가 필요하다.[1] 이러한 전자는 일반적인 원자가전자보다 더 단단하게 결합되어 있다. 다중으로 양전하를 띤 이온의 존재는 고온 고밀도 플라스마에서만 가능하다. 또는, 자유 전자와 이온은 매우 높은 고조파 레이저 빔의 강한 전기장에 의해 일시적이고 순간적으로 생성될 수 있다. 전자가 모 이온으로 돌아갈 때 가속되면서, 감소된 강도로 더 높은 에너지의 광자를 방출하는데, 이는 극자외선 범위에 있을 수 있다. 방출된 광자가 전리 방사선을 구성하는 경우, 고조파 발생 매질의 원자를 이온화하여 고조파 발생의 원천을 고갈시킨다. 극자외선의 전기장은 전자를 더 높은 고조파로 구동하기에 충분하지 않기 때문에 방출된 전자는 탈출하고, 모 이온은 원래 중성 원자만큼 쉽게 이온화되지 않는다. 따라서 극자외선 생성과 흡수(이온화) 과정은 서로 강하게 경쟁한다.그러나 2011년 Shambhu Ghimire 등은 산화아연의 벌크 결정에서 고조파 발생을 처음으로 관찰했다. 이는 고체 상태에서의 HHG의 가능성과 메커니즘을 연구하는 데 관심을 끌고 있다. 극자외선은 이산화규소 또는 사파이어에서 방출될 수 있다.
2. 4. 직접 조정 가능한 EUV 생성
연속적으로 조정 가능한 협대역 극자외선(EUV)은 사파 혼합을 통해 크립톤과 수소 가스 셀에서 110nm까지 낮은 파장으로 생성될 수 있다.[2] 창 없는 가스 챔버에서 고정된 사파 혼합은 75nm까지 낮은 파장에서 관찰되었다.[15]3. 물질의 EUV 흡수
극자외선(EUV) 광자가 물질에 흡수되면, X선이나 전자빔이 흡수될 때와 유사하게 광전자와 2차 전자가 이온화 과정을 통해 발생한다.[3] 광전자는 충격 이온화를 통해 2차 전자를 방출시키며, 때로는 오거 전이로 인해 단일 광자 흡수로 두 개의 전자가 방출되기도 한다.
광전자, 오거 전자, 2차 전자는 모두 양전하를 띤 정공을 동반하며, 이 전자-정공 쌍은 엑시톤이라 불린다. 엑시톤은 들뜬 상태이며, 전자와 정공이 재결합하여 소멸해야만 안정적인 화학 반응 생성물이 형성된다.
광자 흡수 깊이가 전자 탈출 깊이보다 크기 때문에, 방출된 전자는 결국 속도가 느려지며 에너지를 열로 방출한다. 극자외선은 광자 에너지가 모든 물질의 띠 간격을 초과하여 긴 파장보다 훨씬 강하게 흡수된다. 이로 인해 가열 효율이 높아지고, 유전체 재료에서는 열적 삭마 임계값이 낮게 나타난다.[5]
3. 1. EUV 흡수 과정
극자외선 광자가 흡수되면, X선이나 전자빔이 물질에 흡수될 때와 마찬가지로, 광전자와 2차 전자가 이온화에 의해 생성된다.[3]물질의 극자외선 방사선에 대한 반응은 다음 방정식으로 나타낼 수 있다.
- '''흡수 지점:'''
극자외선 광자 에너지 = 92 eV = 전자 결합 에너지 + 광전자 초기 운동 에너지
- '''광전자 3평균 자유 행로 이내 (1–2 nm):'''
광전자 운동 에너지 감소 = 이온화 전위 + 2차 전자 운동 에너지;
- '''2차 전자 3 평균 자유 행로 이내 (~30 nm):'''
# 2차 전자 운동 에너지 감소 = 이온화 전위 + 3차 전자 운동 에너지
# m번째 생성 전자는 포논 생성(가열)에 의한 이온화 외에도 속도가 느려진다.
# 최종 생성 전자 운동 에너지 ~ 0 eV => 해리적 전자 부착 + 열, 여기서 이온화 전위는 유기 물질의 경우 일반적으로 7–9 eV이고 금속의 경우 4–5 eV이다.
광전자는 그 후 충격 이온화 과정을 통해 2차 전자의 방출을 유발한다. 때때로 오거 전이도 가능하며, 단일 광자의 흡수로 두 개의 전자 방출을 초래한다.
엄밀히 말하면, 광전자, 오거 전자 및 2차 전자는 모두 전하 중성을 유지하기 위해 양전하를 띤 정공(근처 분자에서 전자를 끌어당김으로써 중화될 수 있는 이온)을 동반한다. 전자-정공 쌍은 종종 엑시톤으로 불린다. 고에너지 전자의 경우 전자-정공 분리가 상당히 클 수 있으며 결합 에너지는 그에 따라 낮지만, 에너지가 낮으면 전자와 정공이 서로 더 가까이 있을 수 있다. 엑시톤 자체는 매우 먼 거리(>10 nm)를 확산한다.[4] 이름에서 알 수 있듯이, 엑시톤은 들뜬 상태이다. 전자와 정공이 재결합하여 사라질 때만 안정적인 화학 반응 생성물이 형성될 수 있다.
광자 흡수 깊이가 전자 탈출 깊이를 초과하므로, 방출된 전자는 결국 속도가 느려지면서 에너지를 열로 소산시킨다. 극자외선 파장은 해당 광자 에너지가 모든 물질의 띠 간격을 초과하므로 더 긴 파장보다 훨씬 강하게 흡수된다. 따라서 가열 효율이 훨씬 높으며, 유전체 재료에서 열적 삭마 임계값이 낮은 것으로 나타났다.[5]
3. 2. 엑시톤 생성 및 소멸
극자외선(EUV) 광자가 흡수되면, X선이나 전자빔이 물질에 흡수될 때와 마찬가지로, 이온화에 의해 광전자와 2차 전자가 생성된다.[3]물질의 극자외선 방사선에 대한 반응은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
- 흡수 지점:
- 극자외선 광자 에너지 = 92 eV = 전자 결합 에너지 + 광전자 초기 운동 에너지
- 광전자 3 평균 자유 행로 이내 (1–2 nm):
- 광전자 운동 에너지 감소 = 이온화 전위 + 2차 전자 운동 에너지
- 2차 전자 3 평균 자유 행로 이내 (~30 nm):
- 2차 전자 운동 에너지 감소 = 이온화 전위 + 3차 전자 운동 에너지
- m번째 생성 전자는 포논 생성(가열)에 의한 이온화 외에도 속도가 느려진다.
- 최종 생성 전자 운동 에너지 ~ 0 eV => 해리적 전자 부착 + 열, 여기서 이온화 전위는 유기 물질의 경우 일반적으로 7–9 eV이고 금속의 경우 4–5 eV이다.
광전자는 그 후 충격 이온화 과정을 통해 2차 전자의 방출을 유발한다. 때때로 오거 전이도 가능하며, 단일 광자의 흡수로 두 개의 전자 방출을 초래한다.[16]
엄밀히 말하면, 광전자, 오거 전자 및 2차 전자는 모두 전하 중성을 유지하기 위해 양전하를 띤 정공(근처 분자에서 전자를 끌어당김으로써 중화될 수 있는 이온)을 동반한다. 전자-정공 쌍은 종종 엑시톤으로 불린다. 고에너지 전자의 경우 전자-정공 분리가 상당히 클 수 있으며 결합 에너지는 그에 따라 낮지만, 에너지가 낮으면 전자와 정공이 서로 더 가까이 있을 수 있다. 엑시톤 자체는 매우 먼 거리(>10 nm)를 확산한다.[4] 엑시톤은 들뜬 상태이다. 전자와 정공이 재결합하여 사라질 때만 안정적인 화학 반응 생성물이 형성될 수 있다.
광자 흡수 깊이가 전자 탈출 깊이를 초과하므로, 방출된 전자는 결국 속도가 느려지면서 에너지를 열로 소산시킨다. 극자외선 파장은 해당 광자 에너지가 모든 물질의 띠 간격을 초과하므로 더 긴 파장보다 훨씬 강하게 흡수된다. 따라서 가열 효율이 훨씬 높으며, 유전체 재료에서 열적 삭마 임계값이 낮은 것으로 나타났다.[5]
3. 3. EUV 흡수와 열 발생
극자외선(EUV) 광자가 물질에 흡수되면, X선이나 전자빔이 물질에 흡수될 때와 마찬가지로, 광전자와 2차 전자가 이온화에 의해 생성된다.[3]물질의 극자외선 방사선에 대한 반응은 다음 방정식으로 나타낼 수 있다.
| 흡수 지점 | 극자외선 광자 에너지 (92 eV) = 전자 결합 에너지 + 광전자 초기 운동 에너지 |
|---|---|
| 광전자 3평균 자유 행로 이내 (1–2 nm) | 광전자 운동 에너지 감소 = 이온화 전위 + 2차 전자 운동 에너지 |
| 2차 전자 3 평균 자유 행로 이내 (~30 nm) |
광전자는 그 후 충격 이온화 과정을 통해 2차 전자의 방출을 유발한다. 때때로 오거 전이도 가능하며, 단일 광자의 흡수로 두 개의 전자 방출을 초래한다.
엄밀히 말하면, 광전자, 오거 전자 및 2차 전자는 모두 전하 중성을 유지하기 위해 양전하를 띤 정공(근처 분자에서 전자를 끌어당김으로써 중화될 수 있는 이온)을 동반한다. 전자-정공 쌍은 종종 엑시톤으로 불린다. 고에너지 전자의 경우 전자-정공 분리가 상당히 클 수 있으며 결합 에너지는 그에 따라 낮지만, 에너지가 낮으면 전자와 정공이 서로 더 가까이 있을 수 있다. 엑시톤 자체는 매우 먼 거리(>10 nm)를 확산한다.[4] 이름에서 알 수 있듯이, 엑시톤은 들뜬 상태이다. 전자와 정공이 재결합하여 사라질 때만 안정적인 화학 반응 생성물이 형성될 수 있다.
광자 흡수 깊이가 전자 탈출 깊이를 초과하므로, 방출된 전자는 결국 속도가 느려지면서 에너지를 열로 소산시킨다. 극자외선 파장은 해당 광자 에너지가 모든 물질의 띠 간격을 초과하므로 더 긴 파장보다 훨씬 강하게 흡수된다. 따라서 가열 효율이 훨씬 높으며, 유전체 재료에서 열적 삭마 임계값이 낮은 것으로 나타났다.[5]
4. EUV에 의한 손상
EUV에 의한 손상은 다른 형태의 전리 방사선과 마찬가지로, EUV와 EUV 방사선에 의해 직접 또는 간접적으로 방출되는 전자가 소자를 손상시키는 주요 원인이다. 손상은 산화물의 탈리[20]나 포획된 전하에 의한 이온화[21]에 의해 발생할 수 있다. 또한, Malter effect|말터 효과영어에 의한 불안정한 양전하 축적으로도 손상이 발생할 수 있다. 자유 전자가 순 양전하를 중화하기 위해 돌아갈 수 없을 경우, 양이온의 탈리[22]가 중성을 회복하는 유일한 방법이다. 그러나, Desorption|탈리 (물리학)|label=탈리영어는 본질적으로 노광 중에 표면이 열화됨을 의미하며, 탈리된 원자는 노광된 광학 부품을 오염시킨다. EUV 손상은 극자외선 영상 관측 망원경(EIT)의 CCD 방사 에이징에서 이미 기록되었다.[23]
방사선 손상은 플라즈마 처리 손상 과정에서 연구되어 온 잘 알려진 문제이다. 위스콘신 대학교 싱크로트론에서 최근 연구한 결과, 200nm 이하의 파장은 측정 가능한 표면 대전이 가능하다는 것이 밝혀졌다.[24] EUV 방사는 노광 경계를 수 cm 넘어서 양전하를 나타내었고, VUV(진공 자외선) 방사는 노광 경계 내에서 양전하를 나타냈다.
FLASH|함부르크 자유전자 레이저|label=함부르크 자유전자 레이저영어 (Free electron LASer in Hamburg; FLASH)에서 EUV펨토초 펄스를 이용한 연구에서는 열 용융에 의한 손상 임계값이 100mJ/cm2 이하임이 밝혀졌다.[25]
초기 연구에서는[26] “소프트한” 전리 방사선에 의해 생성된 전자가 표면 아래 약 100nm를 투과하여 가열을 일으킨다는 것이 밝혀졌다.
4. 1. 손상 메커니즘
다른 형태의 전리 방사선과 마찬가지로, EUV와 EUV 방사선에 의해 직접 또는 간접적으로 방출되는 전자는 소자 손상의 주요 원인이다. 산화물 탈착[7] 또는 이온화 후 포획 전하[8]로 인해 손상이 발생할 수 있다. 또한 말터 효과에 의한 무기한 양전하 축적으로 손상이 발생할 수 있다. 자유 전자가 순 양전하를 중화시키기 위해 돌아갈 수 없다면, 양이온 탈착[9]만이 중성을 회복하는 방법이다. 그러나 탈착은 본질적으로 노출 중 표면이 열화됨을 의미하며, 더욱이 탈착된 원자는 노출된 광학계를 오염시킨다. EUV 손상은 이미 극자외선 영상 망원경(EIT)(Extreme UV Imaging Telescope)의 CCD 방사선 노화에서 보고되었다.[10]방사선 손상은 플라즈마 처리 손상 과정에서 연구되어 온 잘 알려진 문제이다. 위스콘신 대학교 싱크로트론에서 최근에 수행된 연구에 따르면 200nm 미만의 파장은 측정 가능한 표면 전하를 생성할 수 있다.[11] EUV 방사선은 노출 경계 너머 수 센티미터까지 양전하를 나타낸 반면, VUV(진공 자외선) 방사선은 노출 경계 내에서 양전하를 나타냈다.
함부르크 자유전자 레이저(FLASH)(Free Electron Laser in Hamburg)에서 EUV 펨토초 펄스를 사용한 연구에 따르면 열 용융에 의한 손상 임계값은 100mJ/cm2 미만임을 나타냈다.[12]
이전 연구[13]에 따르면 '소프트' 전리 방사선에 의해 생성된 전자가 표면 아래 약 100nm까지 침투하여 열을 발생시킬 수 있음을 보여주었다.
4. 2. EUV 손상 사례
다른 형태의 전리 방사선과 마찬가지로, EUV와 EUV 방사선에 의해 직접 또는 간접적으로 방출되는 전자는 소자 손상의 주요 원인이다. 산화물 탈착[7] 또는 이온화 후 포획 전하[8]로 인해 손상이 발생할 수 있다. 또한 말터 효과에 의한 무기한 양전하 축적으로 손상이 발생할 수 있다. 자유 전자가 순 양전하를 중화시키기 위해 돌아갈 수 없다면, 양이온 탈착[9]만이 중성을 회복하는 방법이다. 그러나 탈착은 본질적으로 노출 중 표면이 열화됨을 의미하며, 더욱이 탈착된 원자는 노출된 광학계를 오염시킨다. EUV 손상은 이미 극자외선 영상 망원경(EIT)(Extreme UV Imaging Telescope)의 CCD 방사선 노화에서 보고되었다.[10]방사선 손상은 플라즈마 처리 손상 과정에서 연구되어 온 잘 알려진 문제이다. 위스콘신 대학교 싱크로트론에서 최근에 수행된 연구에 따르면 200nm 미만의 파장은 측정 가능한 표면 전하를 생성할 수 있다.[11] EUV 방사선은 노출 경계 너머 수 cm까지 양전하를 나타낸 반면, VUV(진공 자외선) 방사선은 노출 경계 내에서 양전하를 나타냈다.
함부르크 자유전자 레이저(FLASH)(Free Electron Laser in Hamburg)에서 EUV 펨토초 펄스를 사용한 연구에 따르면 열 용융에 의한 손상 임계값은 100mJ/cm2 미만임을 나타냈다.[12]
이전 연구[13]에 따르면 '소프트' 전리 방사선에 의해 생성된 전자가 표면 아래 약 100nm까지 침투하여 열을 발생시킬 수 있음을 보여주었다.
5. 태양 활동과 EUV
태양의 극소기와 극대기 사이에서 특정 파장의 극자외선(EUV)은 최대 50배까지 변화하는데,[6] 이는 성층권 온난화와 오존 생성에 영향을 미칠 수 있다.[6] 이러한 영향은 단기 및 장기 태양 활동 주기에 걸쳐 대기 순환과 기후 패턴에 영향을 줄 수 있다.[6][19]
참조
[1]
웹사이트
The periodic table of the elements by WebElements
https://www.webeleme[...]
[2]
논문
Broadly tunable difference-frequency generation of VUV using two-photon resonances in H2 and Kr
https://www.osapubli[...]
1991
[3]
논문
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
AIP Publishing
[4]
논문
Low Energy Electron Degradation of Poly(p-phenylenevinylene)
Wiley
[5]
보고서
Damage and ablation of large band gap dielectrics induced by a 46.9 nm laser beam
https://web.archive.[...]
Lawrence Livermore National Laboratory
2017-01-25
[6]
논문
Solar radiation and human health
https://www.scienced[...]
Elsevier BV
[7]
논문
GaAs Oxide Desorption under Extreme Ultraviolet Photon Flux
Wiley
[8]
논문
Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon
AIP Publishing
[9]
논문
Soft x-ray-stimulated positive ion desorption from amorphous SiO2 surfaces
American Vacuum Society
[10]
학회자료
In-orbit diagnostic of the EIT EUV CCD radiationinduced aging
https://www.promopti[...]
SPIE
1997-10-15
[11]
웹사이트
Nuggets v9a
https://web.archive.[...]
2006-08-29
[12]
웹사이트
http://hasyweb.desy.[...]
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웹사이트
FEL 2004 – VUV pulse interactions with solids
http://www.elettra.t[...]
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2024-06-27
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Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon
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http://www.elettra.t[...]
2024-06-28
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