유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사

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1. 개요

유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사(USJC)는 일본 미에현에 위치한 반도체 제조 회사이다. 로직, 플래시 마이크로 컴퓨터, LCD 드라이버, RF 디바이스, 전원 IC 등 특수 기술을 특징으로 하는 파운드리로, 40nm, 55nm, 65nm, 90nm 공정 기술을 지원하며, 월 38,400장의 300mm 웨이퍼 제조 능력을 갖추고 있다. 1984년 후지쯔 미에 공장으로 시작하여, 2019년 유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사로 사명을 변경했다.

유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사 - [회사]에 관한 문서

기본 정보

회사명	유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사
영문 회사명	United Semiconductor Japan Co., Ltd.
약칭	USJC

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업종	전기 기기
설립일	2014년 12월 1일
본사 위치	가나가와현 요코하마시 가나가와구 금항정 3-1 콩코드 요코하마 미에현 구와나시 다도정 어의야노 2000번지
본사 우편번호	221-0056 (요코하마) 511-0118 (구와나)
직원 수	1,160명 (2024년 4월 1일 기준)
자본금	100억 엔
대표자	미사와 노부히로
주요 주주	UMC 100%
웹사이트	유나이티드 세미컨덕터 재팬 공식 웹사이트
법인 번호	3190001022170
구글 지도 검색어	가나가와현 요코하마시 가나가와구 금항정

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1. 개요
2. 미에 공장의 특징
- 2.1. 시설 개요
3. 연혁

2. 미에 공장의 특징

유나이티드 세미컨덕터 재팬 미에 공장은 일본 최대급의 로직 제조 능력을 갖추고 있다. 차량용 플래시 마이크로 컴퓨터, LCD 드라이버, RF 디바이스, 전원 IC 등 스페셜티 기술을 특징으로 하는 파운드리이다. 경험이 풍부한 엔지니어와 높은 공정 포팅 기술을 보유하고 있으며, 차재 품질 및 사업 연속성 관리(BCM)에 대응하고 있다.

2.1. 시설 개요

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시설 개요
항목	B1동	B2동
조업 시작	2005년	2007년
연면적	38000m²	80000m²
클린룸 면적	17000m²	30000m²
공정 기술	40nm, 55nm, 65nm, 90nm
제조 능력	약 38,400장/월 (300mm 웨이퍼 기준)
인증	ISO9001, IATF16949, ISO14001, ISO27001, ISO22301, ISO45001

3. 연혁

* 1984년 - 후지쯔 미에 공장 개설.
* 1992년 - 세계 최초 슈퍼컴퓨터용 CMOS LSI 개발.
* 2003년 - 90nm Cu 다층 배선 공정 양산 개시.
* 2004년 - 후지쯔 미에 공장에 세계 최초 하이브리드 면진 구조의 300mm 웨이퍼 대응 신규 동 건설.
* 2006년 - 후지쯔 미에 공장에 300mm 웨이퍼 대응 제2 동 건설.
* 2008년 - 후지쯔 LSI 사업부를 분사하여 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 주식회사 설립.
* 2010년 - 후지쯔 반도체 주식회사로 사명 변경. 슈퍼컴퓨터 「게이」 반도체 칩 제조 개시.
* 2013년 - DDC 트랜지스터 채용 제품의 양산 개시.
* 2014년 - 미에 후지쯔 반도체 주식회사 설립.
* 2015년 - 세계 최초로 선회류 유인형 성층 공조를 전면 채용하여 40nm 공정 제조 라인 구축.
* 2016년 - 품질 경영 시스템 (ISO9001:2015) 인증 획득. 자동차 산업용 품질 경영 시스템 (IATF16949:2016) 인증 획득.
* 2019년 - 환경 경영 시스템 (ISO14001:2015) 인증 획득. 유나이티드 세미컨덕터 재팬 주식회사로 사명 변경.
* 2020년 - 정보 보안 경영 시스템 (ISO/ICE 27001:2013) 인증 획득.
* 2021년 - 사업 연속성 관리 시스템 (ISO22301:2019) 인증 획득
* 2022년 - 덴소와 차량용 파워 반도체 생산 협업. 노동 안전 보건 경영 시스템 (ISO45001:2018) 인증 획득.
* 2023년 - 덴소와의 협업에 의한 차량용 파워 반도체 양산 출하 개시. 정보 보안 경영 시스템 (ISO/ICE 27001:2022) 인증 획득.