반응 좌표
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1. 개요
반응 좌표는 화학 반응의 진행 과정을 나타내는 개념이다. 화학 반응 속도론에서 중요한 요소로, 반응의 속도와 관련된 이론을 다루는 데 사용된다. 속도식, 평형 상수, 반응 속도 결정 단계, 에너지 프로파일, 전이 상태 이론, 활성화 에너지, 활성화 착물, 아레니우스 방정식, 아이링 방정식, 미카엘리스-멘텐 반응 속도론, 확산 제어 반응 등과 관련이 있다.
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반응 좌표 | |
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반응 좌표 | |
정의 | 화학 반응의 진행 상태를 추적하는 추상적인 좌표 |
관련 항목 | 집단 변수 |
상세 정보 | |
설명 | 반응이 진행됨에 따라 반응물에서 생성물로 변화하는 과정을 나타내는 1차원 좌표. |
특징 | 반응 과정의 에너지 변화를 시각적으로 표현하는 데 사용됨. 에너지 최소점은 반응물, 생성물, 중간체를 나타냄. 에너지 최대점은 전이 상태를 나타냄. |
활용 | 반응 메커니즘 연구 반응 속도 예측 촉매 설계 |
집단 변수 (CV, Collective Variable) | 정의: 반응 진행을 나타내는 데 사용되는 하나 이상의 변수 조합. 수식: A}} 여기서 는 원자 좌표, 는 변환 행렬을 나타냄. |
반응 진행률 () | 정의: 시간에 따른 반응 진행 정도를 나타내는 변수. 수식: ξ with j ∈ N}} 여기서 는 시간에 따른 집단 변수의 변화를 나타냄. |
관련 개념 | |
에너지 프로파일 | 반응 경로를 따라 나타낸 에너지 변화 그래프 |
전이 상태 | 반응물에서 생성물로 넘어가는 과정에서 에너지가 가장 높은 상태 |
활성화 에너지 | 반응물이 전이 상태에 도달하는 데 필요한 최소 에너지 |
2. 주요 반응 메커니즘
화학 반응이 진행되는 구체적인 경로를 반응 메커니즘이라고 한다. 반응 메커니즘은 반응물이 생성물로 변환되는 과정에서 일어나는 개별적인 단계들을 설명하며, 다양한 기준으로 분류될 수 있다.
주요 반응 메커니즘으로는 분자 내 원자나 원자단이 바뀌는 치환 반응, 불포화 결합에 다른 분자가 결합하는 첨가 반응, 분자 내에서 원자나 원자단이 떨어져 나가 불포화 결합을 형성하는 제거 반응, 그리고 한 분자 내에서 재배열이 일어나는 단분자 반응 등이 있다. 이러한 주요 반응들은 각각의 하위 섹션에서 더 자세히 다루고 있다.
이 외에도 반응 메커니즘은 전자의 이동이나 양성자의 이동을 중심으로 설명될 수 있으며 (전자 이동, 양성자 이동 반응), 반응이 일어나는 주변 환경, 즉 매질의 영향 (용매 효과, 케이지 효과 등)을 고려하여 분류하기도 한다.
반응 메커니즘을 이해하는 것은 반응 동역학, 반응 중간체의 성질, 입체 화학, 촉매 작용 등 화학 반응의 여러 측면을 파악하는 데 중요하다. 또한, 화학 반응 속도론 연구를 통해 반응 속도, 활성화 에너지, 전이 상태 등을 규명하고 반응 메커니즘을 실험적으로 검증할 수 있다.
2. 1. 치환 반응
치환 반응은 분자 내의 한 원자 또는 원자단이 다른 원자 또는 원자단으로 바뀌는 화학 반응이다. 주요 유형으로는 친핵성 치환 반응과 친전자성 치환 반응이 있다.2. 1. 1. 친핵성 치환 반응
친핵체가 반응 중심의 양전하를 띤 부분을 공격하여 일어나는 치환 반응이다. 주요 친핵성 치환 반응 메커니즘은 다음과 같다.- 단분자 친핵성 치환 반응 (SN1)
- 이분자 친핵성 치환 반응 (SN2)
- 친핵성 방향족 치환 반응 (SNAr)
- 친핵성 내부 치환 반응 (SNi)
- 친핵성 아실 치환 반응 (SNAcyl)
2. 1. 2. 친전자성 치환 반응
친전자체가 반응 중심의 음전하를 띤 부분을 공격하여 일어나는 치환 반응이다. 대표적인 예시로는 친전자성 방향족 치환 반응 (SEAr)이 있다.2. 2. 첨가 반응
첨가 반응은 불포화 결합을 가진 분자에 다른 분자가 결합하여 포화 결합을 형성하는 반응이다. 첨가 반응에는 다음과 같은 종류가 있다.- 친전자성 첨가 반응 (AE)
- 친핵성 첨가 반응 (AN)
- 라디칼 첨가 반응
- 고리화 첨가 반응
- 산화적 첨가 반응
2. 2. 1. 친전자성 첨가 반응
첨가 반응의 한 종류로, 약자로 AE를 사용한다.2. 2. 2. 친핵성 첨가 반응
(내용 없음 - 원본 소스에 해당 섹션에 대한 정보가 없습니다.)2. 2. 3. 기타 첨가 반응
- 라디칼 첨가 반응
- 고리화 첨가 반응
- 산화적 첨가 반응
2. 3. 제거 반응
제거 반응은 분자 내에서 두 개의 원자 또는 원자단이 떨어져 나가면서 불포화 결합이 생성되는 반응이다. 주요 메커니즘은 다음과 같다.- 단분자 제거 반응 (E1)
- E1cB 제거 반응
- 이분자 제거 반응 (E2)
- Ei 제거 반응
2. 4. 단분자 반응
단분자 반응은 한 분자 내에서 원자 또는 원자단의 재배열이 일어나는 반응을 의미한다. 주요 단분자 반응 메커니즘 및 관련 이론으로는 다음과 같은 것들이 있다.- 분자 내 반응
- 이성질화 반응
- 광 분해
- 린데만-힌셸우드 메커니즘
- RRKM 이론
3. 전자 이동/양성자 이동 반응
- 산화 환원 반응
- 작살 반응
- 그로투스 메커니즘
- 마커스 이론
- 내부 구 전자 이동
- 외부 구 전자 이동
4. 매질 효과
반응이 일어나는 주변 환경, 즉 매질은 반응 메커니즘에 다양한 방식으로 영향을 미칠 수 있다. 주요 매질 효과는 다음과 같다.
- 용매 효과
- 케이지 효과
- 매트릭스 단리
5. 화학 반응 속도론
화학 반응의 속도와 메커니즘을 이해하는 데 사용되는 주요 개념들은 다음과 같다.
- 속도식: 반응 속도와 반응물의 농도 사이의 관계를 나타내는 수학적 표현식이다.
- 평형 상수: 가역 반응에서 정반응 속도와 역반응 속도가 같아져 평형 상태에 도달했을 때, 반응물과 생성물의 농도 비율을 나타내는 상수이다.
- 반응 속도 결정 단계: 다단계 반응에서 전체 반응 속도를 결정하는 가장 느린 단계를 의미한다.
- 반응 좌표: 반응이 진행됨에 따라 원자들의 위치 변화를 나타내는 추상적인 좌표이다. 반응 경로를 시각화하는 데 사용된다.
- 에너지 프로파일: 반응 좌표에 따른 계의 포텐셜 에너지 변화를 나타낸 그래프이다. 반응 경로, 전이 상태, 활성화 에너지 등을 보여준다.
- 전이 상태 이론: 반응 속도를 반응물과 활성화 착물 사이의 유사-평형 관점에서 설명하는 이론이다.
- 활성화 에너지: 반응이 일어나기 위해 반응물이 넘어야 하는 최소한의 에너지 장벽이다.
- 활성화 착물: 반응 좌표 상에서 포텐셜 에너지가 가장 높은 지점에 해당하는 불안정한 분자 구조이다. 전이 상태라고도 한다.
- 아레니우스 방정식: 반응 속도 상수와 온도 사이의 관계를 나타내는 경험적인 식이다. 활성화 에너지와 빈도 인자를 포함한다.
- 아이링 방정식: 전이 상태 이론에 기반하여 반응 속도 상수를 계산하는 식이다. 엔탈피와 엔트로피 변화를 고려한다.
- 미카엘리스-멘텐 반응 속도론: 효소 촉매 반응의 속도를 설명하는 모델이다. 기질 농도에 따른 초기 반응 속도 변화를 설명한다.
- 확산 제어 반응: 반응 속도가 반응물이 용매 내에서 서로 만나 충돌하는 속도(확산 속도)에 의해 결정되는 반응이다. 매우 빠른 반응에서 나타난다.
6. 관련 주제
- 단일 반응
- 반응 동역학
- 반응 중간체
- 라디칼
- 분자성
- 입체 화학
- 촉매 작용
- 충돌 이론
- 화살표 밀기
- 포텐셜 에너지 표면
- 모어 오페럴-젠크스 플롯
참조
[1]
간행물
reaction coordinate
[2]
논문
"The use of collective variables and enhanced sampling in the simulations of existing and emerging microporous materials"
https://pubs.rsc.org[...]
2024-04-09
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웹사이트
Principles of condensed matter physics. P. Chaikin and T. Lubensky, Cambridge University Press, Cambridge, England, 1995
https://doi.org/10.1[...]
[4]
웹사이트
Reaction coordinates and mechanistic hypothesis tests, Ann. Rev. Phys. Chem., B. Peters (2016)
https://doi.org/10.1[...]
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간행물
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[6]
웹사이트
https://www.nyu.edu/[...]
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