DIMM

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1. 개요
2. 역사
3. 종류
4. 일반적인 DIMM의 종류
5. 속도
6. 폼 팩터
7. 특징
참조

1. 개요

DIMM(Dual In-line Memory Module)은 1990년대에 등장하여 SIMM을 대체한 메모리 모듈로, 펜티엄 프로세서의 64비트 버스에 대응하기 위해 개발되었다. DIMM은 SIMM과 달리 각 면에 독립적인 접촉 단자를 가져 데이터 경로를 64비트로 확장했으며, 다양한 종류와 폼 팩터로 제공된다. UDIMM, RDIMM, FB-DIMM과 같은 형태로 구분되며, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 등 SDRAM 기술 발전에 따라 속도와 규격이 발전해 왔다. DIMM은 SPD를 통해 용량과 작동 매개변수를 식별하며, ECC 기능, 랭크, 인터리빙 등의 특징을 갖는다.

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DIMM
개요
DIMM 모듈의 예
종류	컴퓨터 메모리 모듈
상세 정보
형태	인쇄 회로 기판
기술적 사양
크기	약
폭	약
특징	SIMM과 달리 모듈 양쪽에 커넥터가 있음

2. 역사

DIMM(Dual In-line Memory Module)은 1990년대에 SIMM(Single In-line Memory Module)을 대체하는 업그레이드 제품으로 등장했다.^[2]^[3] 인텔(Intel)의 P5 기반 펜티엄(Pentium) 프로세서가 시장 점유율을 높이기 시작하면서 DIMM의 필요성이 대두되었다. 펜티엄은 64비트 버스 너비를 가지고 있었기 때문에, 데이터 버스를 채우려면 SIMM을 짝을 지어 설치해야 하는 번거로움이 있었다. 프로세서는 두 개의 SIMM에 동시에 접근했다.

DIMM은 이러한 단점을 해결하기 위해 도입되었다. SIMM의 접촉 단자는 양쪽에 중복되어 있었지만, DIMM은 모듈의 각 면에 별도의 전기적 접촉 단자를 가지고 있었다.^[4] 이를 통해 SIMM의 32비트 데이터 경로를 64비트 데이터 경로로 두 배로 늘릴 수 있었다.^[5]

"DIMM"이라는 이름은 SIMM의 접촉 단자가 두 개의 독립적인 행으로 분할된 것을 상징하는 '''Dual In-line Memory Module'''의 약자로 선택되었다.^[5]

3. 종류

DIMM은 핀 수, 사용되는 메모리 기술(DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 등), 버퍼 유무 등에 따라 다양한 종류가 있다. DIMM 규격은 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 표준화하며, 탑재되는 SDRAM 칩의 종류별로 다양한 규격이 존재한다.

기본적으로 DIMM 인터페이스는 주소, 데이터, 제어 신호로 구성되어 있으며, PC용은 64bit 데이터의 DIMM이 사용되지만, 높은 신뢰성이 요구되는 서버에서는 ECC 8bit를 부가한 72bit 데이터의 DIMM이 사용된다.

DIMM의 형태는 크게 '''언버퍼드 DIMM (UDIMM)''', '''버퍼드 (레지스터드) DIMM''', '''풀리 버퍼드 DIMM (FB-DIMM)'''의 3가지 종류가 존재하며, 이들은 인터페이스가 다르므로 규격상 호환성이 없다. 또한 각 DIMM 내에서도 DDR2나 DDR3와 같은 차이, ECC 유무, SDRAM의 동작 속도(액세스 타이밍)의 상한 값 및 동작 전압 범위 등에 따라 세부 규격으로 나뉘며, 동일 종류 간에는 대체로 상위 호환성이 유지된다. 실효 전송 속도와 연결 가능한 모듈 수는 트레이드 오프 관계에 있다.

"DIMM"이라는 명칭은 메모리 기판을 꽂는 슬롯(소켓)을 가리키는 경우도 있지만, 엄밀히 말하면 오용이며, 이는 "DIMM 슬롯" 또는 "DIMM 소켓"이라고 부르는 것이 정확하다.

DIMM의 종류
종류	핀 수	사용처
DIMM	100핀	프린터 SDRAM 및 프린터 ROM (예: PostScript)
	168핀	SDR SDRAM, 워크스테이션 또는 서버에서 FPM/EDO DRAM으로 사용되기도 하며, 3.3V 또는 5V일 수 있음
	184핀	DDR SDRAM
	200핀	일부 썬(Sun Microsystems) 워크스테이션 및 서버의 FPM/EDO DRAM
	240핀	DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM 및 FB-DIMM DRAM
	288핀	DDR4 SDRAM 및 DDR5 SDRAM^[6]
SO-DIMM	72핀	FPM DRAM 및 EDO DRAM^[7]
	144핀	SDR SDRAM,^[7] 때로는 DDR2 SDRAM에 사용됨
	200핀	DDR SDRAM^[7] 및 DDR2 SDRAM
	204핀	DDR3 SDRAM
	260핀	DDR4 SDRAM
	260핀	DDR3 또는 DDR4 SDRAM을 탑재한 UniDIMMs
	262핀	DDR5 SDRAM
MiniDIMM	244핀	DDR2 SDRAM
MicroDIMM	172핀	DDR SDRAM^[7]
MicroDIMM	214핀	DDR2 SDRAM^[7]

DDR, DDR2, DDR3, DDR4 및 DDR5는 모두 서로 다른 핀 개수 및/또는 노치 위치를 가지고 있으며, 어느 것도 순방향 호환 또는 역방향 호환되지 않는다. DDR5 SDRAM은 가장 최근의 DDR 메모리 유형이며 2020년부터 사용되고 있다.

3. 1. Unbuffered DIMM (UDIMM)

칩셋으로부터의 주소, 제어, 데이터 신호가 직접 DIMM 기판상의 SDRAM 칩에 분배 연결되는 형태의 DIMM이다.

주소와 제어 신호는 연결되어 있는 모든 모듈상의 SDRAM 칩에 분배되기 때문에 구동 측의 전류 부하가 크다. 예를 들어 4bit SDRAM 칩이 탑재된 DIMM의 경우, 주소선은 16개의 DRAM IC에 분배되므로 50-60개 정도가 구동 가능한 한계이며, 1개의 채널당 연결 가능한 모듈 수는 3-4개 정도가 상한이 된다. 이처럼 Unbuffered DIMM은 하나의 채널에 다수 연결할 수 없으며, 통상 3-4개까지로 제약된다. 하지만, 다른 두 가지 규격에 비해 전송로 중간에 개입물이 없기 때문에 실효 전송 속도에서 뛰어나고, 비용 면에서도 유리하다. 워크스테이션 중 메모리 용량이 최우선이 아닌 것에 채용되는 외에, 개인용 컴퓨터의 대부분에 사용되고 있다.

3. 2. Registered DIMM (RDIMM)

어드레스 신호와 제어 신호를 DIMM 기판 상의 레지스터(Registered buffer)라고 불리는 IC로 일단 수신하여 정형 증폭한 후 각 SDRAM 칩에 분배하는 DIMM 규격이다. 데이터 신호는 버퍼되지 않는다. Registered DIMM이라고도 불린다.^[1]

버퍼가 존재하기 때문에 어드레스 신호선과 제어 신호선의 전기적 부하는 모듈당 1IC만의 부하가 되며, 1개의 채널당 더 많은 모듈을 연결할 수 있게 된다. 수 GB에서 수십 GB에 달하는 주 기억 용량을 필요로 하는 서버에 적합하다. 버퍼에서 한 번 수신하기 때문에 Unbuffered DIMM과 접근 타이밍이 다르다. 예를 들어 읽기(READ) 시에는 실제로 SDRAM 칩으로 통지되는 어드레스, 제어 신호가 버퍼에 의해 1 클럭 늦어지기 때문에 겉보기에는 DIMM에서 데이터 출력이 Unbuffered DIMM에 비해 1클럭 늦어진다.^[1]

DDR2, DDR3와 SDRAM 칩의 속도가 빨라짐에 따라 버퍼되지 않은 데이터 신호선의 과중한 부하와 노이즈 내성 부족이 현저해지고 있어 고속으로 동작시키기 위해서는 많은 DIMM을 연결할 수 없게 되었다.^[1]

3. 3. Fully Buffered DIMM (FB-DIMM)

FB-DIMM(Fully Buffered DIMM)은 주소, 데이터, 제어 신호를 모두 DIMM 기판 위의 AMB(high-speed Advanced Memory Buffer)라고 불리는 버퍼 내장형 전용 컨트롤러 칩으로 받는 형태의 DIMM이다. CPU/칩셋 측과는 PCI Express(PCIe)와 유사한 소수의 핀을 사용하는 고속 시리얼 인터페이스로 연결된다. 기존 DIMM은 스터브가 있는 버스 연결을 통해 여러 모듈이 공유 연결되었지만, FB-DIMM에서는 인접한 모듈끼리 Point-to-Point 연결을 통해 확장되는 데이지 체인 연결 방식을 사용한다.^[19]

기존 DIMM에 비해 칩셋(또는 CPU) 측 신호가 줄어들었으며, 주소, 제어, 3.2 - 4.0GHz로 구동되는 상행 14 레인/하행 10 레인의 24쌍의 고속 데이터 신호선(총 48개)을 포함한 총 69개의 단자로 구성된다.^[20] 각 신호선의 전송 동작 등은 PCIe와 유사하지만,^[21] 일반적으로 PCIe보다 짧은 전송 거리를 가지며, 각 신호는 8b/10b 방식과 같이 클럭이 중첩되지 않는다. 서버 등 실사용 환경에서는 쓰기보다 읽기 비율이 압도적으로 높기 때문에, 쓰기 방향과 읽기 방향에서 신호 개수가 다른 비대칭 구조를 가진다.^[22]

각 모듈마다 하나씩 장착된 AMB는 상류 측 모듈 또는 칩셋(CPU) 측 인터페이스, 하류 측 모듈 측 인터페이스, 자체 범용 SDRAM과의 인터페이스라는 3방향 인터페이스를 가지고 있으며, 각 모듈의 AMB는 칩셋(CPU)에 가까운 상류 측으로부터 신호를 받으면, 자신이 타겟이 아닐 경우 인접한 하류 측 모듈로 신호를 전송한다. 하류 측에서 상류 측으로 향하는 경우에도 마찬가지로 AMB 간에 순차적으로 전송된다. 이처럼 로컬 메모리 컨트롤러라고 할 수 있는 AMB가 서로 연결됨으로써 데이지 체인을 구축하고, 각 채널당 최대 8개의 DIMM을 연결할 수 있게 된다. 각 AMB 간에는 동기 전송으로 인한 지연이 발생하므로, CPU 측에서 볼 때 먼 모듈(하류 측)에 대한 액세스는 가까운 모듈(상류 측)보다 느려진다.^[23] 각 AMB 내에서 병렬/직렬 변환 및 동작 명령 번역, CRC 코드 생성/확인 등을 고속으로 수행하므로 발열량도 많아진다.

미국 인텔(Intel)사가 주도하여 PC 서버 및 워크스테이션용으로 제품화된 FB-DIMM이지만, AMB 칩이라는 고기능 IC 사용 등으로 고비용이며, 방열에 대한 고려가 필요하고, 채널당 모듈 수 증가로 인해 레이턴시도 증가하는 점 때문에, 특히 대용량 메모리와 광대역 메모리 액세스가 강력하게 요구되는 엔터프라이즈 서버와 같은 용도를 제외하고는, 미들/로우 엔드급 서버에 대한 채택은 확산되지 않았다. 또한, 램버스(Rambus)사의 특허권에 관해서는, Buffered DIMM뿐만 아니라 FB-DIMM 구조에 관한 로열티 지불이 발생하는 것도 불리하게 작용했다.^[24]

이 때문에, 인텔사는 차세대 메모리 인터페이스로 CPU에서는 FB-DIMM 인터페이스로 DRAM에 액세스하지만, AMB는 마더보드에 실장하고, DIMM 자체는 기존의 것으로 되돌리는 것을 계획하고 있다. 여전히 소비자용 메모리는 Unbuffered DIMM이 주류이며, 소비자부터 엔터프라이즈 서버까지 폭넓은 SKU를 커버하는 차세대 프로세서 Nehalem의 마스크 바리에이션을 불필요하게 늘리고 싶지 않은 인텔의 의도가 엿보인다.^[25]

3. 4. SO-DIMM

SO-DIMM (소-딤, SODIMM으로도 표기) 또는 소형 외형 DIMM은 일반 DIMM의 물리적 크기의 절반 정도인 DIMM의 더 작은 대안이다. 1997년 JEDEC에 의해 도입되기 전, 많은 노트북은 비싸고 구하기 어려운 전용^[10] RAM 모듈을 사용했다.^[7]^[11]

SO-DIMM은 노트북, 노트북 컴퓨터, 나노-ITX 마더보드 기반의 소형 폼 팩터 개인용 컴퓨터, 고급 업그레이드 가능 사무실 컴퓨터 프린터, 라우터 및 NAS 장치와 같은 네트워킹 하드웨어를 포함하여 공간이 제한된 컴퓨터에서 자주 사용된다.^[12] 일반적으로 일반 DIMM과 동일한 크기의 데이터 경로와 속도 등급으로 제공되지만 일반적으로 용량이 더 작다.

SO-DIMM의 종류는 다음과 같다.

72핀 SO-DIMM (2핀 SIMM과 다름): FPM 디램 및 EDO 디램에 쓰임
144핀 SO-DIMM : SDR SDRAM에 쓰임
200핀 SO-DIMM : DDR SDRAM 및 DDR2 SDRAM에 쓰임
204핀 SO-DIMM : DDR3 SDRAM에 쓰임

3. 5. MicroDIMM

SO-DIMM보다 더 작은 크기의 DIMM으로, 초소형 기기에 사용된다.

핀 수	사용처
172핀 마이크로DIMM	DDR SDRAM
214핀 마이크로DIMM	DDR2 SDRAM

4. 일반적인 DIMM의 종류

종류	핀 수	사용처
SO-DIMM	72핀	FPM DRAM 및 EDO DRAM^[7]
DIMM	100핀	프린터 SDRAM
SO-DIMM	144핀	SDR SDRAM^[7]
DIMM	168핀	SDR SDRAM (워크스테이션/서버에서 FPM/EDO DRAM에 약간 쓰였음)
마이크로DIMM	172핀	DDR SDRAM^[7]
DIMM	184핀	DDR SDRAM
SO-DIMM	200핀	DDR SDRAM 및 DDR2 SDRAM^[7]
SO-DIMM	204핀	DDR3 SDRAM
마이크로DIMM	214핀	DDR2 SDRAM
DIMM	240핀	DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, FB-DIMM DRAM
MiniDIMM	244핀	DDR2 SDRAM
SO-DIMM	260핀	DDR4 SDRAM
SO-DIMM	262핀	DDR5 SDRAM
DIMM	288핀	DDR4 SDRAM 및 DDR5 SDRAM^[6]

5. 속도

DIMM의 속도는 메모리 클럭, I/O 버스 클럭, 전송률 등으로 표시된다. DDR 기술이 발전함에 따라 속도가 지속적으로 향상되고 있다.

단일 데이터 전송률(SDR, Single Data Rate) DRAM 기반의 DIMM은 데이터, 주소 및 제어 라인에 대해 동일한 버스 주파수를 갖는다. 더블 데이터 전송률(DDR, Double Data Rate) DRAM 기반의 DIMM은 데이터 스트로브가 아닌 데이터 스트로브의 두 배의 속도를 갖는데, 이는 데이터 스트로브의 상승 및 하강 에지 모두에서 클럭을 사용하여 달성된다. 전력 소비량과 전압은 DDR 기반 DIMM의 각 세대마다 점차 낮아졌다.

DDR, DDR2, DDR3, DDR4 및 DDR5는 모두 서로 다른 핀 개수 및/또는 노치 위치를 가지고 있으며, 어느 것도 순방향 호환 또는 역방향 호환되지 않는다. DDR5 SDRAM은 가장 최근의 DDR 메모리 유형이며 2020년부터 사용되고 있다.

메모리 액세스 속도에 영향을 미치는 또 다른 요소는 [CAS 지연 시간/대기 시간](CL, Column Access Strobe)이다. 이것은 READ 명령과 데이터가 사용 가능해지는 순간 사이의 지연 시간이다.^[1]

DDR별 DIMM 속도 비교
종류	칩	모듈	메모리 클럭 ()	I/O 버스 클럭 ()	전송률 ()	전압 ()
SDR SDRAM	SDR-66	PC-66	66	66	66	3.3
scope="row"\|	SDR-100	PC-100	100	100	100	3.3
scope="row"\|	SDR-133	PC-133	133	133	133	3.3
DDR SDRAM (DDR1)	DDR-200	PC-1600	100	100	200	2.5
scope="row"\|	DDR-266	PC-2100	133	133	266	2.5
scope="row"\|	DDR-333	PC-2700	166	166	333	2.5
scope="row"\|	DDR-400	PC-3200	200	200	400	2.6
DDR2 SDRAM	DDR2-400	PC2-3200	100	200	400	1.8
scope="row"\|	DDR2-533	PC2-4200	133	266	533	1.8
scope="row"\|	DDR2-667	PC2-5300	166	333	667	1.8
scope="row"\|	DDR2-800	PC2-6400	200	400	800	1.8
scope="row"\|	DDR2-1066	PC2-8500	266	533	1066	1.8
DDR3 SDRAM	DDR3-800	PC3-6400	100	400	800	1.5
scope="row"\|	DDR3-1066	PC3-8500	133	533	1066	1.5
scope="row"\|	DDR3-1333	PC3-10600	166	667	1333	1.5
scope="row"\|	DDR3-1600	PC3-12800	200	800	1600	1.5
scope="row"\|	DDR3-1866	PC3-14900	233	933	1866	1.5
scope="row"\|	DDR3-2133	PC3-17000	266	1066	2133	1.5
scope="row"\|	DDR3-2400	PC3-19200	300	1200	2400	1.5
DDR4 SDRAM	DDR4-1600	PC4-12800	200	800	1600	1.2
scope="row"\|	DDR4-1866	PC4-14900	233	933	1866	1.2
scope="row"\|	DDR4-2133	PC4-17000	266	1066	2133	1.2
scope="row"\|	DDR4-2400	PC4-19200	300	1200	2400	1.2
scope="row"\|	DDR4-2666	PC4-21300	333	1333	2666	1.2
scope="row"\|	DDR4-3200	PC4-25600	400	1600	3200	1.2
DDR5 SDRAM	DDR5-4000	PC5-32000	2000	2000	4000	1.1
scope="row"\|	DDR5-4400	PC5-35200	2200	2200	4400	1.1
scope="row"\|	DDR5-4800	PC5-38400	2400	2400	4800	1.1
scope="row"\|	DDR5-5200	PC5-41600	2600	2600	5200	1.1
scope="row"\|	DDR5-5600	PC5-44800	2800	2800	5600	1.1
scope="row"\|	DDR5-6000	PC5-48000	3000	3000	6000	1.1
scope="row"\|	DDR5-6200	PC5-49600	3100	3100	6200	1.1
scope="row"\|	DDR5-6400	PC5-51200	3200	3200	6400	1.1
scope="row"\|	DDR5-6800	PC5-54400	3400	3400	6800	1.1
scope="row"\|	DDR5-7200	PC5-57600	3600	3600	7200	1.1
scope="row"\|	DDR5-7600	PC5-60800	3800	3800	7600	1.1
scope="row"\|	DDR5-8000	PC5-64000	4000	4000	8000	1.1
scope="row"\|	DDR5-8400	PC5-67200	4200	4200	8400	1.1
scope="row"\|	DDR5-8800	PC5-70400	4400	4400	8800	1.1

16 GiB DDR4-2666 1.2 V 언버퍼드 DIMM (UDIMM).

5. 1. SDR SDRAM DIMM

SDR SDRAM DIMM에는 PC66, PC100, PC133 등의 규격이 있으며, 각 규격과 동작 속도는 다음과 같다.

규격	동작 속도
PC66	66 MHz
PC100	100 MHz
PC133	133 MHz

5. 2. DDR SDRAM (DDR1) DIMM

DDR SDRAM (DDR1) DIMM은 다음과 같은 규격이 있다.

규격	데이터 및 스트로브	주소 및 제어 클럭
PC1600	200 MHz	100 MHz
PC2100	266 MHz	133 MHz
PC2700	333 MHz	166 MHz
PC3200	400 MHz	200 MHz

5. 3. DDR2 SDRAM DIMM

DDR2 SDRAM DIMM은 다음과 같은 규격들이 있다.

규격	데이터 및 스트로브	클럭 (주소 및 제어)
PC2-3200	400 MHz	200 MHz
PC2-4200	533 MHz	266 MHz
PC2-5300	667 MHz	333 MHz
PC2-6400	800 MHz	400 MHz
PC2-8500	1066 MHz	533 MHz

5. 4. DDR3 SDRAM DIMM

DDR3 SDRAM DIMM은 다음과 같은 규격들이 있다.

규격	데이터 및 스트로브	클럭 (주소 및 제어)
PC3-6400	800 MHz	400 MHz
PC3-8500	1066 MHz	533 MHz
PC3-10600	1333 MHz	667 MHz
PC3-12800	1600 MHz	800 MHz
PC3-14900	1866 MHz	933 MHz
PC3-17000	2133 MHz	1066 MHz

5. 4. 1. DDR4 SDRAM DIMM

DDR4 SDRAM DIMM은 다음과 같은 규격들이 있다.

규격	데이터 및 스트로브
PC4-17000	2133Mhz
PC4-19200	2400Mhz
PC4-21300	2666Mhz
PC4-23400	2933Mhz
PC4-24000	3000Mhz
PC4-25600	3200Mhz
PC4-28800	3600Mhz
PC4-32000	4000Mhz
PC4-33000	4133Mhz
PC4-34100	4266Mhz
PC4-34400	4300Mhz
PC4-35200	4400Mhz
PC4-36800	4600Mhz

6. 폼 팩터

DIMM에는 핀 수가 다른 다양한 변형이 존재한다.

종류	핀 수	사용처
DIMM	100핀	프린터 SDRAM 및 프린터 ROM (예: PostScript)
	168핀	SDR SDRAM, 워크스테이션 또는 서버에서 FPM/EDO DRAM으로 사용되기도 하며, 3.3V 또는 5V일 수 있음
	184핀	DDR SDRAM
	240핀	DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM 및 FB-DIMM DRAM
	278핀	HP 고밀도 SDRAM
	288핀	DDR4 SDRAM 및 DDR5 SDRAM^[6]
SO-DIMM	72핀	FPM DRAM 및 EDO DRAM;^[7] 72핀 SIMM과 다른 핀 구성
	144핀	SDR SDRAM,^[7] 때로는 DDR2 SDRAM에 사용됨
	200핀	DDR SDRAM^[7] 및 DDR2 SDRAM
	204핀	DDR3 SDRAM
	260핀	DDR4 SDRAM
	260핀	DDR3 또는 DDR4 SDRAM을 탑재한 UniDIMMs; DDR4 SO-DIMM과 다르게 노치 처리됨
	262핀	DDR5 SDRAM
MiniDIMM	244핀	DDR2 SDRAM
MicroDIMM	144핀	SDRAM^[7]
	172핀	DDR SDRAM^[7]
	214핀	DDR2 SDRAM

256 MB MicroDIMM PC133 SDRAM (양면, 칩 4개).

7. 특징

DIMM의 용량 및 기타 작동 매개변수는 직렬 존재 감지(SPD)를 통해 식별할 수 있는데, 이는 메모리 컨트롤러가 올바르게 구성되도록 모듈 유형 및 타이밍 정보를 담고 있는 추가 칩이다. SPD EEPROM은 시스템 관리 버스에 연결되며 열 센서(''TS-on-DIMM'')도 포함할 수 있다.^[13]

ECC DIMM은 시스템 메모리 컨트롤러가 오류를 감지하고 수정하는 데 사용할 수 있는 추가 데이터 비트를 가진 DIMM이다. ECC 방식에는 여러 가지가 있지만, 가장 흔한 방식은 64비트 워드당 1바이트를 추가로 사용하는 단일 오류 수정, 이중 오류 감지(SECDED)이다. ECC 모듈은 일반적으로 8개 칩의 배수가 아닌 9개 칩의 배수를 사용한다.

메모리 모듈은 동일한 주소 및 데이터 버스에 연결된 둘 이상의 독립적인 DRAM 칩 세트로 설계될 수 있는데, 이러한 각 세트를 '''랭크'''라고 한다. 동일한 슬롯을 공유하는 랭크의 경우, 한 번에 하나의 랭크만 액세스할 수 있다. 이는 해당 랭크의 칩 선택(CS) 신호를 활성화하여 지정된다. 모듈의 다른 랭크는 해당 CS 신호를 비활성화하여 작동하는 동안 비활성화된다. 현재 DIMM은 모듈당 최대 4개의 랭크로 일반적으로 제조되고 있다. 최근 소비자 DIMM 공급업체는 단일 및 이중 랭크 DIMM을 구분하기 시작했다.

메모리 워드를 가져온 후, 센스 증폭기가 다음 셀에 액세스하기 위해 충전되는 동안 메모리는 일반적으로 장시간 액세스할 수 없다. 메모리를 인터리빙(예: 셀 0, 4, 8 등은 하나의 랭크에 함께 저장)하면 센스 증폭기가 액세스 사이에 재충전을 위해 3 사이클의 유휴 시간을 갖기 때문에 순차적인 메모리 액세스를 더 빠르게 수행할 수 있다.

DIMM은 DRAM 칩이 모듈의 인쇄 회로 기판(PCB)의 한쪽 또는 양쪽에 있는지 설명하기 위해 종종 "단면" 또는 "양면"이라고 하지만, 칩의 물리적 레이아웃은 논리적으로 구성되거나 액세스되는 방식과 반드시 관련이 없으므로 이러한 용어는 혼동을 일으킬 수 있다.

JEDEC는 등록 DIMM(RDIMM)에 적용할 때 "양면", "이중 면" 또는 "이중 뱅크"라는 용어가 올바르지 않다고 결정했다.

참조

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_[19] 문서 上りと下りともに差動動作であり信号線は2倍の本数である。
_[20] 문서 他方式のDIMMでは1チャンネルで240本ほどの配線が必要なのに比べて、1チャンネル69本のFB-DIMMはチャンネル数が多くとれる。
_[21] 문서 FB-DIMMを推進した米Intel社では、過去にRambus社が開発した[[RDRAM]]を推進したが特許権などの高コストなどを理由に失敗した経緯があり、FB-DIMMでは他社の特許をあまり含まないPCIeを元に接続インターフェースを開発・設計したとされる。
_[22] 문서 上りと下りで同時に読み書き動作が行える。
_[23] 문서 主プロセッサ側からの読み書きアクセスに対してメモリの動作に掛かる遅延時間は「レイテンシ」と呼ばれ、FB-DIMMではCPUから遠い下流ほどレイテンシが大きくなる。[[Microsoft Windows Vista|Windows Vista]]で用意されているハードウェアパフォーマンス評価ツールでは、同じDDR2-5300チップであるにもかかわらず、UnbufferedDIMMに比べて1割から2割ほど評価が下回るとされる。
_[24] 문서 '『バッファードモジュール』、Rambus、（2008年08月29日時点のアーカイブ）' https://web.archive.[...]
_[25] 뉴스 IntelはNehalem世代でFB-DIMMをフェイドアウトの方向に https://pc.watch.imp[...] PC-Watch 後藤弘茂のWeekly海外ニュース 2007-10-23

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