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IGZO

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목차

1. 개요

IGZO는 인듐(Indium), 갈륨(Gallium), 아연(Zinc), 산소(Oxide)의 앞 글자를 따서 명명된 물질로, 고해상도 박막 트랜지스터(TFT) 액정을 만드는 데 사용된다. 1995년 도쿄 공업 대학의 호소노 히데오가 설계 방식을 제안했으며, 2004년 일본 과학기술진흥기구(JST)에서 개발되었다. 2011년 삼성전자에, 2012년 샤프에 라이선스가 제공되었으며, 샤프는 상표권을 취득했다. IGZO는 전력 소비 절감, 소형화, 고해상도 구현에 유리하며, 액정 디스플레이(LCD) 및 유기 EL 디스플레이(OLED) 등 다양한 분야에 응용된다. 2015년 샤프는 IGZO 상표권 관련 소송에서 패소했다.

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IGZO
개요
이름인듐 갈륨 아연 산화물
로마자 표기Indium gallium a-yeon sanhwamul
영어 이름Indium gallium zinc oxide
약칭IGZO
특성
종류산화물 반도체
활용박막 트랜지스터 (TFT)
특징높은 전자 이동 속도
투명성
유연성
낮은 온도에서 제작 가능
역사
개발호소노 히데오 교수 연구팀 (2003년)
응용 분야
디스플레이LCD 패널
OLED 패널
기타스마트폰
태블릿 PC
노트북 PC
텔레비전
장점
성능기존 비정질 실리콘 TFT 대비 높은 해상도 및 낮은 전력 소비
제조저온 공정 가능, 대면적 기판에 적용 용이
기타투명 디스플레이 및 플렉서블 디스플레이에 적합
단점
안정성빛, 열, 습도에 민감하여 장기적인 안정성 확보 필요
균일성대면적 기판에서 균일한 특성 유지 어려움
가격기존 기술 대비 높은 제조 비용
기술적 세부 사항
조성인듐 (In), 갈륨 (Ga), 아연 (Zn)의 산화물 혼합물
구조비정질 구조
에너지 밴드갭가변적 (조성비에 따라 조절 가능)
전자 이동도10 cm²/Vs 이상
투명도가시광 영역에서 80% 이상
기타
관련 연구지속적인 성능 향상 및 안정성 개선 연구 진행 중
특허관련 기술에 대한 다수의 특허 존재

2. 명칭

IGZO는 인듐(Indium), 갈륨(Gallium), 아연(Zinc), 산소(Oxide)의 앞글자를 따서 만든 이름이다. IGZO는 기존의 TFT 액정에 사용된 아몰포스(Amorphous) 실리콘보다 더 높은 해상도로 만드는 것이 가능하다.[35]

3. 개발

1995년에 일본 도쿄 공업 대학의 호소노 히데오(細野秀雄)가 설계 방식을 주장했던 [투명 어모퍼스 산화물 반도체]의 하나로[35], 일본의 과학기술 진흥기구(JST)의 창조 과학기술 추진사업(ERATO)과 전략적 창조연구 추진사업 발전연구(ERATO-SORST)의 일환으로 호소노가 리더를 맡은 연구 그룹에 의해 2004년에 개발되었다[35]。액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이를 시작으로 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용이 기대되는 물질이다.

1985년에 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO의 합성에 성공[15]한 이후, 2004년에 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 "아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)"를 개발하여 Nature지에 발표[16], 2009년에 주식회사 반도체 에너지 연구소가 아몰퍼스도 단결정도 아닌 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

일반적으로는 샤프가 2012년부터 개발·판매하고 있는 액정 디스플레이의 브랜드로 알려져 있다. IGZO 박막 트랜지스터의 도쿄공업대학에서의 개발은 과학기술진흥기구(JST)의 지원 사업으로 이루어졌기 때문에, IGZO 박막 트랜지스터의 특허권 및 관련 특허는 JST가 소유하고 있으며, 샤프 이외에도 AUO, 삼성, LG 등의 디스플레이 회사에 JST가 라이선스를 공급하여 각 디스플레이 회사에서 IGZO를 이용한 디스플레이가 제조·판매되고 있다. LG는 2013년부터 IGZO를 이용한 유기 EL 디스플레이를 제조하고 있다.

IGZO는 상표가 아닌 일반 명사이다. 샤프가 가진 상표로서의 "IGZO"에 관해서는, 샤프가 2011년에 "IGZO"의 상표를 취득했는데, JST가 샤프가 가진 상표 "IGZO"의 일부 무효를 특허청에 제소하여, 2014년에 일부 상표가 취소되었다. 샤프는 상표 취소 무효를 제소했지만, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호에서 말하는 "원재료"의 명칭이므로 상표로 사용할 수 없다고 판단되어, 2015년에 기각되었다(IGZO 사건). 이것은 상표법 제3조 제1항 제3호의 해당성에 대해 다투어진 중요한 판례가 되고 있다.

IGZO 개발의 연혁은 다음과 같다.

연도내용
1985년과학기술청 무기 재료 연구소 (독립 행정 법인 물질·재료 연구 기구의 전신)의 키미즈카 노보루가 결정 IGZO의 합성에 처음으로 성공[28]。키미즈카는 1967년에 과학 기술청 무기 재료 연구소에 입소하여, 세계 최초로 결정 IGZO의 합성을 한 후, 약 10년간, 호몰로거스 구조의 IGZO 등의 개발에 종사했다.
1995년도쿄공업대학의 호소노 히데오가 "투명 비정질 산화물 반도체"의 일종[29]으로서 설계 지침을 제창.
2004년호소노가 리더를 맡는 연구 그룹이, JST의 창조 과학 기술 추진 사업 (ERATO) 및 전략적 창조 연구 추진 사업 발전 연구 (SORST) [29]로 개발.
2011년 7월 20일한국 삼성전자[29]에 라이선스 제공을 시작.
2012년 1월 20일샤프[31]에 라이선스 제공을 시작. 같은 해, 샤프가 상표권을 취득[32]。후지쯔, 소니, 도시바에 공급을 발표.
2014년샤프가 중국의 베이징 샤오미에 대량 공급한다는 보도가 나왔다[33]。
2015년 2월 25일지적 재산 고등 법원은, 샤프가 "IGZO"의 상표 등록을 특허청이 무효로 한 것에 불복하여, 무효 취소를 요구한 소송에서, 독점 사용을 인정하지 않는다는 판결. 3월 11일, 샤프는 상고를 포기.


4. 특징

IGZO는 전기의 누전이 적어 화면 리프레시 횟수가 줄어들어, 사진과 같은 정지 화면을 표시할 때 전력 소비를 줄일 수 있다. 기존 액정 방식보다 소비 전력을 크게 절감할 수 있다.[38]

IGZO의 전자 이동 빈도는 어모퍼스 실리콘의 20~50배에 달해 TFT 회로를 소형화할 수 있다. 따라서 IGZO를 사용하면 더 높은 개구율과 고정밀화가 가능하다.[38]

액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이를 비롯해 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용될 수 있다. 1985년 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO 합성에 성공한 이후[15], 2004년 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 "아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)"를 개발하여 Nature지에 발표했고[16], 2009년에는 주식회사 반도체 에너지 연구소가 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

일반적으로 샤프가 2012년부터 개발·판매하고 있는 액정 디스플레이의 브랜드로 알려져 있다. IGZO 박막 트랜지스터는 과학기술진흥기구(JST)의 지원 사업으로 개발되었기 때문에, 관련 특허권은 JST가 소유하고 있으며, 샤프 외에도 AUO, 삼성, LG 등 여러 디스플레이 회사에 JST가 라이선스를 제공하여, 각 회사에서 IGZO를 이용한 디스플레이를 제조·판매하고 있다. LG는 2013년부터 IGZO를 이용한 유기 EL 디스플레이를 제조하고 있다.

IGZO는 상표가 아닌 일반 명사이다. 샤프는 2011년에 "IGZO" 상표를 취득했지만, JST가 샤프가 가진 상표 "IGZO"의 일부 무효를 특허청에 제소하여 2014년에 일부 상표가 취소되었다. 샤프는 상표 취소 무효를 제소했지만, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호에서 말하는 "원재료"의 명칭이므로 상표로 사용할 수 없다고 판단되어 2015년에 기각되었다(IGZO 사건). 이는 상표법 제3조 제1항 제3호의 해당성에 대해 다투어진 중요한 판례이다.

5. 응용 분야

IGZO는 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이뿐만 아니라 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용될 수 있을 것으로 기대되는 물질이다. 1985년에 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO 합성에 성공했으며,[15] 2004년에는 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)를 개발하여 Nature지에 발표했다.[16] 2009년에는 주식회사 반도체 에너지 연구소가 아몰퍼스도 단결정도 아닌 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

5. 1. 액정 디스플레이 (LCD)

이전까지의 액정은 사진을 표시할 때에도 정기적인 리프레쉬가 필요했으며 그로 인해 여분의 전력이 소비되었다. 이와 달리 IGZO는 전기의 누전이 적어 리프레쉬 횟수가 이전에 비해 줄어든다. 마찬가지로 사진 등의 정지화면을 표시할 때의 전력 소비를 줄일 수 있으며, 지금까지의 액정방식보다 소비전력을 큰폭으로 절감시킬 수 있다.[17]

또한, IGZO의 전자 이동 빈도는 비정질 실리콘의 전자 이동 빈도의 20~50배에 이르기 때문에 TFT 회로를 소형화하는 것이 가능하다. 때문에 IGZO를 사용한다면 보다 높은 개구율과 고정밀화하는 것이 가능해진다.[29]

최초로 샤프의 스마트폰인 AQUOS PHONE ZETA(SH-02E)과 타블렛인 AQUOS PAD (SHT21)에 탑재되었으며, 이후 샤프뿐만 아니라 ASUS, 후지쯔, 소니 등의 다른 회사에도 제공될 예정이다.[38]

IGZO 액정을 채용한 닌텐도 스위치 (2019년 출시 모델)


IGZO는 스마트폰용 액정 디스플레이 제조에 유용한 기술이다. 2012년 당시 스마트폰용 디스플레이로 주류였던 비정질 실리콘 (a-Si)을 사용한 TFT 액정은 누설 전류가 커서 화면의 휘도가 금방 떨어지고, 정지화상 표시 시에도 전압을 가해 정기적인 리프레시가 필요하기 때문에 전력 소비가 크다는 단점이 있었다. 이에 반해, IGZO를 이용한 TFT는 누설 전류가 적고, 리프레시 횟수 감소로 정지화상 표시 시의 전력 소비를 억제하여 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 전자 이동도는 비정질 실리콘 대비 20 - 50배이기 때문에, 디스플레이의 고속 구동으로 영상을 부드럽게 표시할 수 있게 된다. 또한 TFT 회로 소형화에 따른 고개구율 및 고정세화가 기대된다.

2012년 당시에는 스마트폰용 디스플레이로 저온 폴리실리콘 (LTPS)을 사용한 TFT 액정의 채용도 진행되었다. LTPS는 전자 이동도가 높고, 고정세화 및 화면의 형태를 자유롭게 할 수 있다는 장점이 있었지만, LTPS는 특히 누설 전류가 컸다. 그러나, IGZO는 누설 전류가 LTPS에 비해 1천분의 1 정도이다. 또한 IGZO 디스플레이의 양산이 궤도에 오른 경우, 레이저를 사용한 결정화 프로세스가 불필요해지므로 제조 비용도 a-Si와 거의 비슷하게 낮아진다는 장점도 있었다.

스마트폰용 디스플레이로는 2012년 3월, 샤프가 세계 최초로 양산에 성공했다.[17] 2012년 당시 샤프는 LTPS 방식의 TFT 액정인 「CG 실리콘」이라는 기술을 가지고 있었고, 샤프의 스마트폰 「AQUOS PHONE」의 디스플레이로서, 2013년 당시에는 「Super CG 실리콘」의 브랜드가 채용되었지만, 2013년부터 IGZO 방식의 디스플레이로 바뀌면서, 샤프의 스마트폰용 액정 디스플레이의 브랜드로서 「IGZO」가 채용되었다.

IGZO 액정은 저렴한 a-Si 액정과 고정세한 LTPS 액정 사이에 위치하게 되므로, 스마트폰용으로도 반드시 광범위하게 채용되고 있는 것은 아니며, 샤프 이외의 IGZO 액정 메이커나, 샤프로부터 디스플레이를 공급받고 있는 메이커(닌텐도, 애플사 등)는 특히 IGZO 기술을 어필하지 않고 있다. 애플사는 2012년 출시된 3세대 아이패드부터 샤프로부터 IGZO 액정을 공급받고 있지만, 2012년 당시에는 아직 IGZO 액정의 생산 비용이 높았기 때문에, 3세대 아이패드에 동일하게 액정을 공급하고 있던 LG와의 경쟁으로 인해 채산성이 맞지 않게 되어, 샤프는 중간에 IGZO 액정의 공급을 중단했다.[18] 가격이 안정된 후에는 아이패드, 아이폰, 맥북 등 폭넓게 채용되고 있다.

샤프는 2019년 8월 출시된 신형 닌텐도 스위치가 IGZO를 채용하고 있다는 것을 공표했다.[19] 삼성전자가 2022년에 출시한 QD-OLED 디스플레이는 IGZO를 채용하고 있다.

5. 2. 유기 EL 디스플레이 (OLED)

IGZO를 이용한 대형 유기 EL 디스플레이 시제품 (2012년, IFA). LG는 2014년 세계 최초의 대형 (55인치) 유기 EL TV를 출시했다.


IGZO는 TV용 대형 유기 EL 디스플레이(OLED) 제조에 필수적인 기술이다. 디스플레이를 제조하려면 박막 트랜지스터(TFT)를 유리 기판에 패터닝해야 한다. 소형 OLED 패널에서는 저온 폴리실리콘 (LTPS)으로도 패터닝이 가능하지만, TV용 대형 OLED 패널의 경우 응답 속도가 너무 빨라 산화물 반도체 (즉, IGZO)를 사용하지 않으면 불가능하다[20]。

LG는 2006년에 IGZO를 사용한 OLED 디스플레이 시제품 제작에 성공[21]했고, 2014년 55인치 대형 OLED TV 출하를 시작했다. 2021년 현재, LG가 대형 OLED 패널 양산에 성공한 유일한 제조사이므로, 2021년 현재 제조되는 OLED TV는 모두 IGZO 방식이다.

IGZO는 소형 OLED 패널 제조에서도 저전력 고해상도라는 IGZO 액정과 동일한 이점이 있다. 샤프는 2019년에 IGZO 기술을 이용한 스마트폰용 소형 OLED 디스플레이 양산에 성공하여, 2021년 출시된 AQUOS R6부터 「Pro IGZO OLED」 브랜드로 자사 스마트폰에 채용하고 있다.

BOE는 2013년부터 샤프로부터 기술을 제공받아 IGZO 액정 디스플레이를 제조하던 CEC 팬더의 청두 공장과 난징 공장을 2020년에 인수하여 IGZO 기술을 확보하고, 2020년 후반부터 대형 OLED 패널 양산을 시작할 예정이다. 삼성전자가 2022년에 출시한 QD-OLED 디스플레이는 IGZO를 채용하고 있다.

5. 3. 기타 응용 분야

IGZO는 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이뿐만 아니라 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용될 수 있을 것으로 기대되는 물질이다. 1985년에 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO 합성에 성공했으며,[15] 2004년에는 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 "아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)"를 개발하여 Nature지에 발표했다.[16] 2009년에는 주식회사 반도체 에너지 연구소가 아몰퍼스도 단결정도 아닌 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

6. 특허 및 상표권 분쟁 (IGZO 사건)

IGZO의 특허권은 과학기술진흥기구(JST)가 보유하고 있으며, 2011년에는 삼성 전자[35], 2012년에는 샤프[36]에 라이선스를 제공했다. 샤프는 같은 해 상표권을 취득했다[37]

2011년 7월 20일, JST가 한국 삼성전자에 IGZO 라이선스 제공을 시작하자, 일본 내에서는 "일본의 연구 성과를 경쟁 상대인 한국 기업에 판매하다니 무슨 짓인가"와 같은 비판이 다수 제기되었다[30]。 하지만, JST는 삼성전자와 협의하기 전에, 여러 일본 제조사에 먼저 제안을 했지만, 이들은 "지금까지 실적이 있는 재료로 충분하다"는 등의 이유로 라이선스 계약을 거절했다고 한다[30]。

2013년 7월, JST는 한 연구자가 학회에서 "IGZO"라는 단어를 사용할 때 샤프 측에서 신청을 요구받은 것을 계기로, 학회 활동에 지장이 발생할 가능성이 있다고 판단하여 특허청에 상표 등록 무효 심판을 청구했다[23]。 2014년 3월, 특허청은 상표 등록을 무효로 하는 심결을 내렸다. 샤프는 이에 불복하여 지적 재산 고등 법원(지재고등재판소)에 무효 심결 취소 소송을 제기했지만, 2015년 2월 25일 판결에서 샤프의 청구가 기각되었다[24][25]. 3월 11일, 샤프는 상고를 포기했다.

이 소송(2014년 (행케) 제10089호 심결 취소 청구 사건)에서, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호의 "원재료"에 해당한다고 최종 판단되어 샤프의 청구는 기각되었고, 샤프의 상표 일부는 무효가 되었다.

한편, 샤프는 가타카나 표기 "이그조(イグゾー)" 및 "IGZO" 로고 상표(상표 등록 제5563245호[26], 상표 등록 제5654941호[27])도 등록했지만, 이는 소송 대상이 아니었고 권리가 존속하고 있다.

6. 1. 개요

IGZO는 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이를 비롯하여 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용이 기대되는 물질이다. 1985년에 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO 합성에 성공[15]한 이후, 2004년에 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 "아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)"를 개발하여 Nature지에 발표[16]하였고, 2009년에는 주식회사 반도체 에너지 연구소가 아몰퍼스도 단결정도 아닌 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

일반적으로는 샤프가 2012년부터 개발·판매하고 있는 액정 디스플레이의 브랜드로 알려져 있다. IGZO 박막 트랜지스터는 과학기술진흥기구(JST)의 지원 사업으로 개발되었기 때문에, 관련 특허권은 JST가 소유하고 있다. 샤프 이외에도 AUO, 삼성, LG 등의 디스플레이 회사에 JST가 라이선스를 공급하여 각 회사에서 IGZO를 이용한 디스플레이를 제조·판매하고 있다. LG는 2013년부터 IGZO를 이용한 유기 EL 디스플레이를 제조하고 있다.

IGZO는 상표가 아닌 일반 명사이다. 샤프가 2011년에 "IGZO" 상표를 취득했지만, JST가 상표 일부 무효를 특허청에 제소하여 2014년에 일부 취소되었다. 샤프는 상표 취소 무효를 제소했지만, "IGZO"는 상표법상 "원재료" 명칭이므로 상표로 사용할 수 없다고 판단되어 2015년에 기각되었다(IGZO 사건). 이는 상표법 제3조 제1항 제3호의 해당성에 대해 다투어진 중요한 판례이다.

2014년 3월 5일, JST는 샤프의 "IGZO" 상표 지정 상품 일부("전기 통신 기계 기구" 등)에 대해 상표 등록 무효 심판을 청구했고, 특허청은 일부 등록 무효 결정을 내렸다. 샤프는 이에 불복하여 취소를 요구하며 JST와 소송을 벌였으나, 최종적으로 "IGZO"는 상표법상 "원재료"에 해당한다고 판단되어 샤프의 청구는 기각되었고, 상표 일부는 무효가 되었다. (2014년 (행케) 제10089호 심결 취소 청구 사건)

샤프는 2011년 11월 "IGZO" 문자 상표를 등록했다(상표 등록 제5451821호[22]). 그러나 JST는 연구자가 학회에서 "IGZO"라는 단어를 사용할 때 샤프 측에서 신청을 요구받은 것에 대해 학회 활동에 지장이 있을 수 있다고 보고, 2013년 7월 특허청에 상표 등록 무효 심판을 청구[23]했다. 2014년 3월 특허청은 상표 등록 무효 심결을 내렸고, 샤프는 지적 재산 고등 법원(지재고등재판소)에 취소 소송을 제기했지만, 2015년 2월 25일 패소했다[24][25]. 3월 11일, 샤프는 상고를 포기했다.

샤프는 가타카나 표기 "이그조(イグゾー)" 및 "IGZO" 로고 상표(상표 등록 제5563245호[26], 상표 등록 제5654941호[27])도 등록했지만, 이는 소송 대상이 아니었고 권리가 존속한다.

6. 2. 경과

2011년 한국의 삼성 전자에[35], 2012년 샤프에 라이센스가 제공되었다[36]. 샤프는 같은 해 상표권을 취득했다[37].

액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 태양 전지, 비휘발성 메모리, 자외선 센서 등 다양한 분야에 응용이 기대되는 물질이다. 1985년 키미즈카 노보루가 처음으로 IGZO 합성에 성공[15]한 이후, 2004년 도쿄공업대학의 노무라 겐지, 카미야 토시오, 호소노 히데오 등이 "아몰퍼스 IGZO-박막 트랜지스터(TFT)"를 Nature지에 발표[16]했고, 2009년에는 주식회사 반도체 에너지 연구소가 아몰퍼스도 단결정도 아닌 "c-axis aligned crystal (CAAC) IGZO"를 개발하는 등 연구·개발이 진행되고 있다.

IGZO 박막 트랜지스터는 과학기술진흥기구(JST)의 지원 사업으로 도쿄공업대학에서 개발되었기 때문에, 관련 특허권 및 특허는 JST가 소유하고 있다. 샤프 외에도 AUO, 삼성, LG 등 여러 디스플레이 회사에 JST가 라이선스를 공급하여, 각 회사에서 IGZO를 이용한 디스플레이를 제조·판매하고 있다. LG는 2013년부터 IGZO를 이용한 유기 EL 디스플레이를 제조하고 있다. 일반적으로는 샤프가 2012년부터 개발·판매하고 있는 액정 디스플레이의 브랜드로 알려져 있다.

IGZO는 상표가 아닌 일반 명사이다. 샤프가 2011년에 "IGZO" 상표를 취득했으나, JST가 샤프가 가진 상표 "IGZO"의 일부 무효를 특허청에 제소하여 2014년 일부 상표가 취소되었다. 샤프는 상표 취소 무효를 제소했지만, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호에서 말하는 "원재료"의 명칭이므로 상표로 사용할 수 없다고 판단되어 2015년 기각되었다(IGZO 사건). 이는 상표법 제3조 제1항 제3호의 해당성에 대해 다투어진 중요한 판례이다.

샤프는 2011년 11월에 "IGZO" 문자 상표를 등록했다(상표 등록 제5451821호[22]). 그러나 JST는 한 연구자가 학회에서 "IGZO"라는 단어를 사용할 때 샤프 측에서 신청을 요구받은 것에서 학회 활동에 지장이 발생할 가능성이 있다고 보고, 2013년 7월에 특허청에 상표 등록 무효 심판을 청구[23]했다. 특허청은 2014년 3월에 상표 등록을 무효로 하는 심결을 내렸다. 샤프는 이 심결에 불복하여 지적 재산 고등 법원(지재고등재판소)에 무효 심결 취소 소송을 제기했지만, 지재고등재판소는 2015년 2월 25일 판결에서 특허청의 심결을 지지하고 샤프의 청구를 기각[24][25]했다. 3월 11일, 샤프는 상고를 포기했다.

6. 3. 판결 내용

2011년 샤프는 "IGZO" 상표를 취득했으나, 과학기술진흥기구(JST)가 샤프가 가진 상표 "IGZO"의 일부 무효를 특허청에 제소하여, 2014년에 일부 상표가 취소되었다.[37] 샤프는 상표 취소 무효를 제소했지만, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호에서 말하는 "원재료"의 명칭이므로 상표로 사용할 수 없다고 판단되어, 2015년에 기각되었다(IGZO 사건).[22][23][24][25] 이것은 상표법 제3조 제1항 제3호의 해당성에 대해 다투어진 중요한 판례가 되고 있다.

샤프가 보유한 "IGZO"의 상표 지정 상품의 일부("전기 통신 기계 기구" 등)에 관해, JST가 상표 등록 무효 심판 청구를 한 결과, 2014년 3월 5일, 특허청이 해당 지정 상품의 일부 등록을 무효로 했다. 그 건과 관련하여, 샤프 주식회사(원고)가 그 취소를 요구하며 독립 행정 법인 과학 기술 진흥 기구(피고)와 다투었다.

최종적으로, "IGZO"는 상표법 제3조 제1항 제3호의 "원재료"에 해당한다고 판단되어, 샤프의 청구는 기각되었고, 샤프의 상표 일부는 무효가 되었다.

2013년 7월, JST는 한 연구자가 학회에서 "IGZO"라는 단어를 사용할 때 샤프 측에서 신청을 요구받은 것에서, 학회 활동에 지장이 발생할 가능성이 있다고 보고 특허청에 상표 등록 무효를 요구하는 심판을 청구했다.[23] 특허청은 2014년 3월에 상표 등록을 무효로 하는 심결을 내렸다. 샤프는 이 심결에 불복하여 지적 재산 고등 법원(지재고등재판소)에 무효 심결의 취소를 요구하는 소송을 제기했지만, 지재고등재판소는 2015년 2월 25일 판결에서 특허청의 심결을 지지하고 샤프의 청구를 기각했다.[24][25] 3월 11일, 샤프는 상고를 포기했다.

샤프는 가타카나 표기 "이그조(イグゾー)"의 상표, 그리고 "IGZO"를 로고화한 상표도 등록했다.[26][27] 이들 상표는 소송 대상에 포함되지 않았으며, 권리가 존속하고 있다.

6. 4. 한국 기업 관련 논란

IGZO의 특허권은 JST가 보유하고 있으며, 2011년에는 한국의 삼성 전자에[35], 2012년에는 샤프에 라이선스를 제공했다[36]. 또한, 샤프는 같은 해 상표권을 취득했다[37].

2011년 7월 20일, 한국 삼성전자[29]에 라이선스 제공을 시작하면서, "일본의 연구 성과를 경쟁 상대인 한국 기업에 판매하다니 무슨 짓인가"와 같은 비판이 다수 제기되었다. 실제로는 특허권을 보유한 JST는 삼성전자와 협의하기 전에, 많은 일본 제조사에 제안을 했으나, 이들 일본 기업은 "지금까지 실적이 있는 재료로 충분하다"는 등의 이유로 라이선스 계약을 거절했다[30]。

7. IGZO를 능가하는 물질 예측

IGZO 중 ZnO는 화학적으로 불안정한 물질이며, 화학적으로 강한 GaN과 밴드갭, 결정 구조, 원자간 거리, 결합 방식이 거의 동일한 재료이기 때문에, ZnO를 GaN으로 치환한 InGa2O3N이 IGZO를 신뢰성 측면에서 능가하는 물질로 이론적으로 예측되었지만, 아직 실현되지 못하고 있다.[34]

참조

[1] 논문 Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor 2003-05-23
[2] 웹사이트 To whom interested in Research & Development and/or Business Development of IGZO-based Oxide Semiconductor TFT http://www.jst.go.jp[...] Jst.go.jp 2015-11-01
[3] 논문 Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors 2004-11
[4] 웹사이트 JST Signs Patent License Agreement with Samsung for High Performance Thin Film Transistor Technology http://www.jst.go.jp[...] Jst.go.jp 2015-11-01
[5] 웹사이트 シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 | ニュースリリース：シャープ http://www.sharp.co.[...] Sharp.co.jp 2015-11-01
[6] 웹사이트 Sharp Begins Production of World's First LCD Panels Incorporating IGZO Oxide Semiconductors | Press Releases | Sharp Global http://www.sharp-wor[...] Sharp-world.com 2015-11-01
[7] 웹사이트 機能・サービス｜docomo NEXT series AQUOS PHONE ZETA SH-02Eトップ｜docomoラインアップ ｜AQUOS：シャープ http://www.sharp.co.[...] Sharp.co.jp 2015-11-01
[8] 웹사이트 Sharp to Produce 3 Types of IGZO LCD Panels for Notebook PCs | Press Releases | Sharp Global http://www.sharp-wor[...] Sharp-world.com 2015-11-01
[9] 웹사이트 Fujitsu Launches New Lineup of FMV Series PCs with Four New Models - Fujitsu Global http://www.fujitsu.c[...] Fujitsu.com 2015-11-01
[10] 웹사이트 LG DISPLAY SAYS UHD OLED TV PANEL PRODUCTS IN VARIOUS SIZES AND DESIGNS IN 2015 - Flat Panel TV and Display World-2 液晶・業界・動向 http://flat-display-[...] Flat-display-2.livedoor.biz 2015-11-01
[11] 웹사이트 P-13: Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays http://www.eecs.umic[...] Eecs.umichy.edu 2015-11-01
[12] 논문 Violet and UV luminescence emitted from ZnO thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition 2000-05
[13] 논문 Low-temperature fabrication of high-performance metal oxide thin-film electronics via combustion processing 2011-04-17
[14] 논문 High-mobility ultrathin semiconducting films prepared by spin coating 2004-03
[15] 논문 Spinel, YbFe2O4, and Yb2Fe3O7 types of structures for compounds in the In2O3 and Sc2O3、A2O3,BO systems [A: Fe, Ga, or Al; B: Mg, Mn, Fe, Ni, Cu, or Zn] at temperatures over 1000℃
[16] 논문 Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors 2004-11-25
[17] 블로그 シャープのディスプレイのコア技術「IGZO（イグゾー）」とは？ https://blog.sharp.c[...] SHARP Blog
[18] 뉴스 シャープ再建の切り札IGZO液晶の“不都合な真実” https://diamond.jp/a[...] ダイヤモンド・オンライン
[19] 뉴스 任天堂の新型「スイッチ」、シャープのIGZO採用へ - WSJ https://jp.wsj.com/a[...]
[20] 뉴스 各社の違いはココだ！　麻倉怜士の有機ELテレビ画質比較教室（2/5 ページ） - ITmedia NEWS https://www.itmedia.[...]
[21] 뉴스 【IMID】酸化物半導体TFT駆動のフレキシブル有機EL，韓国LG Electronicsが開発 | 日経クロステック（xTECH） https://xtech.nikkei[...]
[22] 특허 商標登録第5451821号 https://www.j-platpa[...]
[23] 뉴스 「サーチライト 「IGZO」巡り学会とあつれき シャープ、知財重視裏目に」 日経産業新聞、2015年3月4日第10面
[24] 뉴스 液晶ＩＧＺＯの商標「無効」、シャープ側敗訴　知財高裁 https://www.nikkei.c[...] 日本経済新聞 2015-03-19
[25] 간행물 訴訟の判決に関するお知らせ http://www.sharp.co.[...] シャープ株式会社 2015-02-25
[26] 특허 商標登録第5563245号 https://www.j-platpa[...]
[27] 특허 商標登録第5654941号 https://www.j-platpa[...]
[28] 문서 N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
[29] 웹사이트 高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結 日本の基礎研究の成果が世界のディスプレイ業界へ大きく展開 http://www.hyoka.koh[...] 東京工業大学 2013-01-11
[30] 서적 日経BP社　日経エレクトロニクス 2013 9-30 no.1118　37ページ
[31] 웹사이트 ＪＳＴとシャープが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 https://www.jst.go.j[...] 科学技術振興機構 2013-01-11
[32] 웹사이트 シャープに迫るサムスンの脅威　「ＩＧＺＯ」優位性は１、２年で崩れる？ (2/4ページ) https://web.archive.[...] SankeiBiz 2013-01-11
[33] 뉴스 シャープ、中国メーカーにＩＧＺＯ大量供給　１２月四半期決算、３年ぶり黒字確保へ https://www.zakzak.c[...] 夕刊フジ 2014-01-29
[34] 특허 特許6217196
[35] 웹인용 高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結 日本の基礎研究の成果が世界のディスプレイ業界へ大きく展開 http://www.hyoka.koh[...] 東京工業大学 2013-01-11
[36] 웹인용 ＪＳＴとシャープが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 http://www.jst.go.jp[...] 科学技術振興機構 2012-05-29
[37] 웹인용 シャープに迫るサムスンの脅威　「ＩＧＺＯ」優位性は１、２年で崩れる？ (2/4ページ) http://www.sankeibiz[...] SankeiBiz 2012-12-08
[38] 뉴스 新型液晶を富士通、ソニーに供給　シャープ http://www.47news.jp[...] 47news 2012-12-22


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