결정 결함

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1. 개요

결정 결함은 결정 격자 내 원자 배열의 규칙적인 패턴에서 벗어난 상태를 의미하며, 물질의 물리적, 화학적 특성에 큰 영향을 미친다. 점 결함, 선 결함, 면 결함, 벌크 결함 등 다양한 유형으로 분류되며, 결정의 생성 조건, 외부 환경, 불순물 첨가 등에 의해 발생한다. 전자 현미경, 주사 탐침 현미경, X선 회절 등 다양한 방법으로 관찰할 수 있으며, 컴퓨터 시뮬레이션도 연구에 활용된다. 한국에서는 반도체, 디스플레이, 에너지 소재 분야에서 결정 결함 연구가 활발히 진행되고 있으며, 관련 기술 개발을 통해 경제 성장을 도모하고 있다.

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결정 결함
결정 결함
전위
점 결함 (공공 및 침입형)
유형	점 결함 선 결함 면 결함 부피 결함
관련	재료 과학, 결정학, 응집물질물리학
설명	결정 격자의 주기성을 방해하는 결함
점 결함
종류	공공 침입형 원자 치환형 원자 프렌켈 결함 쇼트키 결함
선 결함
종류	전위 적층 결함
면 결함
종류	결정립계 쌍정 경계 면 결함
부피 결함
종류	기공 개재물

2. 점 결함

결정 격자의 한 점 또는 그 주변에서 발생하는 결함이다. 점 결함은 단일 격자점 또는 그 주변에서만 발생하며, 어떤 차원에서도 공간적으로 확장되지 않는다. 점 결함의 크기에 대한 엄격한 한계는 명확하게 정의되지 않지만, 일반적으로 몇 개의 추가되거나 빠진 원자를 포함한다. 정렬된 구조에서 더 큰 결함은 전위 루프로 간주된다.

역사적인 이유로, 특히 이온 결정에서 많은 점 결함은 '중심(center)'이라고 불린다. 예를 들어, 많은 이온 고체에서 빈자리는 발광 중심, 색 중심 또는 F 중심이라고 불린다. 이러한 전위는 결정을 통한 이온 수송을 허용하여 전기화학 반응을 유도한다. 점 결함은 크뢰거-핑크 표기법을 사용하여 지정된다.

점 결함의 종류는 다음과 같다.

빈자리 결함(Vacancy defect): 완벽한 결정에서 채워져야 할 격자 자리가 비어 있는 것이다.
격자 틈새 (침입형) 결함: 간극 결함은 일반적으로 원자가 없는 결정 구조의 자리를 차지하는 원자이다.
쇼트키 결함: 침입형 결함과 빈자리 결함이 붙어있는 것이다. 주로 이온 결정에서 나타나며, 양이온과 음이온 공공이 쌍으로 존재한다.
프렌켈 결함: 이온에서 양이온과 음이온이 짝을 지어 자리가 비는 것이다.

근처의 공공과 간극 쌍은 종종 프렌켈 결함 또는 프랭클 쌍이라고 불린다. 이것은 이온이 간극 자리로 이동하여 공공을 생성할 때 발생한다.

재료 정제 방법의 기본적인 한계 때문에 재료는 결코 100% 순수하지 않으며, 정의상 결정 구조에 결함을 유발한다. 불순물의 경우, 원자는 종종 결정 구조의 일반적인 원자 자리에 포함된다. 이것은 비어 있는 자리도 아니고 원자가 간극 자리에 있는 것도 아니며, '''치환형 결함'''이라고 한다.

2. 1. 공공 (Vacancy)

공공(Vacancy) 결함은 완벽한 결정에서 채워져야 할 격자 자리가 비어 있는 것이다. 이웃 원자가 비어 있는 자리를 채우기 위해 이동하면, 공공은 이동하는 원자가 이전에 차지했던 자리와 반대 방향으로 이동한다. 주변 결정 구조의 안정성은 이웃 원자가 공공 주변으로 붕괴되지 않도록 보장한다. 일부 재료에서는 주변 원자의 인력을 받기 때문에 이웃 원자가 실제로 공공에서 멀어지기도 한다. 공공(또는 이온 고체에서 공공 쌍)은 때때로 쇼트키 결함이라고 불린다.^[26]

쇼트키 결함은 주로 이온 결정에서 나타나며, 양이온과 음이온 공공이 쌍으로 존재한다.

2. 2. 격자간 원자 (Interstitial Atom)

격자간 원자는 결정 구조에서 원자 사이의 공간, 즉 격자간 위치에 원자가 존재하여 발생하는 점결함이다. 에너지가 크기 때문에 평형 농도는 비교적 작다. 프렌켈 결함은 격자 위치에 있던 원자가 격자 사이의 공간으로 이동하여 공공과 격자간 원자가 동시에 생성되는 결함이다.

2. 3. 치환형 불순물 (Substitutional Impurity)

재료는 정제 방법의 한계로 인해 100% 순수할 수 없으며, 이는 결정 구조에 결함을 야기한다. 불순물 원자는 종종 결정 구조 내 일반적인 원자 자리에 포함되는데, 이는 빈자리나 간극 자리에 있는 것이 아니므로 치환형 불순물이라고 한다. 이러한 원자는 원래 결정에 존재하지 않을 것으로 예상되는 불순물이다.

치환 원자(이온)의 반지름이 원래 원자(이온)의 반지름보다 상당히 작으면, 평형 위치가 격자 자리에서 벗어날 수 있다. 이러한 유형의 결함을 중심이 벗어난 이온이라고 한다.

치환형 불순물에는 두 가지 유형이 있다.

등가 치환: 치환하는 이온의 산화 상태가 원래 이온과 동일한 경우이다.
이가 치환: 치환하는 이온의 산화 상태가 원래 이온과 다른 경우이다. 이가 치환은 이온 화합물의 전체 전하를 변화시키지만, 이온 화합물은 중성이어야 하므로 전하 보상 메커니즘이 필요하다. 이는 금속 중 하나가 부분적으로 또는 완전히 산화/환원되거나, 이온 공공이 생성되는 방식으로 이루어진다.

2. 4. 반자리 결함 (Antisite Defect)

반자리 결함^[6]^[7]은 정렬된 합금이나 화합물에서 나타나는 현상으로, 서로 다른 종류의 원자가 원래 있어야 할 위치를 바꿔서 자리 잡는 것을 말한다. 예를 들어 어떤 합금이 A 종류 원자와 B 종류 원자가 번갈아 규칙적으로 배열된 구조를 가지고 있다고 가정할 때, A 종류 원자가 정육면체 격자의 모서리에 위치하고, B 종류 원자가 정육면체의 중앙에 위치하는 구조라면, 어느 한 정육면체의 중앙에 A 종류 원자가 위치하는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우, A 원자는 원래 B 원자가 있어야 할 자리에 위치하게 되므로 반자리 결함이 된다. 이는 빈자리(공공)나 틈새에 원자가 들어가는 간극과는 다른 형태이며, 불순물로 간주되지 않는다.

2. 5. 전하 결함 (Electrical Defect)

전하의 과부족 현상이다.^[26] 예를 들면 다음과 같다.

전도 전자: 특정 원자에서 떨어져 나와 결정 내부를 자유롭게 이동하는 전자이다.
정공: 특정 원자에서 전자가 부족하여 생기는 빈자리로, 결정 내부를 이동한다.
대전 요소: 결정을 구성하는 요소가 전자를 잃거나 얻어 전하를 띠는 것이다. 많은 격자 공공(빈자리)은 대전 요소로 존재한다.

3. 선 결함 (Line Defect)

선 결함은 결정 격자 내에서 선 형태로 존재하는 결함이다. 선 결함은 게이지 이론으로 설명될 수 있다. 선 결함에는 전위와 전경이 있다.

3. 1. 전위 (Dislocation)

전위는 선형 결함으로, 결정 격자의 원자가 잘못 정렬되어 있는 부분이다.^[13] 전위에는 크게 엣지 전위와 나사 전위 두 가지 유형이 있다. 두 유형의 특징을 결합한 "혼합" 전위도 흔하다.

엣지 전위는 결정 중간에 원자면이 끝나는 것으로 인해 발생한다. 인접한 평면은 직선이 아니고, 종단면의 가장자리 주위로 구부러져 결정 구조가 양쪽에서 완벽하게 정렬된다. 종이 뭉치에 반쪽짜리 종이를 삽입하면, 뭉치의 결함은 반쪽 종이의 가장자리에서만 눈에 띈다.

나사 전위는 시각화하기가 더 어렵지만, 기본적으로 결정 격자의 원자 평면이 선형 결함(전위선) 주위를 나선형 경로로 추적하는 구조로 구성된다.

전위의 존재는 격자 변형(왜곡)을 초래한다. 이러한 왜곡의 방향과 크기는 버거스 벡터(b)로 표현된다. 엣지형의 경우 b는 전위선에 수직이고, 나사형의 경우에는 평행하다. 금속 재료에서 b는 밀집된 결정학적 방향과 정렬되며, 그 크기는 원자 간 간격과 같다.

주변 평면 중 하나의 원자가 결합을 끊고 종단 가장자리의 원자와 재결합하면 전위가 이동할 수 있다.

외부 하중에 의해 유도된 응력의 영향 하에 전위가 존재하고 쉽게 이동(및 상호 작용)할 수 있다는 것이 금속 재료의 특징적인 연성으로 이어진다.

전위는 투과 전자 현미경, 장 이온 현미경, 원자 프로브 기술을 사용하여 관찰할 수 있다. 심준위 과도 분광법은 주로 실리콘에서 반도체의 전기적 활동을 연구하는 데 사용되었다.

3. 2. 전경 (Disclination)

전경 (재료과학)은 선 주위의 각도를 "추가"하거나 "빼는" 것에 해당하는 선 결함이다.^[14] 기본적으로 전경은 선 결함 주위의 결정 방향을 추적하면 회전이 발생한다는 것을 의미한다. 일반적으로 전경은 액정에서만 역할을 한다고 생각되었지만, 최근 연구 결과에 따르면 고체 재료에서도 역할을 할 수 있으며, 예를 들어 파괴의 자가 치유에 영향을 줄 수 있다.^[14]

4. 면 결함 (Planar Defect)

면 결함은 점 결함이 이차원적으로 연속 배치된 것이다. 결정립계, 적층 결함, 쌍정 경계 등이 이에 해당한다.^[26]

4. 1. 결정립계 (Grain Boundary)

결정립계는 결정학적 방향이 다른 두 결정립이 만나는 경계면이다.

4. 2. 적층 결함 (Stacking Fault)

결정 내 원자층의 적층 순서가 규칙에서 벗어난 결함이다. 예를 들어 ABABCABAB와 같이 적층 순서에 이상이 있는 경우를 말한다.

4. 3. 쌍정 경계 (Twin Boundary)

쌍정 경계는 결정 배열에 거울 대칭면을 도입하는 결함이다. 예를 들어 ABCABCBACBA와 같이 나타난다.

4. 4. 반상 경계 (Antiphase Boundary)

반상 경계는 질서 있는 합금에서 나타나는 결함으로, 경계 양쪽의 결정학적 방향은 같지만 위상이 반대인 경우를 말한다.

5. 벌크 결함 (Bulk Defect)

3차원적으로 큰 결함이다.

공공 (Void): 원자가 없는 작은 영역들이 모여 형성된 결함이다.
석출물(Precipitate): 불순물 원자들이 모여 형성된 새로운 상(Phase)이다.

공극은 '''벌크 결함'''(체적 결함, 보이드)이라고 부르기도 하지만, 이것은 결정 내부에 있다고는 할 수 없기 때문에 격자 결함과는 구별된다.^[26]

6. 결정 결함 생성 요인

결정을 구성하는 요소는 공간적인 반복 패턴을 따르는 위치에 있을 때 안정적이지만, 온도의 영향으로 다른 위치로 이동할 확률이 발생한다. 예를 들어 원자가 결정 내부의 틈새로 이동하여 격자간 원자를 형성하고 동시에 격자 공공을 형성한 상태를 프랭클 결함이라고 하며, 결정을 구성하는 한 쌍의 원자가 결정 외부로 이동하고 남은 한 쌍의 격자 공공을 쇼트키 결함이라고 한다. 또한, 온도의 영향으로 결정을 구성하는 서로 다른 원자들이 서로 바뀌면 다른 종류의 원자가 된다. 진성 반도체에서 전도 전자·정공 쌍의 발생도 온도에 의한 것이다.

점결함을 만드는 데 필요한 활성화 에너지는 격자간 원자보다 원자 공공이 더 작기 때문에 온도 상승과 함께 증가하는 점결함의 대부분은 원자 공공이다.^[25]

결정을 구성하는 원자는 일정 수의 전자를 포함하고 있지만, 이 중 일부가 그 원자에서 떨어져 전도 전자로 작용하는 경우가 있다. 또는 원자가 전자를 포획하여 독자적으로 작용하는 정공을 생성하는 경우도 있다. 이에 관련된 원자는 원자가가 변화하여 대전 요소가 된다.

완전한 결정을 구성하기 위해서는 원자가 엄격하게 일정한 비율로 포함되어 있어야 하지만, 어느 범위 내에서는 원자 수의 비율이 어긋나더라도 결정을 구성할 수 있다. 이때 과잉 또는 부족한 원자가 격자 결함이 된다.

결정 내부에 결정을 구성하는 원자와는 다른 종류의 원자를 첨가하면 종종 격자 결함이 된다. 예를 들어 첨가물 원자가 결정 내부의 틈새로 침입하여 격자간 원자가 된 결정을 침입형 고용체라고 하고, 첨가물 원자가 결정 내부의 원래 원자를 대체하여 다른 종류의 원자가 된 결정을 치환형 고용체라고 한다.

결정에 응력을 발생시키면 점결함이 발생하기 쉬워진다. 더 큰 응력을 가하면 점결함이 모여 선결함을 형성하고, 더 큰 응력을 가하면 선결함이 모여 면결함을 형성하고, 마침내 파단된다.

결정은 외부 환경과 화학 평형을 따른다. 외부 환경에서 결정을 구성하는 원자의 자유 에너지가 낮은 경우(예: 분압이 낮은 경우), 원자가 외부로 유출되어 격자 공공을 생성한다. 예를 들어 많은 산화물은 산소 공공(산소의 격자 공공)을 포함하고 있지만, 이 농도는 외부의 산소 분압에 따라 변화한다.

유한한 크기를 가진 결정은 표면이나 결정립계를 가지게 되므로 면결함이 존재하게 된다.

7. 결정 결함 관찰 방법

전자 현미경: 브래그 반사 세기 변화에 따른 회절 콘트라스트로 관찰된다. 박막 시료에 사용되며, 결함 밀도가 높은 경우 관찰 가능하다.
주사 탐침 현미경: 날카롭게 뾰족한 탐침을 사용하여 원자 수준에서 결정표면의 격자 결함을 직접 관찰하고, 구조, 전자 상태, 반응 메커니즘 등을 분석할 수 있다. 또한, 격자 결함의 조작도 가능하다.^[1]
X선 회절: 전자 현미경과 마찬가지로 회절 콘트라스트로 관찰된다. 두꺼운 시료에 사용되며, 결함 밀도가 낮은 경우에 효과적이다.
광산란: 결함 근처에서 빛의 굴절률 변화에 따른 광산란을 관찰한다.
전자 스핀 공명: 결함의 불쌍전자에 의한 자기 공명 흡수를 관찰한다.
캐소드루미네선스, 포토루미네선스: 결함에 전류나 빛을 가하여 발생하는 발광을 관찰한다.

8. 한국의 결정 결함 연구

한국에서는 재료 과학 분야에서 결정 결함 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 반도체, 디스플레이, 에너지 소재 등 첨단 산업 분야에서 결정 결함 제어 및 활용 기술 개발에 주력하고 있으며, 이는 경제 성장과 일자리 창출에 기여할 수 있다.

8. 1. 학술 활동

매년 격자결함 포럼이 개최되어 국내 연구자들이 최신 연구 동향을 공유하고 토론하는 장을 제공한다.^[1] 일본물리학회 영역 10 격자 결함·나노구조 분과가 이 포럼을 주최한다.

참조

_[1] 논문 Exploring atomic defects in molybdenum disulphide monolayers
_[2] 웹사이트 Properties and interactions of atomic defects in metals and alloys http://www.springerm[...] Springer
_[3] 웹사이트 Atomic Defects and Diffusion in Metals http://www.osti.gov/[...] North Holland
_[4] 서적 Point Defects in Solids Plenum Press
_[5] 논문 Native defects and their interactions with impurities in silicon Materials Research Society
_[6] 논문 Direct Antisite Formation in Electron Irradiation of GaAs https://aaltodoc.aal[...]
_[7] 논문 Point defects and their reactions in electron-irradiated GaAs investigated by optical absorption spectroscopy
_[8] 논문 Luminescence of ion-irradiated α-quartz
_[9] 논문 Irradiation Induced Grain Boundary Flow—A New Creep Mechanism at the Nanoscale
_[10] 논문 Strings and interstitials in liquids, glasses and crystals
_[11] 논문 Theory of defect complexes in insulators
_[12] 논문 Control of defect binding and magnetic interaction energies in dilute magnetic semiconductors by charge state manipulation
_[13] 서적 Theory of dislocations Krieger Pub Co
_[14] 웹사이트 Cracked metal, heal thyself https://www.mit.edu/[...] MIT news 2013-10-09
_[15] 논문 The role of surface defects in large organic molecule adsorption: substrate configuration effects
_[16] 논문 The topological theory of defects in ordered media
_[17] 논문 Intrinsic mobility of a dissociated dislocation in silicon
_[18] 논문 Mechanisms of radiation-induced viscous flow: Role of point defects
_[19] 논문 Vacancy formation energies for fcc and bcc transition metals https://aaltodoc.aal[...]
_[20] 논문 Convergence of supercell calculations for point defects in semiconductors: vacancy in silicon https://aaltodoc.aal[...]
_[21] 논문 The role of self-interstitial atoms on the high temperature properties of metals
_[22] 논문 Mechanism of Boron Diffusion in Silicon: An Ab Initio and Kinetic Monte Carlo Study https://zenodo.org/r[...]
_[23] 논문 Patterns of broken symmetry in the impurity-perturbed rigid-disk crystal
_[24] 웹사이트 角野浩二東北大名誉教授の講演 http://iwate.riast.o[...] 2021-07-20
_[25] 문서 駒井、p.17
_[26] 문서 駒井、p.16

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