반도체 소자
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1. 개요
반도체 소자는 전자관을 대체하여 전자제품의 발전을 이끈 핵심 부품으로, 전력 소비가 적고 소형화 및 집적화가 용이하며, 다양한 재료와 구조, 역할에 따라 분류된다. 실리콘이 가장 널리 사용되며, 게르마늄, 갈륨 비소, 질화 갈륨 등도 특수한 용도로 사용된다. 소자는 능동 소자와 수동 소자로 나뉘며, 다이오드, 트랜지스터, 집적회로(IC) 등이 능동 소자에 속한다. 2단자, 3단자, 4단자 이상의 소자로 분류되며, 최근에는 분자 소자 연구도 진행 중이다. 주요 반도체 제조사로는 삼성전자, SK하이닉스, 인텔, TSMC 등이 있으며, 응용 분야는 디지털 회로, 아날로그 회로, 혼합 신호 회로, 전력 반도체 등 현대 사회 전반에 걸쳐 광범위하게 활용된다.
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- 반도체 소자 - 서미스터
서미스터는 온도에 따라 저항이 변하는 반도체 소자로, 온도-저항 특성에 따라 NTC, PTC, CTR 서미스터로 나뉘며 온도 센서, 과전류 방지 등 다양한 용도로 사용되고, 저항-온도 관계는 B 상수 방정식이나 슈타인하르트-하트 방정식으로 표현되어 여러 분야에 적용된다. - 반도체 소자 - 태양 전지
태양전지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 장치로, 기술 발전을 거듭하여 발전 효율이 크게 향상되었고 다양한 분야에 응용되고 있으며, 고집광 태양전지와 페로브스카이트 태양전지 등의 새로운 기술 개발과 투자가 지속적으로 요구되는 지속 가능한 에너지원이다. - 전자 부품 - 다이오드
다이오드는 PN 접합을 이용해 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자로, 진공관 다이오드와 반도체 다이오드로 나뉘며, 정류, 검파, 신호 처리 등 다양한 전자 회로 및 여러 분야에서 활용되고, 정류 다이오드, 쇼트키 다이오드, LED 등 다양한 종류가 있다. - 전자 부품 - 트랜지스터
트랜지스터는 전류 증폭 및 스위칭 기능을 하는 반도체 소자로, BJT와 MOSFET 등의 다양한 유형이 개발되어 현대 전자기기의 핵심 기반이 되었으며, 특히 MOSFET은 집적회로 기술 발전에 크게 기여했다. - 컴퓨터에 관한 - N형 반도체
N형 반도체는 전자를 주된 전하 운반체로 사용하는 반도체이다. - 컴퓨터에 관한 - CMOS
CMOS는 상보적 금속 산화막 반도체의 약자로, 저전력 소비를 특징으로 하며, P형과 N형 MOSFET을 결합하여 논리 게이트를 구현하는 디지털 회로 설계 방식 및 공정 계열이다.
| 반도체 소자 | |
|---|---|
| 반도체 소자 | |
 | |
| 분류 | 전자 부품 |
| 주요 특징 | 반도체 재료의 전기적 특성을 이용 |
| 구성 요소 | 다이오드 트랜지스터 집적 회로 (IC) 센서 광전자 소자 |
| 응용 분야 | 전자 기기 컴퓨터 통신 자동차 의료 기기 |
| 상세 정보 | |
| 재료 | 규소 (Si) 저마늄 (Ge) 갈륨비소 (GaAs) 인듐 인화물 (InP) |
| 종류 | 능동 소자 (트랜지스터, 다이오드) 수동 소자 (저항, 커패시터) 광전자 소자 (발광 다이오드, 태양 전지) |
| 제조 과정 | 박막 증착 식각 도핑 금속 배선 |
| 동작 원리 | 반도체 에너지 밴드 이론 전자 및 정공의 이동 전압 및 전류 제어 |
| 역사 | 트랜지스터 발명 (1947년) 집적 회로 발명 (1958년) 반도체 산업의 급격한 성장 |
| 산업 | 전 세계적인 대규모 산업 다양한 분야에서 활용 |
| 추가 정보 | |
| 연간 출하량 | 1조 개 이상 (2018년) |
| 주요 생산 기업 | 삼성전자 TSMC 인텔 SK하이닉스 마이크론 |
| 관련 분야 | 반도체 물리학 전자 공학 재료 공학 |
2. 특징
반도체 소자가 흔히 쓰이기 전에는 전자제품의 능동 소자로 진공이나 기체를 이용한 전자관이 사용되었다. 하지만 반도체 소자는 다음과 같은 특징을 지녀 전자관을 대체하여 향상되었다.
- 히터가 필요하지 않아 소비 전력이 낮고 전원이 들어오면 바로 동작한다.
- 낮은 온도로 동작하므로 수명이 길다.
- 진동이나 충격에 강하며 신뢰성이 높다.
- 동일한 동작에 필요한 부피나 면적이 적게 든다.
이전의 전자관보다 불리한 단점도 보완하는 방법이 개발되어 더 널리 보급됐다.
- 온도에 따른 특성 변화가 커서 보상 회로가 필요하다. → 보상 회로가 포함된 집적 회로를 제작함.
- 제조 공정의 사소한 변화에도 큰 특성 변화로 나타난다. → 회로를 디지털화하여 특성의 영향을 작게 한다. 그리고 제조 공정의 관리를 엄격하게 한다.
반도체 소자가 보급되기 이전에는 전기 회로의 능동 소자로 진공관 등의 전자관이 사용되었다. 하지만 반도체 소자는 다음과 같은 특징이 있어 특정 용도 및 영역을 제외하고는 전자관을 대체하였다.
- 고체 소자이므로 진공관과 같이 진공 공간을 확보하거나 열전자 방출 기구가 필요하지 않다.
- 소형화, 집적화가 가능하며 전력 소비가 적다.
- 제조 공정에서 조립 작업을 피할 수 있어 대량 생산 및 생산성 향상에 적합하다.
- 기계적 구조가 없으므로 진동이나 가속도의 기계적 조건에 강하며, 저온 동작을 포함하여 장수명화, 신뢰성 확보 측면에서 유리하다.
초기에는 진공관에 비해 불리하다고 여겨졌던 약점들에 대해서도 그것을 보완하는 방법이 개발되었다.
- 온도에 따른 특성 변화가 크므로 보상 회로가 필요하다. → 보상 회로를 포함한 집적 회로의 등장.
- 전기적 스트레스(과부하, 과전압, 과전류 등)에 약하다. → 회로 설계상의 개선이나 각종 보호 회로와의 병용.
3. 재료와 성질
반도체 소자는 대부분 단결정 실리콘을 사용하지만, 게르마늄, 갈륨비소(GaAs), 갈륨비소인, 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 등도 사용된다.
반도체 재료의 전도성은 결정 구조 내 자유전자의 과부족을 일으키는 불순물에 의해 결정된다. 일반적으로 다수 캐리어(majority carrier영어) (N형 반도체는 전자, P형 반도체는 양공)에 의해 전도성이 나타난다. 그러나 트랜지스터와 같은 다양한 반도체 소자가 동작하려면 소수 캐리어(minority carrier영어) (N형 반도체는 정공, P형 반도체는 전자)가 필요하다.
반도체의 정류 효과(전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 성질)는 원래 방연광(方鉛鑛) 결정에서 발견되었다. 초기 라디오 수신기 (광석 라디오)는 납 보관 도구에 묻은 방연광 결정 표면에 "고양이 수염"이라고 불리는 가는 금속선을 살짝 접촉시키는 방식으로 작동했다.
실리콘(Si)은 반도체 소자 재료로 가장 널리 사용된다. 낮은 원재료 비용, 비교적 간단한 공정, 넓은 사용 온도 범위는 현재 경쟁 재료들 중 가장 좋은 절충안을 제공한다. 반도체 소자 제조에 사용되는 실리콘은 현재 직경 300mm(12인치) 웨이퍼 생산이 가능할 만큼 큰 잉곳으로 제작된다.
게르마늄(Ge)은 초기 반도체 재료로 널리 사용되었지만, 열에 민감하여 실리콘보다 유용성이 떨어진다. 오늘날 게르마늄은 초고속 SiGe 소자에 사용하기 위해 실리콘과 합금된다. IBM은 이러한 소자의 주요 생산업체이다.
갈륨 비소(GaAs)는 고속 소자에 널리 사용되지만, 대구경 잉곳 형성이 어려워 웨이퍼 직경이 실리콘보다 훨씬 작다. 이 때문에 GaAs 소자 대량 생산 비용은 실리콘보다 훨씬 비싸다.
질화갈륨(GaN)은 높은 강도와 열전도도 덕분에 전력 IC, 발광 다이오드(LED), RF 부품 등 고전력 애플리케이션에서 인기를 얻고 있다. GaN의 밴드갭은 실리콘보다 3배 이상 넓은 3.4 eV이며, 전자를 1,000배 더 효율적으로 전도한다.[5][6]
탄화규소(SiC)는 전력 IC에서 인기를 얻고 있으며, 청색 LED 원료로도 일부 사용된다. 또한 매우 높은 동작 온도와 상당한 수준의 전리 방사선 환경에서도 견딜 수 있는 반도체 소자 개발을 위해 연구가 진행 중이다. IMPATT 다이오드도 SiC로 제작되었다.
인듐 비소, 인듐 안티몬, 인듐 인 등 다양한 인듐 화합물도 LED와 고체 레이저 다이오드에 사용된다. 셀렌화물은 광전지 태양 전지 제조를 위한 연구가 진행 중이다.
유기 반도체는 주로 유기 발광 다이오드에 사용된다.
2018년 현재 단원소 반도체로는 실리콘(Si), 화합물 반도체로는 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 등이 널리 사용된다.
4. 역할에 따른 소자의 분류
소자는 회로 내 역할에 따라 능동소자와 수동소자로 분류할 수 있다.
반도체 소자에는 트랜지스터, 다이오드(정류기), 발광 다이오드(LED) 등이 있다. 이러한 단일 반도체 소자는 "디스크리트 반도체"(개별 반도체)라고 불리는 개별 부품으로 생산·사용되지만, 다수의 반도체 소자를 일괄적으로 제작한 집적회로(IC, LSI)가 유통량과 산업 규모 면에서 더 큰 비중을 차지하고 있다. 집적회로가 되면 트랜지스터나 다이오드와 같은 능동 소자 외에도 저항이나 콘덴서와 같은 수동 소자도 반도체 소자로 구성된다.
전력 전자에서는 전력 기기용 전력용 반도체 소자가 있으며, 고전압, 고전류를 처리할 수 있다.
5. 구조에 따른 소자의 분류
게르마늄 반도체 표면에 바늘을 연결하여 단자를 만든 가장 초기의 구조이다. 1945년에 다이오드, 1948년에 트랜지스터가 개발되었다. 점접촉형 다이오드는 단자간 용량이 작고 고주파 특성이 좋아 검파용으로 널리 이용되었으며, 현재도 특정 용도로 생산된다. 반면 점접촉형 트랜지스터는 트랜지스터 발명 당시의 모양이며, 이미터 단자와 컬렉터 단자의 간격을 미세하고 짧게 유지하기 어려워 불안정하게 동작하여 접합형 트랜지스터로 대체되었다. 점접촉형을 제외한 반도체는 원칙적으로 모두 접합형 구조로 분류된다.
- '''접합형'''
- 순수한 반도체 단결정을 용해 반도체에 넣어 천천히 밀어내 막대 모양으로 성장시킨 것이다.
- 레트그론형: 도너 불순물과 억셉터 불순물을 소량 포함하는 용액에서 밀어내는 것이다. 밀어내는 속도에 따라 P형 또는 N형 반도체가 성장한다. 베이스 영역이 두꺼워 고주파 특성이 좋지 않다.
- 그론확산형: 밀어내는 과정에서 용해 반도체에 가해지는 불순물을 변화시켜 결정의 장소에 따라 P형 또는 N형 반도체를 성장시킨다. 이 방법으로 다이오드는 PN, 트랜지스터는 PNP (또는 NPN) 구조를 만든다.
- 게르마늄 트랜지스터 전성기에 일반적인 제조 방법이다. 얇은 N형 단결정을 억셉터인 인듐 금속 알갱이로 양면에서 열접합하여 합금 부분에서 확산된 억셉터로 PNP 구조를 형성한다. (NPN 구조도 있지만, Si 트랜지스터는 사용되지 않음)
- 드리프트 트랜지스터
- 표면 장벽형
- 미세합금형
- 미세합금 확산형
- '''메사(mesa)형'''
- 단면이 대지(mesa|메사영어) 모양으로 두께 방향으로 전류를 흘린다. PN 접합 다이오드는 PN, 접합형 트랜지스터는 PNP/NPN, 사이리스터는 PNPN 구조를 형성한다. 2000년대에는 높은 전력용 전력 소자에만 사용된다.
- '''평면형'''
- 동일한 평면에 단자용 전극을 형성하여 전류 경로를 짧게 하고 고주파 특성이 좋다. 미세 가공으로 많은 소자를 배열하여 사진 기술을 응용해 정밀하게 대량 생산할 수 있다. 이 특징을 살려 모노리식 집적회로가 발명되었다.
- 확산 접합형: 반도체 기판에 확산이나 이온 주입으로 불순물을 포함시킨다.
- 에피택셜형 (epitaxial|에피택셜영어): 낮은 저항값을 갖는 반도체 기판 표면에 얇은 높은 저항 결정층을 형성한다.
- 인슐레이터 위의 실리콘(silicon on insulator|실리콘 온 인슐레이터영어, SOI): 절연체에 실리콘 평면형 반도체 소자를 형성하는 기술이다. 절연체 박막을 이용하여 기판 아래로 새는 전류가 적고, 방사선 내성이 향상된다. 시스템 액정 디스플레이, 새는 전류가 적고 고속 동작이 가능한 시모스 소자, 고전압 MOS-IC, 내방사선 소자 제작에 사용된다. 절연체는 인공으로 만든 사파이어가 사용되기도 한다. (사파이어 위의 실리콘(silicon on sapphire|실리콘 온 사파이어영어, SOS))
6. 단자 수에 따른 소자의 분류 및 종류
소자는 단자 수에 따라 2단자 소자, 3단자 소자, 다단자 소자 등으로 분류할 수 있다.[4]
오늘날 많이 사용되는 고체소자에는 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터 (FET), 사이리스터 (SCR), 다이오드 (정류기), 발광 다이오드 (LED) 등이 있다.
반도체 소자는 개별 부품으로도 사용할 수 있지만, 동일한 제조공정으로 제작할 수 있는 다수의 소자를 하나의 기판에 집적하는 집적회로로도 가능하다.
2단자 소자2단자 소자는 일반적으로 "다이오드"라고 불린다.
- 정전압 다이오드
- 가변용량 다이오드
- 발광 다이오드 (LED)
- 핀 다이오드
- 쇼트키장벽 다이오드 (SBD)
- 레이저 다이오드
- 광다이오드
- 태양 전지
- 정전기보호 다이오드
- AC변환 다이오드
- 바리스터
- 에사키 다이오드
- 건 다이오드
3단자 소자3단자 소자는 외부 신호에 따라 소자의 온/오프 상태를 임의로 전환할 수 있는 자기소호소자이다.
4단자 소자
- 홀 효과 센서 (자기장 센서)
- 포토커플러 (옵토커플러)
7. 분자 소자
서울대학교 이탁희 교수 연구팀은 벤젠 단일 분자 한 개 단위로 트랜지스터 소자로서 작동하는 사실을 규명하여 2009년 네이처에 언급한 바 있다.[36] 2012년에는 이를 응용한 분자전자소자를 개발했다. 이러한 연구결과는 소자의 전기적 성질과 분자들 간의 전자 이동이 결국 같은 원리를 기반으로 한다는 매우 도전적인 질문에 대한 심도 있는 결과에 한 걸음 더 접근한 성과로 받아들여지고 있다.[36] 이는 과학적 성과뿐만 아니라 친환경적이며 저전력의 기준 등에서도 매우 중요한 성과이다.
8. 주요 반도체 제조사
| 국가 | 기업명 | 비고 |
|---|---|---|
| 일본 | 소니 | 소니 반도체 솔루션즈(Sony Semiconductor Solutions) |
| 일본 | 도시바 | |
| 일본 | 르네사스 일렉트로닉스(Renesas Electronics) | 히타치 제작소(Hitachi)와 미쓰비시전기(Mitsubishi Electric)의 반도체 부문 합병 (르네사스 테크놀로지(Renesas Technology)) + NEC 일렉트로닉스(NEC Electronics) |
| 일본 | 누보톤 테크놀로지 재팬(NuvoTon Technology Japan) | 구 파나소닉(Panasonic) |
| 일본 | 후지쓰 | |
| 미국 | 온세미컨덕터 홀딩스(ON Semiconductor Holdings) | 구 삼양반도체 |
| 일본 | 샤프 | |
| 일본 | 교세라 | |
| 일본 | 오키전기 | |
| 일본 | 세이코 에프손 | |
| 일본 | 롬 | |
| 일본 | 산켄전기 | |
| 일본 | 후지전기 | |
| 대한민국 | 삼성전자 | |
| 대한민국 | LG전자 | |
| 대한민국 | SK하이닉스 | |
| 대만 | TSMC | |
| 대만 | UMC | |
| 대만 | ALi | |
| 대만 | 리얼텍(Realtek) | |
| 대만 | 윈본드 일렉트로닉스 | |
| 대만 | 누보톤 | |
| 미국 | 인텔 | |
| 미국 | 텍사스 인스트루먼츠(Texas Instruments) | |
| 미국 | 마이크론 테크놀로지(Micron Technology) | |
| 미국 | 스팬션(Spansion) | |
| 미국 | 페어차일드 세미컨덕터(Fairchild Semiconductor) | |
| 미국 | 애나로그 디바이스(Analog Devices) | |
| 미국 | 글로벌파운드리(GLOBALFOUNDRIES) | |
| 프랑스/이탈리아 | ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics) | |
| 네덜란드 | NXP반도체(NXP Semiconductors) | 필립스(Philips)의 반도체 부문 분사 |
| 독일 | 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies) | 지멘스(Siemens)의 반도체 부문 분사 |
| 독일 | 키만다(Qimonda) | 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)의 반도체 메모리 부문 분사 |
| 국가 | 기업명 | 비고 |
|---|---|---|
| 미국 | 시냅틱스 | |
| 미국 | AMD | |
| 미국 | 퀄컴 | |
| 미국 | 코넥산트 | |
| 미국 | 자일링스 | |
| 미국 | 샌디스크 | |
| 미국 | 엔비디아 | |
| 미국 | 브로드컴 | |
| 미국 | 마벨 | |
| 대만 | 미디어텍 | |
| 미국 | 알테라(Altera) | 인텔(Intel)에 인수되어 FPGA 부문 |
| 미국 | IDT(Integrated Device Technology) | 르네사스 일렉트로닉스(Renesas Electronics)에 인수 |
| 미국 | LSI 코퍼레이션 (구 LSI 로직(LSI Logic)) | 아바고 테크놀로지(Avago Technologies)에 인수 |
| 미국 | 프리스케일 세미컨덕터(Freescale Semiconductor) | NXP 세미컨덕터스에 합병 |
| 미국 | 내셔널 세미컨덕터(National Semiconductor) | 텍사스 인스트루먼츠(Texas Instruments)에 인수 |
자체적으로 제조 부서를 갖추지 않고 개발 및 설계만을 담당하며, 제조는 다른 회사에 위탁하는 방식은 팹리스를 참조.
9. 역사
라디오의 검파기로 널리 사용되던 '고양이 수염 검파기'는 자갓디시 찬드라 보스 등에 의해 개발되었으며, 쇼트키 다이오드의 원시적인 형태이다.[7] 이는 작은 텅스텐 필라멘트를 갈레나(황화납) 또는 카보런덤(탄화규소) 결정 표면 위에서 움직여 작동시키는 방식이었으나, 작동 원리가 명확히 밝혀지지 않았고, 진공관 라디오의 등장으로 쇠퇴하였다.
초기 반도체 소자의 또 다른 유형으로는 산화구리 또는 셀레늄을 사용하는 금속 정류기가 있으며, 웨스팅하우스 일렉트릭이 주요 제조업체였다.
제2차 세계 대전 중 레이더 연구가 발전하면서 고주파 증폭기의 필요성이 대두되었고, 벨 연구소의 러셀 오얼은 고양이 수염 검파기를 다시 연구하여 진공관보다 우수한 성능을 확인하였다. 오얼은 결정의 불순물 차이로 인해 발생하는 현상을 발견하고, 월터 브래튼과 함께 결정 내부에 일종의 접합이 있음을 밝혀냈다. 이 접합은 고체 다이오드를 생성했으며, 이는 곧 반도체로 알려지게 되었다.
퍼듀 대학교, 벨 연구소, MIT, 시카고 대학교의 공동 연구로 게르마늄 생산 기술이 완성되어 군용 다이오드가 레이더 장치에 사용되었다.
전쟁 후, 윌리엄 쇼클리는 트라이오드와 유사한 반도체 소자 개발을 시도했다. 존 바딘, 월터 하우저 브래튼과 함께 연구를 진행하며 전자 이동도에 대한 이해를 높였다. 이들은 1947년 12월 23일, p-n-p 점접촉 게르마늄 트랜지스터를 시연하였고, 이는 18의 전력 증폭률을 가진 음성 증폭기로 작동하였다. 이 공로로 세 사람은 1956년 노벨상 물리학상을 수상했다.
벨 연구소는 새 발명품에 존 R. 피어스(John R. Pierce)가 제안한 "트랜지스터(transistor)"라는 이름을 붙였다.
쇼클리는 브래튼과 바딘의 성과에 불만을 품고, 독자적인 연구를 통해 1960년대까지 널리 사용된 바이폴라 접합 트랜지스터를 발명했다.
게르마늄의 온도 민감성 문제를 해결하기 위해 고든 K. 틸은 텍사스 인스트루먼츠에서 최초로 작동하는 실리콘 트랜지스터를 개발했다. 이후 실리콘 기반 트랜지스터가 주류를 이루게 되었고, 영역 용융 기술로 결정 순도가 향상되었다.
1955년, 칼 프로슈(Carl Frosch)와 링컨 데릭(Lincoln Derick)은 실리콘 웨이퍼 위에 실리콘 이산화물 층을 성장시켜 표면 패시베이션 효과를 관찰했다.[8][9] 1957년에는 이를 이용해 최초의 평면 트랜지스터인 실리콘 이산화물 전계 효과 트랜지스터를 제작했다.[10]
이후 J.R. 리겐자(J.R. Ligenza)와 W.G. 스피처(W.G. Spitzer)는 열적 산화 메커니즘을 연구하여 고품질 Si/SiO2 스택 제작에 성공했다.[17][18][19] 모하메드 아탈라와 다원 캉은 1959년에 실리콘 MOS 트랜지스터를 제안했고,[20] 1960년에 작동하는 MOS 소자를 시연했다.[21][22]
스케일링 가능성과 낮은 전력 소비, 높은 밀도를 가진 MOSFET은 컴퓨터, 전자 제품,[27] 스마트폰 등의 통신 기술에서 가장 일반적인 트랜지스터가 되었다.[28]
1963년 페어차일드 반도체의 치탕 사와 프랭크 완래스는 CMOS(상보형 MOS)를 발명했다.[30] 1967년 다원 캉과 사이먼 셰는 플로팅 게이트 MOSFET을 보고했다.[31] 1989년 히타치 중앙연구소의 디히 히사모토(Digh Hisamoto) 연구팀은 3D 멀티게이트 MOSFET의 일종인 FinFET(핀 전계 효과 트랜지스터)를 제작했다.[33][34]
10. 응용 분야
모든 트랜지스터 종류는 논리 게이트의 구성 요소로 사용될 수 있으며, 이는 디지털 회로 설계의 기본이다. 마이크로프로세서와 같은 디지털 회로에서 트랜지스터는 온/오프 스위치 역할을 한다. 예를 들어 MOSFET에서 게이트에 인가되는 전압에 따라 스위치가 온 또는 오프 상태가 된다.[1]
아날로그 회로에 사용되는 트랜지스터는 온/오프 스위치 역할을 하지 않는다. 대신 연속적인 범위의 입력에 대해 연속적인 범위의 출력으로 응답한다. 일반적인 아날로그 회로에는 증폭기와 발진기가 포함된다.[1]
디지털 회로와 아날로그 회로 간의 인터페이스 또는 변환을 수행하는 회로는 혼합 신호 회로로 알려져 있다.[1]
전력 반도체 소자는 고전류 또는 고전압 애플리케이션을 위해 설계된 개별 소자 또는 집적 회로이다. 전력 집적 회로는 IC 기술과 전력 반도체 기술을 결합하며, 때로는 "스마트" 전력 소자라고도 한다. 여러 회사가 전력 반도체 제조를 전문으로 하고 있다.[1]
참조
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[3]
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2020-02-07
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