CIGS 전지
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1. 개요
CIGS 전지는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)으로 구성된 박막 태양전지이다. 1970년대부터 연구가 시작되어, 높은 효율과 유연성, 다양한 밴드갭 조절 등의 장점을 가지고 있다. CIGS 태양전지는 건물 일체형 태양광, 플렉시블 전자기기, 차량용 태양광 등 다양한 분야에 응용되며, 진공 및 비진공 공정을 통해 제조된다. 현재 효율 향상과 제조 비용 절감을 위한 연구가 활발히 진행 중이며, 기존 결정질 실리콘 태양전지의 단점을 보완하고 차세대 태양전지로의 가능성을 보여주고 있다.
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2. 역사
CIGS 태양전지의 연구는 1970년대에 시작되어 1990년대 후반에 18% 이상의 효율을 달성하였고, 연구실 환경에서 23.35%의 변환 효율을 달성하였다. 2000년대 초반부터 상업화가 시작되었으며, 2010년대에는 효율과 생산 공정이 개선되어 결정질 실리콘 태양전지와 경쟁할 수 있는 수준으로 발전하였다.[1]
2. 1. 초기 연구 개발
CIGS 태양전지의 연구는 1970년대에 벨 연구소에서 시작되었다. 1975년에 CuInSe2 기반 태양전지가 12%의 효율을 달성하였으며, 이는 CIGS 태양전지 개발의 기초가 되었다. 1980년대와 1990년대에 걸쳐 다양한 연구소와 기업들이 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키기 위한 연구를 수행하였으며, 그 결과 1990년대 후반에 18% 이상의 효율을 달성할 수 있었다. 최근에는 연구실 환경에서 23.35%의 변환 효율을 달성하였다.2. 2. 상업화 및 시장 동향
CIGS 태양전지의 상업적 응용은 2000년대 초반에 시작되었으며, 이 시기에 초기의 상업용 CIGS 태양전지가 시장에 등장하였다. 특히 일본의 솔라 프론티어와 미국의 글로벌 솔라와 같은 기업들은 대규모 생산을 위한 제조 공정 개발에 주력하여, CIGS 태양전지의 상용화를 가속화하였다. 2010년대에 들어서면서 CIGS 태양전지의 효율과 생산 공정이 더욱 개선되었고, 이는 CIGS 태양전지가 기존의 결정질 실리콘 태양전지와 경쟁할 수 있는 수준으로 발전하는 데 기여하였다.CIGS 태양전지의 시장 점유율은 15% 정도로 정체된 상태이며, PV 시장의 나머지는 결정질 실리콘으로 구성된 전통 태양 전지로 남아있다. 2013년 CIGS의 시장 점유율은 약 2%였으며, 모든 박막 기술을 합쳐도 10% 미만이었다. CIGS 전지는 꾸준히 개발되고 있으며, 박막 기술에서 일반화되어 있듯이 저비용을 유지하면서 실리콘과 같은 효율성에 도달할 것으로 전망된다. 저명한 CIGS 태양광전지 제조업체로는 일본의 솔라 프론티어, 글로벌 솔라, GSHK 솔라 등이 있다. 이들 기업은 카드뮴이나 납 등의 중금속이 없는 태양 모듈을 생산한다.
최근에는 중국 기업들도 CIGS 태양전지 시장에 진출하여 경쟁력을 높이고 있으며, 이를 통해 생산 비용을 더욱 절감하고 있다. 또한, 유럽 연합은 친환경 에너지 정책의 일환으로 CIGS 태양전지 연구 개발을 지원하고 있으며, 이를 통해 시장 확대를 도모하고 있다. 이러한 노력의 결과로, CIGS 태양전지의 효율과 경제성은 지속적으로 개선되고 있으며, 앞으로 더 많은 응용 분야에서 활용될 것으로 기대된다.
3. CIGS 태양전지의 구조
CIGS 태양전지는 결정질 실리콘 전지의 호모접합과 달리, 더 복잡한 이종접합 시스템이다. CIGS는 직접 천이 밴드갭 물질로 빛 흡수율이 매우 높아, 단 1~2 마이크로미터(μm) 두께의 층으로도 대부분의 햇빛을 흡수한다. 반면 결정질 실리콘은 약 160~190 μm의 훨씬 더 큰 두께가 필요하다.
활성 CIGS 층은 유리 시트, 강철 밴드, 폴리이미드로 만들어진 플라스틱 호일과 같은 다양한 기판 위에 몰리브덴(Mo) 코팅으로 직접 다결정질 형태로 증착될 수 있다. 이는 전기 용광로에서 다량의 석영 모래를 용융하고 대형 결정을 성장시키는 기존 실리콘 전지에 비해 에너지 소비가 적어 에너지 회수 시간을 단축시킨다. 또한 결정질 실리콘과 달리 이러한 기판은 유연할 수 있다.[30]
CIGS 태양 전지의 일반적인 구조는 '그림 1: CIGS 장치 구조'와 같다. 약 1~3 밀리미터 두께의 소다석회 유리가 기판으로 사용되는데, 유리 시트에 포함된 나트륨은 개방 회로 전압을 증가시킨다.[15] 이는 표면 및 입자 경계 결함 패시베이션을 통해 가능하다.[16] 그러나 많은 회사들은 폴리이미드 또는 금속 호일과 같은 더 가볍고 유연한 기판을 사용하기도 한다.[17]
최상의 품질을 위해서는 (204) 표면 배향이 필요하다.[13] 조명된 영역과 계면 영역의 비율을 최대화하려면 매끄러운 흡수체 표면이 좋다. 계면 영역은 거칠기에 따라 증가하지만, 조명된 영역은 일정하여 개방 회로 전압(VOC)이 감소한다. 결함 밀도 증가는 VOC 감소와 관련이 있으며, CIGS의 재결합은 비방사 과정에 의해 지배되는 것으로 제안되었다. 이론적으로 재결합은 필름을 엔지니어링하여 제어할 수 있으며 물질 외부에서 발생한다.[14]
미국 국립 재생 에너지 연구소(NREL), 스위스 연방 재료 과학 기술 연구소(Empa), 독일 ''Zentrum für Sonnenenergie und Wasserstoff Forschung''(ZSW, 태양 에너지 및 수소 연구 센터)에서 약 20% 효율의 CIGS 태양 전지가 보고되었으며, 이는 박막 태양 전지의 최고 기록이다.[8][9] 2024년에는 CIGS 효율 기록이 23.64%라고 주장했다.[10]
3. 1. 구성 요소
CIGS 태양전지는 여러 층으로 구성되어 있으며, 각 층은 특정 기능을 수행한다. 일반적인 구조는 다음과 같다.
각 층의 두께와 조성은 전지 성능에 큰 영향을 미친다. 흡수층의 두께가 너무 두꺼우면 전자-정공 쌍이 재결합하여 효율이 감소하고, 너무 얇으면 빛을 충분히 흡수하지 못한다. 버퍼층과 흡수층 간 계면 특성도 전지 성능에 중요하며, 이 계면 품질을 개선하기 위한 연구가 진행 중이다.[6]
CIGS는 I-III-VI2 화합물 반도체로, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄으로 구성된다. 황동석 결정 구조를 가지며, 띠 간격은 구리 인듐 셀렌화물(CuInSe2)의 약 1.0 eV에서 구리 갈륨 셀렌화물(CuGaSe2)의 약 1.7 eV까지 조절 가능하다. CIGS는 1.5 eV 이상 에너지 광자에 대해 105/cm 이상의 매우 높은 흡수 계수를 갖는다.[13]
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고성능 CIGS 흡수체는 다결정 α-상 황동석 결정 구조를 가지며, 전체적으로 구리가 부족하다.[11] 구리 부족은 다수 캐리어(정공) 농도를 증가시킨다. CIGS 필름이 In이 풍부할 때(Cu 부족) 표면층은 정렬된 결함 화합물(ODC)을 형성하여 p-n 호모 접합을 형성하고, 재결합 속도를 감소시킨다.[11][12]
나트륨(Na) 첨가는 p형 전기 전도도, 결정 배향 및 평균 결정립 크기를 증가시켜 성능을 향상시킨다.[13] CIS(CuInSe2)를 CGS(CuGaSe2)와 합금하면 띠 간격이 증가하며, Ga/(In+Ga) 비율이 약 0.7일 때 단일 접합 태양 전지에 이상적인 띠 간격인 1.5 eV에 도달한다. 그러나 ~0.3 이상의 비율에서는 장치 성능이 저하된다.[11]
CIGS 태양 전지는 결정질 실리콘 전지와 달리 이종접합 구조를 가진다. 직접 천이 밴드갭 물질로, 1~2 μm 층으로도 대부분의 햇빛을 흡수할 수 있다.
3. 2. 계면 공학의 중요성
CIGS 태양전지는 여러 층으로 구성되어 있으며, 각 층은 특정한 기능을 수행한다. 각 층의 두께와 조성은 전지의 성능에 큰 영향을 미치며, 제조 공정에서 이러한 요소를 정밀하게 조절하는 것이 매우 중요하다. 예를 들어, 흡수층의 두께가 너무 두꺼우면 전자-정공 쌍이 재결합할 확률이 높아져 효율이 감소할 수 있으며, 반대로 너무 얇으면 충분한 빛을 흡수하지 못한다. 또한, 버퍼층과 흡수층 간의 계면 특성도 전지의 성능에 중요한 역할을 하며, 이 계면의 품질을 개선하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.[1]4. 작동 원리
CIGS 태양전지는 빛이 흡수층(CIGS)에 도달하여 전자-정공 쌍을 생성하는 원리로 작동한다. 흡수층에서 생성된 전자는 버퍼층을 통해 투명 전도성 산화물(TCO) 층으로 이동하고, 정공은 후면 접촉층으로 이동하여 외부 회로를 통해 전류가 생성된다. 구체적인 작동 과정은 다음과 같다.
1. '''광흡수''': 태양광이 CIGS 흡수층에 도달하여 전자-정공 쌍을 생성한다.
2. '''전자-정공 분리''': 내부 전기장에 의해 전자와 정공이 분리된다.
3. '''전자 이동''': 전자는 버퍼층과 윈도우층을 통해 투명 전도성 산화물(TCO)로 이동한다.
4. '''정공 이동''': 정공은 후면 접촉층(Mo)으로 이동한다.
5. '''전류 생성''': 외부 회로를 통해 전자가 이동하면서 전류가 생성된다.
이 과정에서 중요한 역할을 하는 것이 바로 흡수층의 품질이다. 흡수층의 결정 구조와 화학적 조성이 전하 운반 특성과 재결합 특성에 직접적인 영향을 미치기 때문에, 고품질의 흡수층을 제조하는 것이 높은 효율의 CIGS 태양전지를 만드는 핵심이다. 또한, 흡수층과 버퍼층, 그리고 윈도우층 간의 계면 특성을 최적화하여 전하 이동을 원활하게 하는 것도 중요한 연구 과제이다.
5. CIGS 태양전지의 특성
CIGS 전지는 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 화합물 반도체를 이용하여 빛 에너지를 전기로 변환하는 박막 태양전지의 일종이다. CIGS 전지는 높은 흡수 계수와 조절 가능한 밴드갭을 가지고 있어, 얇은 필름으로도 높은 효율을 낼 수 있다는 장점이 있다.
CIGS 태양전지는 다음과 같은 특성들을 가지고 있다.
- '''높은 효율''': CIGS는 높은 흡수 계수를 가지기 때문에 상대적으로 얇은 층에서도 높은 변환 효율을 얻을 수 있다.
- '''유연성''': 플렉시블 기판을 사용 가능하여 다양한 형태 및 응용 분야에 적용할 수 있다.
- '''광범위한 밴드갭 조절''': 갈륨과 셀레늄의 조성을 조절하여 밴드갭을 1.0 eV에서 1.7 eV까지 조절할 수 있어, 다양한 파장의 빛을 효율적으로 흡수할 수 있다.
- '''내구성''': CIGS는 열적, 환경적 안정성이 우수하여 장기간 사용에도 성능이 유지된다.
- '''비용 효율성''': 초기 제조 비용이 높았지만, 공정 최적화 및 대규모 생산을 통해 비용이 점차 감소하고 있다.
- '''저광 성능''': CIGS 태양전지는 낮은 광도에서도 비교적 높은 효율을 유지하여 다양한 기후 조건에서 우수한 성능을 보인다.
CIGS 태양전지는 미국 국립 재생 에너지 연구소(NREL), 스위스 연방 재료 과학 기술 연구소(Empa) 및 독일 ''Zentrum für Sonnenenergie und Wasserstoff Forschung'' (ZSW, 태양 에너지 및 수소 연구 센터)에서 약 20%의 효율을 달성했으며, 이는 박막 태양 전지 중 최고 기록이다.[8][9] 2024년에는 CIGS 효율 기록이 23.64%라고 주장했다.[10]
집광형 태양광(concentrated photovoltaics)을 이용하면 더 높은 효율(약 30%)을 얻을 수 있다. 또한, 갈륨을 사용하면 순수 CIS에 비해 CIGS 층의 광학 밴드갭이 증가하여 개방 회로 전압이 증가하고, 인듐에 비해 갈륨의 상대적 풍부함은 비용을 절감시킨다.[26][27]
CIGS는 주로 다결정 박막 형태로 사용된다. 박막은 빛 수집 효율을 다소 희생하지만 물질을 덜 사용한다.[32] CIGS에서는 효율의 상쇄가 실리콘보다 덜 심각하다.
5. 1. 밴드갭
CIGS는 사면체 화학 결합된 반도체로, 황동석 결정 구조를 가지고 있다. 띠 간격은 x값에 따라 연속적으로 변화하는데, 구리 인듐 셀렌화물(CuInSe2)의 경우 약 1.0 eV, 구리 갈륨 셀렌화물(CuGaSe2)의 경우 약 1.7 eV이다.[6]CIS(CuInSe2)를 CGS(CuGaSe2)와 합금하면 띠 간격이 증가한다. 단일 접합 태양 전지에 이상적인 띠 간격인 1.5 eV에 도달하려면 Ga/(In+Ga) 비율이 약 0.7이 최적이다. 그러나 이 비율이 0.3 이상이 되면 장치 성능이 저하된다. 현재 산업계는 0.3 Ga/(In+Ga) 비율을 목표로 하며, 이는 1.1 ~ 1.2 eV 사이의 띠 간격을 갖는다.
5. 2. 흡수 계수
CIGS는 1.5 eV 이상의 에너지 광자에 대해 105/cm 이상의 매우 높은 흡수 계수를 가지고 있다.[13] 이러한 높은 흡수 계수 덕분에 CIGS 박막 태양전지는 다른 반도체 물질에 비해 얇은 필름으로도 높은 효율을 달성할 수 있다.5. 3. 결정 구조
CIGS는 사면체 화학 결합된 반도체로, 황동석 결정 구조를 가지고 있다. 띠 간격은 구리 인듐 셀렌화물(CuInSe2)의 약 1.0 eV에서 구리 갈륨 셀렌화물(CuGaSe2)의 약 1.7 eV까지 ''x''값에 따라 연속적으로 변화한다.[6]left
고성능 CIGS 흡수체는 생산 기술과 관계없이 몇 가지 공통점을 가진다.
- 그림 3에 표시된 황동석 결정 구조를 가진 다결정 α-상이다.
- 전체적인 구리 부족 현상을 보인다.[11] 구리 부족은 (전자 수용) Cu 공공 수의 증가로 인해 다수 캐리어 (정공) 농도를 증가시킨다.
- CIGS 필름이 In이 풍부할 때(Cu 부족) 필름의 표면층은 의 화학 양론을 가진 정렬된 결함 화합물(ODC)을 형성한다. ODC는 n형이며, α상과 ODC 사이의 계면에서 필름에 p-n 호모 접합을 형성한다.
최적의 성능을 위해서는 나트륨(Na) 첨가가 필요하다. 이상적인 Na 농도는 약 0.1%로 간주된다. Na는 일반적으로 소다 라임 유리 기판에서 공급되지만, 이 기판을 사용하지 않는 공정에서는 Na를 의도적으로 추가해야 한다. Na의 유익한 효과에는 p형 전기 전도도, 결정 배향 및 평균 결정립 크기의 증가가 포함된다.[13]
가장 높은 효율의 장치는 상당한 텍스처 또는 선호하는 결정학적 배향을 보인다. 최상의 품질을 가진 장치에서는 (204) 표면 배향이 관찰된다.[13]
6. 장점 및 단점
CIGS 전지는 높은 흡수 계수와 넓은 밴드갭 조절 가능성으로 인해 고효율을 나타내며, 다른 반도체 물질에 비해 얇은 필름으로도 높은 효율을 달성할 수 있다.
CIGS 태양전지는 다음과 같은 장점과 단점을 가지고 있다.
'''장점'''
- '''높은 효율''': CIGS의 높은 흡수 계수로 인해 상대적으로 얇은 층에서도 높은 변환 효율을 달성할 수 있다. 2024년에는 CIGS 효율 기록이 23.64%라고 주장했다.[10]
- '''유연성''': 플렉시블 기판을 사용할 수 있어 다양한 형태와 응용 분야에 적용할 수 있다.
- '''광범위한 밴드갭 조절''': 갈륨과 셀레늄의 조성을 조절하여 밴드갭을 1.0 eV에서 1.7 eV까지 조절할 수 있어 다양한 빛의 파장을 효율적으로 흡수할 수 있다.
- '''내구성''': CIGS는 열적, 환경적 안정성이 높아 장기간 사용에도 성능이 유지된다.
- '''비용 효율성''': 초기에는 제조 비용이 높았으나, 공정 최적화와 대규모 생산을 통해 비용이 점차 감소하고 있다.
- '''저광 성능''': CIGS 태양전지는 낮은 광도에서도 상대적으로 높은 효율을 유지할 수 있어, 다양한 기후 조건에서 우수한 성능을 발휘한다.
'''단점'''
- '''복잡한 제조 공정''': CIGS 태양전지의 제조 공정은 상대적으로 복잡하고 비용이 많이 소요된다.
- '''유해 물질 사용''': 버퍼층에 사용되는 황화 카드뮴(CdS)은 독성이 있는 카드뮴을 포함하고 있어 환경 문제를 일으킬 수 있다.[7]
- '''재료 가용성''': 인듐과 갈륨은 희귀 금속으로 자원 제한성과 비용 문제가 있다.
- '''변환 효율의 일관성 문제''': 대규모 생산 시 개별 전지 간의 효율 차이가 발생할 수 있어, 생산 공정의 일관성을 유지하는 것이 중요하다.
6. 1. 장점
CIGS 태양전지는 다음과 같은 여러 가지 장점을 가지고 있어 차세대 태양전지로 주목받고 있다.- '''높은 효율''': CIGS의 높은 흡수 계수로 인해 상대적으로 얇은 층에서도 높은 변환 효율을 달성할 수 있다.
- '''유연성''': 플렉시블 기판을 사용할 수 있어 다양한 형태와 응용 분야에 적용할 수 있다.
- '''광범위한 밴드갭 조절''': 갈륨과 셀레늄의 조성을 조절하여 밴드갭을 1.0 eV에서 1.7 eV까지 조절할 수 있어 다양한 빛의 파장을 효율적으로 흡수할 수 있다.
- '''내구성''': CIGS는 열적, 환경적 안정성이 높아 장기간 사용에도 성능이 유지된다.
- '''비용 효율성''': 초기에는 제조 비용이 높았으나, 공정 최적화와 대규모 생산을 통해 비용이 점차 감소하고 있다.
- '''저광 성능''': CIGS 태양전지는 낮은 광도에서도 상대적으로 높은 효율을 유지할 수 있어, 다양한 기후 조건에서 우수한 성능을 발휘한다.
6. 2. 단점
CIGS 전지는 제조 공정이 복잡하고 비용이 많이 드는 단점이 있다. 또한, 버퍼층에 사용되는 황화 카드뮴(CdS)은 독성이 있는 카드뮴을 포함하여 환경 문제를 일으킬 수 있다.[7] 인듐과 갈륨은 희귀 금속이기 때문에 자원 제한성과 비용 문제도 존재한다. 대규모 생산 시에는 개별 전지 간 효율 차이가 발생할 수 있어, 생산 공정의 일관성을 유지하는 것이 중요하다.7. 응용 분야
CIGS 태양전지는 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다.
- '''건물 일체형 태양광(BIPV)''': 건물 외장재와 통합되어 설치되는 태양광 시스템이다. CIGS 태양전지는 유연한 특성 덕분에 곡면 및 다양한 형태의 건축물에도 적용할 수 있다.
- '''플렉시블 전자기기''': 유연한 기판을 사용한 웨어러블 디바이스 및 플렉시블 디스플레이를 말한다. CIGS 태양전지는 구부러질 수 있는 특성으로 인해 휴대용 전자기기나 웨어러블 디바이스에 적합하다.
- '''차량용 태양광''': 자동차, 비행기, 드론 등에 적용하여 보조 전원을 공급한다. 특히 전기차의 루프나 보닛에 CIGS 태양전지를 장착하여 충전 효율을 높이는 연구가 진행 중이다.
- '''휴대용 충전기''': 높은 효율과 유연성을 이용한 휴대용 태양광 충전기이다. 야외 활동 시 사용되는 소형 전자기기의 배터리 수명을 연장시키는 용도로 많이 사용된다.
- '''농업 및 농촌 전력 공급''': 농촌 지역의 전력 공급이 어려운 곳에서 태양광 발전을 통해 전력을 공급할 수 있다. CIGS 태양전지는 낮은 광도에서도 높은 효율을 유지할 수 있어, 다양한 환경 조건에서 효과적으로 활용될 수 있다.
8. 제조 공정
CIGS 전지는 결정질 실리콘 전지와 달리 복잡한 이종접합 구조를 가진다. 직접 천이 밴드갭 물질인 CIGS는 빛 흡수율이 매우 높아 1~2 마이크로미터(μm) 두께로도 충분하지만, 결정질 실리콘은 160~190 μm의 두께가 필요하다.[30] CIGS 층은 유리, 강철, 플라스틱 호일 등 다양한 기판에 몰리브덴(Mo) 코팅 후 다결정질 형태로 증착될 수 있어, 에너지 소비가 적고 유연한 기판을 사용할 수 있다.[30]
경쟁이 치열한 PV 산업에서 CIGS 제조업체들은 어려움을 겪었지만, CIGS 태양 전지는 다결정 실리콘 전지와 거의 동일한 효율을 달성했다. CIGS와 CdTe 태양 전지는 상업적으로 성공한 박막 기술이다.[30]
CIGS 제조 공정은 크게 진공 공정과 비진공 공정으로 나뉜다.
주요 전구체 증착 공정 기술:
- 저온 스퍼터링: 금속 층을 저온에서 스퍼터링한다.
- 잉크 인쇄: 나노입자를 포함하는 잉크를 인쇄한다.
- 전기 영동 증착: 전기를 이용하여 증착한다.
- 웨이퍼 접합: 웨이퍼 접합 기술을 응용한다.
셀렌 공급 및 셀렌화 환경은 박막 특성에 중요하며, H2Se는 흡수체에 Se를 빠르게 통합할 수 있지만 독성이 강하다.[13]
8. 1. 진공 공정
CIGS 박막은 유리 시트, 강철 밴드, 폴리이미드로 만들어진 플라스틱 호일과 같은 다양한 기판 위에 몰리브덴(Mo) 코팅으로 직접 다결정질 형태로 증착될 수 있다. 이는 에너지 회수 시간을 상당히 단축시킨다.[30]가장 일반적인 진공 기반 공정은 구리, 갈륨, 인듐을 실온에서 기판에 동시 증착 또는 동시 스퍼터링한 다음, 셀렌화물 증기로 얻은 박막을 어닐링하는 것이다. 또 다른 공정은 구리, 갈륨, 인듐 및 셀레늄을 가열된 기판에 동시 증착하는 것이다.
셀렌 공급 및 셀렌화 환경은 박막의 특성과 품질을 결정하는 데 중요하다. 고온에서 기체 상태(예: H2Se 또는 원소 Se)로 Se가 공급되면, Se는 흡수 및 후속 확산을 통해 박막에 통합된다. 이 단계는 칼코겐화라고 하며, 이 과정에서 복잡한 상호 작용이 일어나 칼코겐을 형성한다. 이러한 상호 작용에는 Cu-In-Ga 금속간 화합물 합금 형성, 중간 금속-셀렌화물 이원 화합물 형성 및 다양한 화학량론적 CIGS 화합물의 상 분리가 포함된다. 반응의 다양성과 복잡성 때문에 CIGS 박막의 특성을 제어하기가 어렵다.[13]
Se 공급원은 최종 박막의 특성에 영향을 미친다. H2Se는 흡수체에 가장 빠르게 Se를 통합할 수 있으며, 400°C의 낮은 온도에서 CIGS 박막에 50 at%의 Se를 얻을 수 있다. 이와 비교하여, 원소 Se는 500°C 이상의 반응 온도에서만 완전한 통합을 달성한다. 원소 Se로부터 저온에서 형성된 박막은 Se가 부족했지만 금속 셀렌화물 및 다양한 합금을 포함한 여러 상을 가졌다. H2Se를 사용하면 최고의 조성 균일성과 가장 큰 입자 크기를 얻을 수 있다. 그러나 H2Se는 독성이 매우 강하며 환경 유해 물질로 분류된다.
### 금속층 스퍼터링 후 셀렌화
금속층 스퍼터링 후 셀렌화 방식은 금속 박막(구리, 인듐, 갈륨)을 실온 또는 그 근처에서 스퍼터링하고 고온의 셀렌 분위기에서 반응시키는 방법이다. 이 공정은 동시 증착보다 처리량이 높으며, 조성 균일성을 더 쉽게 달성할 수 있다.
Cu/In/Ga/Cu/In/Ga... 구조와 같이 금속의 적층 박막을 스퍼터링하면 단층(Cu-Ga 합금/In) 또는 3층(Cu/In/Ga) 스퍼터링에 비해 흡수층에서 더 매끄러운 표면과 더 나은 결정성을 얻을 수 있다. 이러한 특성은 더 높은 효율의 소자를 만들지만, 다층 구조를 형성하는 것은 더 복잡한 증착 공정이며 추가적인 장비나 공정 복잡성을 더할 가치가 없었다.[11] 또한, Se과의 Cu/Ga 및 Cu/In 층의 반응 속도는 다르다. 반응 온도가 충분히 높지 않거나, 충분히 오래 유지되지 않으면 CIS와 CGS가 별도의 상으로 형성된다.
현재 이와 유사한 공정을 사용하는 회사로는 쇼와 쉘(Showa Shell), 아반시스(Avancis), 미아솔레(Miasolé), 혼다 솔텍(Honda Soltec), 그리고 에너지 포토볼테익스(Energy Photovoltaics, EPV)가 있다.[35] 쇼와 쉘은 Cu-Ga 합금층과 In 층을 스퍼터링한 후, H2Se에서의 셀렌화와 H2S에서의 황화를 수행했다. 황화 단계는 다른 대부분의 셀에서 CdS와 유사한 방식으로 표면을 패시베이션하는 것으로 보인다. 따라서 사용된 버퍼층은 Cd-free로, Cd의 환경적 영향을 제거한다. 쇼와 쉘은 3600 cm2 기판에서 13.6%의 최대 모듈 효율과 평균 11.3%를 보고했다.[17] 쉘 솔라(Shell Solar)는 쇼와 쉘과 동일한 기술을 사용하여 흡수층을 만들지만, CdS 층은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에서 얻는다. 쉘 솔라에서 판매하는 모듈은 9.4%의 모듈 효율을 주장한다.
미아솔레는 해당 공정 및 규모 확장을 위해 벤처 자금을 확보했다. 2019년 프라운호퍼(Fraunhofer)에서 17.4%의 개구 효율 모듈 기록을 확인했다.[36]
EPV는 In과 Ga을 Se 분위기에서 증착하는 동시 증착과 스퍼터링의 하이브리드 방식을 사용한다. 이어서 Cu 스퍼터링과 셀렌화가 진행된다. 마지막으로, In과 Ga이 Se의 존재 하에 다시 증착된다. 홀 측정 결과에 따르면, 이러한 박막은 낮은 캐리어 농도와 비교적 높은 이동도를 갖는다. EPV 박막은 결함 농도가 낮다.
### 공동 증착
공동 증착 또는 동시 증착은 가장 널리 사용되는 CIGS 제조 기술이다. 보잉(Boeing)의 공동 증착 공정은 서로 다른 화학 양론비를 가진 CIGS의 이중층을 가열된 기판 위에 증착하여 서로 혼합되도록 한다.
NREL은 3단계 증착 공정을 포함하는 또 다른 공정을 개발했으며, 현재 CIGS 효율 기록 보유자(20.3%)를 생산했다. NREL의 방법의 첫 번째 단계는 In, Ga 및 Se의 동시 증착이다. 이어서 더 높은 온도에서 Cu와 Se를 증착하여 원소의 확산 및 혼합을 허용한다. 마지막 단계에서는 In, Ga 및 Se를 다시 증착하여 전체 조성을 구리 부족하게 만든다.[11]
뷔르트 솔라(Würth Solar)는 2005년에 인라인 공동 증착 시스템을 사용하여 11%에서 12% 사이의 모듈 효율을 가진 CIGS 셀을 생산하기 시작했다. 그들은 또 다른 생산 시설을 열고 효율과 수율을 계속 개선했다. 공동 증착 공정을 확대하고 있는 다른 회사로는 글로벌 솔라(Global Solar)와 어센트 솔라(Ascent Solar)가 있다.[35] 글로벌 솔라는 인라인 3단계 증착 공정을 사용했다. 모든 단계에서 Se는 기상에서 과량으로 공급된다. In과 Ga를 먼저 증발시킨 다음 Cu를 증발시키고, 마지막으로 In과 Ga를 증발시켜 필름을 구리 부족하게 만든다. 이 필름은 다른 제조업체 및 NREL 및 에너지 변환 연구소(IEC)에서 성장한 흡수체와 비교하여 매우 우수한 성능을 보였다.[14] 그러나 글로벌 솔라 필름의 모듈은 그다지 좋은 성능을 보이지 못했다. 모듈에서 가장 눈에 띄게 성능이 저조한 특성은 낮은 VOC였으며, 이는 높은 결함 밀도와 높은 재결합 속도의 특징이다. 글로벌 솔라의 흡수층은 캐리어 수명과 홀 이동도에서 NREL 흡수체보다 우수한 성능을 보였다. 그러나 완성된 셀로서는 NREL 샘플이 더 나은 성능을 보였다. 이는 글로벌 솔라 필름에 ODC 표면층이 없기 때문에 CIGS/CdS 계면이 좋지 않다는 증거이다.
단점으로는 넓은 영역에서의 균일성 문제와 인라인 시스템에서 원소의 공동 증착과 관련된 어려움이 있다. 또한, 높은 성장 온도는 열 예산과 비용을 증가시킨다. 또한, 공동 증착은 낮은 재료 활용도(기판 대신 챔버 벽에 증착, 특히 셀레늄의 경우)와 고가의 진공 장비라는 문제점을 안고 있다.[17][37] Se 활용도를 높이는 방법은 열 또는 플라즈마 강화 셀레늄 분해 공정[39][40]을 사용하는 것이며, 이는 이온 빔(ion beam) 소스와 결합하여 이온 빔 보조 증착(ion beam assisted deposition)을 할 수 있다.[41]
### 화학 기상 증착
화학 기상 증착 (CVD)은 CIGS 증착에 여러 가지 방법으로 구현되어 왔다. 공정에는 대기압 금속 유기 화학 기상 증착(AP-MOCVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD), 저압 MOCVD(LP-MOCVD) 및 에어로졸 보조 MOCVD(AA-MOCVD)가 있다. 연구에서는 2원 공급원 물질에서 1원 공급원 물질로 전환을 시도하고 있다.[11] 다원 공급원 물질은 균일하게 혼합되어야 하며 공급원 물질의 유량은 적절한 화학 양론 비로 유지되어야 한다. 1원 공급원 물질 방법은 이러한 단점이 없으며 필름 조성을 더 잘 제어할 수 있다.
2014년 현재 CVD는 상업용 CIGS 합성에 사용되지 않았다. CVD로 생산된 필름은 효율이 낮고 VOC가 낮으며, 이는 부분적으로 높은 결함 농도의 결과이다. 또한, 필름 표면은 일반적으로 매우 거칠어 VOC를 더욱 감소시킨다. 그러나 AA-MOCVD를 사용하여 (112) 결정 방향과 함께 필요한 Cu 결핍이 달성되었다.
CVD 증착 온도는 공증착 및 금속 공급원 물질의 셀렌화와 같은 다른 공정에 사용되는 온도보다 낮다. 따라서 CVD는 열 예산이 낮고 비용이 저렴하다. 잠재적인 제조 문제로는 CVD를 인라인 공정으로 변환하는 어려움과 휘발성 공급원 물질을 취급하는 비용이 있다.
8. 2. 비진공 공정
CIGS 전지는 결정질 실리콘 전지와 달리 복잡한 이종접합 구조를 가진다. 직접 천이 밴드갭 물질인 CIGS는 빛 흡수율이 매우 높아 1~2 마이크로미터(μm) 두께로도 충분하지만, 결정질 실리콘은 160~190 μm의 두께가 필요하다.[30] CIGS 층은 유리, 강철, 플라스틱 호일 등 다양한 기판에 몰리브덴(Mo) 코팅 후 다결정질 형태로 증착될 수 있어, 에너지 소비가 적고 유연한 기판을 사용할 수 있다.[30]경쟁이 치열한 PV 산업에서 CIGS 제조업체들은 어려움을 겪었지만, CIGS 태양 전지는 다결정 실리콘 전지와 거의 동일한 효율을 달성했다. CIGS와 CdTe 태양 전지는 상업적으로 성공한 박막 기술이다.[30]
비진공 기반 공정은 전구체 물질의 나노입자를 기판에 증착한 후 in situ(현장에서) 소결하는 방식이다. 전기 도금 또한 저비용 대안이다.[30]
전구체 증착 공정 기술:
- 저온 스퍼터링: 금속 층을 저온에서 스퍼터링한다.
- 잉크 인쇄: 나노입자를 포함하는 잉크를 인쇄한다.
- 전기 영동 증착: 전기를 이용하여 증착한다.
- 웨이퍼 접합: 웨이퍼 접합 기술을 응용한다.
셀렌 공급 및 셀렌화 환경은 박막 특성에 중요하며, H2Se는 흡수체에 Se를 빠르게 통합할 수 있지만 독성이 강하다.[13]
나노 입자 기반 공정금속 또는 금속 산화물 나노 입자를 전구체로 사용하여 수용액에 부유시킨 후 인쇄 등의 방법으로 넓은 영역에 도포한다. 이후 필름을 탈수, 환원하고 400°C 이상에서 소결 및 셀렌화한다.[11][14][37]
나노솔라(Nanosolar)와 국제 태양광 전기 기술(International Solar Electric Technology, ISET)은 이 공정을 시도했으나 실패했다.[17] 이 공정은 넓은 영역 균일성, 비진공/저진공 장비 사용, 롤투롤 제조 적합성이 장점이다. 소결된 나노 입자는 층상 금속 전구체보다 빠르게 셀렌화되지만, 다공성으로 인해 거친 흡수체 표면이 생성된다. 재료 사용률은 90% 이상이다.[17]
나노솔라는 14% 효율을 보고했지만 검증되지 않았고, ISET 흡수체는 8.6% 효율을 보였다. ISET 샘플은 낮은 VOC와 충전율, 열악한 수송 특성을 보였다.[14]
전기 도금전구체는 전착될 수 있으며, 원소 층상 구조 증착과 모든 원소 동시 증착 두 가지 방법이 있다. 두 방법 모두 Se 분위기 열처리가 필요하다. 금속 호일이 기판으로 사용된다.[11]
동시 증착은 표준 환원 전위 차이 문제를 해결해야 하며, 대응 이온 첨가로 환원 전위를 변경한다. Cu-Se 시스템은 복잡하며, 필름 조성은 이온 플럭스 비율에 따라 달라진다. 전구체 농도와 증착 전위 최적화가 필요하며, 넓은 영역에서 재현성이 낮다.[11]
생성된 필름은 작은 입자를 가지며, Cu가 풍부하고 Cu2−xSex 상을 포함한다. 어닐링으로 결정성을 향상시키고, 7% 이상 효율을 위해 화학 양론적 보정이 필요하다.[11]
Solopower는 NREL에 따르면 13.7% 이상의 변환 효율을 가진 셀을 생산하고 있다.[38]
웨이퍼 접합 방식
두 개의 서로 다른 전구체 박막을 기판과 상판에 증착하고 압착, 가열하여 상판을 분리하고 기판에 CIGS 흡수층을 남긴다. Heliovolt는 이 공정(FASST) 특허를 보유하고 있다. 저온, 저비용 증착 기술로 모듈 비용 절감이 가능하지만, 초기 제품은 고온 PVD 방식을 사용했다. 유연 기판 사용이 가능하다.[30]
일반적인 박막 특성은 알려져 있지 않지만, Heliovolt는 최고 셀 효율이 12.2%라고 주장했다.[30]
전기분무 증착CIS 박막은 전기분무 증착법으로 제작 가능하다. CIS 나노 입자 잉크를 전기장으로 기판에 분사 후 불활성 환경에서 소결한다.[42] 실온 공정이며, 연속/대량 생산 시스템에 적용 가능하다.[43]
8. 3. 기타 공정
CIGS 성장을 위해 금속 또는 금속 산화물 나노입자를 전구체로 사용한다. 이 나노 입자는 일반적으로 수용액에 분산되어 인쇄와 같은 다양한 방법으로 넓은 면적에 도포된다. 그런 다음 필름을 건조시키고, 전구체가 금속 산화물인 경우 H₂/N₂ 환경에서 환원시킨다. 건조 후 남은 다공성 필름은 400°C 이상의 온도에서 소결 및 셀렌화된다.[11][14][37]나노솔라(Nanosolar)와 국제 태양광 전기 기술(International Solar Electric Technology, ISET)은 이 공정을 상용화하려 했으나 실패했다.[17] ISET은 산화물 입자를 사용했지만, 나노솔라는 잉크에 대해 구체적으로 언급하지 않았다. 이 공정의 장점은 다음과 같다.
- 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 도포 가능
- 비진공 또는 저진공 장비 사용 가능
- 롤투롤 제조에 적합
층상 금속 전구체 층과 비교했을 때, 소결된 나노 입자는 더 빠르게 셀렌화된다. 이는 다공성으로 인해 표면적이 넓어지기 때문이다. 다공성은 더 거친 흡수체 표면을 생성한다. 입자 전구체를 사용하면 90% 이상의 재료 사용률로 다양한 기판에 인쇄할 수 있다. 그러나 이 기술에 대한 연구 개발은 거의 이루어지지 않았다.
나노솔라는 14%의 셀(모듈 아님) 효율을 보고했지만, 이는 국립 연구소의 검증을 받지 못했으며, 현장 검사도 허용하지 않았다. 독립적인 테스트에서[14] ISET의 흡수체는 8.6%로 낮은 효율을 보였다. ISET 모듈보다 성능이 좋은 모듈은 모두 동시 증착 방식으로 제조되었는데, 이는 제조상의 단점과 높은 비용을 수반한다. ISET 샘플은 낮은 개방 전압(VOC)과 낮은 충전율로 인해 가장 큰 문제를 보였는데, 이는 거친 표면 및/또는 재결합을 돕는 많은 수의 결함을 나타낸다. 이러한 문제와 관련하여 필름은 낮은 홀 이동도 및 짧은 캐리어 수명을 포함하여 열악한 수송 특성을 보였다.
9. 연구 개발 동향
CIGS 태양전지의 효율 향상과 제조 비용 절감을 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 주요 연구 분야는 다음과 같다: CdS를 대체할 무독성 재료 개발, 대규모 제조 공정 최적화, 플렉시블 기판을 포함한 다양한 기판 재료 개발, 흡수층과 버퍼층 사이 계면 특성 개선, 광 흡수 및 전하 운반 특성 최적화, 고효율 대면적 모듈 개발.[1]
9. 1. 주요 연구 분야
현재 CIGS 태양전지의 효율 향상과 제조 비용 절감을 위한 다양한 연구가 진행 중이다. 주요 연구 분야는 다음과 같다.- 버퍼층 개선: CdS를 대체할 수 있는 무독성 재료(ZnS, In2S3 등) 개발.[1] CdS는 독성이 있어 환경에 유해할 수 있기 때문에 이를 대체할 수 있는 친환경 재료 개발이 중요하다.
- 공정 최적화: 대규모 제조 공정의 최적화와 생산 비용 절감.[1] 스퍼터링, 화학적 욕조 증착(CBD) 등 다양한 공정 기법의 최적화를 통해 생산 비용을 줄이고, 효율을 높이는 연구가 진행 중이다.
- 기판 다양화: 플렉시블 기판을 포함한 다양한 기판 재료 개발.[1] 플렉시블 기판을 사용함으로써 응용 분야를 넓히고, 제조 공정을 간소화할 수 있다.
- 계면 공학: 흡수층과 버퍼층 사이의 계면 특성 개선을 통한 효율 향상.[1] 계면 특성을 최적화하여 전하 이동을 원활하게 하고, 재결합을 줄이는 연구가 활발히 진행 중이다.
- 광전 변환 효율 향상: 광 흡수 및 전하 운반 특성 최적화를 통한 변환 효율 증대.[1] 새로운 소재와 구조를 도입하여 전하 운반 특성을 개선하고, 광전 변환 효율을 극대화하는 연구가 이루어지고 있다.
- 고효율 대면적 모듈 개발: 연구실 수준의 고효율을 대규모 생산에서도 유지할 수 있는 기술 개발.[1] 대면적 모듈에서의 효율 저하 문제를 해결하기 위해 균일한 박막 증착 기술과 모듈 인터커넥션 기술 개발이 중요하다.
10. 결론
CIGS 전지는 높은 효율과 다양한 응용 가능성으로 인해 차세대 태양전지로 주목받고 있다. 지속적인 연구와 개발을 통해 CIGS 태양전지의 성능을 향상시키고, 제조 비용을 절감하여 시장 경쟁력을 강화할 수 있을 것이다. 또한, 친환경 재료 개발과 공정 최적화를 통해 환경 문제를 해결하고, 더욱 지속 가능한 에너지 솔루션을 제공할 수 있을 것이다.
참조
[1]
논문
Solar cell efficiency tables (version 50)
2017-07
[2]
웹사이트
Photovoltaics Report, Fraunhofer ISE, July 28, 2014, pages 18,19
http://www.ise.fraun[...]
[3]
웹사이트
CIGS Solar Cells, Simplified
http://www.solarpowe[...]
Solar Power World
2014-01-08
[4]
웹사이트
CIS – Ecology
http://www.solar-fro[...]
2015-07-08
[5]
웹사이트
TSMC Shutting Down Its CIGS Thin-Film Solar Manufacturing
https://www.greentec[...]
[6]
논문
Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys
[7]
웹사이트
CIS Advantages
http://www.solar-fro[...]
[8]
논문
19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe2 solar cell with 81.2% fill factor
https://zenodo.org/r[...]
[9]
웹사이트
ZSW: Press Releases
http://www.zsw-bw.de[...]
2011-09-13
[10]
웹사이트
New world record for CIGS solar cells
https://www.scienced[...]
2024-02-29
[11]
논문
Thin Film Deposition Methods for CuInSe2 Solar Cells
[12]
논문
Comparative study of sputtered and electrodeposited CI(S,Se) and CIGSe thin films
[13]
논문
Copper Indium Selenides and Related Materials for Photovoltaic Devices
[14]
논문
Comparison of device performance and measured transport parameters in widely-varying Cu(In,Ga) (Se,S) solar cells
[15]
서적
Conference Record of the Twenty Third IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1993 (Cat. No.93CH3283-9)
1993
[16]
논문
Effects of sodium on polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 and its solar cell performance
[17]
논문
Toward GW/year of CIGS production within the next decade
[18]
논문
Large area ZnO films optimized for graded band-gap Cu(InGa)Se2-based thin-film mini-modules
[19]
간행물
Thin film CuInSe/sub 2//Cd(Zn)S heterojunction solar cell: characterization and modeling
1984
[20]
웹사이트
ZSW: ZSW Brings World Record Back to Stuttgart
http://www.zsw-bw.de[...]
2015-06-03
[21]
서적
2008 33rd IEEE Photovolatic Specialists Conference
https://digital.libr[...]
2008
[22]
웹사이트
Empa takes thin film solar cells to a new level – A new world record for solar cell efficiency
http://www.empa.ch/p[...]
2015-07-08
[23]
웹사이트
Top 10 World's Most Efficient CI(G)S Modules
http://www.solarplaz[...]
2013-02-18
[24]
웹사이트
MiaSolé Achieves 15.7% Efficiency with Commercial-Scale CIGS Thin Film Solar Modules
http://www.miasole.c[...]
2012-11-30
[25]
웹사이트
Solar Frontier Sets New Efficiency World Record
http://www.solar-fro[...]
2012-11-30
[26]
웹사이트
The status and future of the photovoltaics industry
http://www.aps.org/u[...]
David E. Carlson Chief Scientist BP Solar 14 March 2010
2011-02-10
[27]
웹사이트
Solar cell efficiency tables Ver.33
http://159.226.64.60[...]
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
2011-02-10
[28]
웹사이트
Flisom: Flexible PV from Lab to Fab
http://www.swissolar[...]
2014-11-04
[29]
논문
High-concentration silver alloying and steep back-contact gallium grading enabling copper indium gallium selenide solar cell with 23.6% efficiency
2024-02-19
[30]
뉴스
First sales for 'world's cheapest solar cells'
http://www.rsc.org/c[...]
2008-02
[31]
특허
[32]
논문
Comparison between thin-film solar cells and copper–indium–gallium–diselenide in Southeast Asia
[33]
논문
Improved performance in ZnO/CdS/CuGaSe 2 thin-film solar cells
https://zenodo.org/r[...]
2003-12
[34]
웹사이트
NREL chart of Best Research Cell Efficiencies
http://www.nrel.gov/[...]
[35]
논문
Critical Issues for Commercialization of Thin-Film PV Technologies
http://www.electroiq[...]
[36]
뉴스
Miasolé sets new flexible CIGS efficiency record
2019-07-09
[37]
간행물
Public policy for engineers: solar industry depends on policymakers' goodwill
http://www.electroiq[...]
[38]
웹사이트
Engineering & Design | SoloPower®
http://solopower.com[...]
2014-08-27
[39]
간행물
Large grain CIGS thin film growth using a Se-radical beam source
[40]
간행물
CIGS thin-film solar cells grown with cracked selenium
[41]
문서
World record: 13.4% conversion efficiency in solar cells on plastic film
http://www.solarion.[...]
Solarion AG
2009-10-07
[42]
간행물
CIS layer deposition through electrospray process for solar cell fabrication
[43]
간행물
Electrospray deposition of thin copper-indium-diselenide films
[44]
간행물
Employing Si solar cell technology to increase efficiency of ultra-thin Cu(In,Ga)Se2 solar cells
[45]
간행물
A morphological and electronic study of ultrathin rear passivated Cu(In,Ga) Se2 solar cells
https://zenodo.org/r[...]
[46]
간행물
Optical Lithography Patterning of SiO2 Layers for Interface Passivation of Thin Film Solar Cells
https://zenodo.org/r[...]
[47]
문서
Solar cell efficiency tables (version 50).
[48]
문서
Photovoltaics Report, Fraunhofer ISE, July 28, 2014, pages 18,19
http://www.ise.fraun[...]
[49]
웹인용
CIGS Solar Cells, Simplified
http://www.solarpowe[...]
Solar Power World
2014-01-08
[50]
웹인용
CIS – Ecology
http://www.solar-fro[...]
2015-07-08
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