레슬리 배다스

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1. 개요

레슬리 배다스는 헝가리 부다페스트에서 태어난 유대인으로, 1956년 헝가리 혁명 이후 캐나다로 이민을 갔다. 그는 맥길 대학교에서 학위를 받았으며, 미국으로 이주하여 트랜지트론 코퍼레이션과 페어차일드 반도체에서 근무하며 실리콘 게이트 공정 개발에 기여했다. 인텔의 세 번째와 네 번째 직원이 된 그는 최초의 마이크로프로세서인 인텔 4004 개발을 이끌었으며, 고집적 동적 RAM과 EPROM 칩 개발을 주도했다. 1991년 인텔 캐피탈을 설립하여 2003년 퇴임했으며, 이후 인텔 이사회 명예 이사로 활동했다.

레슬리 배다스 - [인물]에 관한 문서
기본 정보
이름레슬리 배다스
원어명Leslie L. Vadász
로마자 표기Leslie L. Vadasz
출생일1936년 9월 12일
출생지헝가리
국적미국
직업엔지니어
소속인텔
학력
학사맥길 대학교
경력
직함인텔 사장
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2. 초기 생애 및 교육

배다스는 유대인 부모에게서 부다페스트에서 태어났다. 1944년, 그의 가족은 도시의 게토에 수감되었지만 기적적으로 살아남았다. 부다페스트에서 배다스는 수학문학에 일찍부터 관심을 보였다. 1956년 헝가리 혁명 이후, 그는 캐나다로 이민을 갔다. 그는 몬트리올에 있는 맥길 대학교에서 전기 공학 학사 학위(1961년)를 받았고, 하버드 대학교에서 6주 과정의 고급 경영 프로그램(AMP)을 수료했다(1990년).

3. 경력

배다스는 1961년 미국으로 이주하여 트랜지트론 코퍼레이션(1961–1964, 연구 개발)과 페어차일드 반도체 인터내셔널(1964–1968, 연구 개발)에서 근무하며 실리콘 게이트 공정 개발을 도왔다.

3.1. 인텔

로버트 노이스고든 무어페어차일드 반도체 동료였다. 이들은 1968년에 인텔 코퍼레이션을 설립했다. 배다스는 회사가 설립되었을 때 헝가리 출신 그로프 안드라스의 주도로 인텔에 합류하여, 세 번째와 네 번째 직원(최초의 비소유주)이 되었다. 2003년 퇴임 당시 배다스는 수석 부사장이었으며, 한때 세계적으로 유명한 글로벌 반도체 기업의 네 번째 직원이었다.

배다스는 최초의 마이크로프로세서인 인텔 4004가 개발된 MOS 설계 부서의 책임자였다. 그는 회사 내에서 최초의 고집적 동적 RAM 및 최초의 EPROM 칩 개발을 주도했다.

1991년, 배다스는 인텔 캐피탈 벤처 캐피탈 회사를 설립하여 2003년 퇴임할 때까지 사장으로 재직했다. 이 전략적 투자 회사는 설립 이후 전 세계 30개국 이상에서 1,000개가 넘는 기업의 길을 열었다. 배다스는 퇴임 후에도 인텔 이사회 명예 이사로 남았다.

2003년 배다스의 퇴임을 발표하면서 크레이그 배럿 인텔 CEO는 다음과 같이 말했다. "레슬리 배다스는 업계의 향방과 성공을 위해 우리가 어디에 있어야 하는지에 대한 훌륭한 감각을 가진 엔지니어입니다. 반도체 산업에서 인텔의 리더십은 배다스의 업적에 크게 기인합니다."

3.2. 인텔 캐피탈

배다스는 1991년에 인텔 캐피탈 벤처 캐피탈 회사를 설립했으며, 2003년 퇴임할 때까지 사장으로 재직했다. 설립 이후 이 전략적 투자 회사는 전 세계 30개국 이상에서 1,000개가 넘는 기업의 길을 열었다. 퇴임 후에도 인텔 이사회 명예 이사로 남았다.