기억 장치
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1. 개요
기억 장치는 컴퓨터에서 데이터를 저장하는 장치를 통칭하는 용어이다. 기억 장치는 CPU와의 접근 속도, 데이터의 영구 보존 여부, 접근 방식 등 다양한 특성에 따라 계층적으로 분류된다. 주 기억 장치는 CPU가 직접 접근할 수 있는 빠른 메모리(RAM)로, 프로세서 레지스터, 캐시 메모리, RAM 등으로 구성된다. 보조 기억 장치는 주 기억 장치를 보완하는 느리지만 대용량의 비휘발성 저장 장치로, HDD, SSD, 광 디스크 등이 있다. 3차 기억 장치는 대용량 데이터를 보관하는 오프라인 저장 장치로, 자기 테이프 라이브러리 등이 사용된다. 기억 장치는 휘발성/비휘발성, 접근 방식, 주소 지정 가능도, 성능 등의 특징을 가지며, 기술 발전과 함께 더 빠르고, 더 크고, 더 효율적인 방향으로 발전하고 있다.
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정적 램(SRAM)은 전원이 공급되는 동안 데이터를 저장하며, 갱신 회로가 필요 없고 빠른 접근 속도를 가지는 휘발성 메모리 유형이다.
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2. 기억 장치의 계층
일반적으로 저장 장치가 계층 구조에서 낮을수록 대역폭이 낮고 CPU로부터의 접근 대기 시간이 길어진다. 이러한 구분은 비트당 비용에 의해 결정된다.
오늘날에는 일반적으로 ''메모리''는 빠르지만 일시적인 반도체 읽기-쓰기 메모리이며, 일반적으로 DRAM (동적 RAM) 또는 이와 유사한 장치를 말한다. ''저장 장치''는 CPU가 직접 접근할 수 없는 저장 장치와 그 매체(보조 또는 3차 기억 장치)로 구성되며, 일반적으로 하드 디스크 드라이브, 광 디스크 드라이브 및 RAM보다 느리지만 비휘발성인 장치(전원이 꺼져도 내용을 유지)이다.[2]
'''산술 논리 연산 장치'''(Arithmetic Logic Unit, ALU)와 '''제어 장치'''(Control Unit) 등을 일체화한 '''프로세서''', 프로세서가 처리하는 명령의 프로그램과 데이터를 기억하는 '''메모리 모듈'''로 구성된 '''주 기억 장치'''는 필수 요소이며 컴퓨터의 중추를 담당한다. 그 외에는 입출력 장치라고 불리며, 컴퓨터의 용도에 따라 각종 장치를 연결한다. 입출력 장치의 일종인 보조 기억 장치는 전원이 꺼져도 컴퓨터가 정지 상태에서도 기억을 유지할 수 있다.
주 기억 장치는 바이트 단위로 주소를 할당하고, 기본적인 명령(로드 스토어 명령 등)으로 프로세서의 레지스터와 데이터 전송이 가능한 것으로 분류된다.
2. 1. 주기억 장치 (Primary Storage)
주 기억 장치(''주 메모리'', ''내부 메모리'', 또는 ''주요 메모리''라고도 함)는 CPU가 직접 접근할 수 있는 기억 장치이다.[3] CPU는 주기억 장치에 저장된 명령어를 지속적으로 읽고 실행하며, 처리되는 데이터도 이곳에 저장된다.초창기 컴퓨터는 딜레이 라인, 윌리엄스 튜브, 회전하는 자기 드럼을 주기억 장치로 사용했지만, 1954년 이후 자기 코어 메모리로 대체되었다. 1970년대 집적 회로 기술 발전으로 반도체 메모리가 등장하면서 램(RAM)이 주 기억 장치로 사용되기 시작했다. RAM은 크기가 작고 가볍지만 비싸며, 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 특성을 가진다.[3] 이러한 특성때문에, 열린 프로그램을 저장하는 것 외에도 페이지 캐시 및 쓰기 버퍼 역할을 하여 읽기 및 쓰기 성능을 향상시키는데 사용된다. 운영 체제는 실행 중인 소프트웨어에 필요하지 않는 한 캐싱을 위해 RAM 용량을 빌린다.[3] 여유 메모리는 임시 고속 데이터 저장을 위한 램 디스크로 활용될 수 있다.
주 기억 장치는 일반적으로 대용량 RAM 외에도 프로세서 레지스터와 프로세서 캐시라는 두 개의 하위 계층을 가진다.[3] 프로세서 레지스터는 프로세서 내부에 위치하며, 각 레지스터는 워드 단위의 데이터를 저장하고, 모든 컴퓨터 데이터 저장 장치 중에서 가장 빠르다. 프로세서 캐시는 초고속 레지스터와 느린 주 메모리 사이의 중간 단계로, 주 메모리에서 자주 사용되는 정보를 복제하여 컴퓨터 성능을 향상시킨다.[3] 주 메모리는 프로세서 레지스터보다 훨씬 큰 저장 용량을 가지지만, 속도는 더 느리다. 다단계 메모리 계층 구조 설정도 일반적으로 사용된다.[3] ''1차 캐시''는 가장 작고 빠르며 프로세서 내부에 위치하고, ''2차 캐시''는 약간 더 크고 느리다.
주 기억 장치는 ''메모리 버스''( 주소 버스와 데이터 버스)를 통해 CPU에 직접 또는 간접적으로 연결된다. CPU는 주소 버스를 통해 데이터 위치를 나타내는 메모리 주소를 보내고, 데이터 버스를 통해 데이터를 읽거나 쓴다. 메모리 관리 장치(MMU)는 CPU와 RAM 사이에 위치하여 가상 메모리 등의 작업을 위해 실제 메모리 주소를 다시 계산한다.
주 기억 장치에 사용되는 RAM은 휘발성이므로, 컴퓨터를 시작하기 위한 명령을 읽을 수 있는 비휘발성 주 기억 장치(읽기 전용 메모리, ROM)가 필요하다. ROM은 작은 시작 프로그램(BIOS)을 포함하여 컴퓨터를 부트스트랩한다. 일부 임베디드 시스템은 ROM에서 직접 프로그램을 실행하기도 한다.
최근 ''주 기억 장치''와 ''보조 기억 장치''는 역사적으로 ''보조 기억 장치''와 ''3차 기억 장치''라고 불렸던 것을 의미하기도 한다.[4]
ROM, EEPROM, NOR 플래시, 및 RAM을 포함하는 주 기억 장치는 일반적으로 바이트 어드레싱 가능하다.[5] 현재 주 기억 장치는 8비트=1바이트마다 '''주소''', 번지가 할당되는 바이트 주소 방식을 주로 사용한다.
프로세서 내부에도 '''레지스터'''라고 불리는 기억 장치가 구성되어 있다.
프로세서가 명령과 데이터를 주 기억 장치에서 읽어 처리하는 흐름은 다음과 같다.
- '''프로그램 카운터''' (PC)라고 불리는 레지스터 값을 주소로 하여 주 기억 장치에서 명령 레지스터로 읽어온다 ('''페치''')
- 명령 레지스터의 내용이 메모리에서 64비트 BB 레지스터로 읽어오는 '''로드''' 명령으로 해석된다 ('''디코딩''')
- 대상 BB 레지스터에 AA 레지스터 값 +24를 시작 주소로 하여 주 기억 장치에서 연속 8바이트를 읽어온다 ('''로드'''의 '''실행''')
- 프로그램 카운터가 명령 레지스터 용량만큼 증가한다.
등과 같은 기본적인 명령으로 순차적으로 처리된다.
2000년 무렵까지 프로세서 성능은 지수적으로 향상되었지만, 주 기억 장치 접근 성능은 크게 향상되지 않았다. 프로세서 내부 레지스터 접근은 1 사이클로 처리되지만, 주 기억 장치 접근은 수십에서 수백 사이클 이상이 소요된다. 이를 해결하기 위해 프로세서 내부 레지스터와 주 기억 장치 사이에 캐시 메모리 계층을 둔다. 캐시 메모리는 빠르지만 용량이 작아 주 기억 장치 일부를 복사해 사용하며, 주 기억 장치 접근 빈도를 줄인다. 캐시 관리는 프로세서가 자동으로 수행하지만, 사용자는 명령이나 데이터 배치를 캐시를 고려하여 수행해야 한다. 현재 프로세서는 내부에 2차, 3차 캐시 등 다단계 및 대용량 캐시 메모리를 탑재하고 있다.[44][45]
주기억 장치에 사용되는 RAM에는 DRAM과 SRAM 등이 있다. DRAM은 정기적인 재읽기 및 재쓰기(메모리 리프레시)가 필요한 휘발성 메모리이고, SRAM은 리프레시가 필요 없는 휘발성 메모리이다.
2. 2. 보조 기억 장치 (Secondary Storage)
보조 기억 장치는 주기억 장치를 확장한 것으로, CPU에서 직접 접근할 수 없고 입/출력 채널을 통해 접근하여 데이터를 주기억 장치로 전송한다.[6] 주기억 장치보다 속도는 느리지만, 전원이 꺼져도 데이터를 영구적으로 보존할 수 있는 비휘발성(Non-Volatile) 기억 장치이다.[6]하드 디스크 드라이브(HDD), 솔리드 스테이트 드라이브(SSD), USB 플래시 드라이브, CD-ROM, DVD, 블루레이 디스크 등이 보조 기억 장치에 해당한다.[6] 현대 컴퓨터에서는 하드 디스크 드라이브 (HDD) 또는 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD)가 일반적으로 보조 기억 장치로 사용된다.[6] HDD 또는 SSD의 바이트당 접근 시간은 일반적으로 밀리초 (1,000분의 1초) 단위로 측정되는 반면, 주 기억 장치의 바이트당 접근 시간은 나노초 (10억분의 1초) 단위로 측정되어 보조 기억 장치가 주 기억 장치보다 훨씬 느리다.[6]
보조 기억 장치는 종종 파일 시스템 형식에 따라 포맷되며, 이는 데이터를 컴퓨터 파일 및 디렉터리로 구성하고, 파일 소유자, 접근 시간, 접근 권한 등의 메타데이터를 제공한다.[6] 대부분의 컴퓨터 운영 체제는 가상 메모리를 사용하여 실제보다 더 많은 주 기억 장치 용량을 활용한다.[6]
한편, 보조 기억 장치는 '''스토리지'''라고도 불리며, '''하드 디스크 드라이브''', '''솔리드 스테이트 드라이브''', 자기 테이프 드라이브, 광 디스크 드라이브 등이 널리 사용된다.[46] 이러한 스토리지는 '''전용 컨트롤러'''와 '''캐시'''에 '''자기 디스크'''나 '''플래시 메모리'''가 연결된 스토리지 전용 컴퓨터와 같은 하위 구성 요소가 된다.[46] 스토리지의 기억 단위로는 512바이트나 4 KiB 등으로 구성된 '''블록''' 또는 '''섹터'''가 사용된다.[46]
프로세서가 주 기억 장치에 스토리지에서 데이터를 읽어 들이는 과정은 다음과 같다.[46]
- 프로세서가 스토리지 컨트롤러에 읽기 명령을 발행한다.
- 스토리지 컨트롤러는 명령 수신 완료를 프로세서에 통지한다.
- 스토리지 컨트롤러는 지정된 블록을 읽어 들이고 주 기억 장치에 데이터를 전송한다.
- 스토리지 컨트롤러는 프로세서에 명령 처리 완료를 통지한다.
한국의 SSD 기술 발전은 낸드 플래시 메모리 기술을 기반으로 하며, 삼성전자와 SK하이닉스는 이 분야에서 세계적인 경쟁력을 보유하고 있다.
2. 3. 3차 기억 장치 (Tertiary Storage)
3차 기억 장치 또는 3차 저장 장치는 2차 기억 장치 아래 단계이다. 일반적으로, 시스템의 요구에 따라 제거 가능한 대용량 저장 매체를 저장 장치에 ''장착'' (삽입)하고 ''해제''하는 로봇 메커니즘이 포함된다. 이러한 데이터는 사용 전에 2차 저장 장치로 복사되는 경우가 많다. 2차 저장 장치보다 훨씬 느리기 때문에(예: 5~60초 대 1~10밀리초) 드물게 접근하는 정보를 보관하는 데 주로 사용된다. 이는 특히 인간 작업자 없이 접근하는 엄청나게 큰 데이터 저장소에 유용하다. 일반적인 예로는 테이프 라이브러리와 광 디스크 자동 보관 장치가 있다.
컴퓨터가 3차 저장 장치에서 정보를 읽어야 할 경우, 먼저 카탈로그 데이터베이스를 참조하여 어떤 테이프 또는 디스크에 정보가 들어 있는지 확인한다. 다음으로, 컴퓨터는 로봇 팔에게 매체를 가져와 드라이브에 넣도록 지시한다. 컴퓨터가 정보 읽기를 마치면 로봇 팔이 매체를 라이브러리 내 원래 위치로 되돌려 놓는다.
3차 저장 장치는 "온라인에 가깝다"는 의미로 ''니어라인 스토리지''라고도 한다. 온라인, 니어라인, 오프라인 스토리지 간의 공식적인 구분은 다음과 같다.
- 온라인 스토리지는 I/O에 즉시 사용할 수 있다.
- 니어라인 스토리지는 즉시 사용할 수 없지만, 인간의 개입 없이 빠르게 온라인 상태로 만들 수 있다.
- 오프라인 스토리지는 즉시 사용할 수 없으며, 온라인 상태가 되려면 인간의 개입이 필요하다.
예를 들어, 항상 켜져 있는 회전식 하드 디스크 드라이브는 온라인 스토리지이고, 유휴 디스크의 대규모 배열(MAID)에서처럼 자동으로 회전이 중지되는 회전식 드라이브는 니어라인 스토리지이다. 테이프 라이브러리에서처럼 자동으로 로드할 수 있는 테이프 카트리지와 같은 이동식 매체는 니어라인 스토리지이며, 수동으로 로드해야 하는 테이프 카트리지는 오프라인 스토리지이다.
2. 4. 오프라인 기억 장치 (Off-line Storage)
처리 장치의 통제를 받지 않는 매체나 장치의 컴퓨터 데이터 기억 장치를 오프라인 기억 장치라고 한다.[49] ''오프라인 저장소''는 처리 장치의 제어 하에 있지 않은 매체 또는 장치에 데이터를 저장하는 방식이다.[9] 매체는 일반적으로 보조 또는 3차 저장 장치에 기록된 다음 물리적으로 제거되거나 연결이 해제된다. 컴퓨터가 다시 접근하려면 사람이 조작하여 삽입하거나 연결해야 한다.오프라인 저장소는 분리된 매체를 물리적으로 쉽게 운반할 수 있기 때문에 정보 전송에 사용된다. 또한, 화재 등의 재해로 인해 원본 데이터가 파괴되는 경우에도 원격 위치의 매체는 영향을 받지 않아 재해 복구가 가능하다. 오프라인 저장소는 컴퓨터에서 물리적으로 접근할 수 없으므로 일반적인 정보 보안을 강화하며, 컴퓨터 기반 공격 기술에 의해 데이터 기밀성 또는 무결성이 영향을 받지 않는다. 보관 목적으로 저장된 정보에 드물게 접근하는 경우, 오프라인 저장소가 3차 저장소보다 비용이 저렴하다.
현대 개인용 컴퓨터에서는 대부분의 보조 및 3차 저장 매체도 오프라인 저장에 사용된다. 광 디스크와 플래시 메모리 장치가 가장 널리 사용되며, 탈착식 하드 디스크 드라이브는 훨씬 적게 사용된다. 과거에는 플로피 디스크와 Zip 디스크가 사용되었다. 기업에서는 자기 테이프 카트리지가 주를 이루며, 이전 예로는 오픈 릴 자기 테이프와 펀치 카드가 있다.
3. 기억 장치의 특징
기억 장치는 휘발성/비휘발성, 접근 방식, 주소 지정 가능도, 용량, 성능 등 다양한 특성에 따라 분류할 수 있다.
- '''휘발성/비휘발성'''
휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않으면 저장된 데이터가 사라지는 기억 장치이다. RAM이 대표적인 예이다. 동적 램과 정적 램은 휘발성 메모리의 한 종류이다. 동적 랜덤 액세스 메모리는 저장된 정보를 주기적으로 다시 읽고 써야 하거나 새로 고침해야 하며, 그렇지 않으면 사라진다. 정적 랜덤 액세스 메모리는 전원이 공급되는 동안에는 새로 고침이 필요 없지만, 전원 공급이 중단되면 내용이 손실된다.
비휘발성 메모리는 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 유지되는 기억 장치이다. HDD, SSD, USB 메모리, ROM 등이 비휘발성 메모리에 해당한다. 장기간의 기억에 적합하며, 현재는 주로 보조/3차 기억 장치나 오프라인 스토리지에서 사용되고 있다. 1950년대부터 1960년대에 걸쳐서는 자기 코어 메모리가 1차 기억 장치로도 사용되었다.
무정전 전원 공급 장치(UPS)는 배터리가 소진되기 전에 컴퓨터가 기본 휘발성 저장소에서 비휘발성 저장소로 정보를 이동할 수 있는 짧은 시간 창을 제공하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어 EMC Symmetrix와 같은 일부 시스템에는 휘발성 저장소를 몇 분 동안 유지하는 통합 배터리가 있다.
- '''접근 방식'''
임의 접근(Random Access) 방식은 기억 장치의 어느 위치에든 거의 동일한 시간에 접근할 수 있는 방식이다. 이러한 특성 때문에 주 기억 장치 및 보조 기억 장치에 적합하다. 반도체 메모리, 플래시 메모리, 하드 디스크 드라이브 등이 임의 접근 방식을 사용하지만, 반도체 및 플래시 메모리는 기계적 부품을 움직일 필요가 없어 지연 시간이 매우 짧다. RAM (Random Access Memory)은 원래 임의 접근 메모리를 의미하지만, 주로 ROM (Read only memory)에 대비되는 "(임의 접근으로) 쓰기 가능"이라는 의미로 사용된다.
순차 접근(Sequential Access) 방식은 데이터가 저장된 순서대로만 접근할 수 있는 방식이다. 따라서 특정 정보에 접근하는 시간은 마지막으로 접근한 정보 조각에 따라 달라진다. 자기 테이프가 대표적인 순차 접근 방식의 기억 장치이며, 오프라인 저장 장치에 적합하다.
- '''주소 지정 가능도'''
위치 주소 지정 가능 방식은 각 데이터 저장 위치에 고유한 메모리 주소를 할당하여 데이터를 식별하는 방식이다. 현대 컴퓨터에서 위치 지정 가능 스토리지는 일반적으로 컴퓨터 프로그램이 내부적으로 액세스하는 주 기억 장치로 제한된다. 주 기억 장치에서는 주로 바이트 단위, 보조 기억 장치에서는 블록 단위로 주소가 부여된다.
파일 주소 지정 가능 방식은 데이터를 파일 단위로 구성하고, 사람이 읽을 수 있는 디렉터리 및 파일 이름을 통해 데이터에 접근하는 방식이다. 현대 컴퓨터에서는 보조, 3차 및 오프라인 저장 장치가 파일 시스템을 사용한다. 파일 시스템은 일반적으로 운영 체제에 의해 제공된다.
내용 주소화 기억 장치(CAM)는 저장된 데이터의 내용(일부)을 기반으로 데이터를 검색하는 방식이다. 내용 지정 가능 스토리지는 소프트웨어 또는 하드웨어를 사용하여 구현할 수 있으며, 하드웨어가 더 빠르지만 더 비싼 옵션이다. 하드웨어 내용 지정 가능 메모리는 컴퓨터의 CPU 캐시에서 자주 사용된다. 예를 들어, 캐시 메모리에는 본체의 기억 장치에 있는 주소의 내용이 캐시에 들어 있는지 여부를 문의할 필요가 있으며, 일종의 연상 메모리가 사용된다.
- '''성능'''
기억 장치의 성능은 다음과 같은 요소에 의해 결정된다.[21][22]
- '''대기 시간''': 저장 장치의 특정 위치에 접근하는 데 걸리는 시간이다. 1차 기억 장치의 경우 나노초 단위, 2차 기억 장치의 경우 밀리초 단위, 3차 기억 장치의 경우 초 단위로 측정된다. 읽기와 쓰기 대기 시간은 다를 수 있으며, 순차 접근의 경우 최소, 최대, 평균 대기 시간을 고려할 수 있다.
- '''처리량''': 저장 장치에서 정보를 읽거나 쓸 수 있는 속도이다. 일반적으로 초당 메가바이트(MB/s) 단위로 표시되지만, 비트율을 사용할 수도 있다. 읽기 및 쓰기 속도는 다를 수 있으며, 순차적 접근이 무작위 접근보다 일반적으로 최대 처리량을 제공한다.
- '''신뢰성''': 다양한 조건에서 비트 값의 자발적인 변경 확률 또는 전반적인 고장률을 의미한다.


데이터 저장 장치의 종류에 따라 고장 지점이 다르며, 다양한 예측 고장 분석 방법이 존재한다. 기계식 하드 드라이브의 헤드 크래시, 플래시 저장 장치의 전자 부품 고장은 즉각적인 데이터 손실로 이어질 수 있다. 하드 디스크 드라이브의 임박한 고장은 작동 시간 및 스핀업 횟수를 포함하는 S.M.A.R.T. 진단 데이터를 사용하여 추정할 수 있지만, 그 신뢰성은 논쟁의 여지가 있다. 플래시 스토리지는 누적된 오류로 인해 전송 속도가 저하될 수 있으며, 플래시 메모리 컨트롤러는 이를 수정하려고 시도한다. 광학 매체의 상태는 수정 가능한 사소한 오류를 측정하여 확인할 수 있으며, 오류 수가 많으면 매체의 품질 저하 또는 저품질을 의미한다. 너무 많은 연속적인 사소한 오류는 데이터 손상으로 이어질 수 있다. 모든 광학 드라이브의 공급업체 및 모델이 오류 스캔을 지원하는 것은 아니다.
특성 | 하드 디스크 드라이브 | 광 디스크 | 플래시 메모리 | 램 | LTO |
---|---|---|---|---|---|
기술 | 자기 디스크 | 레이저 빔 | 반도체 | 자기 테이프 | |
휘발성 | 아니요 | 아니요 | 아니요 | 휘발성 | 아니요 |
임의 접근 | 예 | 예 | 예 | 예 | 아니요 |
지연 시간 (접근 시간) | ~15 ms (빠름) | ~150 ms (보통) | 없음 (즉시) | 없음 (즉시) | 임의 접근 불가능 (매우 느림) |
컨트롤러 | 내부 | 외부 | 내부 | 내부 | 외부 |
임박한 데이터 손실과 함께하는 오류 | 헤드 충돌 | — | 회로 | — | |
오류 감지 | 진단 (S.M.A.R.T.) | 오류율 측정 | 전송 속도의 하향 급증으로 표시 | (단기 저장) | 알 수 없음 |
공간당 가격 | 낮음 | 낮음 | 높음 | 매우 높음 | 매우 낮음 (하지만 드라이브는 비쌈) |
장치당 가격 | 보통 | 낮음 | 보통 | 높음 | 보통 (하지만 드라이브는 비쌈) |
주요 응용 프로그램 | 중기 보관, 일상적인 백업, 서버, 워크스테이션 저장소 확장 | 장기 보관, 하드 카피 배포 | 휴대용 전자 제품; 운영 체제 | 실시간 | 장기 보관 |
3. 1. 휘발성/비휘발성
휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않으면 저장된 데이터가 사라지는 기억 장치이다. RAM이 대표적인 예이다. 동적 램과 정적 램은 휘발성 메모리의 한 종류이다. 동적 랜덤 액세스 메모리는 저장된 정보를 주기적으로 다시 읽고 써야 하거나 새로 고침해야 하며, 그렇지 않으면 사라진다. 정적 랜덤 액세스 메모리는 전원이 공급되는 동안에는 새로 고침이 필요 없지만, 전원 공급이 중단되면 내용이 손실된다.비휘발성 메모리는 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 유지되는 기억 장치이다. HDD, SSD, USB 메모리, ROM 등이 비휘발성 메모리에 해당한다. 장기간의 기억에 적합하며, 현재는 주로 보조/3차 기억 장치나 오프라인 스토리지에서 사용되고 있다. 1950년대부터 1960년대에 걸쳐서는 자기 코어 메모리가 1차 기억 장치로도 사용되었다.
무정전 전원 공급 장치(UPS)는 배터리가 소진되기 전에 컴퓨터가 기본 휘발성 저장소에서 비휘발성 저장소로 정보를 이동할 수 있는 짧은 시간 창을 제공하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어 EMC Symmetrix와 같은 일부 시스템에는 휘발성 저장소를 몇 분 동안 유지하는 통합 배터리가 있다.
3. 2. 접근 방식
임의 접근(Random Access) 방식은 기억 장치의 어느 위치에든 거의 동일한 시간에 접근할 수 있는 방식이다. 이러한 특성 때문에 주 기억 장치 및 보조 기억 장치에 적합하다. 반도체 메모리, 플래시 메모리, 하드 디스크 드라이브 등이 임의 접근 방식을 사용하지만, 반도체 및 플래시 메모리는 기계적 부품을 움직일 필요가 없어 지연 시간이 매우 짧다. RAM (Random Access Memory)은 원래 임의 접근 메모리를 의미하지만, 주로 ROM (Read only memory)에 대비되는 "(임의 접근으로) 쓰기 가능"이라는 의미로 사용된다.순차 접근(Sequential Access) 방식은 데이터가 저장된 순서대로만 접근할 수 있는 방식이다. 따라서 특정 정보에 접근하는 시간은 마지막으로 접근한 정보 조각에 따라 달라진다. 자기 테이프가 대표적인 순차 접근 방식의 기억 장치이며, 오프라인 저장 장치에 적합하다.
3. 3. 주소 지정 가능도
위치 주소 지정 가능 방식은 각 데이터 저장 위치에 고유한 메모리 주소를 할당하여 데이터를 식별하는 방식이다. 현대 컴퓨터에서 위치 지정 가능 스토리지는 일반적으로 컴퓨터 프로그램이 내부적으로 액세스하는 주 기억 장치로 제한된다. 주 기억 장치에서는 주로 바이트 단위, 보조 기억 장치에서는 블록 단위로 주소가 부여된다.파일 주소 지정 가능 방식은 데이터를 파일 단위로 구성하고, 사람이 읽을 수 있는 디렉터리 및 파일 이름을 통해 데이터에 접근하는 방식이다. 현대 컴퓨터에서는 보조, 3차 및 오프라인 저장 장치가 파일 시스템을 사용한다. 파일 시스템은 일반적으로 운영 체제에 의해 제공된다.
내용 주소화 기억 장치(CAM)는 저장된 데이터의 내용(일부)을 기반으로 데이터를 검색하는 방식이다. 내용 지정 가능 스토리지는 소프트웨어 또는 하드웨어를 사용하여 구현할 수 있으며, 하드웨어가 더 빠르지만 더 비싼 옵션이다. 하드웨어 내용 지정 가능 메모리는 컴퓨터의 CPU 캐시에서 자주 사용된다. 예를 들어, 캐시 메모리에는 본체의 기억 장치에 있는 주소의 내용이 캐시에 들어 있는지 여부를 문의할 필요가 있으며, 일종의 연상 메모리가 사용된다.
3. 4. 성능
기억 장치의 성능은 다음과 같은 요소에 의해 결정된다.[21][22]- '''대기 시간''': 저장 장치의 특정 위치에 접근하는 데 걸리는 시간이다. 1차 기억 장치의 경우 나노초 단위, 2차 기억 장치의 경우 밀리초 단위, 3차 기억 장치의 경우 초 단위로 측정된다. 읽기와 쓰기 대기 시간은 다를 수 있으며, 순차 접근의 경우 최소, 최대, 평균 대기 시간을 고려할 수 있다.
- '''처리량''': 저장 장치에서 정보를 읽거나 쓸 수 있는 속도이다. 일반적으로 초당 메가바이트(MB/s) 단위로 표시되지만, 비트율을 사용할 수도 있다. 읽기 및 쓰기 속도는 다를 수 있으며, 순차적 접근이 무작위 접근보다 일반적으로 최대 처리량을 제공한다.
- '''신뢰성''': 다양한 조건에서 비트 값의 자발적인 변경 확률 또는 전반적인 고장률을 의미한다.
데이터 저장 장치의 종류에 따라 고장 지점이 다르며, 다양한 예측 고장 분석 방법이 존재한다. 기계식 하드 드라이브의 헤드 크래시, 플래시 저장 장치의 전자 부품 고장은 즉각적인 데이터 손실로 이어질 수 있다. 하드 디스크 드라이브의 임박한 고장은 작동 시간 및 스핀업 횟수를 포함하는 S.M.A.R.T. 진단 데이터를 사용하여 추정할 수 있지만, 그 신뢰성은 논쟁의 여지가 있다. 플래시 스토리지는 누적된 오류로 인해 전송 속도가 저하될 수 있으며, 플래시 메모리 컨트롤러는 이를 수정하려고 시도한다. 광학 매체의 상태는 수정 가능한 사소한 오류를 측정하여 확인할 수 있으며, 오류 수가 많으면 매체의 품질 저하 또는 저품질을 의미한다. 너무 많은 연속적인 사소한 오류는 데이터 손상으로 이어질 수 있다. 모든 광학 드라이브의 공급업체 및 모델이 오류 스캔을 지원하는 것은 아니다.
4. 보조 기억 장치의 종류
보조 기억 장치는 주기억장치를 확장한 것으로, 속도가 느리지만 보통 용량이 상대적으로 크다.
현재 가장 널리 사용되는 데이터 저장 매체는 반도체, 자기 및 광학 매체이며, 종이도 여전히 제한적으로 사용되고 있다. 올 플래시 어레이(AFA)와 같은 몇 가지 다른 기본적인 저장 기술도 개발이 제안되고 있다.
2018년 현재, 널리 사용되는 기억 장치 기술로는 반도체, 자기, 광학이 있으며, 종이도 제한적으로 사용되고 있다. 그 외에도 과거에 사용되었던 기억 장치 기술과 개발이 진행 중인 신기술도 있다.
- 하드 디스크
- 디스켓(플로피 디스크)
- CD-ROM 계열
- DVD 계열
- 블루레이 디스크 (BD)
- 플래시 메모리
- 낸드 플래시
- NOR 플래시
- 집 드라이브
- 재즈 드라이브
- 자기 테이프
- USB 플래시 드라이브
- 솔리드 스테이트 드라이브
4. 1. 하드 디스크 드라이브 (HDD)
하드 디스크 드라이브(HDD)는 자기 디스크 표면에 데이터를 기록하고 읽는 자기 기억 장치이다.[28][29] 1956년에 처음 등장했으며, 플로피 디스크와 함께 자기 디스크의 일종으로, 주로 보조 기억 장치로 사용된다.[28][29] 용량이 크고 가격이 저렴하지만, SSD에 비해 속도가 느리고 충격에 약하다는 단점이 있다.4. 2. 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD)
플래시 메모리 기반의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)는 하드 디스크 드라이브(HDD)에 비해 속도가 빠르고 전력 소비가 적으며 충격에 강하다는 장점을 지닌다.[23][24][25][26][27] 2006년 이후 노트북과 데스크톱 컴퓨터 제조사들은 플래시 기반 SSD를 HDD의 대체 또는 추가 저장 장치로 사용하기 시작했다. 최근 가격이 빠르게 하락하면서 SSD는 HDD를 대체하고 있으며, 특히 대한민국 기업들은 낸드 플래시 기술력을 바탕으로 SSD 시장에서 높은 경쟁력을 보유하고 있다.4. 3. 광 디스크 (CD/DVD/Blu-ray)
광 디스크(Optical disc)는 레이저를 이용하여 디스크 표면에 데이터를 기록하고 읽는 방식의 기억 장치이다.[48] 주로 데이터 백업, 소프트웨어 배포, 영화 및 음악 저장 등에 사용된다.[30]광 디스크는 원형 디스크 표면의 변형에 정보를 저장하고, 표면에 레이저 다이오드를 비추고 반사를 관찰하여 이 정보를 읽는다. 광 디스크 스토리지는 비휘발성이다. 변형은 영구적(읽기 전용 미디어), 한 번 형성(한 번 쓰기 미디어) 또는 가역적(기록 가능 또는 읽기/쓰기 미디어)일 수 있다.
- CD, CD-ROM, DVD, BD-ROM: 디지털 정보(음악, 비디오, 컴퓨터 프로그램)의 대량 배포에 사용되는 읽기 전용 스토리지이다.
- CD-R, DVD-R, DVD+R, BD-R: 3차 및 오프라인 스토리지에 사용되는 한 번 쓰기 스토리지이다.
- CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM, BD-RE: 3차 및 오프라인 스토리지에 사용되는 느린 쓰기, 빠른 읽기 스토리지이다.
- 초고밀도 광학 기록(UDO)는 BD-R 또는 BD-RE와 유사한 용량을 가지며, 3차 및 오프라인 스토리지에 사용되는 느린 쓰기, 빠른 읽기 스토리지이다.
자성 광학 디스크 스토리지는 강자성 표면의 자기 상태가 정보를 저장하는 광 디스크 스토리지이다. 정보는 광학적으로 읽고, 자기 및 광학적 방법을 결합하여 기록한다. 자성 광학 디스크 스토리지는 비휘발성, 순차 접근, 느린 쓰기, 빠른 읽기 스토리지로, 3차 및 오프라인 스토리지에 사용된다.
3차원 광학 데이터 저장 장치도 제안되었다.
4. 4. 플래시 메모리
플래시 메모리는 전기적으로 데이터를 쓰고 지울 수 있는 비휘발성 반도체 메모리이다. 21세기 들어 플래시 메모리는 오프라인 스토리지로 시장 점유율을 계속 늘리고 있으며, USB 메모리, SD 카드, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등 다양한 형태로 사용된다.[23][24][25][26][27] 비휘발성 반도체 메모리는 각종 전자 기기 및 특수 컴퓨터의 2차 기억 장치로도 사용된다.4. 5. 자기 테이프
자기 테이프는 1928년에 개발된 자기 기억 장치 매체이다.[28][29] 자기 테이프는 표면에 자성 코팅된 자화 패턴을 사용하여 데이터를 기록하고 읽는 방식이다. 정보를 접근하는 데에는 하나 이상의 읽기/쓰기 헤드가 사용된다. 현대 컴퓨터에서 자기 테이프는 주로 대용량 데이터의 3차 저장 및 오프라인 저장 용도로 활용된다.[28][29]5. 기억 장치의 발전과 미래
컴퓨터 기술 발전과 함께 기억 장치 기술도 지속적으로 발전해 왔다. 더 빠르고, 더 크고, 더 효율적인 기억 장치에 대한 요구는 계속 증가하고 있다.
초기에는 윌리엄스관과 셀렉트론관 같은 진공관 메모리가 사용되었으나, 신뢰성과 가격 문제로 단명했다. 지연선 메모리는 수은을 이용한 전기 음향 메모리로, 주 기억 장치로 사용되었다. 광학 테이프는 자기 테이프나 광학 디스크보다 더 큰 저장 용량을 목표로 개발되었으나, 기술적 한계에 직면했다.
최근에는 3D NAND 플래시, NVMe SSD, 차세대 메모리 기술(PRAM, MRAM, ReRAM 등) 등 새로운 기술들이 등장하면서 기억 장치 시장에 혁신을 가져오고 있다. 특히, 인공지능, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 새로운 기술 발전과 함께 데이터 저장 및 처리 요구량이 급증하면서, 더 빠르고, 더 크고, 더 효율적인 기억 장치 기술 개발이 가속화되고 있다.
상변화 메모리(PRAM)는 상변화 물질의 상태 변화를 이용하여 정보를 저장하며, 비휘발성, 임의 접근 읽기/쓰기 저장 장치로 주목받고 있다. 홀로그래픽 데이터 저장 장치는 결정 또는 광중합체 내부에 정보를 광학적으로 저장하는 기술로, 저장 매체의 전체 볼륨을 활용할 수 있다는 장점이 있다. 홀로그래픽 다목적 디스크(HVD)가 그 예시이다. 분자 메모리는 전하를 저장할 수 있는 고분자를 이용하며, 이론적으로 높은 저장 용량을 가질 수 있다. DNA를 이용한 저장 방식은 2012년에 처음 시연되었으며, DNA 1그램당 215 페타바이트를 달성했다는 보고도 있다.[35][36][37][38] 마이크로소프트가 DNA 메모리를 연구 중이다.
한국은 메모리 반도체 분야에서 세계적인 경쟁력을 보유하고 있으며, 차세대 기억 장치 기술 개발에도 적극적으로 투자하고 있다. 이러한 노력은 한국이 4차 산업혁명 시대의 데이터 중심 경제를 선도하는 데 중요한 역할을 할 것이다.
6. 기타 기술
6. 1. 네트워크 연결
보조 또는 3차 저장 장치는 컴퓨터 네트워크를 사용하여 컴퓨터에 연결될 수 있다. 이 개념은 여러 프로세서 간에 덜 공유되는 주 저장 장치와는 관련이 없다.- 직접 연결 스토리지(DAS)는 네트워크를 사용하지 않는 전통적인 대용량 저장 장치이다. 이는 여전히 가장 인기 있는 접근 방식이다. 이 역성어는 NAS 및 SAN과 함께 최근에 만들어졌다.
- 네트워크 연결 스토리지(NAS)는 다른 컴퓨터가 근거리 통신망, 사설 광역 통신망, 또는 온라인 파일 저장소의 경우 인터넷을 통해 파일 수준에서 액세스할 수 있는 컴퓨터에 연결된 대용량 저장 장치이다. NAS는 일반적으로 네트워크 파일 시스템(NFS) 및 CIFS/SMB 프로토콜과 관련이 있다.
- 스토리지 영역 네트워크(SAN)은 다른 컴퓨터에 저장 용량을 제공하는 특수 네트워크이다. NAS와 SAN의 중요한 차이점은 NAS가 클라이언트 컴퓨터에 파일 시스템을 제공하고 관리하는 반면, SAN은 블록 주소 지정(원시) 수준에서 액세스를 제공하여 제공된 용량 내에서 데이터 또는 파일 시스템을 관리하는 것을 연결 시스템에 맡긴다는 것이다. SAN은 일반적으로 파이버 채널 네트워크와 관련이 있다.
이차 또는 삼차 기억 장치는 컴퓨터 네트워크를 사용하여 컴퓨터와 연결되는 경우도 있다. 일차 기억 장치에서는 그러한 개념은 적합하지 않지만, 멀티프로세서에서 메모리를 공유하는 것도 다소 그것과 비슷하다.
6. 1. 1. 직접 연결 스토리지 (DAS)
직접 연결 스토리지(Direct Attached Storage, DAS)는 네트워크를 거치지 않고 컴퓨터에 직접 연결하는 저장 장치이다.6. 1. 2. 네트워크 연결 스토리지 (NAS)
NAS(Network-attached storage, 네트워크 연결 스토리지)는 다른 컴퓨터가 근거리 통신망, 사설 광역 통신망, 또는 온라인 파일 저장소의 경우 인터넷을 통해 파일 수준에서 접근할 수 있는 컴퓨터에 연결된 대용량 저장 장치이다. NAS는 일반적으로 NFS(Network File System, 네트워크 파일 시스템) 및 CIFS/SMB 프로토콜과 관련이 있다.6. 1. 3. 스토리지 영역 네트워크 (SAN)
SAN(SAN, Storage area network, 스토리지 영역 네트워크)은 다른 컴퓨터에 저장 용량을 제공하는 특수 네트워크이다. NAS와 SAN의 중요한 차이점은 NAS가 클라이언트 컴퓨터에 파일 시스템을 제공하고 관리하는 반면, SAN은 블록 주소 지정(원시) 수준에서 액세스를 제공하여 제공된 용량 내에서 데이터 또는 파일 시스템을 관리하는 것을 연결 시스템에 맡긴다는 것이다. SAN은 일반적으로 파이버 채널 네트워크와 관련이 있다.6. 2. 로봇형 스토리지
대량의 개별 자기 테이프와 광학 또는 자기-광학 디스크는 로봇식 3차 저장 장치에 저장될 수 있다. 테이프 저장 분야에서는 테이프 라이브러리로, 광학 저장 분야에서는 광학 주크박스 또는 광 디스크 라이브러리로 알려져 있다. 단일 드라이브 장치만 포함하는 소형 기술은 자동 로더 또는 자동 체인저라고 한다.로봇 접근 저장 장치는 개별 미디어를 보관하는 여러 슬롯과 슬롯을 가로질러 내장 드라이브에 미디어를 로드하는 하나 이상의 피킹 로봇을 가질 수 있다. 슬롯 및 피킹 장치의 배열은 성능에 영향을 미친다. 이러한 저장 장치의 중요한 특징은 가능한 확장 옵션, 즉 슬롯, 모듈, 드라이브, 로봇을 추가하는 것이다. 테이프 라이브러리는 10개에서 10만 개 이상의 슬롯을 가질 수 있으며 테라바이트 또는 페타바이트 규모의 준 온라인 정보를 제공한다. 광학 주크박스는 최대 1,000개의 슬롯을 가진 다소 작은 솔루션이다.
로봇식 스토리지는 백업 및 이미징, 의료 및 비디오 산업의 대용량 보관에 사용된다. 계층적 스토리지 관리는 사용하지 않는 파일을 고속 하드 디스크 스토리지에서 라이브러리 또는 주크박스로 자동 "마이그레이션"하는 가장 잘 알려진 아카이빙 전략이다. 파일이 필요하면 디스크로 "검색"된다.
7. 주 기억 장치 관련 주제
메모리 관리는 컴퓨터 시스템에서 메모리를 효율적으로 사용하고 관리하는 기술이다. 메모리 관리에는 가상 메모리, 메모리 보호 등의 기술이 사용된다. 가상 메모리는 실제 물리 메모리보다 더 큰 메모리 공간을 제공하는 기술로, 단일 레벨 스토리지와 관련이 있다.
동적 램(DRAM)은 컴퓨터의 주 기억 장치로 사용되는 램의 한 종류이다. 정적 램(SRAM) 또한 램의 한 종류이지만, DRAM보다 속도가 빠르다. DRAM과 SRAM은 각각 다른 특성을 가지고 있어, 용도에 맞게 사용된다. 메모리 지연 시간은 메모리 성능을 평가하는 중요한 요소 중 하나이다.
메모리 보호는 한 프로세스가 다른 프로세스의 메모리 영역을 침범하지 못하도록 보호하는 기술이다. 페이지 주소 레지스터는 가상 메모리 시스템에서 사용되는 레지스터이다.
자기 저항 메모리(MRAM)는 비휘발성 메모리의 한 종류로, 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 특징을 가지고 있다.
8. 보조 기억 장치 관련 주제
파일 시스템은 데이터를 저장하고 구성하는 데 사용되는 방법이다.[39] 파일 형식 목록과 글로벌 파일 시스템을 포함한다. 플래시 메모리는 비휘발성 컴퓨터 기억 장치로, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 사용된다. 클라우드 스토리지는 네트워크를 통해 데이터를 저장하고 접근할 수 있게 해준다.[39] 하이브리드 클라우드 스토리지, 데이터 중복 제거, 데이터 증식과 같은 기술도 활용된다. 데이터 스토리지 태그는 연구 데이터 캡처에, 디스크 유틸리티는 디스크 관리에 사용된다. 객체 기반 스토리지 및 이동식 저장 매체도 보조 기억 장치의 일종이다. 스핀들, 가상 테이프 라이브러리, 대기 상태, 쓰기 버퍼, 쓰기 방지, 콜드 데이터 등의 기술도 관련되어 있다.
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