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박영우

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1. 개요

박영우는 대한민국의 물리학자이다. 서울대학교에서 물리학을 전공하고 미국 펜실베이니아 대학교에서 박사 학위를 받았다. 1977년 전도성 고분자 최초 발견에 참여했으며, 서울대학교 교수를 역임했다. 주요 연구 분야는 전도성 고분자, 탄소 나노구조체, 초전도체 등이며, 고분자 나노섬유에서 영 자기 저항 발견으로 주목받았다. 대한물리학회 학술상, 미국 물리학회 펠로우, 대한민국 과학상 등을 수상했다.

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박영우 - [인물]에 관한 문서
기본 정보
박영우
이름박영우
한글박영우
한자!
로마자 표기Bak Yeong-u
출생 연도1952년
국적대한민국
학력
학사서울대학교
박사펜실베이니아 대학교
박사 지도교수앨런 J. 히거
경력 및 연구
분야물리학
소속서울대학교
주요 연구 분야전도성 고분자 합성 및 수송
탄소 나노튜브
유기 결정
강상관계 물질
주요 업적자기저항이 0인 플라스틱 나노 섬유 발견 서울대 물리학부 박영우 교수팀, 나노 플라스틱 섬유서 ‘자기저항 0’ 현상 첫 발견
가장 많은 전기전도도 값을 갖는 금속성 플라스틱 필름 발견
기존 플래시 메모리보다 처리 속도가 1,000배 더 빠른 마이크로 전자기계 소자 메모리 개발 플래시보다 1,000배 빠른 메모리 소자 개발
탄소나노튜브로 릴레이 스위치 제작
탄소나노튜브로 나노전자기계소자 개발
수상
수상 내역한국과학상 물리 부문 수상 (1991년 11월)
야곱&마르쿠스 발렌베리 형제 기념 재단 연구상 수상 (2008년 6월)
미국물리학회 펠로우 선정 (2009년 11월)
한국물리학회 학술상 (2010년 4월)

2. 학력 및 경력

연도구분내용
1975년학력서울대학교 물리학과 최우등 졸업
1980년학력미국 펜실베이니아 대학교 박사 학위 취득 (지도교수: 앨런 J. 히거, 논문: "순수 및 도핑된 폴리아세틸렌의 전기 수송 연구")
1977년경력펜실베이니아 대학교에서 앨런 J. 히거 교수 지도 하에 전도성 고분자 최초 발견에 참여[1]
1980년 2월-8월경력미국 박사후 과정[1]
1980년 9월경력서울대학교 조교수[1]
1984년-1985년경력캘리포니아 대학교 산타바바라 안식년[1]
1991년경력서울대학교 정교수[1]
1998년경력미국 플로리다주 탤러해시 국립 고자장 연구소 안식년[1]
1999년경력한국과학기술한림원(KAST) 회원[1]
2001년경력한국과학기술한림원(KAST) 종신회원, 대외 담당 이사 (2001–2003)[1]
2004년, 2008년 (각 3개월)경력슈투트가르트 막스 플랑크 고체 연구소 및 스웨덴 예테보리/Chalmers University 안식년[1]
2004년 12월경력스웨덴 예테보리 왕립 과학 및 예술 아카데미 외국인 회원[1]
연도 미상경력학술지 "Current Applied Physics" 편집장, 대한물리학회 부회장 역임[1]
2009년 11월경력미국 Fibron Technology, Inc. 과학 자문 위원회(SAB) 위원[1]
2011년 3월경력한국과학기술한림원 대외 담당 사무총장[1]


2. 1. 학력

박영우는 1975년 대한민국 서울대학교 물리학과를 최우등으로 졸업했다. 1980년 미국 펜실베이니아 대학교에서 박사 학위를 받았다. 박사 학위 논문은 앨런 J. 히거 교수의 지도 하에 작성된 "순수 및 도핑된 폴리아세틸렌의 전기 수송 연구"이다.

2. 2. 경력

박영우는 1977년 펜실베이니아 대학교에서 앨런 J. 히거(Alan J. Heeger) 교수의 지도하에 전도성 고분자의 최초 발견에 참여했다.[1] 이 업적으로 히거 교수는 2000년 앨런 G. 맥다이아미드(Alan G. MacDiarmid), 시라카와 히데키(Hideki Shirakawa) 교수와 함께 노벨 화학상을 수상했다.[1]

당시 히거 교수의 박사 과정 학생이었던 박영우는 요오드를 도핑한 폴리아세틸렌 필름의 전기 전도도를 측정하여 1000만 배의 전도도 증가를 발견했다.[1] 1980년 2월부터 8월까지 미국에서 박사후 과정을 마친 후,[1] 1980년 9월부터 서울대학교 조교수로 재직하면서 새롭게 도핑된 전도성 고분자 필름의 수송 특성을 연구해 왔다.[1]

1991년 서울대학교 정교수가 되었다.[1] 박영우는 안식년캘리포니아 대학교 산타바바라 (1984–1985), 미국 플로리다주 탤러해시에 있는 국립 고자장 연구소(National High Magnetic Field Laboratory) (1998), 슈투트가르트(Stuttgart, Germany)의 막스 플랑크 고체 연구소 (2004, 2008 각 3개월) 및 스웨덴 예테보리/Chalmers University (2004, 2008 각 3개월)에서 보냈다.[1]

그는 학술지 "Current Applied Physics"의 편집장으로 대한물리학회 부회장을 역임했다.[1] 1999년에는 한국과학기술한림원(KAST) 회원으로 선출되었고, 2001년에는 종신회원이 되었다.[1] 그는 한국과학기술한림원 대외 담당 이사 (2001–2003)를 역임했다.[1] 2011년 3월부터 한국과학기술한림원 대외 담당 사무총장으로 재직하고 있다.[1] 또한, 2004년 12월부터 스웨덴 예테보리 왕립 과학 및 예술 아카데미의 외국인 회원으로 활동하고 있다.[1] 2009년 11월부터 미국 Fibron Technology, Inc.의 과학 자문 위원회(SAB) 위원으로 활동하고 있다.[1]

3. 연구 업적

박영우는 펜실베이니아 대학교에서 앨런 J. 히거 교수 지도하에 전도성 고분자 최초 발견에 참여했다. 이 업적으로 히거 교수는 2000년 앨런 G. 맥다이아미드, 시라카와 히데키 교수와 함께 노벨 화학상을 수상했다.[1]

1980년 9월부터 서울대학교 조교수로 재직하면서 전도성 고분자, 탄소 나노튜브, 유기 전도체, 분자 전도체 및 그래핀의 합성 및 수송 연구를 진행했다. 특히 "고분자 나노섬유에서 영 자기 저항(Zero magneto resistance)" 발견은 그의 가장 중요하고 획기적인 업적으로 평가받는다.[1]

폴리아세틸렌 나노섬유에서 자기 저항이 0이 되는 현상은 준 1차원 나노섬유에서 고전계 하에서 스핀이 없는 전하 운반체의 터널링으로 인해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이러한 영 자기 저항 특성은 고속 자기 부상 열차를 안정화하는 데에 응용될 수 있다.[1]

그 외에도 전기 방사 CNT 충전 고분자 복합체[3], NiO 코어를 가진 동축 탄소 나노섬유[4], 그래핀 나노링[5], 과염소산염으로 도핑된 TTF-디아미드 나노섬유(이중 및 삼중 나선 구조)[6], CNT 기반 비휘발성 전자기계 메모리[7] 등도 연구했다.

3. 1. 전도성 고분자 연구

박영우는 1977년 펜실베이니아 대학교에서 앨런 J. 히거(Alan J. Heeger) 교수의 지도하에 전도성 고분자의 최초 발견에 참여했다. 이 업적으로 히거 교수는 2000년 앨런 G. 맥다이아미드(Alan G. MacDiarmid), 시라카와 히데키(Hideki Shirakawa) 교수와 함께 노벨 화학상을 수상했다.[1]

당시 히거 교수의 박사 과정 학생이었던 박영우는 요오드를 도핑한 폴리아세틸렌 필름의 전기 전도도를 측정하여 1000만 배의 전도도 증가를 발견했다. 1980년 2월부터 8월까지 미국에서 박사후 과정을 마친 후, 1980년 9월부터 서울대학교 조교수로 재직하면서 새롭게 도핑된 전도성 고분자 필름의 수송 특성을 연구해 왔다.[1]

박영우는 탄소 기반 나노구조체인 전도성 고분자, 탄소 나노튜브, 유기 전도체, 분자 전도체 및 그래핀의 합성 및 수송 연구에 독창적인 기여를 했다. 그는 또한 고온 초전도체와 같은 고도로 상관된 물질의 수송 및 메커니즘 연구에도 크게 기여했다. 특히, 최근 "고분자 나노섬유에서 영 자기 저항(Zero magneto resistance)" 발견은 그의 가장 중요하고 획기적인 업적으로 평가받는다.[1]

이러한 물질은 재료 과학 역사상 보고된 적이 없다.[2] 고분자 나노섬유의 준 1차원적 특성, 즉 축소된 차원에서 궤도 운동이 소멸되기 때문에 전하 운반체의 고유 스핀은 외부장에 반응한다. 이러한 이유로, 자기 저항(MR)을 측정하여 궤도 운동에 지배되지 않는 전하 운반체의 스핀과 전하를 모두 탐지할 수 있다. MR은 고전계에서 사라지며, 폴리아세틸렌 나노섬유에서 H = 0에서 35 테슬라까지 0을 유지한다.[1]

폴리아닐린 나노섬유 및 폴리싸이오펜 나노섬유와 같은 다른 전도성 고분자는 영 MR을 나타내지 않는다. 대신, 자기장이 35 테슬라로 증가함에 따라 50% 이상 증가하는 양의 MR을 나타낸다. 폴리아세틸렌 나노섬유의 영 자기 저항은 준 1차원 나노섬유에서 고전계 하에서 스핀이 없는 전하 운반체의 터널링으로 인해 발생하는 것으로 이해된다.[1]

고분자 나노섬유의 영 MR 특성은 엄청난 응용 가능성을 가지고 있다. 예를 들어, 고분자 나노섬유로 만든 영 MR 스위칭 장치를 사용하여 고속 자기 부상 열차를 안정화할 수 있다.[1]

그 외에도, 전기 방사 CNT 충전 고분자 복합체[3], NiO 코어를 가진 동축 탄소 나노섬유[4], 그래핀 나노링[5], 과염소산염으로 도핑된 TTF-디아미드 나노섬유(이중 및 삼중 나선 구조)[6], CNT 기반 비휘발성 전자기계 메모리[7] 등이 연구되었다. 특히 CNT 기반 비휘발성 MEMS 메모리는 1000배 빠른 스위칭 속도를 달성했으며, MP3, 스마트폰, 카메라에 적용 가능하며 매우 낮은 전력 소비와 다진법 비트 장치를 구현할 수 있다.[8]

3. 2. 탄소 나노구조체 연구

박영우는 탄소 기반 나노구조체인 전도성 고분자, 탄소 나노튜브, 유기 전도체, 분자 전도체 및 그래핀의 합성 및 수송 연구에 독창적인 기여를 했다. 또한 고온 초전도체와 같은 고도로 상관된 물질의 수송 및 메커니즘 연구에도 크게 기여했다.[1] 특히, "고분자 나노섬유에서 영 자기 저항(Zero magneto resistance)" 발견은 그의 가장 중요하고 획기적인 업적으로 평가받는다.

이러한 물질은 재료 과학 역사상 보고된 적이 없다.[2] 고분자 나노섬유의 준 1차원적 특성, 즉 축소된 차원에서 궤도 운동이 소멸되기 때문에 전하 운반체의 고유 스핀은 외부장에 반응한다. 이러한 이유로, 자기 저항(MR)을 측정하여 궤도 운동에 지배되지 않는 전하 운반체의 스핀과 전하를 모두 탐지할 수 있다. MR은 고전계에서 사라지며, 폴리아세틸렌 나노섬유에서 H = 0에서 35 테슬라까지 0을 유지한다.

폴리아닐린 나노섬유 및 폴리싸이오펜 나노섬유와 같은 다른 전도성 고분자는 영 MR을 나타내지 않는다. 대신, 자기장이 35 테슬라로 증가함에 따라 50% 이상 증가하는 양의 MR을 나타낸다. 폴리아세틸렌 나노섬유의 영 자기 저항은 준 1차원 나노섬유에서 고전계 하에서 스핀이 없는 전하 운반체의 터널링으로 인해 발생하는 것으로 이해된다.

고분자 나노섬유의 영 MR 특성은 엄청난 응용 가능성을 가지고 있다. 예를 들어, 고분자 나노섬유로 만든 영 MR 스위칭 장치를 사용하여 고속 자기 부상 열차를 안정화할 수 있다.

그 외에도, 전기 방사 CNT 충전 고분자 복합체[3], NiO 코어를 가진 동축 탄소 나노섬유[4], 그래핀 나노링[5], 과염소산염으로 도핑된 TTF-디아미드 나노섬유(이중 및 삼중 나선 구조)[6], CNT 기반 비휘발성 전자기계 메모리[7] 등이 연구되었다. 특히 CNT 기반 비휘발성 MEMS 메모리는 1000배 빠른 스위칭 속도를 달성했으며, MP3, 스마트폰, 카메라에 적용 가능하며 매우 낮은 전력 소비와 다진법 비트 장치를 구현할 수 있다.[8]

3. 3. 영 자기 저항 (Zero Magneto-Resistance) 발견

박영우는 탄소 기반 나노구조체인 전도성 고분자, 탄소 나노튜브, 유기 전도체, 분자 전도체 및 그래핀의 합성 및 수송 연구에 독창적인 기여를 했다. 그는 또한 고온 초전도체와 같은 고도로 상관된 물질의 수송 및 메커니즘 연구에도 크게 기여했다. 특히, 최근 "고분자 나노섬유에서 영 자기 저항(Zero magneto resistance)" 발견은 그의 가장 중요하고 획기적인 업적으로 평가받는다.[1][2]

이러한 물질은 재료 과학 역사상 보고된 적이 없다. 고분자 나노섬유의 준 1차원적 특성, 즉 축소된 차원에서 궤도 운동이 소멸되기 때문에 전하 운반체의 고유 스핀은 외부장에 반응한다. 이러한 이유로, 자기 저항(MR)을 측정하여 궤도 운동에 지배되지 않는 전하 운반체의 스핀과 전하를 모두 탐지할 수 있다. 자기 저항은 고전계에서 사라지며, 폴리아세틸렌 나노섬유에서 H = 0에서 35 테슬라까지 0을 유지한다.

폴리아닐린 나노섬유 및 폴리싸이오펜 나노섬유와 같은 다른 전도성 고분자는 영 자기 저항을 나타내지 않는다. 대신, 자기장이 35 테슬라로 증가함에 따라 50% 이상 증가하는 양의 자기 저항을 나타낸다. 폴리아세틸렌 나노섬유의 영 자기 저항은 준 1차원 나노섬유에서 고전계 하에서 스핀이 없는 전하 운반체의 터널링으로 인해 발생하는 것으로 이해된다.

고분자 나노섬유의 영 자기 저항 특성은 엄청난 응용 가능성을 가지고 있다. 예를 들어, 고분자 나노섬유로 만든 영 자기 저항 스위칭 장치를 사용하여 고속 자기 부상 열차를 안정화할 수 있다.

3. 4. 기타 연구

박영우는 탄소 기반 나노구조체인 전도성 고분자, 탄소 나노튜브, 유기 전도체, 분자 전도체 및 그래핀의 합성 및 수송 연구에 독창적인 기여를 했다. 그는 또한 고온 초전도체와 같은 고도로 상관된 물질의 수송 및 메커니즘 연구에도 크게 기여했다. 특히, 최근 "고분자 나노섬유에서 영 자기 저항(Zero magneto resistance)" 발견은 그의 가장 중요하고 획기적인 업적으로 평가받는다.[1][2]

이러한 물질은 재료 과학 역사상 보고된 적이 없다. 고분자 나노섬유의 준 1차원적 특성, 즉 축소된 차원에서 궤도 운동이 소멸되기 때문에 전하 운반체의 고유 스핀은 외부장에 반응한다. 이러한 이유로, 자기 저항(MR)을 측정하여 궤도 운동에 지배되지 않는 전하 운반체의 스핀과 전하를 모두 탐지할 수 있다. MR은 고전계에서 사라지며, 폴리아세틸렌 나노섬유에서 H = 0에서 35 테슬라까지 0을 유지한다.

폴리아닐린 나노섬유 및 폴리싸이오펜 나노섬유와 같은 다른 전도성 고분자는 영 MR을 나타내지 않는다. 대신, 자기장이 35 테슬라로 증가함에 따라 50% 이상 증가하는 양의 MR을 나타낸다. 폴리아세틸렌 나노섬유의 영 자기 저항은 준 1차원 나노섬유에서 고전계 하에서 스핀이 없는 전하 운반체의 터널링으로 인해 발생하는 것으로 이해된다.

고분자 나노섬유의 영 MR 특성은 엄청난 응용 가능성을 가지고 있다. 예를 들어, 고분자 나노섬유로 만든 영 MR 스위칭 장치를 사용하여 고속 자기 부상 열차를 안정화할 수 있다.

그 외에도, 전기 방사 CNT 충전 고분자 복합체[3], NiO 코어를 가진 동축 탄소 나노섬유[4], 그래핀 나노링[5], 과염소산염으로 도핑된 TTF-디아미드 나노섬유(이중 및 삼중 나선 구조)[6], CNT 기반 비휘발성 전자기계 메모리[7] 등이 연구되었다. 특히 CNT 기반 비휘발성 MEMS 메모리는 1000배 빠른 스위칭 속도를 달성했으며, MP3, 스마트폰, 카메라에 적용 가능하며 매우 낮은 전력 소비와 다진법 비트 장치를 구현할 수 있다.[8]

4. 수상 내역

연도수상 내역
2010대한물리학회 학술상
2009미국 물리학회 펠로우 (응집 물질 물리 분과)
2008스웨덴 왕립 과학 아카데미(KVA) 관리 야곱과 마르쿠스 발렌베리 형제 기념 재단 연구상
2007서울대학교 자연과학대학 연구상
2007한국과학재단 선정 최우수 논문 50편
2004대한민국 과학기술부 장관 수여 "나노 연구 혁신 대상"
1991한국과학재단 수여 대한민국 과학상(대통령상)


참조

[1] 논문 A. Choi, H. J. Lee, A. B. Kaiser, S. H. Jhang, S. H. Lee, J. S. Yoo, K. H. S., Y. W. Nam, S. J. Park, H. N. Yoo, A. N. Aleshin, M. Goh, K. Akagi, R. B. Kaner, J. S. Brooks, J. Svensson, S. A. Brazovskii, N. N. Kirova and Y. W. Park, Synthetic Metals, 160, 1349 2010
[2] 논문 Y. W. Park, Chemical Society Reviews, 39, 2428 2010
[3] 논문 B. Sundaray, A. Choi and Y. W. Park, Synthetic Metals, 160, 984 (cover paper) 2010
[4] 논문 B. Sundaray, A. Choi, J. S. Kim and Y. W. Park (to be published)
[5] 논문 J. S. Yoo, V. Skakalova, S. Roth and Y. W. Park, Appl. Phys. Lett. 96, 143112 2010
[6] 논문 S. J. Ahn, Y. K. Kim, S. J. Baek, S. Ishimoto, H. Enozawa, E. Isomura, M. Hasegawa, M. Iyoda, and Y. W. Park, J. Mater. Chem. 20, 10817 (cover paper) 2010
[7] 논문 S. W. Lee, S. J. Park, E. E. B. Campbell and Y. W. Park, Nature Commun. 2:220 2011
[8] 뉴스 BBC News 2011-03-27
[9] 뉴스 서울대 물리학부 박영우 교수팀, 나노 플라스틱 섬유서 ‘자기저항 0’ 현상 첫 발견 http://news.kukinews[...] 쿠키뉴스 2010-06-27
[10] 뉴스 플래시보다 1,000배 빠른 메모리 소자 개발 http://economy.hanko[...] 쿠키뉴스 2011-03-02
[11] 뉴스 경이로운 ‘플라스틱’의 변신 http://news.donga.co[...] 동아일보 2011-04-15



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