박막 트랜지스터
"오늘의AI위키"의 AI를 통해 더욱 풍부하고 폭넓은 지식 경험을 누리세요.
1. 개요
박막 트랜지스터(TFT)는 기판 위에 여러 층의 박막을 쌓아 제작되며, 게이트 단자 배치에 따라 스태거드형, 인버티드 스태거드형, 코우플레이너형, 인버티드 코우플레이너형으로 분류된다. 일반적인 MOSFET과 달리 축적층을 형성하여 컨덕턴스를 제어하며, 진공 증착, 스퍼터링 등의 기술로 유리나 석영 기판 위에 형성된다. TFT는 다양한 반도체 재료로 제작될 수 있으며, 디스플레이 및 의료 영상 수용체 등 다양한 분야에 응용된다. 1957년 RCA에서 박막 MOSFET 특허가 출원된 이후, CdSe TFT 개발, a-Si TFT 개발 등을 거쳐 현재 AMOLED 디스플레이 등에 널리 사용되고 있다. 한국은 TFT-LCD 및 AMOLED 디스플레이 산업을 선도하며, 관련 기술 개발에 적극적으로 투자하고 있다.
더 읽어볼만한 페이지
- 트랜지스터 - CMOS
CMOS는 상보적 금속 산화막 반도체의 약자로, 저전력 소비를 특징으로 하며, P형과 N형 MOSFET을 결합하여 논리 게이트를 구현하는 디지털 회로 설계 방식 및 공정 계열이다. - 트랜지스터 - MOSFET
MOSFET은 게이트 전압으로 소스와 드레인 사이의 전류를 제어하는 전계 효과 트랜지스터로, 제작 용이성과 집적 회로 적용 가능성으로 발전하여 현대 전자기기의 핵심 부품이 되었으며, n형과 p형 두 가지 타입으로 다양한 동작 모드를 가진다. - MOSFET - CMOS
CMOS는 상보적 금속 산화막 반도체의 약자로, 저전력 소비를 특징으로 하며, P형과 N형 MOSFET을 결합하여 논리 게이트를 구현하는 디지털 회로 설계 방식 및 공정 계열이다. - MOSFET - 전자 이동도
전자 이동도는 전기장 내에서 전자의 평균 이동 속도를 나타내는 물리량으로, 재료의 불순물 농도와 온도에 의존하며, 다양한 산란 메커니즘과 측정 방법을 통해 연구되고 반도체 소자 성능에 중요한 영향을 미친다. - 컴퓨터에 관한 - N형 반도체
N형 반도체는 전자를 주된 전하 운반체로 사용하는 반도체이다. - 컴퓨터에 관한 - CMOS
CMOS는 상보적 금속 산화막 반도체의 약자로, 저전력 소비를 특징으로 하며, P형과 N형 MOSFET을 결합하여 논리 게이트를 구현하는 디지털 회로 설계 방식 및 공정 계열이다.
박막 트랜지스터 | |
---|---|
박막 트랜지스터 | |
![]() | |
기본 정보 | |
유형 | 전계 효과 트랜지스터 |
채널 재료 | 비정질 실리콘 다결정 실리콘 금속 산화물 유기 반도체 |
기판 | 유리 플라스틱 금속 박판 |
특징 | |
제조 공정 | 저온 공정으로 대면적 제작 가능 |
응용 분야 | 액정 디스플레이 (LCD) 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이 태양 전지 센서 |
장점 | |
대면적 제작 | 넓은 면적의 디스플레이에 적합 |
저온 공정 | 다양한 기판 사용 가능 |
단점 | |
이동도 | 단결정 실리콘 트랜지스터에 비해 낮은 이동도 |
안정성 | 장기간 사용 시 안정성 문제 발생 가능성 |
기술 동향 | |
금속 산화물 TFT | 높은 이동도와 투명도 |
유기 TFT | 유연하고 저가 제조 가능 |
참고 자료 | |
관련 링크 | 박막 트랜지스터 (네이버 지식백과) |
2. 구조 및 분류
박막 트랜지스터는 게이트 단자의 배치 위치에 따라 스태거드형, 인버티드 스태거드형, 코우플레이너형, 인버티드 코우플레이너형으로 분류된다. 인버티드 스태거드형은 게이트 단자가 기판 쪽에 있어 보텀 게이트형이라고도 불린다. 스태거드형은 드레인 및 소스 단자가 채널층과 어긋나게 배치되며, 코우플레이너형은 채널층 옆에 드레인 및 소스 단자가 붙어있다.
일반적인 MOSFET과 달리, 박막 트랜지스터는 반전층이 아닌 축적층(accumulation layer영어)을 형성하여 컨덕턴스를 구성한다. n형 캐리어는 전자, p형 캐리어는 홀이며, 일반적인 MOS 구조에는 없는 채널층이 추가되어 있다.
2. 1. 구조
TFT는 기판 위에 여러 층을 박막 형태로 쌓아 만든다. 일반적인 MOSFET과 달리 반전층 대신 축적층(accumulation layer영어)을 형성하여 컨덕턴스를 제어한다. 드레인, 소스, 게이트 전극과 채널층, 게이트 절연막 등으로 구성된다.게이트 단자의 배치 위치에 따라 크게 4가지 유형으로 나뉜다.
- 스태거드(staggered)형
- 인버티드 스태거드(inverted staggered)형
- 코플래너(coplanar)형
- 인버티드 코플래너(inverted coplanar)형
스태거드형은 드레인 전극과 소스 전극이 채널층을 사이에 두고 게이트 전극과 반대쪽에 배치된다. 코플래너형은 드레인 전극과 소스 전극이 게이트 전극 및 채널층과 같은 면에 배치된다. 인버티드형은 게이트 전극이 채널층 아래쪽에 배치되며, 보텀게이트형이라고도 불린다.
일반적인 MOSFET과 달리, TFT는 인가된 게이트 전압에 의해 축적층을 형성하여 컨덕턴스를 제어한다. 이는 MOSFET이 반전층(inversion layer)을 형성하여 컨덕턴스를 제어하는 것과 다른 점이다. n형 캐리어는 전자, p형 캐리어는 홀이며, 소스 및 드레인 전극 부근에서 pn 접합을 형성하지 않기 때문에 채널층 물질에 따라 p형 및 n형의 특징을 모두 갖춘 양극성(ambipolar)으로 기능한다.
'박막'이라는 명칭은 트랜지스터를 구성하는 반도체층, 게이트 절연막, 전극, 보호 절연막 등을 진공 증착, 스퍼터링, 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착(플라즈마 CVD) 등으로 유리나 석영 재질의 기판 위에 얇은 막 형태로 만들기 때문에 붙여졌다. 플라스틱을 기판으로 사용하는 연구 개발도 진행되고 있다.
TFT는 반전층을 형성하지 않으므로 스레숄드 전압의 의미가 MOSFET과 다르다. MOSFET에서는 스레숄드 전압이 강한 반전층이 형성되기 시작하는 게이트-소스 전압을 가리키지만, TFT에서는 반전층 형성 자체가 존재하지 않는다. 그러나 기본적인 공식과 개념은 MOSFET과 동일하여 그대로 응용할 수 있다. 다만, 백게이트 전극이 없기 때문에 기판 바이어스 효과에 의한 임계값 전압 변동은 불가능하다.
2. 2. 분류
박막 트랜지스터는 게이트 단자의 배치 위치에 따라 크게 4가지 종류로 나뉜다.종류 | 특징 |
---|---|
스태거드(staggered영어)형 | 드레인 및 소스 단자가 채널층과 어긋나게 배치되어 있다. |
인버티드 스태거드(inverted staggered영어)형 | 게이트 단자가 기판 쪽에 배치되어 있다. (보텀 게이트형) |
코우플레이너(coplanar영어)형 | 드레인 및 소스 단자가 채널층과 같은 면에 배치되어 있다. |
인버티드 코우플레이너(inverted coplanar영어)형 | 게이트 단자가 기판 쪽에 배치되어 있고, 드레인 및 소스 단자는 채널층과 같은 면에 배치되어 있다. |
TFT는 불활성 기판 위에 성장되므로, 반도체는 특수 공정을 통해 증착해야 한다. TFT에 반도체를 증착하는 데는 화학 기상 증착법(CVD), 원자층 증착법(ALD), 스퍼터링 등 다양한 기술이 사용된다.[12] 인쇄[13] 또는 스프레이 코팅[14]과 같은 기술을 통해 용액으로부터 증착될 수도 있다. 용액 기반 기술은 저렴하고 기계적으로 유연한 전자기기를 만드는 데 사용될 수 있다.[15] 일반적인 기판은 고온에서 변형되거나 녹을 수 있으므로, 증착 공정은 기존 전자 재료 처리에 비해 상대적으로 낮은 온도에서 수행되어야 한다.[16]
일반적인 MOSFET와 달리, 박막 트랜지스터(TFT)는 인가된 게이트 전압에 의해 반전층(inversion layer영어)을 형성하지 않고 축적층(accumulation layer영어)을 형성하여 컨덕턴스를 제어한다. n형 TFT의 캐리어는 전자이고, p형 TFT의 캐리어는 홀이다. 채널층 물질에 따라 p형 및 n형의 특징을 모두 갖춘 양극성(ambipolar) 특성을 가질 수 있다.[56]
박막 트랜지스터(TFT)는 TFT LCD와 AMOLED 등 디스플레이 분야에서 널리 사용된다. TFT LCD는 액정표시장치 기술의 한 종류로, 각 픽셀에 TFT를 배치하여 크로스토크를 줄이고 이미지 안정성을 높인다. AMOLED 디스플레이는 개별 유기 발광 다이오드의 픽셀 어드레싱을 위해 TFT를 사용한다.
인버티드형은 게이트 단자가 기판(서브 스트레이트) 부분에 붙어 있는 형태로, 보텀 게이트형이라고도 불린다. 스태거드형은 채널층과 어긋난 축으로 드레인 및 소스 단자가 추가되어 있으며, 코우플레이너형은 채널층 옆에 직접 붙일 수 있는 형태로 드레인 및 소스 단자가 배치된다.
일반적인 MOSFET과 달리, 박막 트랜지스터는 반전층(inversion layer영어)을 형성하지 않고 축적층(accumulation layer영어)을 형성하여 컨덕턴스를 구성한다. 따라서 n형의 캐리어는 전자, p형의 캐리어는 홀이 된다. 또한, 일반적인 MOS 구조에서 볼 수 없는 채널층이 추가되어 있는 것이 특징이다.
3. 제조 방법
4. 재료
현재 채널층에 널리 사용되는 것은 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H)이지만, 문턱 전압이 시간, 게이트 전압, 온도에 따라 불안정하게 변하는 문제가 있다.
이는 다음 세 가지로 구분한다.
# 밴드 갭 내부에 존재하는 불안정한 상태
# 절연층 내부
# 계면 상태에 축적된 전자에 의한 영향
일반적으로 게이트 인가 전압이 낮은 경우 주된 요인은 1번, 전압이 낮은 경우는 2번이며, 3번은 보통 무시한다.
일부 제조사에서는 일정 시간 전압과 가열을 통해, 게이트 인가 전압에 의해 여기되어 불안정해진 valence band connection을 dangling bond(결함)로 안정화하는 대책을 세우고 있다.
박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등 다양한 반도체 재료로 제작될 수 있으며, 현재도 사용되고 있다. 그러나 비정질 실리콘의 낮은 이동도[2]와 다결정 실리콘에서 발견되는 큰 소자 간 변동[3][4][5] 때문에 TFT에 사용할 다른 재료들이 연구되어 왔다. 여기에는 셀레늄화 카드뮴[6][7], 금속 산화물(예: 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 또는 산화 아연)[8], 유기 반도체[9], 탄소 나노튜브[10] 또는 금속 할라이드 페로브스카이트[11]가 포함된다.
일부 넓은 밴드갭 반도체, 특히 금속 산화물은 광학적으로 투명하다.[17] 유리와 같은 투명 기판과 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 투명 전극을 사용함으로써 일부 TFT 소자는 완전히 광학적으로 투명하도록 설계될 수 있다.[18] 이러한 투명 박막 트랜지스터(TTFT)는 헤드업 디스플레이(예: 자동차 앞유리)에 사용될 수 있다.
5. 특징 및 문제점
현재 채널층에 널리 사용되는 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H) TFT는 스레숄드(문턱) 전압이 시간, 게이트 전압, 온도에 따라 불안정하게 변하는 문제가 있다. 이는 다음 세 가지 요인으로 구분된다.
# 밴드 갭 내부에 존재하는 준안정 상태(metastable state영어): 게이트 인가 전압이 낮은 경우 주된 요인이다.
# 절연층 내부: 전압이 높은 경우 주된 요인이다.
# 경계 상태(interface state영어): 일반적으로 무시된다.
일부 제조사에서는 일정 시간 전압과 가열을 통해 게이트 인가 전압에 의해 여기되어 불안정해진 valence band connection을 dangling bond (defect)로 안정화시키는 대책을 세우고 있다.
6. 응용 분야
6. 1. 디스플레이
TFT LCD는 액정표시장치 기술의 한 구현 방식이며, 2008년 기준으로 많은 컬러 LCD TV와 모니터에 사용된다. TFT 패널은 일반 방사선 사진에서 디지털 데이터 방사선 사진 응용 분야에 자주 사용되며, 의료 방사선 사진에서 영상 수용체의 기반으로 직접 및 간접 캡처에 모두 사용된다.[27] 2013년 기준으로 모든 최신 고해상도 및 고품질 전자식 시각 표시 장치는 TFT 기반 능동 매트릭스 디스플레이를 사용한다.[27]
AMOLED 디스플레이에도 개별 유기 발광 다이오드의 능동 매트릭스 픽셀 어드레싱을 위한 TFT 층이 포함되어 있다. TFT 기술의 가장 유익한 측면은 디스플레이의 각 픽셀에 대해 별도의 트랜지스터를 사용하는 것이다. 각 트랜지스터가 작기 때문에 제어하는 데 필요한 전하량도 적어 디스플레이를 매우 빠르게 다시 그릴 수 있다.
6. 2. 비(非) 디스플레이
TFT는 의료 방사선 사진에서 영상 수용체의 기반으로 직접 및 간접 캡처에 모두 사용된다.[27] 또한 컴퓨터 단층촬영에서 X선 영상 센서(평판 검출기:FPD)로도 사용된다.[52][53][54]
7. 역사
RCA의 존 월마크(J. Torkel Wallmark)는 1957년에 게이트 유전체로 산화 게르마늄을 사용한 박막 MOSFET에 대한 특허를 출원했다.[28] 1962년에는 RCA의 폴 K. 와이머(Paul K. Weimer)가 셀렌화 카드뮴과 황화 카드뮴의 박막을 이용하여 TFT를 개발했다.[29][30][31][32][33]
1968년, RCA 연구소의 버나드 J. 레크너(Bernard J. Lechner)는 TFT 기반 액정 표시 장치(LCD) 아이디어를 고안했다.[34] 1973년, 웨스팅하우스 연구소(Westinghouse Research Laboratories)의 T. 피터 브로디(T. Peter Brody) 연구팀은 CdSe(셀렌화 카드뮴) TFT를 개발하여 최초의 CdSe 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT LCD)를 만들었다.[31][36] 1974년에는 브로디와 방-천 루오(Fang-Chen Luo)가 CdSe를 사용한 최초의 평면 능동 매트릭스 액정 표시 장치(AM LCD)를 시연했고, 1975년에 "능동 매트릭스"라는 용어를 만들었다.[34]
1979년, 던디 대학교(University of Dundee)의 연구팀이 비정질 실리콘(a-Si) TFT를 개발하면서 TFT 연구의 돌파구가 마련되었다.[31][38] 이는 일본에서 a-Si TFT 기반 AM LCD 패널의 연구 개발(R&D)로 이어졌다.[39]
1982년까지 일본에서는 AM LCD 기술을 기반으로 한 주머니형 TV가 개발되었다.[40] 1984년, 엡손(Epson)은 최초의 상업용 TFT 기반 AM LCD 제품인 2.1인치 컬러 LCD 포켓 TV, ET-10(엡손 엘프(Epson Elf))을 출시했다.[41][42][43][37][44] 1988년, 샤프의 연구팀은 수소화 a-Si TFT를 사용하여 14인치 풀 컬러 LCD 디스플레이를 시연했다.[34][48]
인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO)로 만들어진 TFT-LCD는 2012년에 샤프가 처음으로 양산했다.[49][50]
8. 한국의 TFT 산업
한국은 TFT-LCD 및 AMOLED 디스플레이 산업의 선두 주자이며, 삼성 및 LG 등 대기업들이 세계 시장을 주도하고 있다. 또한 유연 디스플레이, 투명 디스플레이 등 차세대 디스플레이 기술 개발에도 적극적이다.
TFD 액정은 과거 미쓰비시, NEC, CASIO, 히타치, Kyocera 등 일본 기업 제품의 휴대전화 컬러 액정에 사용되었으나,[1] TFT 액정의 가격 하락으로 현재는 사용되지 않는다.[1]
참조
[1]
서적
Physics of Semiconductor Devices
https://onlinelibrar[...]
2006-04-10
[2]
논문
The physics of amorphous-silicon thin-film transistors
https://ieeexplore.i[...]
1989
[3]
논문
Dependence of single-crystalline Si TFT characteristics on the channel position inside a location-controlled grain
https://ieeexplore.i[...]
2005
[4]
논문
Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
https://iopscience.i[...]
2001-09-01
[5]
논문
Method for the determination of bulk and interface density of states in thin-film transistors
https://aip.scitatio[...]
2001-06-01
[6]
논문
The Thin Film Transistor - A Late Flowering Bloom
1984-11
[7]
논문
The birth and early childhood of active matrix - a personal memoir
1996
[8]
논문
Metal oxide semiconductor thin-film transistors for flexible electronics
https://aip.scitatio[...]
2016-06-01
[9]
논문
Tutorial: Organic field-effect transistors: Materials, structure and operation
https://aip.scitatio[...]
2018-08-17
[10]
논문
Carbon nanomaterials for electronics, optoelectronics, photovoltaics, and sensing
https://pubs.rsc.org[...]
2013-03-11
[11]
논문
Metal-Halide Perovskite Transistors for Printed Electronics: Challenges and Opportunities
https://onlinelibrar[...]
2017
[12]
논문
Solution-processable metal oxide semiconductors for thin-film transistor applications
https://pubs.rsc.org[...]
2013-07-22
[13]
논문
Inkjet printing of organic electronics – comparison of deposition techniques and state-of-the-art developments
https://pubs.rsc.org[...]
2013-02-14
[14]
논문
High-Performance Zinc Oxide Transistors and Circuits Fabricated by Spray Pyrolysis in Ambient Atmosphere
https://onlinelibrar[...]
2009
[15]
논문
The 2021 flexible and printed electronics roadmap
https://doi.org/10.1[...]
2021
[16]
서적
Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
https://www.springer[...]
Springer International Publishing
2013
[17]
논문
Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors
2010
[18]
논문
Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor
https://www.science.[...]
2003-05-23
[19]
웹사이트
OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor
http://oregonstate.e[...]
OSU News & Communication
2003-07-29
[20]
논문
Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature
2005-03
[21]
논문
High-Performance Flexible Hybrid Field-Effect Transistors Based on Cellulose Fiber Paper
http://run.unl.pt/bi[...]
2008-09
[22]
논문
39-3: ''Invited Paper:'' LTPO TFT Technology for AMOLEDs†
https://sid.onlineli[...]
2019
[23]
논문
P-1.1: A New Compensation Pixel Circuit with LTPO TFTS
https://sid.onlineli[...]
2019
[24]
논문
24-3: Complementary LTPO Technology, Pixel Circuits and Integrated Gate Drivers for AMOLED Displays Supporting Variable Refresh Rates
https://sid.onlineli[...]
2020
[25]
웹사이트
Advancements and Opportunities for Improvement
https://www.corning.[...]
[26]
서적
Advances in Semiconductor Technologies: Selected Topics Beyond Conventional CMOS
https://books.google[...]
John Wiley & Sons
2022-10-11
[27]
서적
Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
https://books.google[...]
Springer Science & Business Media
2013
[28]
서적
Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
https://books.google[...]
Springer
2010
[29]
논문
A HIGH-GAIN InAs THIN-FILM TRANSISTOR
1966-10
[30]
논문
The TFT A New Thin-Film Transistor
1962-06
[31]
논문
Thin Film Transistor Technology—Past, Present, and Future
https://www.electroc[...]
2013-01-01
[32]
서적
History of Semiconductor Engineering
Springer
2007
[33]
논문
Industrial Research in Microcircuitry at RCA: The Early Years, 1953–1963
[34]
논문
The Inventors of TFT Active-Matrix LCD Receive the 2011 IEEE Nishizawa Medal
2012
[35]
서적
Liquid Gold: The Story of Liquid Crystal Displays and the Creation of an Industry
https://books.google[...]
World Scientific
2005
[36]
논문
A 6 × 6 inch 20 lines-per-inch liquid-crystal display panel
1973-11-00
[37]
서적
Flat Panel Display Manufacturing
https://books.google[...]
Wiley
2018-00-00
[38]
논문
Amorphous-silicon field-effect device and possible application
1979-00-00
[39]
서적
Liquid Gold: The Story of Liquid Crystal Displays and the Creation of an Industry
https://books.google[...]
World Scientific
2005-00-00
[40]
논문
Current Status of LCD-TV Development in Japan
1982-10-12
[41]
특허
Thin-film transistor and its manufacturing method
https://patents.goog[...]
2003-06-17
[42]
특허
Thin film transistor
https://patents.goog[...]
2003-04-15
[43]
논문
Development of poly-Si TFT models for device simulation: In-plane trap model and thermionic emission model
https://jglobal.jst.[...]
2001-00-00
[44]
웹사이트
ET-10
https://global.epson[...]
2019-07-29
[45]
논문
SOI TFT's with directly contacted ITO
1986-00-00
[46]
논문
A large-area high-resolution active-matrix color LCD addressed by a-Si TFT's
1986-00-00
[47]
논문
A 640 × 400 pixel active-matrix LCD using a-Si TFT's
1986-00-00
[48]
논문
A 14-in.-diagonal full-color a-Si TFT LCD
1988-10-00
[49]
웹사이트
What Sharp's IGZO display technology will mean for the Nintendo Switch
https://arstechnica.[...]
2019-08-08
[50]
웹사이트
IGZO Display Technology - Sharp
https://www.sharpsma[...]
[51]
논문
A natively flexible 32-bit Arm microprocessor
2021-07-21
[52]
문서
TFTアレイを利用した医療用大面積 X 線ディテクタ
http://www.sharp.co.[...]
[53]
문서
新しいX線撮影システムの開発
http://www.kenkobunk[...]
[54]
문서
最新のX線画像撮影技術
http://homepage2.nif[...]
[55]
웹인용
박막 트랜지스터
https://terms.naver.[...]
2020-05-13
[56]
웹인용
박막트랜지스터
https://terms.naver.[...]
2020-05-13
본 사이트는 AI가 위키백과와 뉴스 기사,정부 간행물,학술 논문등을 바탕으로 정보를 가공하여 제공하는 백과사전형 서비스입니다.
모든 문서는 AI에 의해 자동 생성되며, CC BY-SA 4.0 라이선스에 따라 이용할 수 있습니다.
하지만, 위키백과나 뉴스 기사 자체에 오류, 부정확한 정보, 또는 가짜 뉴스가 포함될 수 있으며, AI는 이러한 내용을 완벽하게 걸러내지 못할 수 있습니다.
따라서 제공되는 정보에 일부 오류나 편향이 있을 수 있으므로, 중요한 정보는 반드시 다른 출처를 통해 교차 검증하시기 바랍니다.
문의하기 : help@durumis.com