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반도체 메모리

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목차

1. 개요

반도체 메모리는 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리와 데이터를 영구적으로 저장하는 비휘발성 메모리로 분류되며, 컴퓨터, 스마트폰, 디지털 기기 등 다양한 분야에 사용된다. 반도체 메모리는 메모리 셀이라는 작은 회로에 데이터를 저장하며, 읽기 및 쓰기 연산을 통해 데이터를 처리한다. 주요 메모리 유형으로는 DRAM, SRAM, ROM, 플래시 메모리 등이 있으며, 각기 다른 특성과 응용 분야를 가지고 있다. 한국은 반도체 메모리 산업에서 중요한 위치를 차지하고 있으며, 4차 산업혁명 기술 발전에 따라 그 중요성이 더욱 커지고 있다.

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반도체 메모리
개요
다양한 반도체 메모리 칩
다양한 반도체 메모리 칩
종류휘발성 메모리
비휘발성 메모리
휘발성 메모리
설명전원이 공급되는 동안만 데이터를 유지하는 컴퓨터 메모리 유형
종류DRAM
SRAM
비휘발성 메모리
설명전원 공급 없이도 저장된 정보를 유지할 수 있는 컴퓨터 메모리 유형
종류플래시 메모리
롬 (ROM)
EPROM
EEPROM
MRAM
PCRAM
특징
접근 방식직접 접근
읽기/쓰기 가능 여부읽기/쓰기 가능
휘발성휘발성 또는 비휘발성
속도DRAM < 플래시 메모리 < SRAM
역사
발명MOSFET (1959)
MOS 메모리 상용화1960년대 후반
시장 규모 (2018년)
규모미화 1,240억 달러
활용
용도컴퓨터
휴대 전화
디지털 카메라
USB 드라이브
SSD

2. 종류

반도체 메모리는 데이터를 저장하는 방식과 특성에 따라 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉜다.



반도체 메모리 칩에서 이진 데이터의 각 비트는 메모리 셀에 저장되며, 메모리 셀은 칩 표면에 직사각형 배열로 배치된다. 데이터는 메모리 주소를 사용하여 접근하며, 각 칩에 저장되는 데이터 양은 N2M 비트이다.[5] 메모리 저장 용량은 킬로비트, 메가비트, 기가비트, 테라비트 등으로 측정된다. 메모리 칩은 "읽기"와 "쓰기"의 두 가지 기본 연산을 수행하며, DDR SDRAM과 같은 최신 메모리 칩은 데이터 속도를 높이기 위해 여러 워드에 접근한다.

반도체 메모리는 마이크로프로세서 칩의 캐시 메모리와 같이 컴퓨터 및 데이터 처리 집적 회로의 필수적인 부분이다. 기억 장치는 반도체 메모리와 그렇지 않은 것으로 크게 나눌 수 있으며, 현대에는 주로 반도체 메모리가 주 기억 장치에 사용된다. 반도체 메모리는 응답 시간이나 대역폭 면에서 우수하지만, 용량당 비용이 높고 휘발성 타입이 많아 외부 기억 장치에는 사용되는 경우가 적었지만, 최근에는 SSD, 휴대 기기, 디지털 카메라 등에 사용되고 있다.

2. 1. 휘발성 메모리 (Volatile Memory)

휘발성 메모리는 메모리 칩에 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 사라지는 메모리이다. 하지만 비휘발성 메모리보다 빠르고 저렴하다는 장점이 있다. 이러한 특성 때문에 대부분의 컴퓨터에서 휘발성 메모리를 주 메모리로 사용하며, 컴퓨터가 꺼져 있는 동안에는 데이터가 하드 디스크와 같은 보조 기억 장치에 저장된다.[7][8]

휘발성 메모리에는 다음과 같은 주요 유형이 있다.

  • '''SRAM''' (''정적 램''): 플립플롭 회로에 데이터를 저장하며, DRAM보다 빠르고 메모리 리프레시가 필요 없지만, 집적도가 낮고 가격이 비싸다. 주로 컴퓨터의 캐시 메모리에 사용된다.
  • '''CAM''' (''Content-addressable memory''): 데이터 워드를 입력하면 해당 워드가 메모리에 저장되어 있는지 여부를 반환하는 특수 메모리이다. 주로 마이크로프로세서에 통합되어 캐시 메모리에 사용된다.
  • '''DRAM''' (''동적 램''): 각 메모리 셀의 캐패시터에 전하를 저장하는 방식으로, 정보를 유지하기 위해 주기적인 재생[47] 동작이 필요하다.
  • FPM DRAM (First Page Mode DRAM)
  • EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
  • SDRAM(Synchronous DRAM, 동기식 DRAM) / DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM, 더블 데이터 레이트 SDRAM)
  • RDRAM(Rambus DRAM)
  • 의사 SRAM[48]

2. 1. 1. RAM (Random Access Memory)

'''RAM'''(''랜덤 액세스 메모리'')은 읽기와 쓰기가 모두 가능한 반도체 메모리를 가리키는 일반적인 용어이다. ROM(읽기 전용 메모리)과 대조되지만, RAM과 ROM 모두 임의 접근이 가능하다는 공통점을 갖는다.[7][8]

  • '''DRAM''' (''동적 랜덤 액세스 메모리'')은 각 비트를 저장하기 위해 하나의 메모리 셀을 사용하며, 각 셀은 하나의 MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터)와 하나의 MOS capacitor(MOS 커패시터)로 구성된다. DRAM은 가격이 저렴하고 집적도가 높아 컴퓨터의 주 메모리로 사용된다. 하지만 메모리 셀에 저장된 전하가 시간이 지나면서 서서히 누출되기 때문에 주기적으로 리프레시(재기록)해야 하며, 이를 위해 별도의 회로가 필요하다. 리프레시 과정은 컴퓨터 내부에서 자동으로 처리되므로 사용자가 인지할 수는 없다.
  • * '''FPM DRAM''' (''패스트 페이지 모드 DRAM'')은 이전 세대의 비동기식 DRAM을 개선한 것으로, 메모리의 특정 "페이지"에 반복적으로 접근할 때 더 빠른 속도를 제공한다. 1990년대 중반에 사용되었다.
  • * '''EDO DRAM''' (''확장 데이터 출력 DRAM'')은 이전 데이터 전송이 완료되기 전에 새로운 메모리 접근을 시작할 수 있도록 하여 접근 시간을 단축한 구형 비동기식 DRAM이다. 1990년대 후반에 사용되었다.
  • * '''VRAM''' (''비디오 램'')은 과거 비디오 어댑터(비디오 카드)의 프레임 버퍼에 사용되었던 듀얼 포트 RAM의 일종이다.
  • * '''SDRAM''' (''동기식 동적 랜덤 액세스 메모리'')은 DRAM 칩에 클럭 신호를 추가하여 컴퓨터의 메모리 버스와 모든 동작을 동기화하는 회로를 추가한 것이다. 이를 통해 칩은 ''파이프라인'' 방식을 사용하여 여러 메모리 요청을 동시에 처리함으로써 속도를 향상시킬 수 있었다. 칩 내부의 데이터는 각각 독립적으로 메모리 작업을 수행할 수 있는 ''뱅크''로 나뉜다. SDRAM은 2000년경부터 컴퓨터 메모리의 주류로 자리 잡았다.
  • ** '''DDR SDRAM''' (''Double data rate SDRAM|더블 데이터 속도 SDRAM'')은 더블 펌핑(클럭 펄스의 상승 및 하강 에지 모두에서 데이터 전송) 기술을 통해 각 클럭 사이클마다 두 배의 데이터(두 개의 연속적인 워드)를 전송할 수 있다. 이러한 방식은 메모리 접근 속도와 처리량을 높이기 위해 현재(2012년)까지도 사용되고 있다. 메모리 칩 내부 클럭 속도를 높이는 데 한계가 있어, 각 클럭 사이클에 더 많은 데이터 워드를 전송하는 방식으로 전송 속도를 향상시킨다.

'''DDR2 SDRAM'''은 내부 클럭 사이클당 4개의 연속 워드를 전송한다.
'''DDR3 SDRAM'''은 내부 클럭 사이클당 8개의 연속 워드를 전송한다.
'''DDR4 SDRAM'''은 내부 클럭 사이클당 16개의 연속 워드를 전송한다.

  • ** '''RDRAM''' (''Rambus DRAM'')은 일부 인텔 시스템에서 사용되었으나, 결국 DDR SDRAM에 밀려난 또 다른 더블 데이터 속도 메모리 표준이다.

'''XDR DRAM''' (''Extreme data rate DRAM|익스트림 데이터 속도 DRAM'')

  • ** '''SGRAM''' (''Synchronous graphics RAM'')은 그래픽 어댑터(비디오 카드) 전용으로 개발된 특수 SDRAM이다. 비트 마스킹 및 블록 쓰기와 같은 그래픽 관련 작업을 지원하며, 두 개의 메모리 페이지를 동시에 열 수 있다.

'''GDDR SDRAM''' (''Graphics DDR SDRAM|그래픽 DDR SDRAM'')
* '''GDDR2'''
* '''GDDR3 SDRAM'''
* '''GDDR4 SDRAM'''
* '''GDDR5 SDRAM'''
* '''GDDR6 SDRAM'''

  • ** '''HBM''' (''High Bandwidth Memory'')은 그래픽 카드에 사용되는 SDRAM의 발전된 형태로, 더욱 빠른 데이터 전송 속도를 제공한다. 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 올리고 더 넓은 데이터 버스를 사용한다.
  • * '''PSRAM''' (''Pseudostatic RAM'')은 칩 내부에 메모리 리프레시 회로가 내장된 DRAM으로, SRAM처럼 동작하여 외부 메모리 컨트롤러를 사용하지 않고도 에너지를 절약할 수 있다. Wii와 같은 일부 비디오 게임 콘솔에서 사용된다.
  • '''SRAM''' (''Static random-access memory'')은 각 비트의 데이터를 4~6개의 트랜지스터로 구성된 플립플롭 회로에 저장한다. SRAM은 DRAM보다 집적도가 낮고 비트당 가격이 비싸지만, 더 빠르고 메모리 리프레시가 필요하지 않다. 주로 컴퓨터의 소규모 캐시 메모리에 사용된다.
  • '''CAM''' (''Content-addressable memory'')은 주소를 통해 데이터에 접근하는 일반적인 방식과 달리, 데이터 워드를 입력하면 해당 워드가 메모리에 저장되어 있는지 여부를 반환하는 특수 메모리이다. 주로 마이크로프로세서와 같은 다른 칩에 통합되어 캐시 메모리에 사용된다.

2. 2. 비휘발성 메모리 (Non-volatile Memory)

비휘발성 메모리는 전원을 꺼도 기억 정보가 유지되는 메모리이다. 쓰기 가능한 비휘발성 메모리는 대부분 쓰기 동작에 따른 내부 절연층의 열화 때문에 쓰기 가능 횟수에 상한이 있다. 또한, 비휘발성이라고 해도 각각의 원리 차이에 따라 기억 정보 유지 기간이 다르다.

소거와 쓰기가 가능한 ROM은 "ROM"이라는 단어가, 비휘발성 RAM은 "RAM"이라는 단어가 붙는 경우가 있다.

최근에는 SSD에 반도체 메모리가 사용되며, 휴대 기기나 디지털 카메라와 같이 진동에 민감한 기기에도 플래시 메모리가 주로 사용된다.

2. 2. 1. ROM (Read Only Memory)

'''ROM'''(고정 기억 장치)은 읽기 전용 메모리이다. 일반적으로 데이터를 변경할 수 없도록 설계되었으나, 일부 유형은 쓰기가 가능하다.

  • 마스크 ROM: 제조 시 정보가 주어지며, 내용이 고정되어 변경할 수 없다.
  • PROM(Programmable ROM): 1회만 쓰기가 가능하며, 쓰기 후에는 지우거나 다시 쓰기가 불가능하다.
  • * EPROM(Erasable Programmable ROM): 수백에서 수천 번 정도 지우기 및 재쓰기가 가능하다.
  • ** UV-EPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable ROM): 자외선을 쬐어 지우며, 지운 후에는 다시 쓰기가 가능하다.
  • ** EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM): 전기적으로 지우기와 쓰기가 가능하다. 플래시 메모리는 EEPROM의 발전형이다.

NOR 플래시 메모리
NAND 플래시 메모리

  • 강유전체 메모리(Ferroelectric RAM, FeRAM, FRAM[49])
  • 자기 저항 메모리(Magnetoresistive RAM, MRAM)
  • PRAM (Phase change RAM)
  • ReRAM(Resistive RAM, RRAM[50])

2. 2. 2. 기타 비휘발성 RAM


  • 강유전체 메모리(Ferroelectric RAM, FeRAM, FRAM[49])
  • 자기 저항 메모리(Magnetoresistive RAM, MRAM): MTJ(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합) 효과를 이용한다.
  • PRAM (Phase change RAM): 상변화 메모리를 사용하며, 쓰기는 소자의 열 변화에 의해 수행한다.
  • ReRAM(Resistive RAM, RRAM[50]): 전압 인가에 의해 전기 저항이 크게 변화한다. 그러나 그 원리는 CMR (Colossal Magneto-Resistance)이라고 불리는 효과를 이용한 것, 산소 이온의 이동에 의한 전도 경로의 형성, 금속의 마이그레이션, 편향에 의한 밴드갭의 변화 등 다방면에 걸쳐 있다. 재료마다 원리가 다르기 때문에 ReRAM으로 총괄되고 있다.

3. 동작 원리

반도체 메모리 칩에서 이진 데이터의 각 비트는 하나 또는 여러 개의 트랜지스터로 구성된 메모리 셀이라는 작은 회로에 저장된다.[5] 메모리 셀은 칩 표면에 직사각형 배열로 배치되며, 1비트 메모리 셀은 단일 메모리 주소로 함께 액세스되는 "워드"라는 작은 단위로 그룹화된다. 메모리는 일반적으로 2의 거듭제곱인 워드 길이로 제조되며, 보통 ''N''=1, 2, 4 또는 8비트이다.

데이터는 칩의 주소 핀에 적용되는 메모리 주소라는 이진수를 사용하여 액세스되며, 칩에서 액세스할 워드를 지정한다. 메모리 주소가 ''M'' 비트로 구성된 경우, 칩의 주소 수는 2''M''이며, 각 주소는 ''N'' 비트 워드를 포함한다. 따라서 각 칩에 저장되는 데이터 양은 ''N''2''M'' 비트이다.[5] 주소선의 수가 ''M''개일 때의 메모리 저장 용량은 2''M''으로 표시되며, 일반적으로 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 및 512와 같이 2의 거듭제곱으로 표시되며, 킬로비트, 메가비트, 기가비트 또는 테라비트 등으로 측정된다. 여러 집적 회로를 결합하여, 각 칩이 제공하는 것보다 더 큰 워드 길이 및/또는 주소 공간으로 메모리를 구성할 수 있다.[5]

메모리 칩이 수행하는 두 가지 기본 연산은 다음과 같다.


  • '''읽기''': 메모리 워드의 데이터 내용을 읽는다(파괴적이지 않음).
  • '''쓰기''': 데이터를 메모리 워드에 저장하여 이전에 저장된 모든 데이터를 대체한다.


DDR SDRAM과 같은 최신 유형의 메모리 칩 중 일부는 데이터 속도를 높이기 위해 각 읽기 또는 쓰기 작업으로 여러 워드에 액세스한다.

휘발성 메모리는 전원을 끄면 기억 정보가 사라진다. 휘발성 메모리에는 다음 종류가 있다.

  • SRAM(Static RAM, 정적 램): 플립플롭에 의한 정적인 회로로, DRAM과 같은 리프레시가 필요 없다. 프로세서의 온다이 캐시 메모리 등에 사용되는 타입은 일반적으로 가장 빠른 부류이다.
  • DRAM(Dynamic RAM, 동적 램): 각 메모리 셀이 갖는 미소한 캐패시터의 전하에 의한 것이다. 정보를 유지하고 있는 셀에 대해서는 일정 시간마다 리프레시 동작이라고 불리는 재생[47] 조작을 해야 하기 때문에, 다이내믹이라는 이름이 있다.
  • FPM DRAM (First Page Mode DRAM)
  • EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
  • SDRAM(Synchronous DRAM, 동기식 DRAM) / DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM, 더블 데이터 레이트 SDRAM)
  • RDRAM(Rambus DRAM)


DRAM의 특수 예로 의사 SRAM이 있다[48].

4. 응용 분야

반도체 메모리는 응답 속도와 대역폭이 우수하지만, 용량당 가격이 높고 일반적으로 휘발성이 강해 이전에는 보조 기억 장치로 잘 사용되지 않았다. 하지만 최근에는 SSD의 등장으로 점차 활용 범위가 넓어지고 있다. 또한, 휴대 기기나 디지털 카메라와 같이 진동에 민감한 장치에서는 기계적 장치보다 안정적인 반도체 메모리(주로 플래시 메모리)가 기록용으로 사용된다.[1]


  • 프레임 메모리: 디지털 방식의 비디오 표시 장치에서 화면을 표시하기 위한 메모리이다.[1]
  • 캐시 메모리: CPU가 주 기억 장치에 접근하는 속도를 높이기 위해 사용되는 메모리이다.[1]

참조

[1] 웹사이트 The MOS Memory Market http://smithsonianch[...] Smithsonian Institution 2019-10-16
[2] 웹사이트 MOS Memory Market Trends http://smithsonianch[...] Smithsonian Institution 2019-10-16
[3] 서적 Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs https://books.google[...] Springer 2017
[4] 서적 CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition https://books.google[...] CRC Press 2016-01-04
[5] 서적 Digital System Design - Use of Microcontroller https://books.google[...] River Publishers 2010
[6] 뉴스 Annual Semiconductor Sales Increase 21.6 Percent, Top $400 Billion for First Time https://www.semicond[...] Semiconductor Industry Association 2019-07-29
[7] 서적 Fundamentals of Computing and Programing https://books.google[...] Technical Publications 2008
[8] 서적 Foundations of Computer Science https://books.google[...] Laxmi Publications 2006
[9] 웹사이트 1966: Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs https://www.computer[...] 2019-06-19
[10] 웹사이트 Semiconductor Memory Timeline Notes http://corphist.comp[...] 2019-08-02
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[47] 문서
[48] 문서
[49] 문서
[50] 문서
[51] 문서
[52] 문서


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