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목차

1. 개요

eDRAM은 트랜지스터 기반 DRAM의 일종으로, 주로 캐시 메모리로 사용된다. SRAM에 비해 집적도가 높아 더 큰 용량의 메모리 구현이 가능하며, 버스 폭을 넓혀 처리 속도를 향상시킬 수 있다. IBM의 POWER7, 인텔의 코어 i7, i5, i3 프로세서, 소니 플레이스테이션 2, 플레이스테이션 포터블, 닌텐도 Wii, 게임큐브, 마이크로소프트 Xbox 360 등 다양한 기기에 탑재되었다. 인텔 810DC 칩셋 내장 그래픽과 야마하 YMF704C DSP에도 사용되었다.

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2. 상세

eDRAM은 외부 DRAM 모듈 및 주로 캐시로 사용되는 트랜지스터 기반 SRAM과 대비된다.

eDRAM을 혼재함으로써 버스 폭을 넓혀 처리 속도를 향상시킬 수 있다. DRAM은 SRAM에 비해 집적도가 높기 때문에 잠재적으로 더 대용량의 메모리를 사용할 수 있다. 그러나 제조 공정의 차이로 인해 단일 다이에 통합하기 어렵고, 여러 다이를 1개의 칩에 봉입해야 하므로 비용을 상승시키는 요인이 된다. 최근에는 1T-SRAM 등과 같이 표준 CMOS 공정을 사용하여 eDRAM을 제조함으로써 이 문제를 회피하고 있다.

2. 1. 특징

eDRAM은 주로 캐시로 사용되는 트랜지스터 기반 SRAM에 비해 집적도가 높아 더 큰 용량의 메모리를 같은 공간에 집적할 수 있다. eDRAM을 혼재함으로써 버스 폭을 넓혀 처리 속도를 향상시킬 수 있다.

그러나 제조 공정의 차이로 인해 단일 다이에 통합하기 어렵고, 여러 다이를 1개의 칩에 봉입해야 하므로 비용이 증가하는 문제가 있다. 최근에는 1T-SRAM 등과 같이 표준 CMOS 공정을 사용하여 eDRAM을 제조함으로써 이 문제를 해결하고 있다.

2. 2. 장점과 한계

eDRAM은 주로 캐시 메모리로 사용되는 트랜지스터 기반 SRAM과 대비되며, 외부 DRAM 모듈과 구별된다.

eDRAM을 혼재하면 버스 폭을 넓혀 처리 속도를 향상시킬 수 있다. DRAM은 SRAM보다 집적도가 높아 더 큰 용량의 메모리를 사용할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 제조 공정이 달라 단일 다이에 통합하기 어렵고, 여러 다이를 하나의 칩에 통합해야 하므로 비용이 증가하는 단점이 있다. 최근에는 1T-SRAM 등과 같이 표준 CMOS 공정을 사용하여 eDRAM을 제조함으로써 이러한 문제를 해결하고 있다.

3. eDRAM 탑재 프로세서 및 기기

eDRAM은 다양한 프로세서와 게임기, 개인용 컴퓨터 등에 탑재되었다.

종류제품
프로세서IBM POWER7, 인텔 코어 i7 (4세대 이후), 코어 i5 (5세대 이후), 코어 i3 (6세대 이후)의 Iris 그래픽스 탑재 일부 CPU[4]
가정용 게임기소니 컴퓨터 엔터테인먼트 플레이스테이션 2, 플레이스테이션 포터블, 닌텐도 Wii, 게임큐브, 마이크로소프트 Xbox 360
개인용 컴퓨터인텔 810DC (칩셋 내장 그래픽에 4MB의 eDRAM 탑재), 야마하 YMF704C (DSP에 1MB의 eDRAM 탑재)


3. 1. 프로세서

3. 2. 게임기

3. 3. 기타


  • 인텔 810DC (칩셋 내장 그래픽에 4MB의 eDRAM 탑재)
  • 야마하 YMF704C (DSP에 1MB의 eDRAM 탑재)

참조

[1] 웹사이트 Intel's Embedded DRAM: New Era of Cache Memory http://www.eetimes.c[...]
[2] 웹사이트 Hot Chips XXI Preview http://realworldtech[...] Real World Technologies 2009-08-17
[3] 웹사이트 Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks http://www.anandtech[...] AnandTech 2013-10-07
[4] 문서 "Intel Iris (Plus) Graphics xxx」（xxxの中には任意の数字が入る）という表記で、Grahicsの表記の後に数字が入るIrisがeDRAM搭載となる。数字のないIrisはeDRAM非搭載。"


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