배리스터

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1. 개요

배리스터는 전압의 크기에 따라 저항이 변하는 특성을 가진 전자 부품으로, 주로 과전압으로부터 회로를 보호하는 데 사용된다. 1927년 개발 이후, 전화 통신, 전력 시스템, 전자 기기 등 다양한 분야에서 활용되어 왔다. 배리스터는 금속 산화물 배리스터(MOV), 탄화 규소 배리스터, 티탄산 스트론튬 배리스터 등 여러 종류가 있으며, 특히 MOV는 가장 널리 사용되는 배리스터이다. 배리스터는 서지 보호기, 정전기 방전(ESD) 보호, 정류자 불꽃 억제 등 다양한 응용 분야에서 사용되며, 다른 과도 억제기인 TVS 다이오드나 가스 방전관과 비교하여 장단점을 가진다.

2. 역사

배리스터는 1927년 L.O. 그론달과 P.H. 가이거가 산화제일구리(Cu₂O)를 기반으로 한 새로운 유형의 정류기 형태로 개발하면서 시작되었다.^[3]

구리-산화물 배리스터는 인가 전압의 극성과 크기에 따라 저항이 변하는 특성을 보였다.^[4] 이는 작은 구리 디스크로 구성되었으며, 한쪽 면에는 산화제일구리 층이 형성되었다. 이 구조는 반도체 산화물에서 구리 쪽으로 흐르는 전류에 낮은 저항을 제공하는 반면, 반대 방향으로 흐르는 전류에는 높은 저항을 제공하며, 순간적인 저항은 인가된 전압에 따라 지속적으로 변화한다.

1930년대에는 소형 다중 배리스터 어셈블리가 반송파 시스템에서 변조기 및 복조기로 사용되어 부피가 큰 전자 튜브 회로를 대체하여 전화 전송에 활용되었다.^[4] 전화 설비에서 배리스터는 전압 스파이크 및 노이즈로부터 회로를 보호하고, 회로를 전환할 때 사용자 귀를 튀는 소리로부터 보호하기 위한 수신기(이어피스) 요소의 클릭 억제에도 사용되었다.

1949년 웨스턴 일렉트릭 타입 500 전화기는 단거리 국선 루프에서 비교적 높은 루프 전류 레벨을 션트하여 전송 및 수신 신호 레벨을 자동으로 조정하는 배리스터를 사용하는 동적 루프 이퀄라이제이션 회로를 도입했다.

1930년대 초 R. O. 그리즈데일은 탄화 규소(SiC)로 배리스터를 만들어 전화선을 낙뢰로부터 보호하는 데 사용했다.^[8]

1970년대 초, 일본 연구자들은 산화 아연(ZnO)의 반도체 전자적 특성이 세라믹 소결 공정에서 새로운 배리스터 유형으로 유용하다는 것을 발견했다.^[9]^[10] 이 장치는 서지 및 기타 파괴적인 전기적 교란으로부터 회로를 보호하는 데 선호되는 방법이 되었으며, 일반적으로 금속 산화물 배리스터(MOV)로 알려지게 되었다.

3. 원리

배리스터의 비선형 저항 특성은 아직 완전히 밝혀지지 않았지만, 다결정체의 결정립계에 형성되는 더블 쇼트키 장벽에 의한 것으로 추정된다.^[11]

아연 산화물(ZnO) 및 탄화 규소(SiC) 소자의 전압에 따른 바리스터 전류

가장 일반적인 현대식 배리스터는 금속 산화물 배리스터(MOV)이다. 이 유형은 산화 아연(ZnO) 입자와 소량의 비스무트, 코발트, 망간 산화물 등을 세라믹 덩어리로 소결하여 만들며, 두 금속판 사이에 끼워져 있다. 각 입자와 이웃하는 입자 사이의 경계는 한 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 다이오드 접합을 형성한다. 무작위로 배열된 입자들은 다수의 역병렬 다이오드 쌍 네트워크와 동일하게 동작한다.^[11]

작은 전압이 가해지면, 다이오드 접합을 통한 역 누설로 인해 매우 작은 전류만 흐른다. 큰 전압이 가해지면, 열전자 방출과 전자 터널링의 조합으로 인해 다이오드 접합이 고장나서 큰 전류가 흐른다. 이러한 동작의 결과로, MOV는 저전압에서 높은 저항을, 고전압에서 낮은 저항을 갖는 비선형 특성을 보인다.

4. 종류

배리스터는 사용되는 재료에 따라 여러 종류로 나뉜다.

산화 아연 (ZnO) 배리스터: 산화 아연(ZnO)에 비스무트, 코발트, 망가니즈 등의 산화물을 소량 첨가한 세라믹 소자로, 비선형 계수 및 에너지 내량이 커 가장 널리 사용된다.^[11]

탄화 규소 (SiC) 배리스터: 1930년대 초 R. O. 그리즈데일에 의해 개발되어 전화선을 낙뢰로부터 보호하는 데 사용되었던 최초의 실용적인 배리스터 소재이다.^[8] 절연 파괴 전압이 높아 현재는 고전압용으로만 사용된다.

티탄산 스트론튬 (SrTiO₃) 배리스터: 유전율이 높아 콘덴서 겸용으로 사용된다.

4. 1. 산화 아연 (ZnO) 배리스터

가장 일반적인 현대식 배리스터는 금속 산화물 배리스터(MOV)이다. 이 유형은 세라믹 덩어리의 산화 아연(ZnO) 입자에 소량의 비스무트, 코발트, 망가니즈 산화물 등을 매트릭스로 포함하며, 소자의 전극을 구성하는 두 개의 금속판 사이에 끼워져 있다. 각 입자와 이웃하는 입자 사이의 경계는 단일 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 다이오드 접합을 형성한다. 무작위로 정렬된 입자들이 축적되면, 전기적으로는 다수의 다른 쌍과 병렬로 연결된 백투백 다이오드 쌍의 네트워크와 동일하다.^[11]

전극에 작은 전압이 가해지면, 다이오드 접합을 통한 역 누설로 인해 매우 작은 전류만 흐른다. 큰 전압이 가해지면, 열전자 방출과 전자 터널링의 조합으로 인해 다이오드 접합이 고장나서 큰 전류가 흐른다. 이러한 동작의 결과는 비선형 전류-전압 특성으로 나타나며, MOV는 저전압에서 높은 저항을, 고전압에서 낮은 저항을 갖는다.

산화 아연에 여러 종류의 첨가물을 더한 세라믹스는 비선형 계수 및 에너지 내량이 크기 때문에 배리스터의 소재로 가장 일반적으로 사용된다. 비스무트 또는 프라세오디뮴은 비선형 저항 특성을 발생시키기 위해 필수적이다. 또한 코발트, 망가니즈, 크롬, 안티몬 등이 특성을 향상시키기 위해 첨가된다.

4. 2. 탄화 규소 (SiC) 배리스터

탄화 규소(SiC)는 바리스터 재료로 가장 초기에 실용화된 소재이다. 1930년대 초 R. O. 그리즈데일이 개발하였으며, 전화선을 낙뢰로부터 보호하는 데 사용되었다.^[8] 현재는 절연 파괴 전압이 높은 성질을 이용하여 고전압용 바리스터로만 사용된다.

4. 3. 티탄산 스트론튬 (SrTiO₃) 배리스터

티탄산 스트론튬은 유전율이 높기 때문에, 콘덴서 겸용 배리스터로 사용된다.

5. 구조

배리스터는 비선형 저항 특성을 가진 반도체 세라믹스를 2개의 전극 사이에 배치한 구조이다. 세라믹 콘덴서와 유사한 구조이며, 세라믹 콘덴서의 유전체 세라믹스를 반도체 세라믹스로 대체한 것이다. 형태도 세라믹 콘덴서와 마찬가지로 디스크형 및 적층 칩형이 있다.^[11]

6. 특성

가장 일반적인 현대식 배리스터는 금속 산화물 배리스터(MOV)이다. 이 유형은 산화 아연(ZnO) 입자 세라믹 덩어리를 포함하고 있으며, 소량의 비스무트, 코발트, 망간 산화물과 같은 다른 금속 산화물이 매트릭스 형태로, 소자의 전극을 구성하는 두 개의 금속판 사이에 끼워져 있다. 각 입자와 이웃하는 입자 사이의 경계는 단일 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 다이오드 접합을 형성한다. 무작위로 정렬된 입자들이 축적되면, 전기적으로는 다수의 다른 쌍과 병렬로 연결된 백투백 다이오드 쌍의 네트워크와 동일하다.^[11]

전극에 작은 전압이 가해지면, 다이오드 접합을 통한 역 누설로 인해 매우 작은 전류만 흐른다. 큰 전압이 가해지면, 열전자 방출과 전자 터널링의 조합으로 인해 다이오드 접합이 고장나서 큰 전류가 흐른다. 이러한 동작의 결과는 비선형 전류-전압 특성으로 나타나며, MOV는 저전압에서 높은 저항을, 고전압에서 낮은 저항을 갖는다.

6. 1. 전기적 특성

배리스터는 전압이 "클램핑 전압"보다 훨씬 낮은 정상 작동 시에는 션트 모드 장치로 비전도성을 유지한다. 따라서 일반적으로 선로 전압 서지를 억제하는 데 사용된다. 배리스터는 다음과 같은 두 가지 이유로 고장이 발생할 수 있다.

치명적인 고장: 낙뢰와 같이 배리스터가 처리할 수 있는 에너지보다 훨씬 높은 에너지가 발생하면, 후속 전류가 배리스터를 녹이거나 태우거나 증발시킬 수 있다. 이러한 열 폭주는 개별 입계면 접합부의 부조화로 인해 발생하며, 과도 펄스의 에너지가 너무 높을 때 열 응력 하에서 지배적인 전류 경로의 고장으로 이어진다.
누적 열화: 더 많은 서지가 발생하면 누적 열화가 발생한다. 배리스터는 눈에 띄게 손상되지 않고 외관상 기능적으로 보이지만, 더 이상 보호 기능을 제공하지 않는다. 결국 에너지 방전으로 인해 산화물을 통해 전도성 채널이 생성되면서 단락 회로 상태가 된다.

배리스터 수명 기대치에 영향을 미치는 주요 매개변수는 에너지(줄) 정격이다. 에너지 정격을 높이면 과도 펄스의 수를 기하급수적으로 늘릴 수 있으며, 작은 펄스를 클램핑하는 데서 발생하는 누적 에너지의 합도 늘릴 수 있다. 이러한 펄스가 발생함에 따라 각 이벤트 동안 제공하는 "클램핑 전압"이 감소하며, 배리스터는 일반적으로 "클램핑 전압"이 10% 변경되었을 때 기능적으로 저하된 것으로 간주된다. 제조업체의 수명 기대치 차트는 전류, 심각도 및 과도 현상의 수를 관련시켜 부품 수명 동안 소산된 총 에너지를 기반으로 고장 예측을 한다.

배리스터의 수명을 적절히 확보하기 위해서는 배리스터 전압, 서지 내량, 에너지 내량 및 장치나 회로를 보호하기 위해 예상되는 서지 파형에 맞춰 정격을 선택해야 한다. 이러한 정격을 초과할 경우 파손되어 파편이 튈 수 있다.^[26]

6. 2. 전압 정격

MOV는 손상 없이 견딜 수 있는 전압 범위에 따라 지정된다. 다른 중요한 매개변수는 배리스터의 에너지 정격(줄), 작동 전압, 응답 시간, 최대 전류 및 항복(클램핑) 전압이다.^[12] 에너지 정격은 종종 8/20 마이크로초 또는 10/1000 마이크로초와 같은 표준화된 과도 현상을 사용하여 정의되는데, 여기서 8 마이크로초는 과도 현상의 상승 시간이고 20 마이크로초는 반값 시간이다.

배리스터의 수명을 적절히 확보하기 위해서는 배리스터 전압, 서지 내량, 에너지 내량 및 장치나 회로를 보호하기 위해 예상되는 서지 파형에 맞춰 정격을 선택해야 한다. 이러한 정격을 초과할 경우 파손되어 파편이 튈 수 있다.^[26]

6. 3. 정전 용량

일반적인 소비자용 (지름 7–20mm) 배리스터의 정전 용량은 100–2,500pF 범위이다. 마이크로 전자 공학 보호를 위해 ~1pF의 정전 용량을 가진 더 작고 낮은 정전 용량의 배리스터도 사용할 수 있다. 그러나 이러한 저정전 용량 배리스터는 콤팩트한 PCB 장착 크기 때문에 큰 서지 전류를 견딜 수 없다.

6. 4. 응답 시간

MOV의 응답 시간은 표준화되어 있지 않다. 서브 나노초 MOV 응답 시간 주장은 재료의 고유 응답 시간을 기반으로 하지만, 부품 리드의 인덕턴스 및 장착 방식과 같은 다른 요인에 의해 느려진다.^[17] 해당 응답 시간은 8 µs 상승 시간을 갖는 과도 현상과 비교했을 때 미미한 수준으로 간주되므로, 장치가 천천히 켜질 수 있는 충분한 시간을 허용한다. 매우 빠른, 1 ns 미만 상승 시간의 과도 현상에 노출되면, MOV의 응답 시간은 40–60 ns 범위에 있다.^[18]

7. 정격

배리스터의 정격은 배리스터 전압, 서지 내량, 에너지 내량 등을 포함하며, 장치나 회로를 보호하기 위해 예상되는 서지 파형에 맞춰 신중하게 선택해야 한다. 이러한 정격을 초과하면 파손되어 파편이 튈 수 있다.^[26]

7. 1. 배리스터 전압 (V_1mA)

배리스터 전압은 배리스터가 동작하는 전압의 기준이 되는 수치이다. 어떤 기준 전류가 흐를 때 배리스터의 양 단자 사이에 발생하는 전압으로 정의한다. 일반적으로 기준 전류를 1mA로 하며, 기호 V_1mA로 나타낸다.

7. 2. 서지 내량 및 에너지 내량

배리스터는 견딜 수 있는 서지의 크기를 나타내는 수치이다. 배리스터에 정해진 파형의 펄스 전압을 가했을 때, 배리스터가 파괴되지 않는 한계의 피크 전류를 서지 내량, 펄스 에너지를 에너지 내량이라고 한다.^[26]

배리스터의 수명을 적절히 확보하기 위해서는 배리스터 전압, 서지 내량, 에너지 내량 및 장치나 회로를 보호하기 위해 예상되는 서지 파형에 맞춰 정격을 선택해야 한다. 이러한 정격을 초과할 경우 파손되어 파편이 튈 수 있다.^[26]

8. 응용 분야

배리스터는 집적 회로와 같이 고전압에 약한 부품을 갑작스러운 고전압(서지)으로부터 보호하기 위해 바이패스 경로로 활용된다.^[9]^[10]

배리스터는 다음과 같은 다양한 분야에 응용된다.

낙뢰 서지 보호: 피뢰기 역할을 하여 낙뢰로부터 전자 장비를 보호한다.
정전기 방전(ESD) 보호: 휴대 전화, 휴대 음악 플레이어와 같이 소형 전자기기나 USB 인터페이스 단자를 가진 기기에서 발생하는 정전기로부터 회로를 보호한다.
정류자 불꽃 억제: 정류자 전동기에서 발생하는 불꽃을 억제하여 브러시 마모를 줄이고 노이즈 발생을 감소시킨다.
개폐기 접점 보호: 직류 전동기나 솔레노이드와 같은 직류 유도성 부하에서 발생하는 역기전압을 흡수하여 전자 개폐기나 계전기 접점을 보호한다.

8. 1. 낙뢰 서지 보호

전미 화재 방지 협회(NFPA)는 서지 억제 장치에 있는 MOV 장치로 인해 발생한 많은 화재 사례를 문서화했다.^[21]

MOV의 치명적인 고장을 해결하는 한 가지 방법은 직렬로 연결된 열 퓨즈를 사용하는 것이다. 내부 열 보호 기능이 있는 바리스터도 사용할 수 있다.

과전압 조건에서 MOV를 통합한 과도 전압 서지 억제기(TVSS)가 동작할 때 몇 가지 문제가 발생한다. MOV에 과도한 전류가 흐르면 개방 회로 조건으로 치명적으로 고장 나, 부하는 연결된 상태로 유지되지만 서지 보호 기능은 사라진다.

과전압과 선로 임피던스가 적절한 조건에서는 MOV에 불이 붙을 수 있다.^[22] 이는 많은 화재의 원인이 되었으며,^[23] NFPA가 1986년 UL1449, 1998년 및 2009년 개정판을 내놓은 주요 관심사였다. 제대로 설계된 TVSS 장치는 치명적으로 고장 나지 않아야 하며, 대신 열 퓨즈 또는 MOV 장치만 분리하는 유사한 장치가 열려야 한다.

피뢰기

8. 2. 정전기 방전(ESD) 보호

현대의 디지털 집적 회로는 공정 규칙 미세화로 내전압이 낮아져 정전기 방전에 의한 파괴가 쉽게 일어난다. 특히 휴대 전화, 휴대 음악 플레이어 등 소형 기기나 USB 같은 외부 인터페이스 단자를 가진 기기는 케이스로 정전기 실드를 하기 어려워 보호 부품을 사용하는 것이 일반적이다.

이러한 용도로는 제너 다이오드가 많이 사용되었지만, 소형이고 저렴한 적층 칩 배리스터(2006년 현재 0603 타입: 0.6mm×0.3mm까지 실용화됨)가 개발되면서 ESD 보호 부품으로도 배리스터가 사용되고 있다.

8. 3. 정류자 불꽃 억제

정류자 모터에서는 회전할 때 정류자의 단속에 의해 유도되는 고전압으로 인해 불꽃이 발생하여 브러시가 소모되고 노이즈가 발생하는 원인이 된다.^[1]

이를 방지하기 위해 배리스터가 사용된다.^[1] 모터에 내장하기 위해 전용 링형 배리스터가 제조되고 있다.^[1]

8. 4. 개폐기 접점 보호

직류 모터나 솔레노이드와 같은 직류 유도성 부하는 전원을 차단할 때 자기 유도 작용에 의해 고전압의 역기전압을 발생시킨다. 이것을 배리스터로 바이패스시켜 흡수함으로써 부하를 제어하는 전자 개폐기나 릴레이 등의 접점을 보호할 수 있다.

9. 한계 및 위험성

MOV(금속 산화물 배리스터)는 지속적인 과전압으로부터 완벽하게 보호하지 못하며, 이는 장비 손상을 유발할 수 있다.^[14] 또한, 돌입 전류, 과전류, 전압 강하(정전) 등에는 보호 기능을 제공하지 못한다.

과도한 서지나 지속적인 과전압으로 인해 MOV가 손상되거나 화재가 발생할 수 있다. 특히, 낙뢰와 같은 큰 서지는 MOV가 처리할 수 있는 에너지 용량을 초과하여 녹거나, 타거나, 심지어 증발할 수 있다.^[12] 누적된 서지는 MOV의 성능을 저하시켜 결국 보호 기능을 상실하게 만든다.^[13] 전미 화재 방지 협회(NFPA)는 MOV로 인한 화재 위험을 경고하며, 열 퓨즈 등 추가적인 보호 장치를 사용할 것을 권고한다.^[21]

직렬로 연결된 열 퓨즈나 내부 열 보호 기능이 있는 배리스터를 사용하여 이러한 치명적인 고장을 방지할 수 있다.

10. 다른 과도 억제기와의 비교

배리스터는 1927년 L.O. 그론달과 P.H. 가이거가 구리 위에 산화제일구리(Cu₂O) 층을 기반으로 한 새로운 유형의 정류기 형태로 개발하면서 시작되었다.^[3] 구리-산화물 배리스터는 인가 전압의 극성과 크기에 따라 저항이 변하는 특성을 보였다.^[4]

1930년대 초, R. O. 그리즈데일은 탄화 규소(SiC)로 배리스터를 만들어 전화선을 낙뢰로부터 보호하는 데 사용했다.^[8] 1970년대 초, 일본 연구자들은 산화 아연(ZnO)의 반도체적 특성이 세라믹 소결 공정에 유용하며, 제너 다이오드를 역으로 연결한 쌍과 유사한 전압-전류 함수를 나타낸다는 것을 발견했다.^[9]^[10] 이 유형은 금속 산화물 배리스터(MOV)로 알려지게 되었으며, 서지 및 기타 전기적 교란으로부터 회로를 보호하는 데 선호되는 방법이 되었다.

10. 1. 과도 전압 억제 다이오드 (TVS)

과도 전압 억제 다이오드(TVS)는 전압 스파이크를 억제하는 또 다른 방법이다. TVS 다이오드는 MOV만큼 큰 서지를 처리할 수는 없지만, 작은 서지에 의해 열화되지 않으며 더 낮은 "클램핑 전압"으로 구현할 수 있다. MOV는 반복적인 서지 노출로 인해 열화되고^[24] 일반적으로 더 높은 "클램핑 전압"을 가진다. 두 유형 모두 광범위한 전압 범위에서 사용할 수 있다. MOV는 더 높은 에너지와 관련된 더 높은 전류를 더 적은 비용으로 전달할 수 있으므로 더 높은 전압에 더 적합한 경향이 있다.^[25]

10. 2. 가스 방전관 (GDT)

스파크 갭의 일종으로, 공기 또는 불활성 가스 혼합물을 사용하며, 종종 더 일관된 항복 전압을 제공하고 응답 시간을 줄이기 위해 Ni-63과 같은 소량의 방사성 물질을 사용한다. 이러한 장치는 배리스터보다 더 높은 항복 전압과 더 긴 응답 시간을 가질 수 있다. 그러나 훨씬 더 높은 고장 전류를 처리하고 낙뢰와 같은 여러 고전압 충격을 상당한 열화 없이 견딜 수 있다.^[25]

참조

_[1] 간행물 Standards for Resistor Symbols https://eepower.com/[...] EETech Media 2021-09-13
_[2] 서적 A History of Engineering and Science in the Bell System, Physical Science (1925–1980) http://etler.com/doc[...] AT&T Bell Laboratories
_[3] 논문 A new electronic rectifier 1927-02
_[4] 서적 Principles of Electricity applied to Telephone and Telegraph Work New York City 1938-11
_[5] 간행물 Type 47 Monophone Chicago 1953
_[6] 간행물 Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams 1975
_[7] 서적 Engineering and Operations in the Bell System Murray Hill 1983
_[8] 논문 Silicon Carbide Varistors 1940-10
_[9] 논문 1971
_[10] 논문 Zinc oxide Varistors—A Review 1986
_[11] 웹사이트 Introduction to Metal Oxide Varistors http://www.powerguru[...]
_[12] 웹사이트 The ABCs of MOVs https://www.littelfu[...] Littelfuse, Inc. 1999
_[13] 웹사이트 Lower not better https://www.nist.gov[...] null
_[14] 웹사이트 MOV Failure Mode Identification https://www.research[...] University of South Florida null
_[15] 웹사이트 Metal Oxide Varistor (MOV) – Electronic Circuits and Diagram-Electronics Projects and Design http://www.circuitst[...] 2011-03-23
_[16] 웹사이트 GE TRANQUELLTM Surge Arresters https://www.gegridso[...] GE Grid Solutions 2013
_[17] 논문 Comments on ‘Linear and nonlinear filters suppressing UWB pulses’ 2005-08
_[18] 웹사이트 Detailed Comparison of Surge Suppression Devices http://www.lightning[...]
_[19] 웹사이트 UL1449 3rd Edition Overview – Surge Protection – Littelfuse http://www.littelfus[...]
_[20] 웹사이트 USA.Gov Subscription Page https://publications[...] 2018-04-09
_[21] 웹사이트 Data Assessment for Electrical Surge Protection Devices https://www.nfpa.org[...] Fire Protection Research Foundation 2014
_[22] 웹사이트 'Metal Oxide Varistors | Circuit Breakers Blog – Expert Safety and Usage Information' http://www.circuitbr[...] Circuit Breakers Blog 2013-01-14
_[23] 웹사이트 Surge Suppressor Fires http://www.esdjourna[...] ESD Journal
_[24] 서적 Winn L. Rosch Hardware Bible https://books.google[...] Que Publishing
_[25] 논문 Metal Oxide Varistor Degradation http://www.iaei.org/[...] 2004-03
_[26] 웹사이트 セラミックバリスタ使用上の注意 http://www.chemi-con[...] 日本ケミコン 2015-11-06

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