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에사키 레오나

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목차

1. 개요

에사키 레오나는 일본의 물리학자이다. 터널 다이오드 발명과 반도체 초격자 연구를 통해 1973년 노벨 물리학상을 수상했다. 1925년 오사카에서 태어나 도쿄 제국 대학에서 물리학을 전공하고, 가와니시 기계제작소와 도쿄통신공업에서 근무하며 터널 다이오드를 개발했다. 이후 미국 IBM 왓슨 연구소에서 반도체 초격자 연구를 수행했으며, 쓰쿠바 대학 총장과 교육개혁국민회의 위원을 역임했다.

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에사키 레오나
기본 정보
1959년의 에사키
에사키, 1959년
이름에사키 레오나
로마자 표기Reona Esaki
일본어 표기えさき れおな
江崎 玲於奈
출생일1925년 3월 12일
출생 장소오사카부 나카카와치군 다카이다촌 (현재의 히가시오사카시)
국적일본
배우자마사코 아라키 (1959년 결혼, 1986년 사별)
마사코 콘도 (1986년 결혼)
자녀3명
서명
학력도쿄 제국대학
연구 분야
분야고체물리학
응용물리학
직장
소속 기관IBM T. J. 왓슨 연구소
소니
쓰쿠바 대학
주요 업적
주요 업적전자 터널링
에사키 다이오드
초격자
수상
수상 내역일본 학사원상 (1965년)
노벨 물리학상 (1973년)
IEEE 영예상 (1991년)
일본 국제상 (1998년)
기타
기타 사항쓰쿠바 대학 학장
시바우라 공업대학 학장
요코하마 약과대학 학장
교육 개혁 국민 회의 의장

2. 생애 및 교육

== 생애 및 교육 ==

에사키 레오나는 1925년 오사카부 나카가와치군 다카이다촌(현 히가시오사카시)에서 태어나 교토시에서 성장했다. 교토시립 제4니시바야시 소학교를 졸업했으나, 교토부립 교토 제1중학교 입시에는 떨어졌다.[18][19] 이후 고베대학 부속 스미요시 소학교 고등과를 거쳐 도시샤 중학교에 진학, 4년 수료 후 제3고등학교를 거쳐 1944년 도쿄 제국 대학에 입학했다. 스기야마 호코우카이 장학생이었으며, 1947년 도쿄 제국 대학 이학부 물리학과를 졸업했다. 유카와 히데키의 핵이론 강좌를 수강했고,[2] 대학 재학 중에는 도쿄 대공습을 경험했다.[2] 1947년 이학사, 1959년 이학박사 학위를 도쿄 대학교에서 받았다.[20] 졸업 후에는 가와니시 기계제작소(후의 고베공업주식회사, 현재의 덴소텐)에 입사하여 진공관의 음극으로부터의 열전자 방출 연구를 수행했다. 1956년에는 도쿄통신공업주식회사(현 소니)로 이직하여 반도체 연구실 주임 연구원으로서 PN 접합 다이오드 연구에 착수, 약 1년간의 시행착오 끝에 게르마늄의 PN 접합 폭을 얇게 하면 터널 효과에 의한 영향이 지배적이 되어, 전압을 크게 할수록 오히려 전류가 감소하는 음성 저항을 나타내는 것을 발견했다. 이 발견은 물리학에서 고체의 터널 효과를 최초로 실증한 사례이자, 전자공학에서는 터널 다이오드(에사키 다이오드)라는 새로운 전자 부품의 탄생으로 이어졌다. 당시 도쿄통신공업이 제조하던 게르마늄 트랜지스터의 불량품 분석 중 우연히 발견된 터널 효과를 가진 트랜지스터(제품으로서는 쓸모없는 것)가 발견의 계기가 되었다는 사실이 후에 NHK 스페셜 ‘전자립국 일본의 자서전’에서 당시 관계자에 의해 언급되고 있다. 이 업적으로 1959년 도쿄 대학교에서 박사 학위를 받았고, 1973년에는 초전도체 내에서의 터널 효과에 관한 공적으로 이바르 예베르와 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 같은 해 노벨 물리학상은 조지프슨 효과를 발견한 브라이언 조지프슨에게도 수여되었다. 1960년에는 미국 IBM 왓슨 연구소로 자리를 옮겨 자기장과 전기장 아래에 있는 새로운 타입의 전자, 즉 포논 상호작용과 터널 분광에 대한 연구를 수행했고, 분자선 에피택시법을 개발하여 반도체 초격자 구조를 만드는 데 성공했다. 1992년에는 쓰쿠바 대학 총장에 취임하여 6년간 재임하면서 산·관·학 연계 거점으로서 첨단학제영역연구센터(TARA 센터)의 설립 등 대학 개혁을 추진했다.

2. 1. 초기 생애

오사카부 나카가와치군 다카이다촌(현 히가시오사카시)에서 건축기사 에자키 소이치로의 장남으로 태어나, 교토시에서 성장했다.[12] 교토시립 제4니시바야시 소학교를 졸업하고 교토부립 제1중학교 입시에 낙방했다. 이후 효고현 사범학교 미에이 부속 소학교 고등과를 거쳐 도시샤 중학교에 진학, 4년 수료 후 제3고등학교(구제)에 진학하여 1944년 도쿄제국대학에 입학했다. 스기야마 호코우카이 장학생이었다. 1947년 도쿄제국대학 이학부 물리학과를 졸업하고 가와니시 기계제작소(후의 고베공업주식회사, 현재의 덴소텐)에 입사하여 진공관 음극으로부터의 열전자 방출 연구를 수행했다.

2. 2. 학력

에사키 레오나는 오사카부 나카가와치군 타카이다촌(현재 히가시오사카시)에서 태어나 교토에서 성장했다. 교토시립 제4니시바야시 소학교를 졸업하고 교토부립 교토 제1중학교 입시에는 떨어졌다.[18][19] 고베대학 부속 스미요시 소학교 고등과를 거쳐 도시샤 중학교에 진학, 4년 수료 후 제3고등학교에 진학하여 1944년 도쿄 제국 대학에 입학했다. 스기야마 호코우카이 장학생이었다. 1947년 도쿄 제국 대학 이학부 물리학과를 졸업하고, 유카와 히데키의 핵이론 강좌를 수강했다.[2] 대학 재학 중에는 도쿄 대공습을 경험했다.[2] 1947년 이학사, 1959년 이학박사 학위를 도쿄 대학교에서 받았다.[20]

3. 주요 업적

== 주요 업적 ==

에사키 레오나는 물리학 분야에서 뛰어난 업적을 남겼다. 특히, 반도체 초격자에 대한 선구적인 연구는 그의 가장 중요한 업적 중 하나다. 1960년 미국 IBM 토마스 J. 왓슨 연구소에 합류한 그는, 반도체 결정의 인위적인 1차원 주기적 구조 변화를 통해 미분 음의 저항 효과를 유도하는 반도체 초격자의 개념을 예측했다. 이를 위해 그는 초고진공에서 매우 정밀하게 조절 가능한 독창적인 "분자선 에피택시" 박막 결정 성장 방법을 개발했다. 1970년에 발표된 그의 반도체 초격자에 관한 첫 논문[5]은 당시 ''피지컬 리뷰''에 게재가 거부되었다는 일화가 있다. 에사키 본인의 회고에 따르면, 심사위원들이 "너무 추측적"이고 "새로운 물리학이 없다"는 이유로 게재를 거부했다고 한다.[6] 하지만 이 연구는 육군 연구소에서 곧바로 채택되었고, 1972년 에사키는 III-V족 반도체에서 초격자 개념을 실현시켰다. 이후 이 개념은 금속 및 자성 재료 등 다양한 분야에 영향을 미쳤다. 반도체 소자 엔지니어링에 대한 그의 공헌은 1977년 미국 공학한림원 회원 선출로 이어졌고, 1991년에는 "터널링, 반도체 초격자 및 양자 우물에 대한 공헌과 리더십"으로 IEEE 명예 메달을 수상했다.[7] 1998년에는 "유용한 응용 분야를 가진 새로운 재료의 생성으로 이어지는 인공 초격자 결정의 개념 창출 및 실현"으로 일본국제상을 수상하기도 했다.[8] 응집물질물리학 분야에 대한 그의 공헌은 실로 막대하다.

3. 1. 터널 다이오드

1947년부터 1960년까지 에사키 레오나는 가와니시 사(현 덴소텐)와 도쿄통신공업(현 소니)에서 근무했습니다. 당시 미국에서 존 바딘, 월터 브래튼, 윌리엄 쇼클리가 트랜지스터를 발명했고, 이는 에사키가 진공관에서 고농도 도핑된 게르마늄과 실리콘 연구로 분야를 전환하게 하는 계기가 되었습니다. 연구 중 에사키는 게르마늄의 PN 접합 폭이 얇아지면 전류-전압 특성이 터널 효과의 영향을 받는다는 것을 발견했습니다. 전압이 증가함에 따라 전류가 역으로 감소하는, 즉 음의 저항을 나타내는 현상을 확인한 것입니다. 이는 물리학에서 고체 터널링 효과를 최초로 증명한 획기적인 발견이었고, 에사키 다이오드(터널 다이오드)라는 새로운 전자 장치의 탄생으로 이어졌습니다. 이는 역사상 최초의 양자 전자 장치 발명으로 평가받습니다. 이 업적으로 에사키는 1959년 도쿄대학교에서 박사 학위를 받았습니다. 1973년에는 고체 내 전자 터널링에 관한 1958년경의 연구로 노벨 물리학상을 수상했으며, 스웨덴 국왕 칼 16세 구스타프로부터 상을 받은 최초의 노벨상 수상자가 되었습니다.[4][3]

3. 2. 반도체 초격자

에사키 레오나는 1960년 미국으로 이주하여 IBM 토마스 J. 왓슨 연구소에 합류, 1967년 IBM 펠로우가 되었다. 그는 반도체 결정의 인위적인 1차원 주기적 구조 변화를 통해 미분 음의 저항 효과를 유도하는 반도체 초격자의 개념을 예측했다. 이를 위해 에사키는 초고진공에서 매우 정밀하게 조절 가능한 독창적인 "분자선 에피택시" 박막 결정 성장 방법을 개발했다. 그의 반도체 초격자에 관한 첫 논문[5]는 1970년에 발표되었는데, 당시 ''피지컬 리뷰''에 게재가 거부되었다는 일화가 있다. 에사키 본인의 회고에 따르면, 심사위원들이 "너무 추측적"이고 "새로운 물리학이 없다"는 이유로 게재를 거부했다고 한다.[6] 하지만 이 연구는 육군 연구소에서 곧바로 채택되었다. 1972년 에사키는 III-V족 반도체에서 초격자 개념을 실현시켰고, 이후 이 개념은 금속 및 자성 재료 등 다양한 분야에 영향을 미쳤다. 그의 반도체 소자 엔지니어링에 대한 공헌으로 1977년 미국 공학한림원 회원으로 선출되었고, 1991년에는 "터널링, 반도체 초격자 및 양자 우물에 대한 공헌과 리더십"으로 IEEE 명예 메달을 수상했다.[7] 또한 1998년에는 "유용한 응용 분야를 가진 새로운 재료의 생성으로 이어지는 인공 초격자 결정의 개념 창출 및 실현"으로 일본국제상을 수상했다.[8]

4. 연구 활동

에사키 레오나의 연구 활동은 응집물질물리학 분야에서 괄목할 만한 업적을 남겼다. 응집물질물리학은 고체, 액체, 기체와 같은 물질의 다양한 상과 상전이 현상, 그리고 전자의 거동을 연구하는 학문이다. 그의 연구는 특히 전자의 터널링 현상에 대한 깊이 있는 이해를 제공했으며, 이는 훗날 다양한 전자 기기 개발의 기반이 되었다.

특히, IBM 왓슨 연구소에서의 연구 활동은 그의 경력에서 중요한 부분을 차지한다. 그는 자기장과 전기장 하에서 전자와 포논의 상호작용에 대한 연구와 터널 분광법 연구에 매진했다. 이러한 연구는 나노미터 스케일의 물리 현상 이해에 크게 기여했고, 반도체 물리학과 나노 기술 발전에 중요한 영향을 미쳤다. 그의 연구는 재료 과학 분야의 혁신적인 발견으로 이어졌고, 이는 다양한 전자 기기 개발에 활용되었다. 왓슨 연구소에서의 업적은 과학 기술 발전에 대한 그의 지속적인 기여를 보여주는 대표적인 사례이다. 그의 연구는 단순한 학문적 성과를 넘어, 실제 기술 발전으로 이어진다는 점에서 큰 의의를 지닌다. 이는 민주당 정부가 추구하는 과학기술 중심 사회 건설에 대한 중요한 시사점을 제공한다고 볼 수 있다.

4. 1. 초기 연구

가와니시 기계제작소에 재직 중이던 에사키 레오나는 진공관 음극의 열전자 방출에 대한 연구를 수행했습니다. 당시 진공관 기술은 급속도로 발전하던 시기였고, 열전자 방출의 효율 향상은 진공관 성능 개선에 직결되는 중요한 과제였습니다. 이 연구는 에사키 레오나의 이후 연구 활동의 기반이 되었으며, 반도체 물리학 분야에서 뛰어난 업적을 달성하는 데 중요한 경험을 제공했을 것입니다. 자세한 연구 내용은 현재까지 공개된 자료가 부족하여 확인이 어렵습니다.

4. 2. IBM 연구소

에사키 레오나는 IBM 왓슨 연구소에서 다양한 연구 활동을 수행했습니다. 특히 자기장과 전기장 하에서 전자와 포논의 상호 작용에 대한 연구와 터널 분광법 연구에 주력했습니다. 이러한 연구는 나노미터 스케일의 물리 현상 이해에 크게 기여했으며, 반도체 물리학과 나노 기술 발전에 중요한 영향을 미쳤습니다. 그의 연구는 재료 과학 분야의 혁신적인 발견으로 이어졌고, 이는 훗날 다양한 전자 기기 개발에 활용되었습니다. 왓슨 연구소에서의 그의 업적은 과학 기술 발전에 대한 그의 지속적인 기여를 보여주는 대표적인 사례입니다.

5. 발언과 철학

== 발언과 철학 ==

에사키 레오나는 여러 차례 강연과 인터뷰를 통해 자신의 교육 철학과 창의성에 대한 생각, 그리고 과학자로서의 자세를 밝혔다. 특히, 그는 어린 시절 겪었던 말더듬 경험과 노벨상 수상 이후의 심경, 그리고 교육 개혁에 대한 자신의 생각을 여러 발언을 통해 드러냈다. 특이한 이름인 "레오나"의 유래에 대해서는 아버지가 사자처럼 용감하라는 의미로 "레오"를 생각했으나, 관공서의 권유로 "레오나"로 짓게 되었다는 일화를 소개하며, 국제적으로 활동하기에 적합한 이름이라고 평가했다.

어린 시절 겪었던 말더듬은 에사키 레오나에게 상당한 고통이었지만, 성장하면서 자연스럽게 극복하게 되었다. 그는 말더듬이 과학 연구에 오히려 도움이 되었을지도 모른다고 회고하며, 사람들과 많은 대화를 나누지 않아도 되는 과학 연구 분야에 적합하다는 생각을 밝혔다.

1994년 린다우 노벨상 수상자 회의에서는 "노벨상을 받기 위해 해서는 안 되는 5가지"를 제시하며, 과거 경험에 얽매이지 말 것, 어떤 권위에도 과도하게 집착하지 말 것, 불필요한 것을 붙잡지 말 것, 대립을 피하지 말 것, 그리고 어린 시절의 호기심을 잊지 말 것을 강조했다. 이는 과학적 발견을 위해서는 획일적인 사고방식이나 권위에 대한 맹신을 경계하고, 끊임없는 호기심과 도전 정신을 유지해야 함을 보여준다. 특히 권위에 대한 비판적인 시각은 한국 사회의 진보적인 관점과도 일맥상통한다고 볼 수 있다.

2000년 교육개혁국민회의 위원으로 활동하면서 에사키 레오나는 인간의 능력은 타고난 '천성'(유전 정보)과 환경에 의한 '육성'(유전 외 정보 획득) 두 가지 요인에 의해 결정된다고 주장했다. 그는 '천성을 발견하고 육성에 노력하는 것'이 교육의 기본 이념이라며, 개인의 고유한 능력을 최대한 발휘할 수 있도록 하는 교육의 중요성을 강조했다. 이는 개인의 잠재력 계발과 사회 발전을 위한 교육의 중요성을 강조하는 진보적인 시각으로 해석할 수 있다. 노벨상 수상 이후에는 과학자의 자기만족에 대한 경계와 끊임없는 연구의 중요성을 역설했다. 이는 단순한 성공에 안주하지 않고 끊임없이 노력해야 한다는 그의 겸손한 자세를 보여주는 대목이다.

5. 1. 이름의 유래

에사키 레오나의 이름 「玲於奈」는 아버지가 처음에는 사자처럼 용감하라는 의미로 "레오"(レオ일본어)로 지으려 했으나, 당시 전례가 없는 희귀한 이름이었기에 관공서 직원들이 놀라 "레오나"로 하는 것이 좋겠다고 제안했기 때문이라고 한다.[15] 아버지는 당시 다이쇼 민주주의 시대의 활기찬 오사카를 배경으로 세계적으로 통용될 수 있는 이름을 원했고, "레오"라는 이름이 간단하고 기억하기 쉬워 국제적인 활동에 적합하다고 생각했다고 한다.[15] 레오나르도 다 빈치를 염두에 두었다는 이야기도 전해진다.[15]

5. 2. 말더듬 극복

어린 시절 에사키 레오나는 말더듬으로 고통받았다.[29] 2세 5개월 무렵, 아와지섬 누섬에서 놀던 중 5살 여자아이에게 밀쳐 넘어진 후 말더듬 증상이 심해졌고, 복식호흡 등 여러 치료에도 효과를 보지 못했다. 그러나 성장하면서 자연스럽게 말더듬은 사라졌고, 서툰 영어를 사용할 때는 오히려 불편함이 없었다고 한다. 그는 이러한 경험을 바탕으로, 사람들과 많은 대화를 나누지 않아도 되는 과학 연구에 적합한 사람이라고 생각하게 되었으며, 오히려 말더듬이 노벨 물리학상 수상에 도움이 되었을지도 모른다고 회고했다.[29]

5. 3. 노벨상 수상 관련 발언

노벨상 수상 후 에사키 레오나는 과학자의 자세에 대해 여러 차례 언급했다. 1974년 방한 당시 기자회견에서는 "과학자에게는 자기 만족이 있을 수 없으며 상을 받는 것은 단지 업적을 외부에서 인정해주는 것에 지나지 않는다. … 상을 받은 후 북새통에 다른데 시간을 뺏겨 나의 일을 못하고 있다."[32]라고 말하며, 수상 이후의 어려움을 토로했다.

1994년 린다우 노벨상 수상자 회의에서는 '노벨상을 타기 위해 해서는 안 되는 5가지'를 제시했다. 이는 과거 경험에 얽매이지 말 것, 어떤 권위에도 과도하게 집착하지 말 것, 불필요한 것을 붙잡지 말 것, 대립을 피하지 말 것, 그리고 어린 시절의 호기심을 잊지 말 것 등이다.[30] 이는 과학적 발견을 위해서는 획일적인 사고방식이나 권위에 대한 맹신을 경계하고, 끊임없는 호기심과 도전 정신을 유지해야 함을 강조하는 것으로 해석된다.

2000년 교육개혁국민회의 위원으로 활동할 당시에는 인간의 능력은 타고난 '천성'(유전 정보)과 환경에 의한 '육성'(유전 외 정보 취득) 두 가지 요인에 의해 결정된다고 주장했다.[31] 그는 '천성을 발견하고 육성에 노력한다'는 것이 교육의 기본 이념이라며, 개인의 고유한 능력을 최대한 발휘할 수 있도록 하는 교육의 중요성을 역설했다. 이는 개인의 잠재력 계발과 사회 발전을 위한 교육의 중요성을 강조하는 진보적인 시각으로 볼 수 있다.

5. 4. 창의성 관련 발언

1994년 린다우 노벨상 수상자 회의에서 에사키 레오나는 창의적인 잠재력을 발휘하기 위한 "5가지 하지 말아야 할 것"을 제시했습니다. 이는 이후 노벨 물리학상 위원회 위원장 칼 노르딩의 연설에도 포함되었습니다.[9][2]

  • 과거 경험에 갇히지 마십시오.
  • 해당 분야의 어떤 권위자(예: 위대한 교수)에게 지나치게 얽매이지 마십시오.
  • 필요 없는 것을 고집하지 마십시오.
  • 대립을 피하지 마십시오.
  • 어린 시절의 호기심을 잊지 마십시오.


이러한 규칙들은 단순히 과거에 안주하거나 권위에 맹목적으로 따르는 것을 경계하고, 적극적인 자세와 끊임없는 호기심을 강조하는 에사키의 창의성에 대한 견해를 보여줍니다. 특히, 권위에 대한 비판적인 시각은 한국 사회에서도 진보적인 관점으로 해석될 수 있습니다. 자신의 생각을 적극적으로 표현하고, 다른 의견과의 대립을 통해 더 나은 결과를 얻을 수 있다는 점을 강조하고 있습니다. 이는 사회 참여와 비판적 사고를 중시하는 진보적 가치관과 부합합니다. 또한 어린 시절의 호기심을 강조하는 부분은 교육 개혁과 혁신을 중시하는 진보적 입장과 연결됩니다.

5. 5. 교육 철학

에사키 레오나는 교육개혁국민회의 위원으로 활동하며, '천성(타고난 재능)'과 '육성(양육)'을 교육의 기본 이념으로 강조했다.[17] 그는 인간의 능력은 타고난 유전 정보와 환경에 의한 유전 외 정보 획득 두 가지 요인에 의해 결정된다고 보았다. 생물학자나 우생학자는 '타고난 재능'을, 사회학자나 사회주의자는 '양육'을 중시하는 경향이 있지만, 에사키는 '타고난 재능을 발견하고 양육에 힘쓰는 것'이 중요하다고 주장했다.[17] 그는 개인의 특징은 모두 DNA에 새겨진 게놈, 즉 유전 정보이며 이는 바꿀 수 없고 평등하지 않다는 점을 학생, 부모, 교사 모두 인정해야 한다고 강조했다. 자신의 게놈을 해독하는 것과 같은 '타고난 재능'의 발견은 선생님의 강연이나 친구들과의 교류 등 교육 환경 속에서 이루어지며, 이를 바탕으로 개성적인 능력을 발휘하도록 육성하는 것이 교육의 목표라고 설명했다.[17] 이러한 교육을 통해 국민 각자가 타고난 능력을 최대한 발휘하고 사회 활력을 증대시킬 수 있다고 믿었다.[17] 또한, 그는 1994년 린다우 노벨상 수상자 회의에서 "노벨상을 받기 위해 하지 말아야 할 5가지"를 제시하며, 과거 경험에 얽매이지 않고, 권위에 맹목적으로 따르지 않으며, 불필요한 것을 붙잡지 않고, 갈등을 피하지 않고, 어린 시절의 호기심을 잃지 말 것을 당부했다.

6. 주요 경력

== 주요 경력 ==

에사키 레오나는 1925년 오사카부 나카가와치군 다카이다촌(현 히가시오사카시)에서 태어나 교토시에서 성장했다. 교토시립 제4니시바야시 소학교를 졸업했으나, 교토부립 교토 제1중학교 입시에는 낙방했다. 이후 효고현 사범학교 미에이 부속 소학교 고등과를 거쳐 도시샤 중학교에 진학, 제3고등학교를 거쳐 1944년 도쿄제국대학에 입학했다. 1947년 도쿄제국대학 이학부 물리학과를 졸업하고, 가와니시 기계제작소(현 덴소텐)에 입사하여 진공관의 음극으로부터의 열전자 방출 연구를 수행했다. 1956년에는 도쿄통신공업주식회사(현 소니)로 이직하여 반도체 연구에 몰두했다. 1959년, 도쿄대학교에서 "얇은 p-n 접합에 있어서의 신현상"이라는 논문으로 이학박사 학위를 취득했다. 이 연구는 터널 다이오드(에사키 다이오드)의 발명으로 이어졌고, 이 업적으로 1973년 노벨 물리학상을 수상했다.

1959년
도쿄통신공업주식회사에서 근무하던 시절(1959년)


1960년부터는 미국 IBM 토마스 J. 왓슨 연구소에서 근무하며 자기장과 전기장 하에서의 새로운 유형의 전자-포논 상호작용 연구, 터널 분광 연구를 수행했고, 분자선 에피택시법을 개발하여 반도체 초격자 구조를 만드는 데 성공했다. 1975년 일본학사원 회원이 되었고, 1976년에는 미국 과학 아카데미 외국인 회원으로 선출되었다. 1992년에는 쓰쿠바대학교 총장에 취임하여 6년간 재임하며 대학 개혁을 추진했고, 2000년에는 교육개혁국민회의 좌장을 역임하며 교육 개혁에도 기여했다. 같은 해 시바우라 공업대학 총장에 취임했으며, 2006년에는 요코하마 약과대학 총장을 역임했다. 1996년에는 고려대학교에서 명예 이학박사 학위를 받았다.[36] 2024년 2월 현재, 현존하는 일본인 노벨상 수상자 중 최고참이다.

6. 1. 회사 근무 경력

에사키 레오나는 1947년 도쿄 제국대학 이학부 물리학과를 졸업하고, 주식회사 가와니시 기계제작소(후의 고베 공업 주식회사, 후지쯔텐 주식회사, 현재의 덴소텐)에 입사하여 진공관의 음극으로부터의 열전자 방출 연구를 수행했다. 1956년에는 도쿄통신공업주식회사(현 소니)로 이직하여 반도체 연구실 주임 연구원으로서 PN 접합 다이오드 연구에 착수했다. 약 1년간의 시행착오 끝에 게르마늄의 PN 접합 폭을 얇게 하면 터널 효과에 의해 전압을 크게 할수록 전류가 감소하는 음성 저항을 나타내는 것을 발견했다. 이 발견은 물리학에서 고체의 터널 효과를 처음으로 실증한 것으로, 터널 다이오드(에사키 다이오드)라는 새로운 전자 소자의 탄생을 의미한다. 이 업적으로 1959년 도쿄 대학에서 이학박사 학위를 수여받았다. [20]

6. 2. IBM 연구소 경력

1960년, 에사키 레오나는 미국 IBM 토마스 J. 왓슨 연구소에서 근무를 시작했다. 수석 연구원으로서 자기장과 전기장 하에서의 새로운 유형의 전자-포논 상호 작용이나 터널 분광 연구를 수행했다. 또한 분자선 에피택시법을 개발하여 이를 이용, 반도체 초격자 구조를 만드는 데 성공하는 등 괄목할 만한 연구 성과를 거두었다. 이러한 연구 활동은 그의 이후 학문적 경력과 노벨상 수상에 큰 영향을 미쳤다. [20]

6. 3. 대학 총장 경력

에사키 레오나는 1992년 쓰쿠바대학교 총장에 취임하여 6년간 재임하며 산·관·학 연계 거점인 첨단학제영역연구센터(TARA센터) 설립 등 대학 개혁을 추진했다. [1] 이후 2000년에는 시바우라공업대학 총장을 역임했고, 2006년부터는 요코하마약과대학 총장직을 수행했다. 그는 교육개혁국민회의 좌장을 역임하며 교육개혁에도 기여했다. [14]

6. 4. 명예 박사 학위

1996년 고려대학교에서 명예 이학박사 학위를 받았다.[36]

7. 수상 및 훈장

== 수상 및 훈장 ==

에사키 레오나는 과학 분야에서 뛰어난 업적을 인정받아 다수의 상과 훈장을 수상했다. 주요 수상 내역은 다음과 같다. 1959년에는 니시나 기념상과 아사히상을, 1960년에는 도레이 과학기술상을 수상했다. 1961년에는 미국 IRE(후의 IEEE)의 모리스 N. 리브먼 기념상과 미국 프랭클린 협회의 스튜어트 발란틴 메달을 수상했으며, 1965년에는 일본 학사원상을 수상했다. 그의 가장 큰 업적은 1973년 노벨 물리학상 수상이다. 이후에도 1985년 제임스 C. 맥그로디 신소재상, 1991년 IEEE 명예의 메달, 1998년 일본국제상을 수상하며 꾸준히 업적을 인정받았다. 1974년에는 문화훈장을, 1998년에는 훈일등 욱일대수장을 수여받았다.[22][21]

7. 1. 주요 수상


  • 1959년: 니시나 기념상, 아사히상
  • 1960년: 도레이 과학기술상
  • 1961년: 모리스 N. 리브먼 기념상(미국 IRE, 후의 IEEE), 스튜어트 발렌타인 메달(미국 프랭클린 협회)
  • 1965년: 일본학사원상
  • 1973년: 노벨 물리학상
  • 1985년: 제임스 C. 맥그래디 신소재상
  • 1991년: IEEE 명예상
  • 1998년: 일본국제상[21]

7. 2. 주요 훈장

에사키 레오나는 1974년에 일본의 문화훈장을 수여받았다. 또한 1998년에는 훈일등 욱일대수장을 받았다. 이는 그의 과학 분야에 대한 뛰어난 업적을 인정한 것이다.

8. 사회 공헌 활동

에사키 레오나는 다양한 학술 및 과학기술 관련 재단 및 협회에서 활발한 활동을 펼쳐왔다. 주요 활동으로는 다음과 같다. 2006년에는 일본 학술진흥회의 ‘21세기 COE 프로그램’ 프로그램 위원회 위원장을 역임했으며, (재)이바라키현 과학기술진흥재단 이사장을 비롯하여 (재)국제개발고등교육기구 평의원, 일본신사업지원기관협의회 명예회장, (재)일본오페라진흥회 고문직을 수행했다. 또한, (재)야마다과학진흥재단 이사, (재)국제과학진흥재단 평의원, (사)과학기술국제교류센터 평의원, (재)시모나카기념재단 이사, (재)사회경제생산성본부 평의원, (재)니시나기념재단 이사, (특)일본자동차전당 고문 등의 직책을 수행하며 폭넓은 사회 공헌 활동을 이어왔다. 이러한 활동들을 통해 과학기술 발전과 사회 발전에 기여한 바가 크다.

9. 저서

== 저서 ==

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9. 1. 단독 저서

에사키 레오나가 단독으로 집필한 저서는 현재까지 알려진 바가 없습니다. 만약 향후 단독 저서가 출판될 경우, 해당 정보를 추가하여 내용을 보완해야 합니다.

9. 2. 공저

에사키 레오나가 다른 저자와 함께 집필한 책에 대한 정보가 제공되지 않았으므로, "공저" 섹션을 작성할 수 없습니다. 원본 소스를 제공해주시면 해당 정보를 바탕으로 위키텍스트 형식으로 작성하겠습니다.

9. 3. 감수

에사키 레오나가 감수한 주요 도서 목록은 현재로서는 확인되지 않습니다. 관련 정보가 추가되면 이 부분을 업데이트하겠습니다.

10. 주요 논문

에사키 레오나는 좁은 게르마늄 p-n 접합에서의 새로운 현상을 발견한 논문 "New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions" (1958)을 발표하며 학계에 이름을 알렸다. 이후 R. 츠와 함께 초격자 및 반도체 내 음성 미분 전도도에 대한 연구를 진행하여 "Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors" (1970) 논문을 발표했다. 이어서 유한 초격자에서의 터널링 현상에 관한 논문 "Tunneling in a finite superlattice" (1973)을 발표했다. 1974년에는 터널링에 대한 장기간의 연구를 종합한 "Long Journey into Tunneling"을 발표하여 그의 업적을 더욱 널리 알렸다. G. A. 사이-할라즈, W. A. 해리슨과 함께 진행한 InAs-GaSb 초격자 에너지 구조 및 반도체-반금속 전이에 관한 연구 결과는 "InAs-GaSb superlattice energy structure and its semiconductor-semimetal transition" (1978) 논문으로 발표되었다. 1979년에는 일본 학사원 기요에 "반도체 소자의 탄생과 발전"이라는 논문을 게재했다. 2014년에는 일본 물리학회지에 "창조적 실패"라는 논문을 발표하였다. 이러한 논문들은 에사키 레오나의 뛰어난 연구 능력과 깊이 있는 통찰력을 보여주는 중요한 업적으로 평가받고 있다.

10. 1. 대표 논문

에사키 레오나는 터널 효과, 초격자, 반도체 분야에서 획기적인 업적을 남겼다. 그의 대표적인 논문들을 살펴보면 다음과 같다.

  • 1958년, ''New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions'' (좁은 게르마늄 p-n 접합에서의 새로운 현상) 논문을 통해 터널 다이오드의 원리를 발견하여 발표했다. 이는 좁은 p-n 접합에서 전자가 터널링 현상을 통해 에너지 장벽을 통과하는 현상을 설명한 것으로, 반도체 소자의 새로운 가능성을 제시한 획기적인 연구였다.

  • 1970년, R. 츠와 공동으로 발표한 ''Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors'' (초격자와 반도체 내 음의 미분 전도도) 논문에서는 인공 초격자 개념을 제시했다. 이 논문은 반도체 내에 원자층 수준으로 다른 물질을 쌓아 만든 초격자 구조가 새로운 전자적 특성을 보임을 예측했고, 이는 이후 나노 기술 발전의 기초가 되었다.

  • 1973년, R. 츠와 함께 발표한 ''Tunneling in a finite superlattice'' (유한 초격자 내 터널링) 논문에서는 유한한 크기의 초격자 내에서의 터널링 현상을 연구하여 초격자 소자의 특성을 더욱 심도 있게 분석했다.

  • 1974년, ''Long Journey into Tunneling'' (터널링으로의 긴 여정) 논문에서 그는 터널링 현상에 대한 자신의 연구 경험과 그 중요성을 총체적으로 정리하고 평가했다. 이 논문은 그의 연구가 갖는 중요성과 의미를 잘 보여주는 대표적인 성과물로 평가받는다.

  • 1978년, G. A. 사이-할라즈, W. A. 해리슨과 공동으로 발표한 ''InAs-GaSb superlattice energy structure and its semiconductor-semimetal transition'' (InAs-GaSb 초격자 에너지 구조와 반도체-반금속 전이) 논문에서는 InAs-GaSb 초격자의 에너지 구조와 반도체-반금속 전이 현상을 연구했다. 이는 초격자 구조의 물리적 특성을 깊이 있게 이해하는 데 기여했으며, 새로운 소자 개발 가능성을 제시했다.

  • 1979년, 일본 학사원 기요에 게재된 ''반도체 소자의 탄생과 발전'' 논문은 그의 연구 경험을 바탕으로 반도체 소자의 역사와 발전 과정을 폭넓게 다루고 있다.

  • 2014년, 일본 물리학회지에 발표된 ''창조적 실패'' 논문에서는 연구 과정에서의 실패 경험을 통해 얻은 통찰을 공유하며, 과학적 탐구의 중요성을 강조하고 있다.


이러한 논문들을 통해 에사키 레오나는 터널링 현상 및 초격자 구조에 대한 깊이 있는 연구를 수행했으며, 이는 현대 반도체 기술 발전에 지대한 영향을 미쳤다. 그의 연구는 과학적 탐구의 중요성과 함께 '창조적 실패'를 통한 혁신의 중요성을 보여주는 사례로 평가받는다.

참조

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[2] 서적 限界への挑戦―私の履歴書 日本経済新聞出版社 2007-00-00
[3] 논문 Long Journey into Tunneling http://nobelprize.or[...] 1973-12-12
[4] 논문 New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions
[5] 논문 Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors
[6] 간행물 This Weeks's Citation Classic 1987-07-13
[7] 웹사이트 IEEE Medal of Honor Recipients http://www.ieee.org/[...] 2015-04-22
[8] 웹사이트 The Japan Prize Foundation https://www.japanpri[...] 2019-08-09
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[12] 서적 朝日現代用語 [[知恵蔵]] 1990 朝日新聞社 1990-01-01
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[36] 뉴스 고려대학교 "테크노콤플렉스" 개원 https://newslibrary.[...] 동아일보 1996-10-15


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