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열잡음

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1. 개요

열잡음은 전기 회로 내 저항 성분에서 발생하는 잡음의 한 유형이다. 알베르트 아인슈타인이 브라운 운동 이론을 통해 처음 설명했으며, 존 B. 존슨과 해리 나이퀴스트의 연구를 통해 정량화되었다. 열잡음은 저항, 온도 및 대역폭에 따라 결정되며, 전압 또는 전류 잡음원으로 모델링될 수 있다. 열잡음은 고주파 또는 저온 환경에서는 양자 효과를 고려해야 하며, 플랑크 법칙과 관련이 있다.

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열잡음
지도 정보
명칭
다른 이름열잡음
존슨 잡음
나이퀴스트 잡음
영어 이름Johnson–Nyquist noise
로마자 표기Johnson-Naikwisteu jab-eum
개요
정의전도체 내의 전자의 열적 요동으로 인해 발생하는 전자 잡음
특징가우시안 분포를 따름
백색 잡음 특성을 가짐
전도체의 저항과 온도에 비례하여 증가
주파수 대역폭에 따라 잡음 전력이 증가
관련 이론열역학
전기회로 이론
공식
잡음 전압 제곱 평균
발생 원리
전도체의 내부자유 전자의 무작위 운동으로 인해 발생
운동 에너지전자의 열적 운동 에너지에 비례
결과전도체 내 전압 요동으로 나타남
활용 및 응용
전자 기기모든 전자 기기에 존재하는 기본적인 잡음
통신 시스템신호 대 잡음 비를 제한하는 주요 요인
측정 장비정밀 측정의 한계 요소
저온 물리학극저온 환경에서 관찰되는 양자 잡음
추가 정보
관련 학자존 버트런드 존슨
해리 나이퀴스트
잡음 모델등가 잡음 전압 또는 잡음 전류 소스로 모델링 가능
잡음 감소 방법저항 감소
온도 감소
필터 사용
잡음 지수증폭기 등의 성능을 평가하는 지표로 사용

2. 역사

알베르트 아인슈타인이 1905년 브라운 운동 이론을 열적 요동의 관점에서 처음으로 설명하면서 열잡음 연구가 시작되었다.[2] 이후 발터 쇼트키가 샷 노이즈를 발견하고, 존 B. 존슨과 해리 나이퀴스트가 통신 시스템에서의 잡음을 연구하는 등 여러 과학자들의 연구를 통해 열잡음 현상이 규명되었다.[2]

2. 1. 초기 연구

1905년, 알베르트 아인슈타인은 기적의 해 논문 중 하나에서 브라운 운동 이론을 열적 요동의 관점에서 처음으로 설명했다. 이듬해 아인슈타인은 동일한 현상을 적용하여 열적으로 요동치는 전류를 유도할 수 있다고 제안했지만, 검증이 불가능하다고 생각하여 계산을 수행하지는 않았다.[2]

1912년, 헨드릭 로렌츠의 딸인 게르트루이다 드 하스-로렌츠는 아인슈타인의 확률적 이론을 확장하여 처음으로 전자 연구에 적용하고 열 전류의 평균 제곱값에 대한 공식을 유도했다.[2][3]

1918년, 발터 쇼트키는 아인슈타인의 이론을 사용하여 열잡음을 연구하는 과정에서 실험적으로 또 다른 종류의 잡음인 샷 노이즈를 발견했다.[2]

전기 계측 분야에서 일하던 프릿츠 제르니케는 고감도 검류계를 사용하는 동안 특이한 무작위 편향을 발견했다. 그는 잡음이 기계적인 것이라는 생각을 거부하고 열적 성질의 것이라고 결론지었다. 1927년 그는 전기 측정에 자기상관 개념을 도입하고 시간 검출 한계를 계산했다. 그의 연구는 드 하스-로렌츠의 예측과 일치했다.[2]

같은 해, 제르니케의 연구를 전혀 알지 못한 채 독자적으로 연구하던 존 B. 존슨은 벨 연구소에서 통신 시스템에서 동일한 종류의 잡음을 발견했지만, 주파수의 관점에서 설명했다.[4][5][2] 그는 그의 발견을 벨 연구소의 해리 나이퀴스트에게 설명했고, 나이퀴스트는 열역학과 통계 역학의 원리를 사용하여 그 결과를 설명하고 1928년에 발표했다.[6]

2. 2. 존슨과 나이퀴스트의 발견

1927년, 벨 연구소의 존 B. 존슨은 통신 시스템에서 잡음을 발견하고 주파수 관점에서 설명했다.[4][5][2] 그는 자신의 발견을 같은 연구소의 해리 나이퀴스트에게 설명했고, 나이퀴스트는 열역학과 통계 역학의 원리를 사용하여 그 결과를 설명하고 1928년에 발표했다.[6]

3. 이상적인 저항의 잡음 (중간 주파수)

존슨의 실험에 따르면, 중간 주파수에서 이상적인 저항의 열잡음은 주파수 의존성이 없는 순수 저항으로, 극단적인 주파수와 온도가 아닌 경우에 적용된다.[5] 일반적인 전자 장치는 더 제한된 대역폭에서 작동하므로, 존슨의 방정식이 종종 사용되지만, 더 정확한 일반 형태는 복소 임피던스와 양자 효과를 고려한다.

3. 1. 평균 제곱 전압

존슨의 실험(그림 1)에 따르면, 절대온도 T의 저항 R에서 발생하는 열잡음은 대역 제한되어 주파수 대역대역폭 \Delta f (그림 3)을 가질 때, 다음과 같은 평균 제곱 전압을 갖는다는 것을 알 수 있다.[5]

:\overline {V_n^2} = 4 k_\text{B} T R \, \Delta f

여기서 k_{\rm B}볼츠만 상수(/켈빈)이다. 이 방정식은 극단적인 주파수와 온도가 아닌 경우 '이상적인 저항'(즉, 주파수 의존성이 없는 순수 저항)에 적용되지만, 더 정확한 일반 형태는 복소 임피던스와 양자 효과를 고려한다. 일반적인 전자 장치는 더 제한된 대역폭에서 작동하므로, 존슨의 방정식은 종종 충분히 만족스럽다.

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3. 2. 전력 스펙트럼 밀도

존슨의 실험에 따르면, 절대온도 T인 저항 R에서 발생하는 열잡음이 대역 제한되어 주파수 대역대역폭 \Delta f 를 가질 때, 다음과 같은 평균 제곱 전압을 갖는다.[5]

:\overline {V_n^2} = 4 k_\text{B} T R \, \Delta f

여기서 k_{\rm B}볼츠만 상수(/켈빈)이다.

대역폭의 헤르츠당 평균 제곱 전압은 4 k_\text{B} T R이며, 이는 전력 스펙트럼 밀도라고 할 수 있다. 상온(약 300 K)에서 제곱근은 나노볼트/헤르츠 단위로 약 0.13 \sqrt{R}에 해당한다. 예를 들어, 10 kΩ 저항의 경우 상온에서 약 13 나노볼트/헤르츠를 갖는다.

3. 3. RMS 잡음 전압

존슨의 실험에 따르면, 절대온도 T의 저항 R에서 발생하는 열잡음이 대역 제한되어 주파수 대역대역폭 \Delta f를 가질 때, 평균 제곱 전압은 다음과 같다.[5]

:\overline {V_n^2} = 4 k_\text{B} T R \, \Delta f

여기서 k_{\rm B}볼츠만 상수(/켈빈)이다. 평균 제곱 전압의 제곱근은 대역폭 \Delta f에서 관측되는 실효값(RMS) 전압을 나타낸다.

:V_\text{rms} = \sqrt{\overline {V_n^2}} = \sqrt{ 4 k_\text{B} T R \, \Delta f } \, .

열잡음이 있는 저항은 위 RMS 전압을 가진 가우시안 잡음 전압원과 직렬로 연결된 무잡음 저항으로 구성된 테브낭 등가 회로로 표현될 수 있다.

실온 근처에서 3 kΩ은 20 kHz(인간의 가청 범위)에서 거의 1마이크로볼트의 RMS 잡음을 제공하며, R \, \Delta f에 대해 60 Ω·Hz는 거의 1나노볼트의 RMS 잡음에 해당한다.

3. 4. RMS 잡음 전류

열잡음이 있는 저항은 잡음이 없는 저항과 RMS 전류를 갖는 가우스 잡음 전류원으로 구성된 노턴 등가 회로로 나타낼 수 있으며, 이때 RMS 전류는 다음과 같다.[5]

:I_\text{rms} = {V_\text{rms} \over R} = \sqrt {{4 k_\text{B} T \Delta f } \over R}.

4. 축전기의 열잡음

이상적인 축전기는 열잡음이 없지만, 저항과 축전기를 함께 사용하는 RC 회로(일반적인 저역 통과 필터)에는 'kTC 잡음'이 발생한다. kTC 잡음은 저항(R) 값과 관계없이 발생하며, RC 회로의 잡음 대역폭은 \Delta f {=} \tfrac{1}{4RC}이다.[7]

RC 필터에서 발생하는 평균 제곱 및 RMS 잡음 전압은 다음과 같다.[8]

:

\overline {V_n^2} = {4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = {k_\text{B} T \over C}



:

V_\text{rms} = \sqrt{4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = \sqrt{ k_\text{B} T \over C }.



잡음 전하 Q_n는 정전용량에 전압을 곱한 값으로, 다음과 같이 나타낼 수 있다.

:Q_n = C \, V_n = C \sqrt{ k_\text{B} T \over C } = \sqrt{ k_\text{B} T C }

:

\overline{Q_n^2} = C^2 \, \overline{V_n^2} = C^2 {k_\text{B} T \over C} = k_\text{B} T C



이 전하 잡음이 "kTC 잡음"이라는 용어의 기원이다.

300 K에서 정전용량에 따른 열잡음은 아래 표와 같다.

300 K에서 축전기의 열잡음
정전용량전하 잡음 Q_n {=} \sqrt{ k_\text{B} T C }
쿨롱 단위전자 단위
1 fF2 mVaC12.5 e
10 fF640 μVaC40 e
100 fF200 μVaC125 e
1 pF64 μVaC400 e
10 pF20 μVaC1250 e
100 pF6.4 μVaC4000 e
1 nF2 μVfC12500 e


4. 1. kTC 잡음

이상적인 축전기는 손실 없는 소자이므로 열잡음이 없다. 그러나 저항과 축전기의 조합(RC 회로, 일반적인 저역 통과 필터)에는 'kTC 잡음'이라고 하는 잡음이 있다. RC 회로의 잡음 대역폭은 \Delta f {=} \tfrac{1}{4RC}이다.[7] 이것을 열잡음 방정식에 대입하면, 저항(R) 값이 방정식에서 사라지는 매우 간단한 형태가 된다. 이는 더 높은 R이 잡음을 증가시키는 만큼 대역폭을 감소시키기 때문이다.

이러한 필터에서 생성되는 평균 제곱 및 RMS 잡음 전압은 다음과 같다.[8]

:

\overline {V_n^2} = {4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = {k_\text{B} T \over C}



:

V_\text{rms} = \sqrt{4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = \sqrt{ k_\text{B} T \over C }.



잡음 전하 Q_n는 정전용량에 전압을 곱한 값이다.

: Q_n = C \, V_n = C \sqrt{ k_\text{B} T \over C } = \sqrt{ k_\text{B} T C }

:

\overline{Q_n^2} = C^2 \, \overline{V_n^2} = C^2 {k_\text{B} T \over C} = k_\text{B} T C



이 전하 잡음은 "kTC 잡음"이라는 용어의 근원이다. 저항 값과는 무관하지만, kTC 잡음의 100%는 저항에서 발생한다.[7] 따라서 저항의 열잡음과 관련된 kTC 잡음을 두 번 계산하는 것은 잘못이며, 저항과 축전기의 온도가 다르더라도 저항의 온도만 사용해야 한다.

300 K에서 축전기의 열잡음은 아래 표와 같다.

300 K에서 축전기의 열잡음
정전용량전하 잡음 Q_n {=} \sqrt{ k_\text{B} T C }
쿨롱 단위전자 단위
1 fF2 mVaC12.5 e
10 fF640 μVaC40 e
100 fF200 μVaC125 e
1 pF64 μVaC400 e
10 pF20 μVaC1250 e
100 pF6.4 μVaC4000 e
1 nF2 μVfC12500 e


4. 2. 리셋 노이즈

이상적인 축전기는 손실 없는 소자이므로 열잡음이 없다. 그러나 저항과 축전기의 조합(RC 회로, 일반적인 저역 통과 필터)에는 'kTC' 잡음이라고 하는 잡음이 있다. RC 회로의 잡음 대역폭은 \Delta f {=} \tfrac{1}{4RC}이다.[7] 이것을 열잡음 방정식에 대입하면, 저항(R) 값이 방정식에서 사라지는 매우 간단한 형태가 된다. 이는 더 높은 R이 잡음을 증가시키는 만큼 대역폭을 감소시키기 때문이다.

이러한 필터에서 생성되는 평균 제곱 및 RMS 잡음 전압은 다음과 같다.[8]

:

\overline {V_n^2} = {4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = {k_\text{B} T \over C}



:

V_\text{rms} = \sqrt{4 k_\text{B} T R \over 4 R C} = \sqrt{ k_\text{B} T \over C }.



잡음 전하 Q_n는 정전용량에 전압을 곱한 값이다.

: Q_n = C \, V_n = C \sqrt{ k_\text{B} T \over C } = \sqrt{ k_\text{B} T C }

:

\overline{Q_n^2} = C^2 \, \overline{V_n^2} = C^2 {k_\text{B} T \over C} = k_\text{B} T C



이 전하 잡음은 "kTC 잡음"이라는 용어의 근원이다. kTC 잡음의 100%는 저항에서 발생하지만, 저항 값과는 무관하다.[7] 따라서 저항의 열잡음과 관련된 kTC 잡음을 두 번 계산하는 것은 잘못이며, 저항과 축전기의 온도가 다르더라도 저항의 온도만 사용해야 한다.

극단적인 경우로, 이상적인 스위치를 열 때 축전기에 남는 '''리셋 노이즈'''는 제로 대역폭 한계에서 발생한다. 이상적인 스위치의 개방 저항은 무한대이지만, 공식은 여전히 적용된다. 그러나 이제 RMS 전압은 시간 평균이 아닌, 대역폭이 0일 때 전압이 일정하므로 이러한 많은 리셋 이벤트에 대한 평균으로 해석되어야 한다. 이러한 의미에서 RC 회로의 존슨 노이즈는 저항의 개입 없이도 축전기 내 전자 수의 열역학적 분포 효과로 볼 수 있다.

이 노이즈는 축전기 자체에 의한 것이 아니라 축전기 전하량의 열역학적 변동에 의해 발생한다. 축전기가 도전 회로에서 분리되면 열역학적 변동은 위에서 주어진 표준 편차를 가진 임의의 값으로 ''고정''된다. 용량성 센서의 리셋 노이즈는 이미지 센서 등에서 종종 한계 노이즈 원인이 된다.

열역학적 평형 상태에 있는 모든 시스템은 자유도당 \tfrac{kT}{2}의 평균 에너지를 갖는 상태 변수를 가진다. 축전기의 에너지 공식(''E'' = \tfrac{1}{2}''CV''2)을 사용하여 축전기의 평균 노이즈 에너지는 \tfrac{1}{2}''C''\tfrac{kT}{C} = \tfrac{kT}{2}임을 알 수 있다. 축전기의 열잡음은 저항을 고려하지 않고도 이 관계로부터 유도할 수 있다.

5. 온도 측정법

NIST는 2017년 존슨 잡음 온도 측정법을 사용하여 불확실성이 3ppm 미만인 볼츠만 상수를 측정했다.[10] 이는 조셉슨 전압 표준과 양자 홀 저항기를 물의 삼중점 온도에서 유지하여 달성했다. 전압은 100일 동안 측정되어 통합되었다.[10]

2017년 당시 물의 삼중점 온도는 정의상 273.16 K였고 볼츠만 상수는 실험적으로 측정 가능했다. 음향 기체 온도 측정법의 불확실성이 0.2 ppm에 도달했고 존슨 잡음은 2.8 ppm이었기 때문에 이는 재정의의 전제 조건을 충족했다. 2019년 재정의 이후 켈빈은 볼츠만 상수가 1.380649×10|1.380649×10−23영어 J⋅K−1이 되도록 정의되었고, 물의 삼중점은 실험적으로 측정 가능하게 되었다.[11][12][13]

6. 인덕터의 열잡음

인덕터는 축전기의 쌍대이다. kTC 잡음과 유사하게, 인덕터 L을 가진 저항기는 저항과 무관한 잡음 ''전류''를 생성한다.[14]

:\overline {I_n^2} = {k_\text{B} T \over L} \, .

7. 최대 잡음 전력 전달

저항 ''R''S에서 발생하는 잡음은 나머지 회로로 전달될 수 있다. 최대 전력 전달은 나머지 회로의 테브낭 등가 회로 저항 ''R''L이 ''R''S와 일치할 때 발생한다.[14] 이 경우, 두 저항 각각은 자체와 다른 저항 모두에서 잡음을 소산한다. 이때 두 저항 중 어느 하나에 걸리는 전압이 전체 소스 전압의 절반밖에 되지 않기 때문에 최대 잡음 전력 전달은 다음과 같다.

: ''P''max = ''k''B''T''Δ''f''

이 최댓값은 저항 값과 무관하며, '사용 가능한 잡음 전력'이라고 불린다.[14]

7. 1. 사용 가능한 잡음 전력 (dBm)

신호 전력은 종종 dBm(데시벨, 1밀리와트 기준)으로 측정된다. 따라서 사용 가능한 잡음 전력은 dBm 단위로 10\ \log_{10}(\tfrac{k_\text{B} T \Delta f}{\text{1 mW}})가 된다. 상온(300K)에서 사용 가능한 잡음 전력은 대역폭을 헤르츠 단위로 할 때 10\ \log_{10}(\Delta f) - 173.8 dBm으로 쉽게 근사할 수 있다.[14][15] dBm 단위의 사용 가능한 잡음 전력의 몇 가지 예는 아래 표에 나와 있다.

300K에서 사용 가능한 열 잡음 전력
대역폭 (\Delta f )사용 가능한 열 잡음 전력
(dBm)
참고
1 Hz−174
10 Hz−164
100 Hz−154
1 kHz−144
10 kHz−134FM 무전기 채널
100 kHz−124
180 kHz−121.45하나의 LTE 자원 블록
200 kHz−121GSM 채널
1 MHz−114블루투스 채널
2 MHz−111상용 GPS 채널
3.84 MHz−108UMTS 채널
6 MHz−106아날로그 텔레비전 채널
20 MHz−101WLAN 802.11 채널
40 MHz−98WLAN 802.11n 40 MHz 채널
80 MHz−95WLAN 802.11ac 80 MHz 채널
160 MHz−92WLAN 802.11ac 160 MHz 채널
1 GHz−84UWB 채널


8. 나이퀴스트의 이상적인 저항 잡음 유도

나이퀴스트는 1928년 논문 "도체 내 전하의 열적 요동"에서 볼츠만맥스웰의 등분배 정리를 사용하여 존슨의 실험 결과를 설명했다.[6] 그는 긴 손실 없는 송전선에서 각 정상파 진동 모드의 에너지 기여를 합산하는 방식으로 열잡음 공식을 유도했다.

나이퀴스트의 사고 실험에서는 두 개의 동일한 저항(R_1 = R_2)이 연결된 긴 손실 없는 송전선을 가정했다. 이때, R_1에서 발생하여 R_2로 흡수되는 대역폭 \Delta f에서의 총 평균 전력은 다음과 같이 계산되었다.[6]

:\overline{P_1} = k_{\rm B} T \, \Delta f \, .

옴의 법칙을 적용하면, V_1(R_1만의 열 전압 잡음)에서 결합된 저항을 통해 흐르는 전류는 I_1 = \tfrac{V_1}{R_1 + R_2} = \tfrac{V_1}{2R_1}이다. 따라서 R_1에서 R_2로 전달되는 전력은 이 전류의 제곱에 R_2를 곱한 값으로, 다음과 같이 나타낼 수 있다.[6]

:P_1 = I_1^2 R_2 = I_1^2 R_1 = \left( \frac{V_1}{2R_1} \right)^2 R_1 = \frac{V_1^2}{4R_1} \, .

P_1을 위에서 구한 평균 전력 \overline{P_1}과 같다고 놓으면, 해당 대역폭에서 V_1^2의 평균값을 얻을 수 있다.

:\overline{V_1^2} = 4 k_\text{B} T R_1 \, \Delta f \, .

나이퀴스트는 이와 유사한 방식으로 같지 않은 임피던스와 복소 임피던스에도 적용되는 일반화된 표현식을 제시했다. 그는 고전 이론에 따라 k_{\rm B} T를 사용했지만, 논문 말미에는 플랑크 상수 h를 포함하는 더 복잡한 표현식(양자 역학 이론)을 사용하려는 시도도 했다.[6]

9. 일반화된 형태

앞서 설명한 전압 잡음은 저주파에서 중주파까지의 순수 저항 부품에 대한 특수한 경우이다. 일반적으로 열 전기 잡음은 플럭튜에이션-소산 정리의 결과로, 더 일반적인 여러 전기적 경우에서 저항 응답과 관련이 있다. 이러한 일반화는 고려 중인 전기 부품이 순전히 수동적이고 선형적인 경우에만 적용된다는 공통적인 제한 사항을 공유한다.

9. 1. 복소 임피던스

나이퀴스트는 복소 임피던스 Z(f)를 갖는 부품에 대한 일반화된 잡음 공식을 제공했다.[6] 직렬 잡음 전압의 전력 스펙트럼 밀도는 다음과 같다.

:S_{v_n v_n}(f) = 4 k_\text{B} T \eta(f) \operatorname{Re}[Z(f)].

함수 \eta(f)는 매우 높은 주파수 또는 절대 영도 근처를 제외하고는 약 1이다.

임피던스의 실수부인 \operatorname{Re}[Z(f)]는 일반적으로 주파수에 따라 달라지므로 존슨-나이퀴스트 잡음은 백색 잡음이 아니다.

9. 2. 양자 효과 (고주파 또는 저온)

매우 높은 주파수(f ≳ kBT/h)에서는 함수 η(f)가 0으로 지수적으로 감소하기 시작한다. 상온에서는 이러한 전이가 테라헤르츠 영역에서 발생하며, 이는 기존 전자 장치의 성능을 훨씬 뛰어넘는 영역이므로, 기존 전자 장치 작업에서는 η(f)=1로 설정하는 것이 유효하다.[17]

양자 효과는 매우 높은 주파수 또는 절대 영도에 가까운 매우 낮은 온도에서 중요하며, 이때 승산 인자 η(f)는 다음과 같이 주어진다.[17]

:η(f) = hf/kBT / (ehf/kBT - 1) + 1/2

hf/kBT

9. 2. 1. 플랑크 법칙과의 관계

나이퀴스트 공식은 본질적으로 1901년 플랑크가 1차원의 흑체 전자기 복사에 대해 유도한 공식과 동일하며, 플랑크 흑체 복사 법칙의 1차원 버전이다.[18] 뜨거운 저항은 자유 공간에서 뜨거운 물체가 전자기파를 생성하는 것처럼 전송선에서 전자기파를 생성한다.

1946년, 로버트 H. 디케는 이 관계를 자세히 설명했고,[19] 특히 모든 방향에 대한 평균 안테나 유효 면적이 λ(파장)일 때 \tfrac{\lambda^2}{4\pi}보다 클 수 없다는 사실을 포함하여 안테나의 특성과 더욱 연결했다. 이것은 3차원 대 1차원 플랑크 법칙의 주파수 의존성 차이에서 비롯된다.

9. 3. 다중 포트 전기 네트워크

리처드 큐. 트위스(Richard Q. Twiss)는 나이퀴스트 공식을 서큘레이터(circulator)와 절연기(isolator)를 포함한 다중 포트 수동 전기 네트워크로 확장했다.[20] 열잡음은 모든 포트에 나타나며 각 포트와 직렬로 연결된 임의의 직렬 전압원으로 설명할 수 있다. 서로 다른 포트의 임의 전압은 상관관계가 있을 수 있으며, 그 진폭과 상관관계는 서로 다른 잡음 전압을 관련짓는 일련의 교차 스펙트럼 밀도(cross-spectral density) 함수로 완전히 설명된다.

:S_{v_m v_n}(f) = 2 k_\text{B} T \eta(f) (Z_{mn}(f) + Z_{nm}(f)^*)

여기서 Z_{mn}은 임피던스 매트릭스(impedance matrix) \mathbf{Z}의 요소이다.

다시 말해, 잡음에 대한 대안적인 설명은 각 포트에 적용된 병렬 전류원에 대한 것이다. 그들의 교차 스펙트럼 밀도는 다음과 같이 주어진다.

:S_{i_m i_n}(f) = 2 k_\text{B} T \eta(f) (Y_{mn}(f) + Y_{nm}(f)^*)

여기서 \mathbf{Y} = \mathbf{Z}^{-1}은 어드미턴스 매트릭스이다.

참조

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[6] 학술지 Thermal Agitation of Electric Charge in Conductors 1928
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[22] 서적 基礎電気電子計測 コロナ社
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