22 nm 공정
1. 개요
22 nm 공정은 반도체 제조 공정의 한 종류로, 22 나노미터 크기의 회로를 구현하는 기술을 의미한다. 2008년에 AMD, IBM, 인텔 등 여러 회사들이 22nm 공정 기술을 공동 개발 및 발표했으며, 인텔은 2011년에 22nm 공정을 적용한 마이크로프로세서를 출시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2010년에 20nm 공정을 사용한 NAND 플래시 메모리 칩을 생산했으며, 인텔은 22 nm 트라이게이트 FinFET 기술을 사용한 프로세서를 상용화했다.
2. 기술 시연
22nm 공정은 게이트의 길이가 기술 노드 지정보다 반드시 작지 않은 첫 번째 사례가 될 수 있다는 특징이 있다. 예를 들어, 25nm 게이트 길이는 22nm 공정에서 일반적인 경우가 될 수 있다.
2010년 1월 3일, 인텔과 마이크론 테크놀로지는 25nm NAND 장치 제품군 중 첫 번째 제품을 발표했다.
2011년 5월 2일, 인텔은 3차원 트라이게이트라고 불리는 FinFET 기술을 사용한 최초의 22nm 마이크로프로세서인 코드명 아이비 브리지를 발표했다.
IBM의 POWER8 프로세서는 22nm SOI 공정으로 생산된다.
2.1. 초기 개발
2008년 8월 18일, AMD, 프리스케일 반도체, IBM, ST마이크로일렉트로닉스, 도시바, 나노 과학 및 공학 대학(CNSE)은 300mm 웨이퍼 위에 구축된 22nm SRAM 셀을 공동 개발 및 제조했다고 발표했다. 이 SRAM 셀은 전통적인 6개의 트랜지스터 디자인을 기반으로 하였으며, 크기는 0.1 μm2였다. 이 셀은 액침 리소그래피를 사용하여 인쇄되었다.
2.2. 인텔의 발표
2009년 9월 22일, 인텔 개발자 포럼 2009 가을에서 인텔은 22nm 웨이퍼를 공개하고, 22nm 기술을 사용한 칩이 2011년 하반기에 출시될 것이라고 발표했다. SRAM 셀 크기는 0.092 μm2로, 당시 보고된 가장 작은 크기였다.
3.1. 플래시 메모리
도시바는 2010년 8월 31일에 24 nm NAND 플래시 메모리 장치 출하를 발표했다. 삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다.
3.2. 프로세서
인텔은 2012년 4월 23일 아이비 브리지 22 nm 기술 기반의 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계에 출시했다. 22 nm 프로세서 대량 생산은 6개월 이상 앞서 시작되었으며, 폴 오텔리니 전 인텔(Intel) CEO가 2011년 10월 19일에 확인했다.
2013년 6월 3일, 인텔은 시리즈 8 칩셋용 22 nm '트라이게이트' FinFET 기술 기반의 하스웰 마이크로아키텍처 기반 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서를 출시했다. 인텔 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 갖는다.
4. 한국 기업의 역할
삼성전자와 SK 하이닉스는 2010년에 20 nm급 NAND 플래시 메모리 칩을 출시하며 22 nm 공정 기술 개발에 중요한 역할을 수행했다.
4.1. 삼성전자
삼성전자는 2010년에 20 nm 공정을 사용하여 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩의 대량 생산을 시작했다. 이는 22 nm 기술 경쟁에서 삼성전자가 선도적인 역할을 했음을 보여준다.
4.2. SK하이닉스
SK 하이닉스는 2010년에 20 nm 공정을 사용한 64 Gbit NAND 플래시 메모리 칩을 출시했다. 이는 삼성전자와 함께 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 강화하는 계기가 되었다.
5. 22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서
인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지는 22nm 기술을 기반으로 제작되었다. 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 시리즈 7 칩셋용으로 전 세계적으로 판매되었다. 22nm 프로세서의 대량 생산은 2011년 10월 19일 전 인텔(Intel) CEO인 폴 오텔리니가 확인한 바와 같이 6개월 이상 앞서 시작되었다.
인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰은 시리즈 8 칩셋용 22nm 트라이게이트 FinFET 기술을 기반으로 제작되었다. 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서가 출하되기 시작했다. 인텔의 22nm 공정은 평방 밀리미터당 1650만 개의 트랜지스터(MTr/mm2) 밀도를 가진다.
인텔 B365 칩셋도 22nm 공정을 적용하였다.