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니시자와 준이치

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1. 개요

니시자와 준이치는 일본의 공학자로서, 반도체 및 광통신 기술 분야에서 선구적인 업적을 남겼다. 그는 1950년에 PIN 다이오드, 정전 유도 트랜지스터, 이온 주입법 등을 발명했으며, 1960년대에는 광섬유 통신을 제안하여 광통신 기술 발전에 기여했다. 또한, 반도체 레이저와 관련된 연구도 수행했다. 도호쿠 대학 총장, 이와테 현립 대학 학장 등을 역임했으며, IEEE 에디슨 메달, 아사히상, 문화훈장 등을 수상했다.

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니시자와 준이치 - [인물]에 관한 문서
기본 정보
이름니시자와 준이치
출생일1926년 9월 12일
출생지센다이, 미야기 현, 일본
사망일2018년 10월 21일
사망지센다이, 미야기 현, 일본
로마자 표기Nishizawa Jun'ichi
한자 표기西澤 潤一
학력 및 경력
모교도호쿠 대학
직장도호쿠 대학
이와테 현립 대학
도쿄 도립 대학
소피아 대학
수상
주요 수상IEEE 에디슨 메달 (2000년)
문화 훈장
가족 관계
아버지니시자와 교스케 (도호쿠 대학 명예 교수)
형제니시자와 야스지 (도호쿠 대학 명예 교수)
연구 분야
연구 분야전자 공학
통신 공학
주요 업적반도체 소자
반도체 프로세스
광통신 개발
기타 정보
소속상지대학 특임 교수
주요 수상 경력일본 학사원상 (1974년)

2. 생애 및 경력

니시자와 준이치는 1926년 9월 12일 일본 센다이시에서 태어났다. 도호쿠 대학에서 1948년 학사 학위를, 1960년에는 공학 박사 학위를 취득했다. 1953년 도호쿠 대학 전기통신연구소에 합류하여 교수가 되었고, 두 개의 연구소 소장을 역임했다. 1990년부터 1996년까지 도호쿠 대학 총장을, 1998년에는 이와테현립대학 총장을 역임했다.

미야기현센다이시 출신으로, 니시자와 쿄우스케(도호쿠 제국대학 교수)의 차남이자 장남으로 태어났다. 니시자와 타이지(도호쿠 대학 명예교수)는 그의 동생이다. 1945년, 도호쿠 제국대학 공학부 전기공학과에 입학했다.

와타나베 네이에게 사사했으며, 와타나베는 당시 일본 전자공학 연구의 지도적 위치에 있었다. 와타나베는 미군 관계자들과의 접촉을 통해 미국에서의 반도체 연구 정보와 벨 연구소의 점접촉형 트랜지스터 발명(1947년) 소식을 빠르게 접할 수 있었다.[20]

대학원 특별연구생 시절인 1950년, pin 접합 구조를 고안하여 pin 다이오드, 정전 유도 트랜지스터, pnip 트랜지스터를 발명했다. 또한 반도체 공정에서 중요한 이온 주입법도 발명했다.

니시자와와 와타나베 등이 보유한 pin 다이오드 등의 특허권을 기반으로 1961년 재단법인 [http://www.hanken.jp/web0_index02.htm 반도체 연구진흥회]를 설립했다. 1963년에는 산업계로부터 기부금을 얻어 반도체 연구소를 설립, 대학 외부에서도 니시자와가 주도하여 연구를 진행했다.[22]

플래시 메모리 발명자인 마스오카 후지오, MEMS 연구자인 에사리 마사요시 등이 니시자와의 지도를 받았다. 도호쿠 대학 퇴임 후에는 이와테 현립 대학, 수도 대학 도쿄에서 총장을 역임하며 대학 경영에 종사했다. 2018년 10월 21일, 센다이시에서 사망했다. 향년 92세.[17][24]

; 학력

연도내용
1943년 3월미야기현 센다이 제2 중학교 졸업
1945년 3월제2고등학교 졸업
1948년 3월도호쿠 대학 공학부 전기공학과 졸업
1953년도호쿠 대학 대학원 특별연구생 수료
1960년도호쿠 대학 공학박사



; 경력

연도내용
1953년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소조수
1954년 5월도호쿠 대학 전기통신연구소 조교수
1962년 12월도호쿠 대학 전기통신연구소 교수
1983년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소장 (1986년 3월까지)[40]
1989년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소장 (1990년 3월까지)
1990년
1998년 4월이와테 현립 대학 학장[42]
2005년



; 학외 활동

연도내용
1968년 5월재단법인 반도체연구진흥회 반도체연구소장
1997년
1999년도호쿠 대학 전기계 동창회 회장[45]


2. 1. 초기 생애 및 교육

니시자와 준이치는 1926년 9월 12일 일본 센다이시에서 도호쿠 제국대학 교수였던 니시자와 쿄우스케의 차남이자 장남으로 태어났다. 그의 동생은 니시자와 타이지(도호쿠 대학 명예교수)이다. 1945년 4월, 내신서만으로 도호쿠 제국대학 공학부 전기공학과에 입학했다. 원래 이과에 진학하여 원자핵 연구나 수리기초론을 하고 싶었지만, 아버지의 반대로 이루지 못했다.[19]

졸업 연구를 위해 연구실을 선택할 때, 아버지 쿄우스케(공학부 화학공학과 교수)가 전기공학과 교수인 누키야마 헤이이치에게 상담했고, 누키야마는 와타나베 네이의 연구실을 추천하여 니시자와는 그곳에서 연구를 시작하게 되었다. 와타나베 네이는 당시 일본 전자공학 연구의 지도적 위치에 있었으며, 미군 관계자들과의 접촉을 통해 미국의 반도체 연구 정보와 벨 연구소의 점접촉형 트랜지스터 발명(1947년) 소식을 빠르게 접할 수 있었다. 니시자와가 연구를 시작한 시기는 와타나베가 반도체 연구를 시작한 시기와 일치한다.[20]

1948년 3월 도호쿠 대학 공학부 전기공학과를 졸업하고, 대학원 특별연구생으로 채용되었다. 1950년에 독자적인 pin 접합 구조를 고안하여 반도체 소자로서 pin 다이오드, 정전 유도 트랜지스터, pnip 트랜지스터를 발명했다. 또한 반도체 공정에서 중요한 이온 주입법도 발명했다. 1953년 도호쿠 대학 대학원 특별연구생 수료를 마치고, 도호쿠 대학 전기통신연구소에 조수로 임용되었다. 1960년에는 도호쿠 대학에서 공학 박사 학위를 취득했다.

; 학력

연도내용
1943년 3월미야기현 센다이 제2 중학교 졸업
1945년 3월제2고등학교 졸업
1948년 3월도호쿠 대학 공학부 전기공학과 졸업
1953년도호쿠 대학 대학원 특별연구생 수료
1960년도호쿠 대학 공학박사


2. 2. 연구 활동

1950년, 니시자와 준이치는 정적 유도 트랜지스터와 PIN 포토다이오드를 발명했다.[2][3]

1952년에는 애벌런치 포토다이오드를 발명했다.[4] 1955년에는 반도체 메이저를 발명했다.[4] 1957년, 샤울로(Arthur Leonard Schawlow)와 타운스(Charles H. Townes)가 광 메이저에 대한 첫 논문을 발표하기 1년 전에 반도체 광 메이저를 제안했다.[4][5][6]

도호쿠 대학에서 근무하던 중, 1963년에 광섬유를 이용한 광 통신광섬유 통신을 제안했다.[7] 1960년대에 니시자와는 반도체 레이저에서 나오는 빛을 전송하는 채널로서 구배형 굴절률 광섬유와 같이 광섬유 통신 개발에 기여한 다른 기술들을 발명했다.[8][9] 1964년에 그는 구배형 굴절률 광섬유에 대한 특허를 취득했다.[10]

1971년에는 정적 유도 사이리스터를 발명했다.[4][11]

2. 3. 교육 및 기타 활동

니시자와 준이치는 1948년 도호쿠 대학(Tohoku University)에서 학사 학위를, 1960년에는 공학 박사 학위를 취득했다.[19] 1953년 도호쿠 대학 전기통신연구소에 조수로 합류하여, 1954년 조교수, 1962년 교수가 되었다. 1983년부터 1986년까지, 그리고 1989년부터 1990년까지 두 차례에 걸쳐 도호쿠 대학 전기통신연구소장을 역임했다.[40]

1990년에는 도호쿠 대학 총장으로 취임하여 1996년까지 재직했다.[41] 1998년에는 이와테현립대학(Iwate Prefectural University) 학장[42], 2005년에는 수도대학 도쿄 학장[43]조치 대학 특임교수[44]를 역임했다.

니시자와는 와타나베 네이에게 사사했으며, 와타나베는 당시 일본 전자공학 연구의 지도적 위치에 있었다. 와타나베는 미군 관계자들과의 접촉을 통해 미국에서의 반도체 연구 정보와 벨 연구소의 점접촉형 트랜지스터 발명(1947년) 소식을 일본 내에서 가장 빨리 입수할 수 있었다. 니시자와가 연구를 시작한 시기는 와타나베가 반도체 연구를 시작한 시기와 일치한다.[20]

플래시 메모리 발명자인 마스오카 후지오, MEMS 연구자인 에사리 마사요시 등이 니시자와의 지도를 받았다. 니시자와의 연구실에 소속된 교원으로는 반도체 공정과 클린룸 연구의 오미 타다히로가 있다.

니시자와와 와타나베 등이 보유한 pin 다이오드 등의 특허권을 기반으로 1961년 재단법인 [http://www.hanken.jp/web0_index02.htm 반도체 연구진흥회]를 설립했다. 1963년에는 산업계로부터 기부금을 얻어 반도체 연구소를 설립하여 대학 외부에서도 니시자와가 주도하여 연구를 진행했다.[22]

1997년에는 도호쿠 자치종합연수센터 관장과 미야기 대학 명예학장을 역임했고, 1999년에는 도호쿠 대학 전기계 동창회 회장을 역임했다.[45]

; 학력

연도내용
1943년 3월미야기현 센다이 제2 중학교 졸업
1945년 3월제2고등학교 졸업
1948년 3월도호쿠 대학 공학부 전기공학과 졸업
1953년도호쿠 대학 대학원 특별연구생 수료
1960년공학박사 (도호쿠 대학)



; 경력

연도내용
1953년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소조수
1954년 5월도호쿠 대학 전기통신연구소 조교수
1962년 12월도호쿠 대학 전기통신연구소 교수
1983년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소장(1986년 3월까지)[40]
1989년 4월도호쿠 대학 전기통신연구소장(1990년 3월까지)
1990년
1998년 4월이와테 현립 대학 학장[42]
2005년



; 학외 활동

연도내용
1968년 5월재단법인 반도체연구진흥회 반도체연구소장
1997년
1999년도호쿠 대학 전기계 동창회 회장[45]


3. 주요 업적

니시자와 준이치는 반도체 및 광통신 분야에서 선구적인 업적을 남긴 일본의 공학자이다. 그의 주요 업적은 다음과 같이 요약될 수 있다.

분야업적
반도체
광통신



2002년, 미국 전기 전자 학회(IEEE)는 그의 업적을 기려 "준이치 니시자와 메달(Jun-ichi Nishizawa Medal)"을 제정했다.[18]

3. 1. 반도체 기술

1950년, 니시자와 준이치는 와타나베와 함께 정적 유도 트랜지스터를 발명했고,[2] 같은 해 PIN 포토다이오드도 발명했다.[3]

1952년에는 애벌런치 포토다이오드를 발명했고,[4] 1955년에는 반도체 메이저를 발명했다.[4] 1957년에는 샤울로와 타운스가 광 메이저에 대한 첫 논문을 발표하기 1년 전에 반도체 광 메이저를 제안했다.[4][5][6]

도호쿠 대학에서 근무하던 1963년, 광섬유 통신, 즉 광섬유를 이용한 광 통신을 제안했다.[7] 1960년대에 반도체 레이저에서 나오는 빛을 전송하는 채널로서 구배형 굴절률 광섬유와 같이 광섬유 통신 개발에 기여한 다른 기술들을 발명했다.[8][9] 1964년에 구배형 굴절률 광섬유에 대한 특허를 취득했다.[10]

1971년에는 정적 유도 사이리스터를 발명했다.[4][11]

니시자와 준이치의 주요 반도체 기술 업적은 다음과 같다.

연도업적
1950
1951
1952
1953pin 포토다이오드
1954
1957
1958탄넷 다이오드
1959가변 용량 다이오드
1960포토 커플러
1963
1964집속형 광섬유(GI형 광섬유) 개발
1968FET의 포화 특성 해명
1971
1972증기압 제어 온도차 액상 성장법 발명
1973
1976
1984
기타



니시자와 준이치는 반도체 전자공학 분야에서 독자적인 이론을 바탕으로 pn 접합에 절연체(i:insulator)층을 끼운 pin 구조를 가진 전자 디바이스, 이온 주입법, 에피택셜 성장 등 다양한 기술을 개발했다. 또한, 고휘도 발광 다이오드(적색, 녹색) 개발, 광 통신의 3요소(발광 소자, 전송로, 수광 소자) 개발 등 반도체 기술 발전에 크게 기여했다.

3. 2. 광통신 기술

니시자와 준이치는 도호쿠 대학에서 근무하던 1963년에 광섬유를 이용한 광 통신을 제안했다.[7] 1960년대에 반도체 레이저에서 나오는 빛을 전송하는 채널로 구배형 굴절률 광섬유 등 광섬유 통신 개발에 기여한 기술들을 발명했다.[8][9] 1964년에 구배형 굴절률 광섬유에 대한 특허를 취득했다.[10]

광 통신의 3요소인 발광 소자, 전송로, 수광 소자를 모두 개발했다.

요소발명
발광 소자반도체 레이저 (1957년 일본 특허 출원)
전송로집속형 광섬유(GI형 광섬유) (1964년)
수광 소자PIN 포토다이오드 (1950년), 애벌런치 포토다이오드 (1952년)



니시자와의 연구와 가까운 곳에서, 광섬유 연구로 찰스 K. 카오가 2009년 노벨 물리학상을 수상하였다. 광섬유 연구사는 광섬유 #역사를 참조.[25][26]

3. 3. 기타


  • 1950년, 와타나베와 함께 정적 유도 트랜지스터를 발명했다.[2] 같은 해, PIN 포토다이오드도 발명했다.[3]
  • 1952년에는 애벌런치 포토다이오드를 발명했다.[4]
  • 1955년, 반도체 메이저를 발명했다.[4]
  • 1957년, 반도체 광 메이저를 제안했다.[4][5][6]
  • 1963년, 광섬유 통신을 제안했다.[7]
  • 1960년대에 구배형 굴절률 광섬유 등 광섬유 통신 개발에 기여한 기술들을 발명했다.[8][9]
  • 1964년, 구배형 굴절률 광섬유에 대한 특허를 취득했다.[10]
  • 1971년, 정적 유도 사이리스터를 발명했다.[4][11]
  • 주요 업적은 다음과 같다.

연도업적
1950반도체에서 절연체로의 핫 전자 주입 이론[27], PIN 다이오드, 이온 주입법, 정전 유도형 트랜지스터[28], pnip 트랜지스터[29] 개발
1951전자 애벌런치 전류 증폭 트랜지스터 개발, 화학량론적 조성 제어법 개발
1952반도체 내 애벌런치 현상 발견, 애벌런치 포토다이오드 개발
1953pin 포토다이오드
1954pnip 드리프트 트랜지스터, 전파 시간 음성 저항 트랜지스터, 전기 에피택시 발명
1957반도체 레이저 발명 (1957년 일본 특허 출원) · 개발, 레이저 디스크 원리, 반도체 인덕턴스 발명
1958탄넷 다이오드
1959가변 용량 다이오드
1960포토 커플러
1963온도차 방법에 의한 실리콘의 에피택셜 성장, 분자 진동, 격자 진동(포논)을 이용한 테라헤르츠파 발생 제안
1964집속형 광섬유(GI형 광섬유) 개발
1968FET의 포화 특성 해명
1971정전 유도 사이리스터 개발, MOSSIT 제안, GaAs(갈륨 비소)의 증기압 액상 성장법
1972증기압 제어 온도차 액상 성장법 발명
1973발리스틱 트랜지스터, 화학량론적으로 제어된 결정 성장법
1976고휘도 적색 발광 다이오드(GaAlAs), 고휘도 녹색 발광 다이오드(GaP)
1984광 사이리스터(광 트리거 사이리스터), 광 여기 에피택셜 성장법[30], 정전 유도 트랜지스터 집적 회로, 광 여기 분자층 에피택셜 성장법(PMLE)
양면 게이트 정전 유도 사이리스터, GaAs 완전 결정 성장법, THz 대역 쇼트키 다이오드[31], 준광학 공진기를 이용한 밀리미터파 다소자 발진기, 반도체 라만 레이저, 광 여기 공정에 의한 원자층 오더의 GaAs 에칭 기술, 극박 금속 분자층 증착, 화합물 결정의 분자층 에피택셜 성장 및 도핑, 탄넷 다이오드, 이상형 SIT, 초고속 광대역 광 변조기, 밀리미터파 대역 이미징 어레이 연구, 테라헤르츠파를 이용한 암 진단, 암 치료 제안(2000년)


  • 반도체 전자공학 분야에서 독자적인 이론을 고안하고, 이를 기반으로 pin 구조를 가진 전자 디바이스 등을 발명하였다.
  • 반도체에 불순물을 도입하는 방법으로 이온 주입법을 발명하였고, 에피택셜 성장 등 제조 장치에 관한 기술 특허도 다수 취득하였다.
  • 고휘도 발광 다이오드(적색, 녹색)를 개발하였다.
  • 광 통신의 3요소인 발광 소자, 전송로, 수광 소자를 개발하였다.
  • 2002년, 미국 전기 전자 학회(IEEE)는 그의 이름을 딴 "준이치 니시자와 메달(Jun-ichi Nishizawa Medal)"을 전력 중앙연합회의 후원으로 설립했다.[18]
  • 찰스 K. 카오가 광섬유 연구로 2009년 노벨 물리학상을 수상했다. (광섬유 #역사 참조).[25][26]
  • "1+1은 왜 2가 되는 걸까?"와 같은 질문을 어린 시절부터 던지며, 사과와 귤처럼 다른 물체를 더하는 것에 대한 근본적인 의문을 가졌다.[27]
  • 어린 시절 그림 그리기를 좋아하여, 센다이 제2중학교(구제)에서 그림부에 입부했다.[19] 14세~24세 사이에 121점의 수채화, 펜화 등을 남겼다.[46]
  • 클로드 모네의 애호가로, 마르모탕 미술관에 전시된 수련 그림이 거꾸로 전시된 것을 지적하여 『르 몽드』지에 보도되기도 했다.
  • 저서, 강연 등에서 "독창성"을 강조하며, "독창성을 이루려면 이단이어야 한다"고 말했다. 회의주의를 권장했다.[49]
  • 광섬유 특허 출원 과정에서 서류 미비, 거절 결정 등으로 어려움을 겪었다.
  • 일본 기업이 일본인 연구자의 업적을 가볍게 다루는 것에 불만을 표출했다. 제너럴 일렉트릭(GE)보다 먼저 PIN 다이오드 특허를 출원했음에도 일본 기업들이 제대로 특허 조사를 하지 않고 GE에 특허료를 지불한 경험을 언급하며, "일본인에게 독창성이 없는 것이 아니다. 동포의 성과를 평가하지 않고 산업화하지 않는 것이 문제다"라고 말했다.[50]
  • 8밀리 필름으로 영상을 촬영하는 것이 취미였으며, 연구실 영상 등 자료를 남겼다.[51]
  • 1970년대 중반, 대한민국 삼성 회장 이병철이 가르침을 구하기 위해 도호쿠 대학을 여러 번 방문했다. 1990년에는 반도체 산업 주도 국가가 일본에서 대한민국, 중국, 베트남으로 이동할 것이라고 예측했다.[18]
  • 미국 전기전자학회(IEEE)는 니시자와 메달(Nishizawa Medal) 제정 당시 성명서에서, ”IEEE Spectrum recognized him as one of the geniuses of the 20th century”(미국 전기전자학회는 니시자와 준이치를 20세기의 천재 중 한 명으로 인정한다)라고 언급하고 있다.

4. 수상 및 영예

니시자와 준이치는 IEEE 종신 펠로우였으며, 일본물리학회, 러시아 과학 아카데미, 폴란드 과학 아카데미 등 여러 기관의 펠로우였다.[12] 1989년에는 일본 천황으로부터 훈장을 받았다.[12]

연도비고
1965년과학기술청 장관 표창상불순물 불균일 반도체[29]
1966년은사발명상불순물 불균일 반도체
1969년마츠나가상반도체 디바이스 연구
1970년과학기술청 장관 표창상반도체 메이저(메이저)
1971년오가와니 기념 기술상합금 확산법에 의한 실리콘 가변 용량 다이오드 개발
1974년일본학사원상반도체 및 트랜지스터 연구[12]
1975년과학기술공로상정전 유도 전계 효과 트랜지스터 개발
1975년전자통신학회 업적상새로운 삼극관 특성을 가진 고성능 트랜지스터
1975년도호쿠 지방 발명상 미야기현 지부장상위치 제어 장치
1980년오가와니 기념 기술상고휘도 발광 다이오드의 연속 성장 기술 개발에 관하여
1980년특허청 장관 표창상연속 액상 성장에 의한 반도체 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치
1982년이노우에 하루나리상고휘도 발광 다이오드의 연속 제조 기술
1983년IEEE 잭 A. 모턴상SIT(정전 유도 트랜지스터)의 개발과 광통신의 기본 3요소[32]
1984년아사히상광통신과 반도체 연구[33]
1986년혼다상pin 다이오드, 정전 유도 트랜지스터 등을 발명한 외에 광통신 기술의 응용 발전에 기여[34]
1989년국제결정성장기구(IOCG) 로다이스 상[14][35]
1996년오카와상재료 과학의 독창적 연구와 반도체 공학의 발전 및 광통신의 선구적 업적과 다대한 공헌[36]
2000년IEEE 에디슨 메달[15][37]
1975년자수포장완전결정과 정전유도 트랜지스터
1983년문화공로자반도체공학
1989년문화훈장전자공학
1990년미야기현 명예현민
2002년IEEE 준이치 니시자와 메달 제정니시자와의 업적을 기념[16][38]
2002년훈일등서보장[39]



그는 그의 이름으로 등록된 1000개가 넘는 특허를 가지고 있다.[1]

5. 한국과의 관계

1970년대 중반, 대한민국 삼성 회장 이병철은 일본 방문 시 니시자와 준이치가 교수로 재직하고 있는 도호쿠 대학에 여러 번 방문하여 가르침을 구했다.[18] 1990년 니시자와 준이치는 반도체 산업 주도 국가가 일본에서 대한민국으로, 이후 중국을 거쳐 베트남으로 이동할 것이라고 예측했다. 2018년 조선일보는 이를 "일종의 예언과 같은 말"이라고 평가했다.[18]

6. 저서

출판 연도제목출판사ISBN
1981년闘争する独創技術일본어日刊工業新聞社일본어ISBN 4526012475
1985년愚直一徹 - 私の履歴書 -일본어日本経済新聞社일본어ISBN 4532093910
1986년独創は闘争にあり일본어プレジデント社일본어
1989년独創は闘争にあり일본어新潮社일본어(新潮文庫일본어
1986년西沢潤一の独創開発論일본어工業調査会일본어ISBN 4769350155
1989년「技術強国日本」の未来を読む일본어PHP研究所일본어ISBN 4569525334
1990년私のロマンと科学일본어中央公論社일본어 (中公新書일본어)ISBN 4121009665
1991년独創教育が日本を救う일본어PHP研究所일본어ISBN 4569532748
1993년人類は滅亡に向っている일본어潮出版社일본어ISBN 4267013438
1995년東北の時代 - いま一極集中の時代ではない일본어潮出版社일본어ISBN 4267013829
1996년教育の目的再考일본어岩波書店일본어ISBN 4000044303
1997년新学問のすすめ - 21世紀をどう生きるか일본어本の森일본어ISBN 4938965011
1999년背骨を伸ばせ日本人일본어PHP研究所일본어ISBN 4569606091
2000년人類は80年で滅亡する일본어東洋経済新報社일본어ISBN 4492221875
2000년教育亡国を救う일본어本の森일본어ISBN 4938965275
2001년赤い発見青い発見일본어白日社일본어ISBN 4891731028
2002년日本人よロマンを일본어本の森일본어ISBN 4938965453
2006년戦略的独創開発일본어工業調査会일본어
2010년産む力일본어PHP研究所일본어 (PHP新書일본어)
2010년ぼくが探求について話そう일본어ポプラ社일본어ISBN 9784591121429


7. 가족 관계


  • 아버지: 니시자와 쿄우스케(도호쿠 제국대학 교수)
  • 형제: 동생 니시자와 타이지(도호쿠 대학 명예교수)[19]
  • 기타: 아버지 쿄우스케는 1995년 103세로 돌아가실 때까지 니시자와 준이치를 아이 취급하며, 그의 말을 절대적으로 따랐다고 한다.[19]

참조

[1] 뉴스 Former Tohoku U. president Junichi Nishizawa, known as 'Mr. Semiconductor,' dies at 92 https://mainichi.jp/[...] 2019-01-15
[2] 서적 High Temperature Electronics https://books.google[...] CRC Press
[3] 서적 Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from Its Earliest Beginnings to the Present Day https://books.google[...] Elsevier
[4] 간행물 Jun-ichi Nishizawa: Engineer, Sophia University Special Professor https://jqrmag.com/e[...] Japan Quality Review 2011
[5] 학술지 Extension of frequencies from maser to laser 2009-12
[6] 학술지 Infrared and Optical Masers
[7] 서적 Physics of semiconductor devices Narosa Publishing House
[8] 웹사이트 Optical Fiber http://www.city.send[...] 2009-04-05
[9] 웹사이트 New Medal Honors Japanese Microelectrics Industry Leader http://www.ieee.org/[...] Institute of Electrical and Electronics Engineers 2017-05
[10] 웹사이트 The Third Industrial Revolution Occurred in Sendai http://www.soh-vehe.[...] Soh-VEHE International Patent Office
[11] 서적 Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from Its Earliest Beginnings to the Present Day https://books.google[...] Elsevier
[12] 웹사이트 Prize Winners http://www.bureau.to[...] Tohoku University
[13] 웹사이트 IEEE Jack A. Morton Award Recipients https://www.ieee.org[...] IEEE 2019-01-15
[14] 웹사이트 Prizes http://iocg.org/priz[...] International Organization for Crystal Growth 2019-01-15
[15] 웹사이트 IEEE Edison Medal Recipients http://www.ieee.org/[...] IEEE
[16] 웹사이트 IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal http://www.ieee.org/[...] IEEE 2019-01-15
[17] 웹사이트 訃報:西澤潤一さん 92歳=光通信や半導体レーザー開発 https://mainichi.jp/[...] 毎日新聞 2024-10-21
[18] 웹사이트 【コラム】金正恩委員長の言動に見る「韓国が失ってしまったもの」Chosun Online {{!}} 朝鮮日報 http://www.chosunonl[...] 2024-03-29
[19] 웹사이트 中島信吾(著)「独創は闘いにあり 西澤潤一」宮城県仙台第二高等学校卒業生のページ(旧制仙台第二中学校) http://www.sendainik[...]
[20] 웹사이트 西澤潤一(談)「研究のポテンシャルの維持に宮沢賢治の世界が」国立研究開発法人物質・材料研究機構 若手国際研究拠点(ICYS)機関誌 melting pot No.4 Jun. 2005 pp2-3 http://www.nims.go.j[...]
[21] 서적 生み出す力 PHP研究所
[22] 웹사이트 「半導体研東北大に寄贈 新たな研究拠点に」『河北新報』2008年3月16日付(新首都圏ネット事務局) http://www.shutoken-[...]
[23] 서적 電子立国日本を育てた男~八木秀次と独創者たち 文藝春秋
[24] 뉴스 西澤潤一さん死去 東北大元総長 ミスター半導体 92歳 https://www.kahoku.c[...] 2018-10-26
[25] 웹사이트 「闘う独創研究者」西澤潤一博士が逃した大魚 {{!}} IT・電機・半導体・部品 https://toyokeizai.n[...] 2019-07-18
[26] 웹사이트 西澤潤一氏が死去 「ミスター半導体」 元東北大総長 https://www.sankei.c[...] 2019-07-18
[27] 블로그 西澤潤一講演録 https://blog.goo.ne.[...]
[28] 학술지 静電誘導トランジスタ 日経サイエンス社 1983-02
[29] 학술지 西澤潤一教授の文化功労者顕彰をお祝して https://doi.org/10.1[...] 電気学会
[30] 웹사이트 ERATO 西澤完全結晶プロジェクト https://www.jst.go.j[...] 独立行政法人科学技術振興機構
[31] 웹사이트 ERATO 西澤テラヘルツプロジェクト https://www.jst.go.j[...] 独立行政法人科学技術振興機構
[32] 웹사이트 日本からのIEEE-Level Award歴代受賞者リスト https://www.ieee-jp.[...] IEEE Japan Council 2015-12
[33] 웹사이트 朝日賞:過去の受賞者 https://www.asahi.co[...] 朝日新聞 2009-11-04
[34] 웹사이트 本田賞受賞者一覧 https://www.hondafou[...] 公益財団法人 本田財団
[35] 웹사이트 Frank and Laudise Prizes https://www.iocg.org[...] The International Organization for Crystal Growth
[36] 웹사이트 大川賞受賞者 http://www.okawa-fou[...]
[37] 웹사이트 日本からのIEEE-Level Award歴代受賞者リスト https://www.ieee-jp.[...] 2015-12-00
[38] 웹사이트 IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal https://www.ieee.org[...]
[39] 뉴스 2002年秋の叙勲 勲三等以上と在外邦人、外国人叙勲の受章者一覧 読売新聞 2002-11-03
[40] 웹사이트 東北大学電気通信研究所長歴代一覧 http://www.riec.toho[...]
[41] 웹사이트 歴代総長 https://www.tohoku.a[...]
[42] 웹사이트 大学概要 https://www.iwate-pu[...]
[43] 간행물 第一期中期目標期間 事業報告書 https://www.houjin-t[...] 首都大学東京 2012-03-00
[44] 뉴스 上智大学が西澤潤一氏を特任教授に迎え大学改革へ https://www.u-pressc[...] 大学プレスセンター 2009-07-31
[45] 웹사이트 電気系同窓会 歴代会長・副会長 https://www.ecei.toh[...]
[46] 웹사이트 鈴木壯兵衞「20世紀のダビンチ西澤潤一先生の自然を観る広い視野に対する集中力」 https://mbp-japan.co[...] 2019-11-23
[47] 방송 電子立国 日本の自叙伝 NHK
[48] 서적 わたしが探求について語るなら ポプラ社 2010-00-00
[49] 서적 一日一話、寝る前に「読むクスリ」 三笠書房 1996-00-00
[50] 서적 電子立国日本の自叙伝 日本放送出版協会 1991-00-00
[51] 서적 電子立国日本の自叙伝
[52] 서적 愚直一徹 私の履歴書 日本経済新聞社 1985-00-00
[53] 웹사이트 邑田彌平 https://jahis.law.na[...] 1928-07-00
[54] 웹사이트 薬業界 老舗歴史シリーズ 3資生堂 https://www.tpa-kita[...]
[55] 웹사이트 竹本長三郎 https://jahis.law.na[...] 1928-07-00
[56] 웹사이트 昭和3年(1928) https://shashi.shibu[...] 1928-00-00
[57] 웹사이트 竹本油脂(株) https://job.mynavi.j[...]
[58] 웹사이트 片平キャンパスのメタセコイア並木 https://www.gp.tohok[...]
[59] 간행물 テラヘルツ波と非周期的結晶としてのウィルスとの相互作用について http://anshin-kagaku[...] 洗練課題研究所 そうべえ国際特許事務所、保物セミナー2020、NPO法人安全安心科学アカデミー
[60] 웹사이트 ミスター半導体 西澤潤一を父として~光を求め光の彼方へ~ http://www.museum.to[...]
[61] 웹사이트 21世紀・日本の教育のゆくえ https://web.archive.[...] 2001-00-00



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