맨위로가기 타임라인 바로가기

비휘발성 메모리

"오늘의AI위키"는 AI 기술로 일관성 있고 체계적인 최신 지식을 제공하는 혁신 플랫폼입니다.
"오늘의AI위키"의 AI를 통해 더욱 풍부하고 폭넓은 지식 경험을 누리세요.
타임라인 바로가기

1. 개요

비휘발성 메모리는 전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 메모리 기술을 통칭한다. 반도체 기반 비휘발성 메모리에는 마스크 롬, PROM, EPROM, EEPROM, 플래시 메모리 등이 있으며, 플래시 메모리는 NOR형과 NAND형으로 나뉜다. 이 외에도 강유전체 램(F-RAM), 자기저항 램(MRAM), 상변화 메모리(PCM), 저항 변화 메모리(ReRAM) 등이 있다. 기계적 주소 지정 시스템은 자기 테이프, 하드 디스크 드라이브, 광 디스크 등을 포함하며, 유기 메모리 기술도 연구되고 있다. NVRAM은 컴퓨터 설정 정보를 저장하는 데 사용되며, 다양한 비휘발성 메모리 기술의 사양 비교가 이루어지고 있다.

더 읽어볼만한 페이지

  • 비휘발성 메모리 - EPROM
    EPROM은 자외선을 사용하여 내용을 지울 수 있는 읽기 전용 메모리이며, MOSFET의 부유 게이트를 사용하여 데이터를 저장하고, 펌웨어 업데이트가 용이하여 소량 생산에 사용되었으나 EEPROM과 플래시 메모리에 의해 대체되었다.
  • 비휘발성 메모리 - 플래시 메모리
    플래시 메모리는 전기적으로 데이터의 쓰기 및 삭제가 가능한 비휘발성 메모리 기술로, 마스오카 후지오 박사가 발명하여 카메라 플래시와 유사한 소거 방식으로 인해 명명되었으며, NOR형과 NAND형으로 나뉘어 각기 다른 분야에 적용된다.
  • 컴퓨터 메모리 - 플래시 메모리
    플래시 메모리는 전기적으로 데이터의 쓰기 및 삭제가 가능한 비휘발성 메모리 기술로, 마스오카 후지오 박사가 발명하여 카메라 플래시와 유사한 소거 방식으로 인해 명명되었으며, NOR형과 NAND형으로 나뉘어 각기 다른 분야에 적용된다.
  • 컴퓨터 메모리 - 메모리 계층 구조
    메모리 계층 구조는 CPU 데이터 접근 속도 향상을 위해 레지스터, 캐시, RAM, 보조 기억 장치 등으로 구성되며, 속도, 용량, 비용이 다른 계층들을 통해 효율적인 메모리 관리를 가능하게 한다.
비휘발성 메모리
개요
유형컴퓨터 메모리
특징전원이 꺼진 후에도 저장된 정보를 유지하는 메모리
기술
주요 기술FeRAM
PCM
MRAM
ReRAM
플래시 메모리
종류
읽기 전용 메모리MROM
PROM
EPROM
EEPROM
비휘발성 랜덤 액세스 메모리FeRAM
MRAM
PRAM 또는 PCM
ReRAM
NRAM
활용
용도펌웨어 저장
운영 체제 부트 로더 저장
데이터 저장 (SSD, USB 플래시 드라이브)
특징 비교
구분비휘발성 메모리
설명전원 공급이 중단되어도 저장된 정보를 유지하는 컴퓨터 메모리의 한 유형이다.
대조휘발성 메모리

2. 반도체 기반 비휘발성 메모리

반도체 기반 비휘발성 메모리는 쓰기 메커니즘에 따라 분류할 수 있다. 데이터를 저장하는 방식에 따라 다양한 종류가 있다.


  • '''읽기 전용 메모리(ROM) 및 읽기 위주 장치:''' 마스크 롬, PROM, EPROM, EEPROM 등이 있으며, 주로 설정 정보 저장 등에 사용된다.
  • '''플래시 메모리:''' EEPROM에서 발전된 형태로, 블록 단위 삭제 방식을 사용하며, NAND형과 NOR형으로 나뉜다. 디지털 카메라, USB 메모리, SSD 등에 널리 사용된다.
  • '''강유전체 램(F-RAM):''' 강유전체 물질을 사용하여 데이터를 저장하며, 빠른 속도와 낮은 전력 소비가 장점이다.
  • '''자기저항 램(MRAM):''' 자기 터널 접합(MTJ)을 이용하여 데이터를 저장하며, 높은 집적도와 빠른 속도를 가진다.
  • '''상변화 메모리(PCM):''' 칼코겐 화합물 유리의 상 변화를 이용하여 데이터를 저장한다.
  • '''저항 변화 메모리(ReRAM):''' 멤리스터의 저항 변화를 이용하여 데이터를 저장하며, 플래시 메모리의 대체 기술로 주목받고 있다.
  • '''FeFET 메모리:''' 강유전체 물질을 가진 트랜지스터를 사용하여 상태를 영구적으로 유지한다.

2. 1. 읽기 전용 및 읽기 위주 장치

마스크 롬은 공장에서만 프로그래밍이 가능하며, 일반적으로 메모리 장치 제조 후 업데이트가 필요하지 않은 대량 생산 제품에 사용된다.[2] 설계 단계부터 배선을 통해 특정 데이터를 저장하도록 되어 있으며, 포토마스크를 사용하여 집적 회로를 제조하면 실리콘에 데이터가 새겨져 나중에 다시 쓸 수 없다. 따라서 마스크 롬은 대량 생산에 적합하며, 초기 미니 컴퓨터의 부팅 처리(부트) 코드 저장 등에 사용되었다. 초기 비용이 많이 들고 나중에 수정할 수 없기 때문에, 설계 초기 단계에서 사용하는 경우는 거의 없다.

프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM)는 메모리 장치 제조 후 PROM 프로그래머를 사용하여 한 번 변경할 수 있다.[2] 프로그래밍은 영구적이며, 추가 변경을 위해서는 장치를 교체해야 한다. 데이터는 장치 내의 저장소를 물리적으로 변경(소각)하여 저장된다. PROM은 출하 시점에서는 아무것도 기억하지 않는다. 퓨즈형 PROM은 실리콘 또는 금속으로 만들어진 퓨즈가 있으며, 전용 기록 장치로 선택적으로 퓨즈를 끊어 개별 비트를 0에서 1로 변경한다. 한 번 비트의 내용을 변경하면 되돌릴 수 없다. 퓨즈형보다 새로운 안티퓨즈형 PROM (원타임 프로그래머블 (OTP) 메모리라고도 함)은 집적도·신뢰성이 높고, 읽기가 빠르며 데이터 보존 기간이 길기 때문에 가전 제품, 자동차, RFID, HDMI 등에 널리 사용되고 있다.

EPROM은 여러 번 변경할 수 있는 소거 가능한 롬이다. 그러나 새로운 데이터를 EPROM에 쓰려면 특수 프로그래머 회로가 필요하다. EPROM에는 자외선으로 지울 수 있는 석영 창이 있지만, 장치 전체가 한 번에 지워진다.[2] OTP EPROM도 기본적으로는 동일하지만, 석영 창이 칩에 없기 때문에 한 번 기록하면 삭제할 수 없다. 석영을 사용하지 않으므로 저렴하다.

EEPROM은 전기만으로 칩의 기억 내용 일부를 선택적으로 지울 수 있으며, 지우기 위해 회로에서 분리할 필요가 없다. 지우기와 쓰기는 사람이 보기에는 빠르지만, 읽기에 비하면 느리다.[2] 특정 비트를 다시 쓸 수 있는 횟수에는 제한이 있으며, 일반적으로 1만 회에서 10만 회로 알려져 있다. 또한 기억 용량도 다른 비휘발성 메모리에 비해 작다. EEPROM은 기기의 설정 정보 등을 저장하는 데 적합하며, 모뎀 등 다양한 기기에서 사용되고 있다.

2. 2. 플래시 메모리 (Flash Memory)

플래시 메모리는 외부 전원 없이 저장된 데이터를 유지하는 솔리드 스테이트 칩이다. EEPROM과 밀접한 관련이 있으며, 삭제 작업이 블록 단위로 수행되어야 하고 용량이 EEPROM보다 훨씬 크다는 점에서 다르다.[4] 플래시 메모리는 기본적으로 EEPROM 그 자체이지만, 일반적인 EEPROM과는 다른 구조로 고안되었으며, 삭제 단위를 블록 또는 페이지라고 하는 단위로 하여 밀도와 사용 편의성의 균형을 맞춘 메모리이다.[22] EEPROM보다 기억 용량이 더 커질 수 있다는 점 등으로 인해 1990년대부터 개인용 컴퓨터의 BIOS 칩 등을 EEPROM에서 대체했으며, 2000년 전후부터는 디지털 카메라 등 전자 기기에서 하드 디스크가 적합하지 않은 곳에 다용도로 사용되면서 메모리 카드의 종류가 생산되었다. 2000년대 중반 이후에는 USB 스토리지 (USB 메모리, 소위 USB 스틱)로 비교적 소용량의 스토리지가, SSD로 비교적 대용량의 스토리지가 주로 노트북 컴퓨터 등에 사용되기 시작하면서 대량 생산되었다.

구조에 따라 NAND형과 NOR형으로 나뉜다. NOR형은 임의 접근이 빠르고, 1바이트 단위로 읽을 수 있다. NAND형은 연속적인 읽기/쓰기가 빠르지만, 임의 접근은 NOR형보다 느리다. NAND형은 NOR형보다 집적도를 높일 수 있으며, 같은 크기의 실리콘에서 기억 용량을 더 크게 할 수 있다.[22]

플래시 메모리 장치는 데이터를 매핑하기 위해 NOR과 NAND라는 두 가지 기술을 사용한다. NOR 플래시는 고속 임의 액세스를 제공하여 특정 메모리 위치에서 데이터를 읽고 쓴다. 단일 바이트만큼 적은 양의 데이터도 검색할 수 있다. NAND 플래시는 블록 단위로 데이터를 처리하며 고속으로 순차적으로 읽고 쓴다. 그러나 NOR에 비해 읽기 속도가 느리다. NAND 플래시는 쓰기보다 읽기 속도가 빠르며, 전체 데이터 페이지를 빠르게 전송한다. 고밀도에서 NOR 플래시보다 저렴한 NAND 기술은 동일한 크기의 실리콘에 더 큰 용량을 제공한다.[4]

NOR형 플래시 메모리 제조업체는 다음과 같다.[23]

제조사
Atmel
인텔
Macronix
마이크론 테크놀로지
실리콘 스토리지 테크놀로지 (SST)
스팬션
ST마이크로일렉트로닉스



NAND형 플래시 메모리 제조업체는 다음과 같다.[24][25]


2. 3. 강유전체 램 (F-RAM)

'''강유전체 램''' ('''FeRAM''', '''F-RAM''' 또는 '''FRAM''')은 DRAM과 유사한 구조를 가지지만, 커패시터에 단순 유전체 대신 지르코네이트 티타네이트 (lead zirconate titanate|PZT영어)라는 강유전체 박막을 사용한다. PZT 내 Zr/Ti 원자는 전기장에 따라 극성이 바뀌며, 이 특성을 이용해 이진 스위치를 만든다. PZT 결정은 극성을 유지하므로 F-RAM은 전원이 꺼져도 데이터를 보존한다.[5]

F-RAM은 높은 내구성(3.3V 제품 기준 1016회 이상 읽기/쓰기 가능), 초저전력 소비(차지 펌프 불필요), 빠른 쓰기 속도, 감마선 내성 등의 장점을 가진다.[5]

강유전체 메모리(FeRAM)는 강유전체의 히스테리시스(이력 현상)를 이용한 비휘발성 메모리다. EEPROM보다 빠르고 소비 전력이 적으며, 고집적화가 가능하다. 2004년에는 이미 수십 kbit의 FeRAM이 스마트 카드에 사용되어 양산되었다.

2. 4. 자기저항 램 (MRAM)

자기저항 램(MRAM)은 자기 터널 접합(MTJ)이라고 하는 자기 저장 소자에 데이터를 저장한다. Everspin Technologies의 4Mbit[26] MRAM과 같은 첫 번째 세대는 자기장 유도 쓰기를 활용했다. 두 번째 세대는 주로 두 가지 접근 방식을 통해 개발되었다. 열 보조 스위칭(TAS)[6]는 Crocus Technology에서 개발 중이며, 스핀 전달 토크(STT)는 Crocus, 하이닉스, IBM, 그리고 다른 여러 회사에서 개발하고 있다.[7]

MRAM은 1995년경부터 실용화 연구가 진행되고 있는 비휘발성 메모리로, 터널 자기 저항 효과라고 불리는 현상을 응용하고 있다. 비휘발성, 데이터 보존 기간이 길고, 읽고 쓰기가 빠르며, 저렴한 가격 등 메모리에 요구되는 특징을 모두 갖추고 있어 유망한 기술로 여겨진다.[26]

Everspin Technologies(프리스케일 반도체로부터 분사)의 4Mbit MRAM 등의 제1세대 MRAM은 전류 자기장 방식의 쓰기를 채용하고 있었다. 현재 개발이 진행되고 있는 제2세대에서는, Crocus Technology의 TAS(열 보조 스위칭) 방식[26]과 Crocus, 하이닉스, IBM 등 여러 기업이 채용하고 있는 STT(스핀 토크 전달) 방식[27]이 있다.

2. 5. 상변화 메모리 (PCM)

칼코겐 화합물 유리에 데이터를 저장하며, 유리를 가열하고 냉각하여 비정질 상태와 결정질 상태 사이에서 상을 가역적으로 변화시킬 수 있다. 결정질 상태는 낮은 저항을 가지고, 비정질 상태는 높은 저항을 가지므로, 전류를 켜고 끄는 방식으로 디지털 1과 0 상태를 나타낼 수 있다.[8][9]

2. 6. 저항 변화 메모리 (ReRAM)

전계 유기 거대 저항 변화(CER) 현상을 응용하는 비휘발성 메모리인 ReRAM (저항 변화 메모리)은 2000년경부터 실용화 연구가 진행되고 있다. 소비 전력이 작고, 고집적화가 가능하며, 읽기 속도가 빠르다는 특징을 가지며, 플래시 메모리의 대체 용도로 주목받고 있다.[28][29]

ReRAM은 멤리스터라고 하는 유전체 고체 재료의 저항 변화를 통해 작동한다. ReRAM은 얇은 산화물 층에서 산소 공공(산소가 제거된 산화물 결합 위치)이라고 하는 결함을 생성하며, 이는 전계에서 이후에 충전 및 드리프트될 수 있다. 산화물 내의 산소 이온과 공공의 움직임은 반도체 내의 전자 및 정공의 움직임과 유사하다.

2011년 5월, 파나소닉은 ReRAM의 세계 최초 양산을 발표하고, 2메가비트급 제품을 2011년 말에 샘플 출하할 계획을 발표했다.[28] 2012년 1월, 엘피다 메모리는 64M비트 메모리 셀을 시제품으로 제작했으며, 기가비트급 ReRAM의 양산도 전망하고 있다.[29]

2. 7. FeFET 메모리

강유전체 FeFET 메모리는 강유전체 물질을 가진 트랜지스터를 사용하여 상태를 영구적으로 유지한다.

3. 기계적 주소 지정 시스템

기계적으로 주소를 지정하는 시스템은 지정된 저장 매체에서 데이터를 읽고 쓰기 위해 기록 헤드를 사용한다. 접근 시간은 장치에 있는 데이터의 물리적 위치에 따라 달라지므로, 기계적으로 주소를 지정하는 시스템은 순차 접근 방식일 수 있다.

기계적인 가동부가 있는 기억 장치는 기록 매체를 읽고 쓰는 구조(헤드)를 가지고 있다. 이 경우 회로 레이아웃이 데이터 기억 밀도의 주된 요인이 아니기 때문에 반도체 메모리에 비해 대용량으로 만들기 쉽다. 대표적인 예로는 자기 테이프, 하드 디스크 드라이브, 광 디스크, 밀리피드 메모리, 홀로그래픽 기억 장치 등이 있다.

3. 1. 자기 테이프

자기 테이프는 긴 테이프에 일련의 비트 형태로 데이터를 순차적으로 저장한다.[11][12] 저장소의 어느 부분에 접근하려면 테이프를 기록 헤드 너머로 이동시켜야 한다. 테이프 매체는 드라이브에서 제거하여 보관할 수 있으며, 마운트 해제된 테이프를 검색하는 데 필요한 시간을 들이면 무한정 용량을 늘릴 수 있다.

3. 2. 하드 디스크 드라이브 (HDD)

하드 디스크 드라이브는 회전하는 자기 디스크를 사용하여 데이터를 저장한다. 접근 시간은 반도체 메모리보다 길지만 저장된 데이터 비트당 비용이 매우 낮으며, 디스크의 모든 위치에 무작위로 접근할 수 있다.[13] 이전에는 탈착식 디스크 팩이 일반적이었으며, 이를 통해 저장 용량을 확장할 수 있었다.[13]

삼성전자와 LG는 세계적인 HDD 제조업체였으나, 현재는 SSD에 주력하고 있다.

3. 3. 광 디스크

광 디스크는 플라스틱 디스크의 안료층을 변화시켜 데이터를 저장하며, 하드 디스크 드라이브와 유사하게 임의 접근이 가능하다. 읽기 전용 및 읽기-쓰기 버전이 있고, 착탈식 매체는 무한정 확장을 허용한다. 일부 자동화 시스템(예: 광학 주크박스)은 프로그램의 직접적인 제어 하에 디스크를 검색하고 마운트하는 데 사용되었다.[13][14][15]

4. 유기 메모리

유기 전자 공학을 이용한 비휘발성 메모리 기술이다. Thinfilm은 강유전체 고분자를 기반으로 하는 재기록 가능한 유기 메모리를 개발했다.[17][18][19] Thinfilm의 유기 메모리에서 강유전체 고분자는 수동 매트릭스 내 두 세트의 전극 사이에 위치한다. 금속 라인의 각 교차는 강유전체 커패시터이며 메모리 셀을 정의한다.

프린팅 전자 기술을 사용한 고분자를 이용한 강유전체 메모리가 여기에 해당한다.

Thin Film Electronics는 강유전체고분자를 기반으로 하는 재기록 가능한 비휘발성 유기 메모리를 개발했다. 이 회사는 프린팅 전자 기술을 사용한 메모리를 2009년에 발표했다.[30][31][32] 이 회사의 유기 메모리는 강유전체 고분자를 단순 매트릭스 방식의 전극으로 덮은 구조로 되어 있다. 금속 배선이 교차하는 곳이 각각 FeRAM과 같은 메모리 셀이 된다. 반도체 강유전체 메모리와 동일한 비휘발성 메모리이며, 플래시 메모리와 동등한 기능을 제공한다.

5. 비휘발성 주 기억 장치 (NVMM)

NVMM은 비휘발성 속성을 가진 주 기억 장치이다.[20] 이러한 비휘발성 메모리의 적용은 보안 문제를 야기한다.[21] NVDIMM은 NVMM의 한 예이다.

불휘발성 메모리는 현재 주로 보조 기억 장치로 사용되고 있다. 주 기억 장치에는 주로 휘발성 메모리가 사용된다. 주 기억 장치가 불휘발성이면, 컴퓨터 전원을 껐다 켤 때 "종료 → 재시작" 과정이 필요 없어지고, 노트북 컴퓨터의 "최대 절전 모드"와 같은 운용을 보조 기억 장치로의 저장 및 복구 없이 할 수 있다는 장점이 있지만, 현재로서는 주로 속도 면에서 현실적이지 않다.

6. 그 외

자심 코어 메모리와 자기 버블 메모리는 과거에 사용되었던 비휘발성 메모리이다. 밀리피드 메모리(IBM)와 홀로그래픽 기억 장치는 연구 개발 중인 비휘발성 메모리 기술이다.[2][3]

7. NVRAM (Non-Volatile RAM)

NVRAM은 비휘발성 RAM(Non-Volatile RAM)의 총칭이지만, 컴퓨터 장치의 설정 정보 등을 기억하기 위한 소용량의 비휘발성 메모리를 NVRAM이라고 부르는 경우가 있다. SRAM과 백업 전원을 사용하는 것은 NVSRAM이라고도 한다. 전원은 외장형도 있지만, IC 패키지 내부에 SRAM과 소형 배터리를 내장한 것도 있다.


  • SPARCstation에서는, 이더넷 인터페이스의 MAC 주소를 ROM이 아닌 배터리 백업 방식의 NVRAM에 저장한다. 이 때문에, 배터리가 소모되면 MAC 주소가 바뀌는 문제가 있다.
  • PC/AT 호환기의 개인용 컴퓨터에서는, RTC와 같은 배터리 백업되는 CMOS의 IC에 BIOS 설정을 저장하지만, 당시에는 TTL이 많이 사용되던 시대였기 때문에, 그 IC를 가리켜 CMOS라고 불리는 경우도 많다. 현재는 칩셋에 집적되어 있다.
  • 매킨토시에서도 비슷한 목적으로 사용되고 있다. PowerPC를 탑재했던 기종에서는 PRAM(Parameter RAM, 피램. 상변화 메모리가 아니다)이라고 불렀지만, 인텔제 칩을 탑재한 이후부터는 NVRAM이라고 부르게 되었다. Mac에서는 시스템 시계가 틀어지거나, 지정된 시동 디스크(보통은 OS가 설치된 컴퓨터의 하드 디스크)에서 OS를 인식하지 못해 시동이 안 되는 등, 약간의 문제가 발생했을 때, PRAM 클리어 또는 NVRAM 클리어라는 조작을 하면 개선되는 경우가 있기 때문에, 오래전부터 "철저한 초기화" 수단의 일부로 알려져 있다. 이는 애플(Apple Inc.)의 웹페이지 애플 지원 페이지에도 조작 방법 등을 포함해 공개되어 있다.[2]

8. 사양 비교

2007年3月時点の仕様일본어[33]을 기준으로 다양한 비휘발성 메모리 기술의 사양을 비교하면 다음과 같다.

2.5" HDD1" 마이크로 드라이브플래시 메모리광 디스크자기 테이프MRAM
기종[http://www.hitachigst.com/tech/techlib.nsf/techdocs/8037F4603FE5B763862571840068043C/$file/5K160_SATA_spv1.2.pdf Hitachi Travelstar 5k160][http://www.hitachigst.com/tech/techlib.nsf/techdocs/7F878B7F4496E2B686257061007D3C30/$file/HGST_3K8_091506.pdf Hitachi Microdrive 3k8][http://www.hynix.com/datasheet/pdf/flash/HY27UH08AG(5_D)M%20(Rev0.6).pdf Hynix HY27UH08AG5M]블루레이[http://h18000.www1.hp.com/products/quickspecs/12128_div/12128_div.pdf HP Ultrium 960][http://www.freescale.com/files/microcontrollers/doc/data_sheet/MR2A16A.pdf Everspin MR2A16A]
기억 밀도 (GBit/cm2)20.318.46.73.80.0470.0021
기억 용량 (GByte)16082504000.004
비트 단가 (Eur/GByte)1.59.06.01.250.07535000
디바이스 단가 (Eur)1108714635234017.4
매체 단가 (Eur, 가반 매체의 경우)4030
데이터 전송률 (Mbit/s)5408023144640436
접근 시간 (ms, 평균/전형)11120.025180720000.000035
전력 소비량 (W, 평균)1.80.60.125200.08
크기 (cm, 높이×폭×깊이)0.95x7x100.5x3x40.1x1.2x24x15x192x10x100.1x1x1.8


참조

[1] 서적 Computer Organization and Design: The Hardware/Software Interface https://books.google[...] Elsevier 2005
[2] 웹사이트 i-NVMM: Securing non-volatile memory on the fly http://www.techrepub[...] 2017-03-21
[3] 웹사이트 Non-Volatile Memory (NVM) https://www.techoped[...] Techopedia 2017-03-21
[4] 간행물 Flash memory http://www.computerw[...] 2010-06-07
[5] 웹사이트 F-RAM Memory Technology http://www.ramtron.c[...] Ramtron.com 2012-01-30
[6] 웹사이트 Crocus Technology | Magnetic Sensors | TMR Sensors http://www.crocus-te[...] 2009-07-20
[7] 웹사이트 Latest News http://www.eetimes.c[...]
[8] 학술지 Overview of Phase-Change Chalcogenide Nonvolatile Memory Technology https://www.cambridg[...] 2004-11
[9] 서적 IEEE International Electron Devices Meeting 2003 2003-12
[10] 논문 Low power and high speed bipolar switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust Hf{{not a typo}}O2-based RRAM
[11] 웹사이트 Definition: tape drive http://searchstorage[...] 2015-07-07
[12] 웹사이트 Tape Drives http://www.snia.org/[...] 2015-07-07
[13] 웹사이트 What is hard drive? http://www.computerh[...] 2015-07-07
[14] 웹사이트 IBM 2314 Disk Drives https://www.staff.nc[...] 2015-07-07
[15] 웹사이트 Optical Blu-ray Jukeboxes and Libraries Systems for Archiving Storage – Kintronics http://www.kintronic[...] 2015-07-07
[16] 학술지 Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory https://www.science.[...] 2008-04-11
[17] 뉴스 Thinfilm and InkTec awarded IDTechEx' Technical Development Manufacturing Award http://www.printedel[...] IDTechEx 2009-04-15
[18] 뉴스 PolyIC, ThinFilm announce pilot of volume printed plastic memories http://www.eetimes.c[...] EETimes 2009-09-29
[19] 뉴스 All set for high-volume production of printed memories http://www.printedel[...] Printed Electronics World 2010-04-13
[20] 웹사이트 NVDIMM – Changes are Here, So What's Next? https://www.snia.org[...] Storage Networking Industry Association 2018-04-24
[21] 학술지 Security Vulnerabilities of Emerging Nonvolatile Main Memories and Countermeasures https://ieeexplore.i[...] 2015-01-22
[22] 뉴스 Flash memory http://www.computerw[...] ComputerWorld 2010-06-07
[23] 뉴스 Flash memory chips for your embedded design http://www.eeherald.[...] EE Times Herald
[24] 뉴스 NAND flash vendors gear up for new wave of apps http://www.eetindia.[...] EE Times 2007-10-01
[25] 뉴스 Demanding Applications Push NAND Flash Densities http://electronicdes[...] Electronic Design 2006-04-13
[26] 웹사이트 The Emergence of Practical MRAM http://www.crocus-te[...] Crocus Technology 2011-04-27
[27] 뉴스 Tower invests in Crocus, tips MRAM foundry deal http://www.eetimes.c[...] EETimes
[28] 뉴스 "家電待機電力が3分の1 パナソニック、次世代メモリー投入 12年から量産" 日本経済新聞 2011-05-17
[29] 뉴스 新メモリ(高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM)の開発に成功 http://www.elpida.co[...]
[30] 뉴스 Thinfilm and InkTec awarded IDTechEx' Technical Development Manufacturing Award http://www.printedel[...] IDTechEx 2009-04-15
[31] 뉴스 PolyIC, ThinFilm announce pilot of volume printed plastic memories http://www.eetimes.c[...] EETimes 2009-09-22
[32] 뉴스 All set for high-volume production of printed memories http://www.printedel[...] Printed Electronics World 2010-04-12
[33] 문서 Informationstoragecourse2007 http://www.bluwiki.c[...]
[34] 보도자료 JEDEC DDR5 & NVDIMM-P Standards Under Development https://www.jedec.or[...] JEDEC 2017-03-30
[35] 보도자료 JEDEC to Hold Workshops for DDR5, LPDDR5 & NVDIMM-P Standards https://www.jedec.or[...] JEDEC 2019-09-05
[36] 간행물 JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard https://www.jedec.or[...] JEDEC 2021-02-17

관련 사건 타임라인

( 최근 20개의 뉴스만 표기 됩니다. )



본 사이트는 AI가 위키백과와 뉴스 기사,정부 간행물,학술 논문등을 바탕으로 정보를 가공하여 제공하는 백과사전형 서비스입니다.
모든 문서는 AI에 의해 자동 생성되며, CC BY-SA 4.0 라이선스에 따라 이용할 수 있습니다.
하지만, 위키백과나 뉴스 기사 자체에 오류, 부정확한 정보, 또는 가짜 뉴스가 포함될 수 있으며, AI는 이러한 내용을 완벽하게 걸러내지 못할 수 있습니다.
따라서 제공되는 정보에 일부 오류나 편향이 있을 수 있으므로, 중요한 정보는 반드시 다른 출처를 통해 교차 검증하시기 바랍니다.

문의하기 : help@durumis.com