EPROM
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1. 개요
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)은 자외선으로 내용을 지울 수 있는 읽기 전용 메모리의 일종이다. MOSFET의 부유 게이트를 사용하여 데이터를 저장하며, 각 메모리 셀은 하나의 전계 효과 트랜지스터로 구성된다. 데이터를 저장하려면 높은 전압을 가해 전자를 부유 게이트에 가두고, 자외선으로 이 전자를 제거하여 데이터를 지운다. EPROM은 초기의 ROM보다 펌웨어 업데이트가 용이하여 소량 생산에 사용되었으나, EEPROM과 플래시 메모리의 등장으로 점차 대체되었다. EPROM은 다양한 용량으로 개발되었으며, 현재는 오래된 장비의 유지 보수 등 특정 분야에서 사용된다.
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| EPROM | |
|---|---|
| 명칭 | |
| 이름 | EPROM |
| 풀네임 | Erasable Programmable Read-Only Memory (지울 수 있는 프로그램 가능 읽기 전용 메모리) |
| 기술 | |
| 유형 | 비휘발성 메모리 |
| 특징 | 자외선(UV)을 사용하여 내용을 지울 수 있음, 전기적으로 재프로그래밍 가능 |
| 사용 목적 | 초기에는 프로그램 수정이 필요한 곳에 사용, 지금은 플래시 메모리로 대체됨 |
| 동작 원리 | MOSFET의 플로팅 게이트에 전하를 가두어 정보 저장 |
| 소거 방법 | 자외선 램프를 사용하여 일정 시간 노출시킴 |
| 역사 | |
| 개발 시기 | 1970년대 초 |
| 개발자 | 인텔 (Dov Frohman) |
| EPROM 등장 배경 | PROM의 단점을 개선하기 위해 개발 |
| 발전 | EEPROM과 플래시 메모리로 발전 |
| 활용 | |
| 초기 사용 | 컴퓨터, 산업 제어, 비디오 게임 콘솔, 임베디드 시스템 등에 사용 |
| 현재 사용 | 제한적으로 사용, 대부분 플래시 메모리로 대체 |
| 관련 기술 | |
| 유사 기술 | PROM, EEPROM, 플래시 메모리 |
| 개선 기술 | 플래시 메모리, FRAM, MRAM |
| 메모리 종류 | 비휘발성 메모리, 반도체 메모리 |
| 추가 정보 | |
| 제조사 | 인텔, 텍사스 인스트루먼트, 모토로라 등 |
| 용량 | 256바이트에서 수 메가바이트까지 다양 |
| 패키지 | DIP, PLCC, TSOP 등 다양한 형태 |
2. 동작 원리
EPROM 메모리 셀의 개발은 트랜지스터의 게이트 배선이 손상된 집적 회로를 조사하는 과정에서 시작되었다. 배선이 없는 고립된 게이트에 축적된 전하는 그 특성을 변화시켰다. 1967년 벨 연구소의 다원 칸과 사이먼 민 셰는 MOSFET의 부유 게이트를 재프로그래밍 가능한 ROM의 셀로 사용할 수 있다고 제안했다.[5] 이 개념을 바탕으로 인텔의 도브 프로만은 1971년에 EPROM을 발명했고,[5] 1972년에 특허를 받았다.
2. 1. 메모리 셀 구조
EPROM 메모리 셀은 MOSFET의 부유 게이트를 ROM의 셀로 사용하는 구조를 기반으로 한다.[5] 각 셀은 하나의 전계 효과 트랜지스터로 구성된다. 각 전계 효과 트랜지스터는 소스, 드레인, 채널, 플로팅 게이트, 제어 게이트로 이루어져 있다.[16]- 소스 및 드레인: 채널 양 끝 부분에 만들어진다.
- 채널: 트랜지스터의 반도체 본체에 존재한다.
- 플로팅 게이트: 절연 산화막으로 완전히 둘러싸여 있으며, 집적 회로의 다른 부분과 연결되지 않아 전하를 장기간 보존할 수 있다.
- 제어 게이트: 플로팅 게이트 위에 위치하며, 더 두꺼운 산화물 층으로 덮여 있다.
EPROM의 개발은 트랜지스터 게이트 연결이 끊어진 결함이 있는 집적 회로 조사에서 시작되었다. 이러한 격리된 게이트에 저장된 전하는 문턱 전압을 변경시킨다.[4] 1967년 벨 연구소의 다원 칸과 사이먼 민 셰는 MOSFET의 부유 게이트를 재프로그래밍 가능한 ROM의 셀로 사용할 수 있다고 제안했다.[5]
데이터를 읽을 때는 주소 핀에 값을 입력하여 해당 워드의 메모리 셀을 출력 버퍼 증폭 회로에 연결한다. 각 비트는 트랜지스터의 on/off 상태(전도성/비전도성)에 따라 1 또는 0으로 표현된다. 트랜지스터의 스위칭 상태는 제어 게이트의 전압에 의해 제어되며, 플로팅 게이트에 전하를 축적하면 게이트에 전압을 거는 것과 같은 효과를 얻어 데이터를 저장할 수 있다.
데이터를 쓰려면 주소를 지정하고 트랜지스터에 높은 전압을 가하여 전자의 애벌랜치 방전을 일으킨다. 이로 인해 전자가 절연 산화물 층을 통과하여 플로팅 게이트에 축적된다. 높은 전압을 제거하면 전자는 플로팅 게이트에 갇히게 된다.[17] 산화 규소의 높은 절연 값 덕분에 저장된 전하는 쉽게 누출되지 않아 데이터는 수십 년간 유지될 수 있다.
2. 2. 데이터 저장 및 읽기
EPROM에서 데이터를 읽으려면, EPROM의 주소 핀에 주소를 나타내는 값을 입력한다. 그러면 EPROM 내부에서 주소를 디코딩하여, 해당하는 1워드(일반적으로 8비트)의 메모리 셀을 출력 버퍼 증폭기에 연결한다. 워드 내의 각 비트에 해당하는 트랜지스터가 켜져 있는지(전도성) 또는 꺼져 있는지(비전도성)에 따라 1 또는 0을 나타낸다.
전계 효과 트랜지스터의 스위칭 상태는 트랜지스터의 제어 게이트 전압에 의해 제어된다. 게이트에 전압이 걸리면 트랜지스터 내에 전도 경로가 생겨 스위치가 켜진다. 플로팅 게이트에 저장된 전하는 트랜지스터의 문턱 전압을 프로그래밍할 수 있게 한다.
메모리에 데이터를 저장하려면, 지정된 주소를 선택하고 트랜지스터에 더 높은 전압을 인가해야 한다. 이렇게 하면 전자의 애벌랜치 방전이 발생하여 절연 산화물 층을 통과하고 게이트 전극에 축적될 만큼 충분한 에너지를 얻게 된다. 높은 전압 인가가 끝나면 전자는 전극에 갇힌다.[6] 게이트를 둘러싼 실리콘 산화물의 높은 절연 값 때문에 저장된 전하는 쉽게 누출되지 않으며, 데이터는 수십 년 동안 보존될 수 있다.
2. 3. 데이터 삭제
EEPROM과 달리, EPROM은 데이터를 전기적으로 여러 번 지우고 쓸 수 없다. EPROM에 저장된 데이터를 지우려면 다이에 직접 자외선(UV)을 쬐어야 한다. 자외선의 광자는 실리콘 산화물 내에서 이온화를 일으켜 플로팅 게이트에 축적된 전하가 절연막을 통해 확산되도록 한다.메모리 어레이 전체에 자외선이 쬐어지기 때문에, 메모리 전체가 동시에 지워진다. 일부만 선택적으로 지우는 것은 불가능하다. 일반적인 크기의 자외선 램프를 사용하면 데이터를 지우는 데 수 분이 걸린다. 햇빛에 노출되면 수 주일 만에 메모리가 지워지고, 실내 형광등에 노출되면 수 년 이상 걸린다.[18]
일반적으로 EPROM을 사용하는 회로에 자외선 램프를 내장하는 것은 실용적이지 않으므로, EPROM의 내용을 지우려면 장치에서 제거해야 한다. 차광 실을 붙여 적절하게 취급하면 십 년 단위로 데이터를 보존할 수 있다고 한다. 그러나 차광 실을 붙이지 않으면 태양광이나 형광등의 빛에 포함된 자외선으로 인해 단기간에 내용이 지워질 수 있다. 또한 작동 중 카메라의 플래시와 같은 강렬한 빛을 받으면 읽을 때 잘못된 값을 출력하는 경우가 있다.
3. 세부 사항
EPROM 메모리 셀은 트랜지스터 게이트 연결에 문제가 있는 집적 회로를 조사하는 과정에서 개발되었다. 격리된 게이트에 저장된 전하가 문턱 전압을 바꾸는 현상을 이용한 것이다.
1957년 벨 연구소의 Frosch와 Derick은 최초의 이산화규소 전계 효과 트랜지스터를 만들었다. 이후 프랭크 완래스는 1960년대 초 MOSFET 구조를 연구하면서 산화막을 통해 게이트로 전하가 이동하는 현상을 발견했다. 비록 완래스는 이 현상을 더 연구하지 않았지만, 이는 훗날 EPROM 기술의 기반이 되었다.[4]
1967년, 벨 연구소의 다원 칸과 사이먼 민 셰는 MOSFET의 부유 게이트를 재프로그래밍 가능한 ROM 셀로 사용할 수 있다고 제안했다.[5] 인텔의 도브 프로만은 이 개념을 바탕으로 1971년 EPROM을 발명하고,[5] 1972년에 특허를 받았다. 프로만은 2048비트 EPROM인 인텔 1702를 설계했고, 이는 1971년 인텔에서 발표되었다.[5]
EPROM의 각 저장 위치는 하나의 전계 효과 트랜지스터로 구성된다. 각 전계 효과 트랜지스터는 소자 반도체 본체의 채널, 채널 끝부분에 만들어지는 소스 및 드레인 접점, 채널 위에 성장하는 산화물 절
3. 1. OTP (One-Time Programmable) EPROM
OTP(One-Time Programmable) EPROM은 석영 창 대신 불투명한 패키지를 사용하여 제조 비용을 절감한 제품이다. 한번 프로그래밍하면 데이터를 지울 수 없다.[19] 지우기 기능을 테스트할 필요가 없어 비용이 더욱 절감된다. EPROM과 EPROM 기반 마이크로컨트롤러 모두 OTP 버전이 제조된다.
그러나 소형의 경우 셀 비용이 크지 않고, 대형의 경우 플래시 메모리가 사용되면서 OTP EPROM은 점차 EEPROM으로 대체되고 있다.
프로그래밍된 EPROM은 최소 10년에서 20년 동안 데이터를 유지하며,[8] 많은 경우 35년 이상 데이터를 유지한다. 읽기 횟수에는 제한이 없다. 실수로 자외선에 노출되어 지워지는 것을 방지하기 위해 지우기 창은 불투명한 라벨로 덮어야 한다. 오래된 PC의 BIOS 칩은 종종 EPROM이었으며, 지우기 창은 BIOS 게시자의 이름, BIOS 개정판 및 저작권 고지를 포함하는 접착식 라벨로 덮여 있었다. 이 라벨은 자외선에 대한 불투명성을 보장하기 위해 호일로 뒷받침된 경우가 많았다.
EPROM의 지우기는 400nm보다 짧은 파장에서 시작된다. 햇빛에 일주일, 형광등 조명에 3년간 노출되면 지워질 수 있다. 권장되는 지우기 절차는 253.7 nm의 자외선에 15 Ws/cm2 이상 노출하는 것이며, 보통 램프를 약 2.5 cm 거리에 두고 20~30분 안에 달성할 수 있다.[9]
X선으로도 지울 수 있다.[20]
3. 2. 데이터 보존 및 신뢰성
프로그래밍된 EPROM은 최소 10년에서 20년 동안 데이터를 보존하며,[8] 많은 경우 35년 이상 데이터를 유지할 수 있다. 또한 수명에 영향을 미치지 않고 무제한으로 읽을 수 있다. 그러나 실수로 데이터가 지워지는 것을 방지하기 위해 EPROM의 지우기 창은 불투명한 라벨로 덮어야 한다. 오래된 PC의 BIOS 칩은 종종 EPROM이었으며, 지우기 창에는 BIOS 게시자의 이름, BIOS 개정판 및 저작권 고지가 적힌 접착식 라벨이 붙어 있었다. 이 라벨은 자외선에 대한 불투명성을 보장하기 위해 호일로 뒷받침되기도 했다.[19]EPROM의 지우기는 400nm보다 짧은 파장의 빛에서 시작된다. 햇빛에 1주일 노출되거나 형광등 조명에 3년간 노출되면 데이터가 지워질 수 있다. 권장되는 지우기 절차는 253.7 nm의 자외선에 15 Ws/cm2 이상 노출하는 것이며, 이는 램프를 약 2.5 cm 거리에 두고 20~30분 안에 달성할 수 있다.[9] X선을 사용하여 지울 수도 있는데, 5×104 래드(500 J/kg) 이상의 X선 조사로 가능하다.[10]
EPROM은 제한적이지만 여러 번 지우고 다시 쓸 수 있다. 그러나 게이트 주변의 이산화규소는 각 사이클마다 손상이 누적되어 수천 번의 재기록 후에는 칩이 신뢰할 수 없게 된다. EPROM 프로그래밍은 다른 메모리 형태에 비해 느리다. 또한, 고밀도 부품은 상호 연결 및 게이트 층 사이에 노출된 산화물이 거의 없기 때문에 자외선 지우기는 매우 큰 메모리에는 실용적이지 않다. 패키지 내부의 먼지조차도 일부 셀이 지워지는 것을 방지할 수 있다.[22]
4. 응용 분야
EPROM은 대량 생산 시 마스크 프로그래밍 ROM이 가장 저렴하지만, 데이터를 저장하려면 IC 마스크 층이나 포토마스크의 설계를 변경해야 하므로 제작에 몇 주가 걸렸다. 처음에는 EPROM이 대량 생산에 너무 비싸 개발에만 사용될 것이라고 생각했지만, 펌웨어를 빠르게 업그레이드할 수 있다는 장점 때문에 소량 생산에서는 EPROM이 경제적이라는 사실이 곧 밝혀졌다.[7]
패키지의 창을 없애고 저렴한 플라스틱 몰드를 사용한 원타임 PROM(OTP)도 있었지만, 메모리 칩 자체는 일반 UV-EPROM과 동일하며 UV-EPROM용 라이터를 사용하여 프로그래밍할 수 있었다.
4. 1. 초기 컴퓨터 시스템
초기 컴퓨터 시스템에서 EPROM은 주로 BIOS와 같은 펌웨어를 저장하는 데 사용되었다. 1971년 인텔에서 개발된 EPROM은 자외선을 이용하여 데이터를 지우고 다시 쓸 수 있는 특징을 가졌다.[5] 이는 이전의 ROM(읽기 전용 메모리)이 한 번만 데이터를 기록할 수 있었던 것에 비해 큰 발전이었다.EEPROM이나 플래시 메모리와 같은 새로운 기술이 등장하면서 EPROM의 사용 빈도는 점차 줄어들었다. EEPROM과 플래시 메모리는 자외선 없이도 전기적으로 데이터를 지우고 쓸 수 있어 더 편리했기 때문이다.
대한민국에서는 1990년대부터 2000년대 초반까지 개인용 컴퓨터 조립 시장이 활성화되면서, 메인보드 BIOS 업데이트를 위해 EPROM이 널리 사용되었다. 사용자들은 새로운 하드웨어를 지원하거나 시스템 성능을 향상시키기 위해 EPROM에 저장된 BIOS를 업데이트해야 했다.
4. 2. 마이크로컨트롤러
EEPROM이나 플래시 메모리가 등장하기 전에는, 인텔 8048, Freescale 68HC11, PIC 마이크로컨트롤러의 "C" 버전과 같은 일부 마이크로컨트롤러들이 내장 EPROM을 사용하여 프로그램을 저장했다.[7] 이러한 마이크로컨트롤러는 디버깅 및 프로그램 개발에 사용되는 창이 있는 (비싼) 버전으로 제공되었으며, 생산을 위해 창이 없는 OTP(One-Time Programmable) 패키지(다소 저렴함)로도 제공되었다.[7]4. 3. 현재 상황
EEPROM이나 플래시 메모리가 등장하기 전에는 프로그램 저장용 EPROM을 내장한 마이크로컨트롤러도 존재했다. 인텔 8048, Freescale 68HC11, PIC 마이크로컨트롤러의 "C" 버전 등이 그 예이다. 이러한 마이크로컨트롤러는 프로그램 개발 및 디버깅의 편의를 위해 EPROM처럼 내장 프로그램을 지울 수 있는, 다소 고가의 석영 유리 창이 있는 버전을 사용했다. 개발 후 생산용으로는 창이 없는 저렴한 버전을 사용했다.[7]현재는 EEPROM이 개발되어 자외선으로 지우는 EPROM을 대부분 대체했다.[7]
5. EPROM의 세대, 크기 및 유형
EPROM은 다양한 크기와 종류로 제공되며, 기술 발전에 따라 성능이 향상되고 전력 소비가 감소했다.
EPROM의 각 저장 위치는 단일 전계 효과 트랜지스터로 구성된다. 각 전계 효과 트랜지스터는 소스, 드레인, 채널, 절연 산화물 층, 부유 게이트 전극, 제어 게이트 전극으로 구성된다. 데이터를 검색하려면 EPROM의 주소 핀에 있는 값으로 표시되는 주소를 디코딩하여 저장소의 한 단어(일반적으로 8비트 바이트)를 출력 버퍼 증폭기에 연결한다. 단어의 각 비트는 저장 트랜지스터가 켜져 있거나 꺼져 있는지, 즉 전도성이 있거나 전도성이 없는지에 따라 1 또는 0이다.
전계 효과 트랜지스터의 스위칭 상태는 트랜지스터의 제어 게이트의 전압에 의해 제어된다.
EPROM은 기술 발전에 따라 1세대, 2세대, 3세대로 나뉜다.
- 1세대(1702 장치): p-MOS 기술로 제작. 읽기 모드: VCC = VBB = +5V, VDD = VGG = -9V, 프로그래밍 모드: VDD = VGG = -47V.[12][13]
- 2세대(2704/2708 장치): n-MOS 기술, 3레일 전원 공급(VCC = +5V, VBB = -5V, VDD = +12V), 프로그래밍 모드: VPP = 12V와 +25V 펄스 사용.
- 3세대: n-MOS 기술, 단일 레일 VCC = +5V 전원 공급, 단일 VPP = +25V[14] 프로그래밍 전압(펄스 없음). 불필요한 VBB 및 VDD 핀은 추가 주소 비트로 재사용.
이후 CMOS 기술이 발전하면서 동일한 장치를 CMOS 기술로 제작. 장치 번호에 "C"를 추가하여 구분(예: 27xx(x)는 n-MOS, 27Cxx(x)는 CMOS).
다른 제조업체의 동일한 크기의 부품은 읽기 모드에서 호환되지만, 프로그래밍 모드는 다를 수 있다. 대용량 장치는 제조업체와 장치를 EPROM 프로그래머로 식별할 수 있는 "시그니처 모드"(핀 A9에 +12V 인가, 2바이트 데이터 읽기)를 도입했지만, 보편적이지 않아 수동 설정이 필요할 수 있다.[15]
EPROM의 종류와 용량은 다음과 같다.
| EPROM 유형 | 연도 | 크기 — 비트 | 크기 — 바이트 | 길이 (16진수) | 마지막 주소 (16진수) | 기술 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1702, 1702A | 1971 | 2 Kbit | 256 | 100 | FF | PMOS |
| 2704 | 1975 | 4 Kbit | 512 | 200 | 1FF | NMOS |
| 2708 | 1975 | 8 Kbit | 1 KB | 400 | 3FF | NMOS |
| 2716, 27C16, TMS2716, 2516 | 1977 | 16 Kbit | 2 KB | 800 | 7FF | NMOS/CMOS |
| 2732, 27C32, 2532 | 1979 | 32 Kbit | 4 KB | 1000 | FFF | NMOS/CMOS |
| 2764, 27C64, 2564 | 64 Kbit | 8 KB | 2000 | 1FFF | NMOS/CMOS | |
| 27128, 27C128 | 128 Kbit | 16 KB | 4000 | 3FFF | NMOS/CMOS | |
| 27256, 27C256 | 256 Kbit | 32 KB | 8000 | 7FFF | NMOS/CMOS | |
| 27512, 27C512 | 512 Kbit | 64 KB | 10000 | FFFF | NMOS/CMOS | |
| 27C010, 27C100 | 1 Mbit | 128 KB | 20000 | 1FFFF | CMOS | |
| 27C020 | 2 Mbit | 256 KB | 40000 | 3FFFF | CMOS | |
| 27C040, 27C400, 27C4001 | 4 Mbit | 512 KB | 80000 | 7FFFF | CMOS | |
| 27C080 | 8 Mbit | 1 MB | 100000 | FFFFF | CMOS | |
| 27C160 | 16 Mbit | 2 MB | 200000 | 1FFFFF | CMOS | |
| 27C320, 27C322 | 32 Mbit | 4 MB | 400000 | 3FFFFF | CMOS |
5. 1. 기술 발전
EPROM 기술은 초기 PMOS 논리에서 NMOS 논리를 거쳐 CMOS 논리로 발전하면서 성능 향상과 전력 소비 감소가 이루어졌다. 최초의 EPROM은 인텔 1702A였는데, P-MOS 구조이기 때문에 음전압이 필요하여 사용하기 불편했다.[12][13]2세대 2704/2708 장치는 NMOS 논리 기술과 3레일 전원 공급 장치(VCC = +5V, VBB = -5V, VDD = +12V)를 사용했으며, 프로그래밍 모드에서는 VPP = 12V와 +25V 펄스가 필요했다.
3세대에서는 단일 전원(+5V)과 VPP = +25V[14] 프로그래밍 전압을 사용하여 사용 편의성이 더욱 향상되었다. 불필요한 핀들은 추가 주소 비트로 활용되어 동일한 패키지에서 더 큰 용량을 제공하거나, 더 큰 패키지에서는 더욱 큰 용량을 제공할 수 있게 되었다.
CMOS 논리 기술의 발전으로 동일한 장치를 CMOS 기술로 제작할 수 있게 되었으며, 장치 번호에 "C"를 추가하여 구분했다(예: 27xx(x)는 n-MOS, 27Cxx(x)는 CMOS).
대부분의 EPROM은 A9 핀에 12V를 인가하여 "시그니처 모드"로 설정하면 2바이트의 식별 데이터를 읽을 수 있다. 그러나 이는 보편적인 것이 아니므로, 제조업체와 기종을 수동으로 확인한 후 적절한 쓰기 방법을 선택해야 한다.[23]
EPROM은 시간이 지남에 따라 다음과 같이 발전하였다.
| EPROM 유형 | 연도 | 크기 — 비트 | 크기 — 바이트 | 기술 |
|---|---|---|---|---|
| 1702, 1702A | 1971 | 2 Kbit | 256 | PMOS |
| 2704 | 1975 | 4 Kbit | 512 | NMOS |
| 2708 | 1975 | 8 Kbit | 1 KB | NMOS |
| 2716, 27C16, TMS2716, 2516 | 1977 | 16 Kbit | 2 KB | NMOS/CMOS |
| 2732, 27C32, 2532 | 1979 | 32 Kbit | 4 KB | NMOS/CMOS |
| 2764, 27C64, 2564 | 64 Kbit | 8 KB | NMOS/CMOS | |
| 27128, 27C128 | 128 Kbit | 16 KB | NMOS/CMOS | |
| 27256, 27C256 | 256 Kbit | 32 KB | NMOS/CMOS | |
| 27512, 27C512 | 512 Kbit | 64 KB | NMOS/CMOS | |
| 27C010, 27C100 | 1 Mbit | 128 KB | CMOS | |
| 27C020 | 2 Mbit | 256 KB | CMOS | |
| 27C040, 27C400, 27C4001 | 4 Mbit | 512 KB | CMOS | |
| 27C080 | 8 Mbit | 1 MB | CMOS | |
| 27C160 | 16 Mbit | 2 MB | CMOS | |
| 27C320, 27C322 | 32 Mbit | 4 MB | CMOS |
5. 2. 용량 및 종류
EPROM은 다양한 용량으로 제공되며, 제조업체에 따라 프로그래밍 방식이 다를 수 있다. 다음은 EPROM의 주요 용량 및 종류이다.| EPROM 유형 | 연도 | 크기 — 비트 | 크기 — 바이트 | 길이 (16진수) | 마지막 주소 (16진수) | 기술 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1702, 1702A | 1971 | 2 Kbit | 256 | 100 | FF | PMOS |
| 2704 | 1975 | 4 Kbit | 512 | 200 | 1FF | NMOS |
| 2708 | 1975 | 8 Kbit | 1 KB | 400 | 3FF | NMOS |
| 2716, 27C16, TMS2716, 2516 | 1977 | 16 Kbit | 2 KB | 800 | 7FF | NMOS/CMOS |
| 2732, 27C32, 2532 | 1979 | 32 Kbit | 4 KB | 1000 | FFF | NMOS/CMOS |
| 2764, 27C64, 2564 | 64 Kbit | 8 KB | 2000 | 1FFF | NMOS/CMOS | |
| 27128, 27C128 | 128 Kbit | 16 KB | 4000 | 3FFF | NMOS/CMOS | |
| 27256, 27C256 | 256 Kbit | 32 KB | 8000 | 7FFF | NMOS/CMOS | |
| 27512, 27C512 | 512 Kbit | 64 KB | 10000 | FFFF | NMOS/CMOS | |
| 27C010, 27C100 | 1 Mbit | 128 KB | 20000 | 1FFFF | CMOS | |
| 27C020 | 2 Mbit | 256 KB | 40000 | 3FFFF | CMOS | |
| 27C040, 27C400, 27C4001 | 4 Mbit | 512 KB | 80000 | 7FFFF | CMOS | |
| 27C080 | 8 Mbit | 1 MB | 100000 | FFFFF | CMOS | |
| 27C160 | 16 Mbit | 2 MB | 200000 | 1FFFFF | CMOS | |
| 27C320, 27C322 | 32 Mbit | 4 MB | 400000 | 3FFFFF | CMOS |
초기 EPROM인 인텔 1702A는 P-MOS 구조로 음전압이 필요했지만, 이후 2716부터는 5V 단일 전원으로 사용 편의성이 향상되었다.[24] 이후에는 핀 배치의 호환성을 유지하면서 용량이 증가된 제품들이 출시되었다.
대부분의 EPROM은 A9 핀에 12V를 인가하여 "시그니처 모드"로 설정하면 2바이트의 식별 데이터를 읽을 수 있다. 이를 통해 제조업체와 기종을 확인할 수 있다. 그러나 이 방식이 보편적인 것은 아니므로, EPROM 프로그래머를 사용할 때 제조업체와 기종을 수동으로 확인하고 적절한 쓰기 방법을 선택해야 한다.[15]
6. EEPROM 및 플래시 메모리와의 관계
EPROM은 자외선을 쬐어야만 저장된 데이터를 지울 수 있어 장비에서 제거해야 하는 불편함이 있었다. 이를 해결하기 위해 EEPROM이 개발되었는데, 전기적으로 데이터를 지울 수 있어 EPROM의 단점을 보완했다.[7] 결과적으로 EEPROM은 현재 자외선으로 지우는 EPROM을 대체하고 있다.
6. 1. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
터널 효과를 이용하여 플로팅 게이트(부유 게이트)에서 드레인으로 전자를 빼내어 전기적인 동작만으로 삭제를 수행하는 메모리이다. EEPROM은 회로 기판에 실장한 채로 쓰기와 지우기를 할 수 있는 불휘발성 메모리이므로, 사용 시 재작성이 필요한 용도, 예를 들어 기기의 동작 설정 데이터나 사용자 고유의 정보를 저장하는 데 적합하다. 초기에는 용량이 작고, 디바이스도 고가였으며, 쓰기와 지우기 소요 시간이 RAM에 비해 길었지만, 플래시 메모리의 등장으로 개량되어 널리 보급되었다.6. 2. 플래시 메모리 (Flash Memory)
EEPROM은 플로팅 게이트(부유 게이트)에서 드레인으로 터널 효과를 이용하여 전자를 빼냄으로써, 전기적인 동작만으로 삭제를 수행하는 메모리이다. 회로 기판에 실장한 채로 쓰기와 지우기를 할 수 있는 불휘발성 메모리이므로, 사용 시에 재작성이 필요한 용도, 예를 들어 기기의 동작 설정 데이터나 사용자 고유의 정보를 저장하는 데 적합하다. 초기에는 용량이 작고, 디바이스도 고가였으며, 쓰기와 지우기 소요 시간이 RAM에 비해 길었지만, 플래시 메모리의 등장으로 개량되어 널리 보급되었다.참조
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문서
1702 EPROM はPMOS、27xシリーズのEPROMで名称に "C" とあるものはCMOSベースで、"C"がないものはNMOSである。
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